GB/T 17626.21-2014電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)混波室試驗(yàn)方法

ICS33100103310020

;

L06....

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T1762621—2014/IEC61000-4-212011

.:

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

混波室試驗(yàn)方法

Electromagneticcompatibility—Testingandmeasurement

techniques—Reverberationchambertestmethods

(IEC61000-4-21:2011,IDT)

2014-12-22發(fā)布2015-06-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T1762621—2014/IEC61000-4-212011

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)定義和縮略語(yǔ)

3、………………………2

術(shù)語(yǔ)和定義

3.1…………………………2

縮略語(yǔ)

3.2………………4

概述

4………………………5

試驗(yàn)環(huán)境及其局限性

5……………………5

應(yīng)用

6………………………6

輻射抗擾度試驗(yàn)

6.1……………………6

輻射發(fā)射試驗(yàn)

6.2………………………6

屏蔽效能試驗(yàn)

6.3………………………6

試驗(yàn)設(shè)備

7…………………6

混波室確認(rèn)

8………………7

試驗(yàn)

9………………………8

試驗(yàn)結(jié)果試驗(yàn)報(bào)告及試驗(yàn)條件

10、………………………8

附錄資料性附錄混波室概述

A()………………………9

附錄規(guī)范性附錄調(diào)諧模式混波室確認(rèn)

B()……………28

附錄規(guī)范性附錄攪拌模式混波室的確認(rèn)和試驗(yàn)

C()…………………35

附錄規(guī)范性附錄輻射抗擾度試驗(yàn)

D()…………………40

附錄規(guī)范性附錄輻射發(fā)射測(cè)量

E()……………………44

附錄資料性附錄電纜組件電纜連接器波導(dǎo)和無源微波元件的屏蔽效能測(cè)量

F()、、、……………49

附錄資料性附錄襯墊和材料的屏蔽效能測(cè)量

G()……………………52

附錄資料性附錄箱體的屏蔽效能測(cè)量

H()……………60

附錄資料性附錄天線效率測(cè)量

I()……………………65

附錄資料性附錄用場(chǎng)各向異性和場(chǎng)不均勻性系數(shù)直接評(píng)價(jià)混波室性能

J()………67

附錄資料性附錄混波室確認(rèn)的輻射發(fā)射和抗擾度試驗(yàn)

K()MU———………………74

參考文獻(xiàn)

……………………80

圖個(gè)獨(dú)立調(diào)諧步時(shí)典型的場(chǎng)均勻性

A.1200…………20

圖小室的理論模式結(jié)構(gòu)

A.210.8m×5.2m×3.9m…………………20

圖小Q值帶寬高Q值的理論模式結(jié)構(gòu)疊加在th模式上

A.3()60……21

圖大Q值帶寬低Q值的理論模式結(jié)構(gòu)疊加在th模式上

A.4()60……21

Ⅰ

GB/T1762621—2014/IEC61000-4-212011

.:

圖典型混波室

A.5………………………22

圖置信度所需的理論采樣數(shù)

A.695%…………………22

圖一個(gè)樣本固定位置測(cè)量的電場(chǎng)分量的歸一化

A.7PDF……………23

圖N個(gè)獨(dú)立樣本固定位置測(cè)量的電場(chǎng)分量的平均值的歸一化

A.8PDF…………23

圖N個(gè)獨(dú)立樣本固定位置測(cè)量的電場(chǎng)分量的最大值的歸一化

A.9PDF…………24

圖混波室工作空間

A.10…………………24

圖典型探頭數(shù)據(jù)

A.11……………………25

圖個(gè)探頭的x分量均值歸一化數(shù)據(jù)

