標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 18791-2002 電子和電氣陶瓷性能試驗(yàn)方法》作為一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn),詳細(xì)規(guī)定了電子和電氣陶瓷材料的各種性能測試方法。然而,您提供的對比參照標(biāo)準(zhǔn)未明確給出,因此直接對比變更內(nèi)容無法完成。但可以一般性地說明,當(dāng)一個標(biāo)準(zhǔn)更新或替代前一版本時(shí),常見的變更可能包括:

  1. 測試方法的優(yōu)化與更新:新標(biāo)準(zhǔn)可能會引入更精確、更高效的測試技術(shù),以適應(yīng)行業(yè)技術(shù)進(jìn)步和測量精度提升的需求。
  2. 新增測試項(xiàng)目:隨著電子和電氣陶瓷應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展,可能需要對新材料特性進(jìn)行評估,從而在新標(biāo)準(zhǔn)中增加相應(yīng)的測試項(xiàng)目。
  3. 限值或指標(biāo)調(diào)整:基于新材料性能數(shù)據(jù)和實(shí)際應(yīng)用反饋,標(biāo)準(zhǔn)可能會調(diào)整某些性能指標(biāo)的最低或最高要求,以更好地反映當(dāng)前技術(shù)水平和使用需求。
  4. 術(shù)語和定義的修訂:為保持與國際標(biāo)準(zhǔn)的一致性或更準(zhǔn)確地描述測試內(nèi)容,標(biāo)準(zhǔn)中涉及的專業(yè)術(shù)語和定義可能會被修訂或補(bǔ)充。
  5. 采樣和試樣制備方法改進(jìn):為了確保測試結(jié)果的可靠性和重復(fù)性,新標(biāo)準(zhǔn)可能會對樣品的選取、處理及試樣的制備過程提出新的要求。
  6. 環(huán)境條件和測試設(shè)備的規(guī)范:考慮到測試環(huán)境對結(jié)果的影響,標(biāo)準(zhǔn)可能會更新對測試環(huán)境(如溫度、濕度)和測試設(shè)備的要求。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2002-07-18 頒布
  • 2002-12-01 實(shí)施
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文檔簡介

ICS31-030L90中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T18791—2002電子和電氣陶瓷性能試驗(yàn)方法Testmethodsforceramicpropertiesforelectronicandelectricalapplication2002-07-18發(fā)布2002-12-01實(shí)施中華人民共和發(fā)布國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

GB/T18791-2002本標(biāo)準(zhǔn)參照美國材料試驗(yàn)學(xué)會標(biāo)準(zhǔn)ASTMD116—86(1994年重新確認(rèn))電氣用玻質(zhì)陶瓷材料試驗(yàn)方法》制定。該標(biāo)準(zhǔn)所引用的測試方法標(biāo)準(zhǔn)中,有些已被制定出我國國家標(biāo)準(zhǔn).并被廣大的陶瓷研究、生產(chǎn)、使用單位所采用.因此·編寫本標(biāo)準(zhǔn)時(shí).對已有國家標(biāo)準(zhǔn)的測試方法,一般采取直接引用,以避免重復(fù);根據(jù)ASTMD116標(biāo)準(zhǔn)所述內(nèi)容及我國實(shí)際情況·編輯時(shí)將原文中氣孔率的部分內(nèi)容獨(dú)立出來.并作為透液性測試方法進(jìn)行表述,此方法與GB/T5594.7—1985《電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法透液性測定方法》相比較,增加了常壓下透液性的檢測內(nèi)容,使其應(yīng)用更為實(shí)用。其他部分條款的內(nèi)容依據(jù)我國實(shí)情也做了部分修改。由于電子陶瓷應(yīng)用面很廣,陶瓷材料種類繁多。各種陶瓷材料除了一些共同的基本性能外,又有-些特有的性能要求,因此,本標(biāo)準(zhǔn)只列出了各種陶瓷材料共有的基本參數(shù)測試方法,這些基本參數(shù)包括電、熱和機(jī)械等方面。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國電子陶瓷標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:信息產(chǎn)業(yè)部電子標(biāo)準(zhǔn)化研究所、北京真空電子技術(shù)研究所本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:李曉英、王玉功、曾桂生、孫清池。

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)電子和電氣陶瓷性能試驗(yàn)方法GB/T18791—2002Testmethodsforceramicpropertiesforelectronicandelectricalapplication圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子和電氣陶瓷材料的體積密度、顯氣孔率、透液性、抗壓強(qiáng)度、抗折強(qiáng)度、楊氏彈性模量、泊松比、導(dǎo)熱系數(shù)、抗熱震性、平均線膨脹系數(shù)、絕緣強(qiáng)度、介電常數(shù)和損耗角正切值、體積電阻率等性能的測試方法本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子和電氣陶瓷材料通用性能的測試2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文,通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí),所示版本均為有效·所有標(biāo)準(zhǔn)都會被修訂,使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性GB/T1966—1996多孔陶瓷顯氣孔率、容重試驗(yàn)方法GB/T2413—1980壓電陶瓷材料體積密度測量方法GB/T2421—1999電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)第1部分:總則(idtIEC60068-1:1988)GB/T5593—1996電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料GB/T5594.2—1985電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法,楊氏彈性模量、泊松比測試方法GB/T5594.3—1985電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法平均線膨脹系數(shù)測試方法GB/T5594.4-1985,電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法介質(zhì)損耗角正切值的測試方法GB/T5594.5—1985電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法體積電阻率測試方法GB/T5597—1999固體電介質(zhì)微波復(fù)介電常數(shù)的測試方法GB/T5598—1985氧化皺瓷導(dǎo)熱系數(shù)測定方法GB/T6569-1986S工程陶瓷彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)方法GB/T7265.1—1987固體電介質(zhì)微波復(fù)介電常數(shù)的測試方法微微批法GB/T8489—1987工程陶瓷抗壓縮強(qiáng)度試驗(yàn)方法GB/T9530—1988電子陶瓷名詞術(shù)語GB/T11311—1989壓電陶瓷材料性能測試方法泊松比的測試GB/T11387-1989壓電陶瓷材料靜態(tài)彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)方法(neqISO12370:1980)GJB1201.1-1991固體材料高

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