GB/T 15909-2017電子工業(yè)用氣體硅烷

ICS7110020

G86..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T15909—2017

代替

GB/T15909—2009

電子工業(yè)用氣體硅烷

Gasforelectronicindustry—Silane

2017-05-31發(fā)布2017-12-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T15909—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替電子工業(yè)用氣體硅烷與相比除編輯性

GB/T15909—2009《》。GB/T15909—2009,

修改外主要技術(shù)變化如下

:

修改了標(biāo)準(zhǔn)名稱刪除了標(biāo)準(zhǔn)名稱中硅烷的分子式

———,(SiH4);

修改了范圍增加了適用的制備方法修改了適用范圍見(jiàn)第章年版的第章

———:,(1,20091);

修改了規(guī)范性引用文件刪除增加

———:GB/T8984.3、GB/T11640,GB/T11446.1、GB15258、

見(jiàn)第章年版的第章

GB/T16804、GB/T26571、GB/T28726(2,20092);

修改了技術(shù)要求修改硅烷純度為-2體積分?jǐn)?shù)見(jiàn)第章年版的第章

———:99.9999×10()(3,20093);

刪除了電性能規(guī)格見(jiàn)年版的

———(20093.3);

修改了硅烷純度的計(jì)算見(jiàn)年版的

———(4.2,20094.2);

修改了氫氧氬氮甲烷烴一氧化碳二氧化碳乙硅烷含量的測(cè)定方法見(jiàn)年

———、+、、、、、、(4.4,2009

版的

4.4、4.6、4.7、4.9);

刪除了測(cè)定氯化物總量測(cè)定方法見(jiàn)年版的

———(20094.5);

增加了氯硅烷含量的測(cè)定方法見(jiàn)

———(4.4);

修改了水含量測(cè)定方法的儀器檢測(cè)限見(jiàn)年版的

———(4.5,20094.8);

增加了金屬及其他元素含量的測(cè)定方法見(jiàn)

———(4.6);

修改了標(biāo)志包裝貯運(yùn)及安全見(jiàn)第章年版的第章

———、、(5,20095)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)氣體分技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC203/SC1)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位西南化工研究設(shè)計(jì)院有限公司浙江賽林硅業(yè)有限公司廣東華特氣體股份有限

:、、

公司中昊光明化工研究設(shè)計(jì)院有限公司高麥儀器公司天津長(zhǎng)蘆華信化工股份有限公司大連大特氣

、、、、

體有限公司上海華愛(ài)色譜分析技術(shù)有限公司上海計(jì)量測(cè)試研究院化工氣體質(zhì)檢中心江蘇中能硅業(yè)

、、、、

科技發(fā)展有限公司浙江中寧硅業(yè)有限公司南京亞格泰新能源材料有限公司浙江大學(xué)安徽省滁州市

、、、、

硅谷特種氣體有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人余京松楊智敏傅鑄紅杜漢盛孫福楠牛艷東李長(zhǎng)富周朋云曲慶方華

:、、、、、、、、、、

陳鷹常俠劉曉霞周延江高平洲徐昕

、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T15909—1995、GB/T15909—2009。

Ⅰ

GB/T15909—2017

電子工業(yè)用氣體硅烷

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅烷氣體的技術(shù)要求試驗(yàn)方法標(biāo)志包裝貯運(yùn)及安全的內(nèi)容

、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅化鎂法氫化鋁鈉還原四氟化硅法氯硅烷歧化工藝法制備的電子工業(yè)用硅烷它

、、。

主要用于制作高純多晶硅二氧化硅的低溫化學(xué)氣相淀積氮化硅化學(xué)氣相淀積多晶硅隔離層多晶硅

、、、、

歐姆接觸層和異質(zhì)或同質(zhì)硅外延生長(zhǎng)原料以及離子注入源和激光介質(zhì)等還可用于制作太陽(yáng)能電池光

,、

導(dǎo)纖維和光電傳感器等

。

分子式

:SiH4。

相對(duì)分子質(zhì)量按年國(guó)際相對(duì)原子質(zhì)量

:32.117(2011)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

危險(xiǎn)貨物包裝標(biāo)志

GB190

工業(yè)用化學(xué)產(chǎn)品采樣安全通則

GB/T3723

鋼質(zhì)無(wú)縫氣瓶

GB/T5099

氣體濕度的測(cè)定第部分電解法

GB/T5832.11:

氣瓶顏色標(biāo)志

GB/T7144

電子級(jí)水

GB/T11446.1

液化氣體氣瓶充裝規(guī)定

GB/T14193

化學(xué)品安全標(biāo)簽編寫(xiě)規(guī)定

GB15258

氣瓶警示標(biāo)簽

GB/T16804