電子行業(yè)化合物半導體5G推動射頻行業(yè)飛速增長分析

電子化合物半導體5G推動射頻行業(yè)飛速增長分析目錄目錄.3一、化合物半導體.3TOC\o"1-5"\h\z什么是化合物半導體？ 3超越摩爾：光學、射頻、功率等模擬IC持續(xù)發(fā)展 4砷化鎵（GaAs）:無線通信核心材料，受益5G大趨勢8氮化鎵&碳化硅：高壓高頻優(yōu)勢顯著 10\o"CurrentDocument"二、5G加速推進，射頻市場有望高速成長 .16海外率先商用，5G提速預期強烈 16氮化鎵將占射頻器件市場半壁江山 185G時代，射頻元件是化合物半導體的天下 19\o"CurrentDocument"三、相關標的 22風險提示 風險提示 .23一、化合物半導體什么是化合物半導體？半導體材料可分為單質半導體及化合物半導體兩類，前者如硅（Six鍺（Ge）等所形成的半導體，后者為砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaNI碳化硅（SiC）等化合物形成。半導體在過去主要經歷了三代變化，。砷化鎵（GaAsX氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體分別作為第二代和第三代半導體的代表，相比第一代半導體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導體中的新貴。舛A工^論工典*￡&?2戶處療費 aw 琳1 曲用修過三大化合物半導體材料中，GaAs占大頭，主要用于通訊領域，全球市場容量接近百億美元，主要受益通信射頻芯片尤其是PA升級驅動；GaN大功率、高頻性能更出色，主要應用于軍事領域，目前市場容量不到10億美元，隨著成本下降有望迎來廣泛應用；SiC主要作為高功率半導體材料應用于汽車以及工業(yè)電力電子，在大功率轉換應用中具有巨大的優(yōu)勢。理展2:牝合轉自護審料卷■性翁史券比界材料SIGaAsGaN高場性能蕓好好高溫性旌星好好發(fā)質階段成熟更限申初期制造成本悵奇很高應用領域理大覘模集成電路與器件微薄梟貳電路與器件大功率器件帶郭袤鑫:yofe-dev^apnien!：.國襲法講阡范師圭理超越摩爾：光學、射頻、功率等模擬IC持續(xù)發(fā)展摩爾定律放緩，集成電路發(fā)展分化?，F在集成電路的發(fā)展主要有兩個反向：MoreMoore （深度摩爾）和MorethanMoore（超越摩爾）。摩爾定律是指集成電路大概18個月的時間里，在同樣的面積上，晶體管數量會增加一倍，但是價格下降一半。但是在28nm時遇到了阻礙，其晶體管數量雖然增加一倍，但是價格沒有下降一半。MoreMoore（深度摩爾）是指繼續(xù)提升制程節(jié)點技術，進入后摩爾時期。與此同時，MorethanMoore （超越摩爾）被人們提出，此方案以實現更多應用為導向，專注于在單片IC上加入越來越多的功能。

過上1>均摩出葉汽J過上1>均摩出葉汽J年代住匕懵止5D%30%代理用將1群2匕國上修圖生產奴工下滑比千瓦有5郭卓仕品目/七里過50%10-2IM龍2tMi志3因身■產）30^65-1D%由石片卡逃產癥CopEx5?億￡七L口也是小令萬片折遺產熊2憶￡比坤尺.1比式〕ORAM梅4健J國太靈雪耳爐，最后模擬IC更適合在MorethanMoore（超越摩爾）道路。先進制程與高集成度可以使數字IC具有更好的性能和更低的成本，但是這不適用于模擬IC。射頻電路等模擬電路往往需要使用大尺寸電感，先進制程的集成度影響并不大，同時還會使得成本升高；先進制程往往用于低功耗環(huán)境，但是射頻、電源等模擬IC會用于高頻、高功耗領域，先進制程對性能甚至有負面影響；低電源和電壓下模擬電路的線性度也難以保證。PA主要技術是GaAs，而開關主要技術是SOI，MorethanMoore（超越摩爾）可以實現使用不同技術和工藝的組合，為模擬IC的進一步發(fā)展提供了道路。第三代半導體適應更多應用場景。硅基半導體具有耐高溫、抗輻射性能好、制作方便、穩(wěn)定性好?？煽慷雀叩忍攸c，使得99%以上集成電路都是以硅為材料制作的。但是硅基半導體不適合在高頻、高功率領域使用。2G、3G和4G等時代PA主要材料是GaAs，但是進入5G時代以后，主要材料是GaN。5G的頻率較高，其跳躍式的反射特性使其傳輸距離較短。由于毫米波對于功率的要求非常高，而GaN具有體積小功率大的特性，是目前最適合5G時代的PA材料。SiC和GaN等第三代半導體將更能適應未來的應用需求。Athigherfrequenciesmndhigherpowerranges([Sin^nSiCandGaNhaveadvantagescomparedtoSiPower[W]FrEqineniRf|Hi]Power[W]FrEqineniRf|Hi]1陰ATV,IRCardWMhaveleadingtechnologiesandnr^duttetoadd代拈thsexistingandupcomingQpportJdniti€soFwide-bandgspsemicanductoraSiCandGa-M卡丹袋.#：Infineon.西受謔券蚪氧項模擬IC關注電壓電流控制、失真率、功耗、可靠性和穩(wěn)定性，設計者需要考慮各種元器件對模擬電路性能的影響，設計難度較高。數字電路追求運算速度與成本，多采用CMOS工藝，多年來一直沿著摩爾定律發(fā)展，不斷采用地更高效率的算法來處理數字信號，或者利用新工藝提高集成度降低成本。而過高的工藝節(jié)點技術往往不利于實現模擬IC實現低失真和高信噪比或者輸出高電壓或者大電流來驅動其他元件的要求，因此模擬IC對節(jié)點演進需求相對較低遠大于數字IC。模擬芯片的生命周期也較長，一般長達10年及以上，如仙童公司在1968年推出的運放UA741賣了近五十年還有客戶在用。

