GB/T 18791-2002電子和電氣陶瓷性能試驗(yàn)方法

ICS31-030L90中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T18791—2002電子和電氣陶瓷性能試驗(yàn)方法Testmethodsforceramicpropertiesforelectronicandelectricalapplication2002-07-18發(fā)布2002-12-01實(shí)施中華人民共和發(fā)布國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

GB/T18791-2002本標(biāo)準(zhǔn)參照美國(guó)材料試驗(yàn)學(xué)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)ASTMD116—86(1994年重新確認(rèn))電氣用玻質(zhì)陶瓷材料試驗(yàn)方法》制定。該標(biāo)準(zhǔn)所引用的測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)中，有些已被制定出我國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn).并被廣大的陶瓷研究、生產(chǎn)、使用單位所采用.因此·編寫本標(biāo)準(zhǔn)時(shí).對(duì)已有國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試方法，一般采取直接引用，以避免重復(fù);根據(jù)ASTMD116標(biāo)準(zhǔn)所述內(nèi)容及我國(guó)實(shí)際情況·編輯時(shí)將原文中氣孔率的部分內(nèi)容獨(dú)立出來(lái).并作為透液性測(cè)試方法進(jìn)行表述，此方法與GB/T5594.7—1985《電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法透液性測(cè)定方法》相比較，增加了常壓下透液性的檢測(cè)內(nèi)容，使其應(yīng)用更為實(shí)用。其他部分條款的內(nèi)容依據(jù)我國(guó)實(shí)情也做了部分修改。由于電子陶瓷應(yīng)用面很廣，陶瓷材料種類繁多。各種陶瓷材料除了一些共同的基本性能外，又有-些特有的性能要求，因此，本標(biāo)準(zhǔn)只列出了各種陶瓷材料共有的基本參數(shù)測(cè)試方法，這些基本參數(shù)包括電、熱和機(jī)械等方面。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)信息產(chǎn)業(yè)部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)電子陶瓷標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部電子標(biāo)準(zhǔn)化研究所、北京真空電子技術(shù)研究所本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：李曉英、王玉功、曾桂生、孫清池。

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)電子和電氣陶瓷性能試驗(yàn)方法GB/T18791—2002Testmethodsforceramicpropertiesforelectronicandelectricalapplication圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子和電氣陶瓷材料的體積密度、顯氣孔率、透液性、抗壓強(qiáng)度、抗折強(qiáng)度、楊氏彈性模量、泊松比、導(dǎo)熱系數(shù)、抗熱震性、平均線膨脹系數(shù)、絕緣強(qiáng)度、介電常數(shù)和損耗角正切值、體積電阻率等性能的測(cè)試方法本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子和電氣陶瓷材料通用性能的測(cè)試2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過(guò)在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí)，所示版本均為有效·所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性GB/T1966—1996多孔陶瓷顯氣孔率、容重試驗(yàn)方法GB/T2413—1980壓電陶瓷材料體積密度測(cè)量方法GB/T2421—1999電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)第1部分：總則(idtIEC60068-1:1988)GB/T5593—1996電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料GB/T5594.2—1985電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法，楊氏彈性模量、泊松比測(cè)試方法GB/T5594.3—1985電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法平均線膨脹系數(shù)測(cè)試方法GB/T5594.4-1985，電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)試方法GB/T5594.5—1985電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法體積電阻率測(cè)試方法GB/T5597—1999固體電介質(zhì)微波復(fù)介電常數(shù)的測(cè)試方法GB/T5598—1985氧化皺瓷導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定方法GB/T6569-1986S工程陶瓷彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)方法GB/T7265.1—1987固體電介質(zhì)微波復(fù)介電常數(shù)的測(cè)試方法微微批法GB/T8489—1987工程陶瓷抗壓縮強(qiáng)度試驗(yàn)方法GB/T9530—1988電子陶瓷名詞術(shù)語(yǔ)GB/T11311—1989壓電陶瓷材料性能測(cè)試方法泊松比的測(cè)試GB/T11387-1989壓電陶瓷材料靜態(tài)彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)方法(neqISO12370:1980)GJB1201.1-1991固體材料高