標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 15909-2017 電子工業(yè)用氣體 硅烷》相比于《GB/T 15909-2009 電子工業(yè)用氣體 硅烷(SiH4)》，主要在以下幾個方面進(jìn)行了調(diào)整和更新：

  1. 范圍與適用性：2017版標(biāo)準(zhǔn)可能對硅烷的應(yīng)用領(lǐng)域或適用條件進(jìn)行了細(xì)化或擴展，以適應(yīng)電子工業(yè)發(fā)展的新需求。

  2. 規(guī)范性引用文件：更新了引用的國家標(biāo)準(zhǔn)和國際標(biāo)準(zhǔn)清單，確保標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容與當(dāng)前的技術(shù)發(fā)展水平和安全環(huán)保要求保持一致。

  3. 術(shù)語和定義：可能新增或修訂了部分專業(yè)術(shù)語的定義，以便更準(zhǔn)確地描述硅烷的質(zhì)量特性和檢測方法。

  4. 技術(shù)要求：對硅烷的純度、雜質(zhì)含量、物理性質(zhì)等關(guān)鍵指標(biāo)進(jìn)行了重新評估和設(shè)定，可能提高了某些參數(shù)的要求，以滿足電子元件制造對材料質(zhì)量的更高標(biāo)準(zhǔn)。

  5. 試驗方法：改進(jìn)或引入了新的檢測技術(shù)和分析方法，提高了測試精度和效率，確保測試結(jié)果的可靠性和可重復(fù)性。

  6. 檢驗規(guī)則：對產(chǎn)品的抽樣、檢驗流程及合格判定準(zhǔn)則進(jìn)行了優(yōu)化，可能增強了對產(chǎn)品質(zhì)量控制的嚴(yán)格性。

  7. 標(biāo)志、標(biāo)簽、包裝、運輸和儲存：這部分內(nèi)容可能根據(jù)最新的安全規(guī)范和物流要求進(jìn)行了調(diào)整，增加了對環(huán)境保護和操作安全性的指導(dǎo)。

  8. 資料性附錄：可能加入了新的參考信息、數(shù)據(jù)表格或案例研究，為使用者提供更多實用指南和幫助。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2017-05-31 頒布
  • 2017-12-01 實施
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文檔簡介

ICS7110020

G86..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T15909—2017

代替

GB/T15909—2009

電子工業(yè)用氣體硅烷

Gasforelectronicindustry—Silane

2017-05-31發(fā)布2017-12-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T15909—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替電子工業(yè)用氣體硅烷與相比除編輯性

GB/T15909—2009《》。GB/T15909—2009,

修改外主要技術(shù)變化如下

:

修改了標(biāo)準(zhǔn)名稱刪除了標(biāo)準(zhǔn)名稱中硅烷的分子式

———,(SiH4);

修改了范圍增加了適用的制備方法修改了適用范圍見第章年版的第章

———:,(1,20091);

修改了規(guī)范性引用文件刪除增加

———:GB/T8984.3、GB/T11640,GB/T11446.1、GB15258、

見第章年版的第章

GB/T16804、GB/T26571、GB/T28726(2,20092);

修改了技術(shù)要求修改硅烷純度為-2體積分?jǐn)?shù)見第章年版的第章

———:99.9999×10()(3,20093);

刪除了電性能規(guī)格見年版的

———(20093.3);

修改了硅烷純度的計算見年版的

———(4.2,20094.2);

修改了氫氧氬氮甲烷烴一氧化碳二氧化碳乙硅烷含量的測定方法見年

———、+、、、、、、(4.4,2009

版的

4.4、4.6、4.7、4.9);

刪除了測定氯化物總量測定方法見年版的

———(20094.5);

增加了氯硅烷含量的測定方法見

———(4.4);

修改了水含量測定方法的儀器檢測限見年版的

———(4.5,20094.8);

增加了金屬及其他元素含量的測定方法見

———(4.6);

修改了標(biāo)志包裝貯運及安全見第章年版的第章

———、、(5,20095)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會氣體分技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC203/SC1)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位西南化工研究設(shè)計院有限公司浙江賽林硅業(yè)有限公司廣東華特氣體股份有限

:、、

公司中昊光明化工研究設(shè)計院有限公司高麥儀器公司天津長蘆華信化工股份有限公司大連大特氣

、、、、

體有限公司上海華愛色譜分析技術(shù)有限公司上海計量測試研究院化工氣體質(zhì)檢中心江蘇中能硅業(yè)

、、、、

科技發(fā)展有限公司浙江中寧硅業(yè)有限公司南京亞格泰新能源材料有限公司浙江大學(xué)安徽省滁州市

、、、、

硅谷特種氣體有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人余京松楊智敏傅鑄紅杜漢盛孫福楠牛艷東李長富周朋云曲慶方華

:、、、、、、、、、、

陳鷹常俠劉曉霞周延江高平洲徐昕

、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T15909—1995、GB/T15909—2009。

Ⅰ

GB/T15909—2017

電子工業(yè)用氣體硅烷

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅烷氣體的技術(shù)要求試驗方法標(biāo)志包裝貯運及安全的內(nèi)容

、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅化鎂法氫化鋁鈉還原四氟化硅法氯硅烷歧化工藝法制備的電子工業(yè)用硅烷它

、、。

主要用于制作高純多晶硅二氧化硅的低溫化學(xué)氣相淀積氮化硅化學(xué)氣相淀積多晶硅隔離層多晶硅

、、、、

歐姆接觸層和異質(zhì)或同質(zhì)硅外延生長原料以及離子注入源和激光介質(zhì)等還可用于制作太陽能電池光

,、

導(dǎo)纖維和光電傳感器等

。

分子式

:SiH4。

相對分子質(zhì)量按年國際相對原子質(zhì)量

:32.117(2011)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

危險貨物包裝標(biāo)志

GB190

工業(yè)用化學(xué)產(chǎn)品采樣安全通則

GB/T3723

鋼質(zhì)無縫氣瓶

GB/T5099

氣體濕度的測定第部分電解法

GB/T5832.11:

氣瓶顏色標(biāo)志

GB/T7144

電子級水

GB/T11446.1

液化氣體氣瓶充裝規(guī)定

GB/T14193

化學(xué)品安全標(biāo)簽編寫規(guī)定

GB15258

氣瓶警示標(biāo)簽

GB/T16804

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