IC種蔡模拇IC數字IU處理信中連續(xù)昌救幫或模擬信號（如聲音.光線.溫度等）弟散的敕字信號技術難度設計門樓高，學習曲線1口T5年迪院輔助保計+學習曲線325年設計難點非理想敢應過多，需要4L實的甚地知謨和豐富的短臉.例如，小信號分析，時戰(zhàn)斯域分折.芯片筑模大，工具運行時間長，工藝要求盤雜.需要多團隊共同環(huán)祚工藝制卷目前業(yè)界仍丈量使用0A3urn/a.l3d段照摩爾定律的窿晨,便陽最先進的m,敲先道工藝達28nm-工之一日前已&達到lOnm產品應用放大黑、信號捱口.數楣轉換,比較器等CPU.在肥理蕊、微粒制器，數字等號處理單元，存健器等產品轉點數讓少，種類多數量機種類少生舒周期1。年.甚至幾*年1-2年ASP價格低，捷￡初期高：后期假替代性低高（多盤為標準產品十可替代）夢■科東第二百歷.海叁法親硬算穌目前數字IC多采用CMOS工藝，而模擬IC采用的工藝種類較多，不受摩爾定律束縛。模擬IC的制造工藝有Bipolar工藝、CMOS工藝和BiCMOS工藝。在高頻領域，SiGe工藝、GaAs工藝和SOI工藝還可以與Bipolar和BiCMOS工藝結合，實現更優(yōu)異的性能。而在功率領域，SOI工藝和BCD（BiCMOS基礎上集成DMOS等功率器件）工藝也有更好的表現。模擬IC應用廣泛，使用環(huán)節(jié)也各不相同，因此制造工藝也會相應變化。

，墨RZ/蘇,AT工工#當工藝優(yōu)點軟點、應用領域應用IC奐成度低.不能滿足也赤管理芯片.Bipolar場率高.功奉大，無刷也機罪動、LED但動機馳動名模擬IC果動能力強堂動拉制手芯片的要片、RF,高精度、求高旺等成同領域CMOS功托然.度集成高.噪聲懼、抗干擾能力強用奉假.里動佳能星，品能滯是敕牛集成相路和小功率模擬渠成歸路的需覆.CPU,MCU,低動耗模擬1C,愜也就運放等數字叼小功軍模標IC無刷出機兜■玷.RF電路、LED拄BiCMOS驅動能力強、功我低i,度奧:成i度品制甑動.IGBTT荏制驅動、A/D,D/A,RF髭合信號芯片等模擬I。盤模通會IC譜爐上感：/塞匹代稱三鰭砷化鎵（GaAs）:無線通信核心材料，受益5G大趨勢相較于第一代硅半導體，砷化鎵具有高頻、抗輻射、耐高溫的特性，因此廣泛應用在主流的商用無線通信、光通訊以及國防軍工用途上。無線通信的普及與硅在高頻特性上的限制共同催生砷化鎵材料脫穎而出，在無線通訊領域得到大規(guī)模應用。基帶和射頻模塊是完成3/4/5G蜂窩通訊功能的核心部件。射頻模塊一般由收發(fā)器和前端模組（PA、Switch、Filter）組成。其中砷化鎵目前已經成為PA和Switch的主流材料。4G/5G頻段持續(xù)提升，驅動PA用量增長。由于單顆PA芯片僅能處理固定頻段的信號，所以蜂窩通訊頻段的增加會顯著提升智能手機單機PA消耗量。隨著4G通訊的普及，移動通訊的頻段由2010年的6個急速擴張到43個，5G時代更有有望提升至60以上。目前主流4G通信采用5頻13模，平均使用7顆PA，4個射頻開關器。

fillerGonifint軸必—型MSwft嘀IMWdn口5Q.EH1Iffl.ZSHR(=th*erAmpirflera(D30Jit.15通4€i獸鷗Oth01r軸.00即.時時空|TtKsIRFcontenlMg|A?l?1551+J|H1nmMo+JoDevitdRFT/iHTE2*￡??EG“業(yè)；il2TvplE^ilLK國口"I