A.128……………25

圖個(gè)探頭的電場(chǎng)分量的標(biāo)準(zhǔn)差

A.138…………………26

圖加載效應(yīng)試驗(yàn)吸波材料的分布

A.14…………………26

圖加載效應(yīng)試驗(yàn)的加載量

A.15…………27

圖加載混波室中個(gè)探頭電場(chǎng)分量的標(biāo)準(zhǔn)差

A.168……………………27

圖混波室確認(rèn)中探頭的位置

B.1………………………34

圖時(shí)接收功率與攪拌器轉(zhuǎn)動(dòng)的關(guān)系

C.1500MHz,(dBm)(s)………39

圖時(shí)接收功率與攪拌器轉(zhuǎn)動(dòng)的關(guān)系

C.21000MHz,(dBm)(s)……39

圖典型的試驗(yàn)設(shè)施示例

D.1……………43

圖合適的試驗(yàn)設(shè)施示例

E.1……………48

圖關(guān)于輻射發(fā)射的幾何因子計(jì)算

E.2…………………48

圖典型的試驗(yàn)布置

F.1…………………51

圖典型試驗(yàn)布置

G.1……………………58

圖襯墊和或材料試驗(yàn)典型試驗(yàn)裝置安裝

G.2/…………59

圖確認(rèn)時(shí)的試驗(yàn)裝置配置

G.3…………59

圖落地式箱體試驗(yàn)的典型試驗(yàn)箱體安裝

H.1…………64

圖臺(tái)式箱體試驗(yàn)的典型試驗(yàn)箱體安裝

H.2……………64

圖攪拌良好的混波室中場(chǎng)各向異性系數(shù)的理論與典型測(cè)量分布

J.1………………72

圖攪拌不好的混波室中場(chǎng)各向異性系數(shù)的理論與典型測(cè)量分布

J.2………………72

圖攪拌良好混波室中場(chǎng)各向異性系數(shù)典型測(cè)量值與N的關(guān)系

J.3…………………73

圖典型無意輻射體平均輻射功率與頻率的關(guān)系

K.1…………………78

圖估計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)不確定

K.2………………78

圖基于均值歸一化的η置信區(qū)間寬度單位為分貝

K.3%[(dB)]……79

圖最大電場(chǎng)的各基于均值歸一化的區(qū)間范圍線性單位與獨(dú)立攪拌器位置N的關(guān)系

K.4()………79

表采樣數(shù)要求

B.1………………………33

表場(chǎng)均勻性限值要求

B.2………………33

表中等和良好的混波室的總場(chǎng)各向異性系數(shù)的典型值

J.1“”“”……71

Ⅱ

GB/T1762621—2014/IEC61000-4-212011

.:

前言

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)目前包括以下部分

GB/T17626《》:

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)抗擾度試驗(yàn)總論

———GB/T17626.1—2006

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.2—2006

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.3—2006

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.4—2008

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌沖擊抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.5—2008()

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度

———GB/T17626.6—2008

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波諧間波的測(cè)

———GB/T17626.7—2008、

量及測(cè)量?jī)x器導(dǎo)則

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.8—2006

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.9—2011

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.10—1998

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電壓暫降短時(shí)中斷和電壓變化的抗

———GB/T17626.11—2008、

擾度試驗(yàn)

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)振蕩波抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.12—2013

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)交流電源端口諧波諧間波及電網(wǎng)信

———GB/T17626.13—2006、

號(hào)的低頻抗擾度試驗(yàn)

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電壓波動(dòng)抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.14—2005

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)閃爍儀功能和設(shè)計(jì)規(guī)范

———GB/T17626.15—2011

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度

———GB/T17626.16—20070Hz~150kHz

試驗(yàn)

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.17—2005

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)混波室試驗(yàn)方法

———GB/T17626.21—2014

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法

———GB/T17626.24—2012HEMP

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)三相電壓不平衡抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.27—2006

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻頻率變化抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.28—2006

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)直流電源輸入端口電壓暫降短時(shí)中

———GB/T17626.29—2006、

斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電能質(zhì)量測(cè)量方法

———GB/T17626.30—2012

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)主電源每相電流大于的設(shè)備的

———GB/T17626.34—201216A

電壓暫降短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn)

、

本部分是的第部分

GB/T1762621。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分等同采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)第版電磁兼容第部分試驗(yàn)和

IEC61000-4-21:2011(2)《(EMC)21:

測(cè)量技術(shù)混波室試驗(yàn)方法

-》。

與本部分中規(guī)范性引用的國(guó)際文件有一致性對(duì)應(yīng)關(guān)系的我國(guó)文件如下

:

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)概述和指南

———GB/T2421.1—2008(IEC60068-1:1998,IDT)

