GB/T 16596-2019確定晶片坐標(biāo)系規(guī)范

ICS29045

H80.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T16596—2019

代替

GB/T16596—1996

確定晶片坐標(biāo)系規(guī)范

Specificationforestablishingawafercoordinatesystem

2019-03-25發(fā)布2020-02-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T16596—2019

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替確定晶片坐標(biāo)系規(guī)范與相比除編輯性修

GB/T16596—1996《》。GB/T16596—1996,

改外主要技術(shù)變化如下

:

規(guī)范性引用文件中刪除了和增加了和

———GB/T12964、SEMIM12SEMIM13,GB/T34479

見(jiàn)第章年版的第章

YS/T986(2,19962);

增加了晶片坐標(biāo)系的建立原則見(jiàn)第章

———“”(3);

增加了晶片背面坐標(biāo)系和三維坐標(biāo)系見(jiàn)

———“”“”(4.2、4.3);

刪除了晶片坐標(biāo)系的應(yīng)用及有關(guān)內(nèi)容中的和見(jiàn)年版的

———“”4.1.14.1.2(19964.1.1、4.1.2);

增加了在中用邊緣輪廓模板建立的邊緣參考坐標(biāo)系用于邊緣的參照其與本晶

———“SEMIM1,,

片坐標(biāo)系不同邊緣輪廓模板和邊緣輪廓參數(shù)使用不同的坐標(biāo)系具體如下在某些情

。,:……”“

況下無(wú)圖形的晶片表面不易區(qū)分正面和背面對(duì)晶片的直徑?jīng)]有特殊規(guī)定但對(duì)于自動(dòng)設(shè)

,”“,

備可能只接收標(biāo)稱直徑的晶片等內(nèi)容見(jiàn)

,”(5.3、5.6、5.9)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有研半導(dǎo)體材料有限公司浙江海納半導(dǎo)體有限公司

:、、、

浙江省硅材料質(zhì)量檢驗(yàn)中心上海合晶硅材料有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人盧立延孫燕潘金平楊素心樓春蘭胡金枝李素青

:、、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T16596—1996。

Ⅰ

GB/T16596—2019

確定晶片坐標(biāo)系規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了使用直角坐標(biāo)和極坐標(biāo)建立晶片正面坐標(biāo)系背面坐標(biāo)系和三維坐標(biāo)系的程序

、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于有圖形和無(wú)圖形的晶片坐標(biāo)系的建立該坐標(biāo)系用于確定和記錄晶片上的缺陷顆

。、

粒等測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確位置

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

晶片通用網(wǎng)格規(guī)范

GB/T16595

硅片字母數(shù)字標(biāo)志規(guī)范

GB/T34479

晶片正面系列字母數(shù)字標(biāo)志規(guī)范

YS/T986

半導(dǎo)體設(shè)備通信標(biāo)準(zhǔn)報(bào)文內(nèi)容的規(guī)范

SEMIE52(SECS-Ⅱ)[SpecificationforSEMI

equipmentcommunicationsstandard2messagecontent(SECS-Ⅱ)]

硅單晶拋光片規(guī)范

SEMIM1(Specificationforpolishedsinglecrystalsiliconwafers)

3晶片坐標(biāo)系的建立原則

31總則

.

本標(biāo)準(zhǔn)中的晶片坐標(biāo)系利用晶片中心點(diǎn)作為直角坐標(biāo)系X-Y或極坐標(biāo)系r-θ的原點(diǎn)可確定晶

()(),

片上任意點(diǎn)的坐標(biāo)對(duì)于無(wú)圖形晶片可直接使用本晶片坐標(biāo)系也可與矩形陣列或極坐標(biāo)重疊陣列一

。,,

起使用本晶片坐標(biāo)系也可用于確定另一坐標(biāo)系的原點(diǎn)或其他基準(zhǔn)點(diǎn)的位置而這另一坐標(biāo)系則常表

。,

示或記錄了晶片上的局部區(qū)域芯片或圖形陣列的位置特征

、。

32晶片正面坐標(biāo)系

.

將晶片正表面向上放置確定晶片中心點(diǎn)位置建立右手直角坐標(biāo)系主定位基準(zhǔn)位于Y軸負(fù)方

,。。

向根據(jù)應(yīng)用選擇直角坐標(biāo)系或極坐標(biāo)系參考X軸正向

。()。

33晶片背面坐標(biāo)系

.

圍繞主定位基準(zhǔn)的平分線Y軸轉(zhuǎn)動(dòng)晶片直至晶片背表面朝上除了X軸的方向與正面坐標(biāo)系

(),。

相反背面坐標(biāo)系的其他內(nèi)容與正面坐標(biāo)系相同

,