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3JEhull9Qorvo、Broadcom/Avago、Cree、德國Infineon等。同時我們也注意到產業(yè)發(fā)展模式開始逐漸由IDM模式轉為設計+代工生產，典型事件為代工比例持續(xù)提升、avago去年將科羅拉多廠出售給穩(wěn)懋等。我們認為GaAs襯底和器件技術不斷成熟和標準化，產品多樣化、器件設計的價值顯著，設計+制造的分工模式開始增加。從YoleDevelopment等第三方研究機構估算來看，2017年全球用于PA的GaAs器件市場規(guī)模達到80-90億美元，大部分的市場份額集中于Skyworks、Qorvo、Avago三大巨頭。預計隨著通信升級未來兩年有望正式超過100億美元。6*5.HZ軻*I產，5AELZ&-W履g.XMwrauipAPaftxJ-^tt可由便X?產的期吐1怙代￡步工耳上戲入$注卷評工小PA?面皿白吐3E1!.>'Qwva.cmpAPaftxJ-^tt可由便X?產的期吐1怙代￡步工耳上戲入$注卷評工小PA?面皿白吐3E1!.>'Qwva.cm同時應用市場決定無需60nm線寬以下先進制程工藝，不追求最先進制程工藝是另外一個特點?；衔锇雽w面向射頻、高電壓大功率、光電子等領域，無需先進工藝。GaAs和GaN器件以0.13、0.18pm以上工藝為主。Qorvo正在進行90nm工藝研發(fā)。此外由于受GaAs和SiC襯底尺寸限制目前生產線基本全為4英寸和6英寸。以Qorvo為例我們統(tǒng)計下來氮化鎵制程基本線寬在0.25-0.50um，生產線以4英寸為主。區(qū)員11. 4化體感嘉各不工t的,QG1N25QGaM25HVQG1N15。/加mGaNon3c(LZSprnGeNcnSiC□.15ym3Non'匯U.XJpEUaNcp比溝.蝌4W46V2W65U附附川可仔叮.叩用網畢眸7工柞粉□C-lflGH?DOI福卜BrJC-4DGHTDCrH咯也功率射捫如停>6G%^10GHz*7g%^S.SGHz?5倏@J0GHz^70%@3.5GHe的▼幼羽eW/liirnOfilOCjHz4.^W/fTlTi<&.34XjHzW/miTl資肝&#二海M兇票斗意球式福氮化鎵&碳化硅：高壓高頻優(yōu)勢顯著氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三代半導體材料的雙雄，由于性能不同，二者的應用領域也不相同。由于氮化鎵具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子速率大、熱導率高、化學性質穩(wěn)定和抗輻射能力強等優(yōu)點，成為高溫、高頻、大功率微波器件的首選材料之一。FewConpttinglechnologie&瑞EOOMJJaMf10Fr&ojancv(GHFewConpttinglechnologie&瑞EOOMJJaMf10Fr&ojancv(GH：i理代GaNHEEf禁帶代建亂現挖異「Multple3GHiComp靠g1tJ-*Tecnnakigies:1PW-貴精求法:黃飛談.四魏汪春確無麗氮化鎵：5G時代來臨，射頻應用前景廣闊目前氮化鎵器件有三分之二應用于軍工電子，如軍事通訊、電子干擾、雷達等領域；在民用領域，氮化鎵主要被應用于通訊基站、功率器件等領域。氮化鎵基站PA的功放效率較其他材料更高，因而能節(jié)省大量電能，且其可以幾乎覆蓋無線通訊的所有頻段，功率密度大，能夠減少基站體積和質量。出K&川-崔函5點榜就?廉松6.5WKi*bandG.aAaP?jwerAmplHifrr2DWKwband06.5WKi*bandG.aAaP?jwerAmplHifrr2DWKwband0PcwerAmpIMber詼并式戒：r印itr西盛迎茬醺富碑SiGaAs4H71CGANBdrbdgopEgeV1.121423.263儂BreakdawnelectriciieldEgMVJtm0.30.4333Intrinsiccarrierconcaenlrallcinnlcnrs9.?X1伊1.5X106S.2X10-S1.SKIQ-1*FEtedronnwtilllly七mW陪1500(bulk)300finv)B5D0100012&0i：buik)12000(2DEG)^Saturallonvelocityvsalx10Tcm?s1252心Re-lallvieperm-lttrvltycr11.B13.1W&ThenriHlconduotrvrtyAW*K/cm1.50.434,91.3 'Maximumwuiklr*glemperaiur^口E市X1507008M瞽護k更陽頌前兀吞來謔聚橫算政特色工藝代工廠崛起，分工大勢所趨。全球半導體分為IDM（IntegratedDeviceManufacture，集成電路制造）模式和垂直分工模式兩種商業(yè)模式，老牌大廠由于歷史原因，多為IDM模式。隨著集成電路技術演進，摩爾定律逼近極限，各環(huán)節(jié)技術、資金壁壘日漸提高，傳統(tǒng)IDM模式弊端凸顯，新銳廠商多選擇Fabless（無晶圓廠）模式，輕裝追趕。同時英飛凌、TI、AMD等老牌大廠也逐漸將全部或部分制造、封測環(huán)節(jié)外包，轉向Fab-Lite（輕晶圓廠）甚至Fabless模式。出員15:左北鋒尉垓罵生產出熱梅熏化2012011Camznalafpracm+Mj?f>Eiun.ngjrield

