• 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1985-11-27 頒布
  • 1986-12-01 實(shí)施
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GB/T 5594.5-1985電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法體積電阻率測試方法_第1頁
GB/T 5594.5-1985電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法體積電阻率測試方法_第2頁
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文檔簡介

UDC621.315.612：621.382/.387：620.1中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB5594.5-85電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法體積電阻率測試方法TestmethodsforpropertiesofstructureceramicusedinelectroniccomponentsTestmethodforvolumeresistivity1985-11-27發(fā)布1986-12-01實(shí)施：標(biāo)淮國同家批準(zhǔn)

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料UDC621.315.612：621.382性能測試方法1.387:620.1GB5594.5-85體積電阻率測試方法TestmethodsforpropertiesofstructureceramicusedinelectroniccomponentsTestmethodforvolumeresistivity本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷在室溫至500℃范圍體積電阻率的測定。測試原理陶瓷材料的體積電阻率是表征其絕緣性能的參數(shù)，其值為試樣體積電流方向的直流電場強(qiáng)度與該處電流密度之比。當(dāng)試樣面積為4，試樣厚度為，其體積電阻值為R，，則體積電阻率“為：·····…···…···（1）陶瓷材料一般具有負(fù)的電阻溫度系數(shù)，其電阻率隨溫度的升高而下降。2試樣制備2.11按GB5593一85《電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料》的要求選取試樣。2.2將試樣進(jìn)行清洗、下燥處理。2.3在試樣的兩平面上按GB5593一85表2和本標(biāo)準(zhǔn)圖1所示燒滲層銀電極。4-525±0.5一620±0.5635±1圖1測試樣品示意圖一測電極；2一絕緣間距

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