GB/T 18032-2000砷化鎵單晶AB微缺陷檢驗(yàn)方法

TCS.77.040.01H24中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T18032—2000砷化家單晶AB微缺陷檢驗(yàn)方法TheinspectingmethodofABmicroscopicdefectingalliumarsenidesinglecrystal2000-04-03發(fā)布2000-09-01實(shí)施國(guó)家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)神化鎮(zhèn)單晶AB微缺陷檢驗(yàn)方法GB/T18032-2000中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門(mén)外三里河北街16號(hào)郵政編碼：100045電話：63787337.637874472000年9月第一版2006年1月電子版制作書(shū)號(hào)：155066·1-16984版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報(bào)電話：010)68533533

GB/T18032-2000砷化篆晶片是光電、微波及高速集成電路等器件的重要襯底材料。近年來(lái)，普遍認(rèn)為襯底材料中的AB微缺陷對(duì)器件的性能有明顯的影響,例如對(duì)砷化家FET器件性能進(jìn)行測(cè)試之后,用AB腐蝕液顯示FET芯片上的AB微缺陷，發(fā)現(xiàn)芯片上的AB微缺陷密度高時(shí),FET器件的低頻跨導(dǎo)很低：當(dāng)AB微缺陷密度低時(shí),FET的低頻跨導(dǎo)較高。由此可見(jiàn)AB液顯示的AB微缺陷密度對(duì)了解襯底質(zhì)量和提高器件性能是一個(gè)不可忽略的參數(shù)。目前國(guó)內(nèi)外都在對(duì)砷化鏢單品AB微缺陷進(jìn)行研究。但是在檢驗(yàn)方法上還沒(méi)有形成一個(gè)統(tǒng)一的規(guī)范。在此時(shí)制定《砷化鏢單品AB微缺陷檢驗(yàn)方法》的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)是適時(shí)的、非常必要的。本標(biāo)準(zhǔn)可為砷化鏢材料和器件的生產(chǎn)、科研單位對(duì)AB微缺陷的檢驗(yàn)提供依據(jù)，本標(biāo)準(zhǔn)由國(guó)家有色金屬工業(yè)局提出。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所歸口本標(biāo)準(zhǔn)由北京有色金屬研究總院起草本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：王海濤、錢嘉裕、王彤涵、宋斌、樊成才

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)砷化家單晶AB微缺陷檢驗(yàn)方法GB/T18032-2000TheinspectingmethodofABmicroscopiedefectingalliumarsenidesinglecrystal適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了砷化家單品AB微缺陷的檢驗(yàn)方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于砷化鏢單品AB微缺陷密度（AB-EPD)的檢驗(yàn)。檢驗(yàn)面為(100)面。測(cè)量范圍小于5×10°cm-。2定義2.1AB腐蝕液ABetchantAB腐蝕液用于顯示砷化鏢單品AB微缺陷及位錯(cuò)線的一種化學(xué)腐蝕劑2.2AB微缺陷ABmicrodefect神化鏢單品片經(jīng)AB腐蝕液腐蝕后,在(100)面上顯示出的橢圓狀腐蝕坑所表征的微缺陷2.3AB微缺陷密度(AB-EPD）ABmicrodelectdensity用AB腐蝕液顯示出砷化鏢單品片(100)面上在單位表面積內(nèi)AB微缺陷腐蝕坑的個(gè)數(shù)(個(gè)/cm2)方法原理采用擇優(yōu)化學(xué)腐蝕技術(shù)顯示缺陷。由于單品中缺陷附近的原子排序被破壞，品格畸變，應(yīng)變比較大.在某些化學(xué)腐蝕劑中品體缺陷處與非缺陷處腐蝕速度不同,利用這種異常的物理化學(xué)效應(yīng).在表面處產(chǎn)生選擇性的浸蝕，從而形成特定的腐蝕圖形化學(xué)試劑A1硫酸（H.SO,）,分析純4.2過(guò)氧化氫(H.O.)，分析純4.3氫氟酸(HF)分析純。4.4三氧化鉻(CrO,),分析純4.5硝酸銀(AgNO,),分析純4.6去離子水,電阻率大于5MQ·cm.5試樣制備5.1定向切割從砷化鏢單品鏡的待測(cè)部分經(jīng)定向切取