電工術(shù)語(yǔ)電磁兼容

———GB/T4365—2003[IEC60050(161):1990,IDT]

Ⅲ

GB/T1762621—2014/IEC61000-4-212011

.:

無線電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備規(guī)范第部分無線電騷擾和抗擾

———GB/T6113.101—20081-1:

度測(cè)量設(shè)備測(cè)量設(shè)備

(CISPR16-1-1:2006,IDT)

無線電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備規(guī)范第部分無線電騷擾和抗擾

———GB/T6113.203—20082-3:

度測(cè)量方法輻射騷擾測(cè)量

(CISPR16-2-3:2003,IDT)

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.3—2006(IEC

61000-4-3:2002,IDT)

本部分做了如下編輯性修改

:

去除了原標(biāo)準(zhǔn)中的等縮略語(yǔ)定義

———IEC、IEEE、IEV、ISO;

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)上下文附錄中式上一行的和修改為式和式附錄

———,K(K.5)“(2)(3)”“(K.3)(K.4)”;

中式上一行的修改為式

K(K.9)“(7)”“(K.7)”;

中在中修改為但有部

———IEC61000-4-21:2003“calibration”IEC61000-4-21:2011“validation”,

分未作修改在本部分中根據(jù)原標(biāo)準(zhǔn)的上下文關(guān)系將部分修改為

。,,“calibration”

譯為確認(rèn)如中注第行中注第行等

“validation”,“”,C.1.222、C.1.231;

根據(jù)公式推導(dǎo)附錄中N和N分別用NM和NM代替

———,K.2“-1×(-(-1))×(-(-1))”

修改為N和N分別用NM和NM代替

“-1×(-1)×(-1)”。

本部分由全國(guó)電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC246)。

本部分起草單位東南大學(xué)上海出入境檢驗(yàn)檢疫局中國(guó)電力科學(xué)研究院上海市計(jì)量測(cè)試技術(shù)研

:、、、

究院中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院

、、。

本部分主要起草人周香周忠元張嫻景莘慧蔣全興李妮龔增陳俐謝鳴

:、、、、、、、、。

Ⅳ

GB/T1762621—2014/IEC61000-4-212011

.:

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

混波室試驗(yàn)方法

1范圍

的本部分考慮在混波室中的電氣和或電子設(shè)備的抗擾度試驗(yàn)有意或無意輻射發(fā)射

GB/T17626/、

試驗(yàn)和屏蔽效能試驗(yàn)本部分建立了實(shí)施這些試驗(yàn)所需的試驗(yàn)程序本部分僅考慮輻射現(xiàn)象

。。。

本部分的目的是建立一個(gè)使用混波室評(píng)估電氣和或電子設(shè)備在射頻電磁場(chǎng)中的性能和確定電氣

/

電子設(shè)備的輻射發(fā)射等級(jí)的通用規(guī)范

。

注本部分規(guī)定了電磁輻射對(duì)設(shè)備影響和所關(guān)心設(shè)備電磁輻射發(fā)射的試驗(yàn)方法電磁輻射的仿真和測(cè)量不足以定

:。

量確定電磁輻射對(duì)設(shè)備的影響規(guī)定試驗(yàn)方法的主要目的是使試驗(yàn)結(jié)果具有充分的可再現(xiàn)性和可重復(fù)性以及

。

對(duì)電磁效應(yīng)進(jìn)行定性分析

。

本部分的目的不是規(guī)定適用于特定設(shè)備或系統(tǒng)的試驗(yàn)方法而是為所有相關(guān)的產(chǎn)品委員會(huì)提供通

,

用的參考基準(zhǔn)產(chǎn)品委員會(huì)應(yīng)咨詢?nèi)珖?guó)無線電干擾標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)或全國(guó)電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員

。

會(huì)選擇輻射發(fā)射限值和試驗(yàn)方法由產(chǎn)品委員會(huì)負(fù)責(zé)對(duì)其管轄范圍內(nèi)的設(shè)備選擇合適的試驗(yàn)方法和抗

。

擾度限值也可以采用諸如和等標(biāo)準(zhǔn)中的其他方法1)

,IEC61000-4-3、CISPR16-2-3CISPR16-2-4。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文