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TFoundryincreuc氮化鎵射頻器件高速成長，復合增速23%，下游市場結構整體保持穩(wěn)定。研究機構YoleDevelopment數據顯示，2017年氮化鎵射頻市場規(guī)模為3.8億美元，將于2023年增長至13億美元，復合增速為22.9%。下游應用結構整體保持穩(wěn)定，以通訊與軍工為主，二者合計占比約為80%。灣表16:啦優(yōu)掙旗爽蘇『灣表16:啦優(yōu)掙旗爽蘇『下善赳檜押17好招送赤：￥泰,國蕓舒潑阡心游碳化硅：功率器件核心材料，新能源汽車驅動成長SiC主要用于大功率高頻功率器件。以SiC為材料的二極管、MOSFET、IGBT等器件未來有望在汽車電子領域取代Si。目前SiC半導體仍處于發(fā)展初期，晶圓生長過程中易出現材料的基面位錯，以致SiC器件可靠性下降。另一方面，晶圓生長難度導致SiC材料價格昂貴，預計想要大規(guī)模得到應用仍需一段時期的技術改進。肆：1ffOft肆：1ffOft腳.卬Jf世尊搟史脾DieSize和成本是碳化硅技術產業(yè)化的核心變量。我們比較目前市場主流1200V硅基IGBT及碳化硅基MOSFET，可以發(fā)現SiC基MOSFET產品較Si基產品能夠大幅減少DieSize，且表現性能更好。但是目前最大阻礙仍在于WaferCost，根據yoledevelopment測算，單片成本SiC比Si基產品高出7-8倍。日19.SC皎孚4/M能博支,M'p西士如rT*wwrrrrHvtviaT*wwrrrrHvtviaZksnigFA?rIOurnmAlb1|C.WMT'LIIK"IDN3-MA1rP'jrfi■avt3CAa.■*WmrnaMiMftrFiira!in<Minj.g?lARiffl'CJHWFKILaCC3.C|i^?，Qw-■?CA3.U*XBaXWmn1B5WUI4D12FS00a?1Uhra2.?IU.±rrma修-岸總源：PD廟曲修-岸總源：PD廟曲V國軍bE自理；噴良送書疏電N小拜餐迷:居1國維他值；如梟玄啰典忘沔過上21-也基過上21-也基IGST勺蜀北我盎MOSFETwafercost片度界U」上尊：比的g卿用印A國K：工參睛更嘮研究機構IHS預測到2025年SiC功率半導體的市場規(guī)模有望達到30億美元。在未來的10年內，SiC器件將開始大范圍地應用于工業(yè)及電動汽車領域。縱觀全球SiC主要市場，電力電子占據了2016-2017年最大的市場份額。該市場增長的主要驅動因素是由于電源供應和逆變器應用越來越多地使用SiC器件。母裊22:做七世F*至"5母裊22:做七世F*至"5f0.下4?七/TheSICs?mlcorbduclormarkei產界木思二打赳依而新舊士田也淮*趣史趣理事上?.與七班產業(yè)任SiC近期產業(yè)化進度加速，上游產業(yè)鏈開始擴大規(guī)模和鎖定貨源。我們根據整理CREE公告可以發(fā)現近期碳化硅產業(yè)化進度開始加速，ST、英飛凌等中游廠商開始鎖定上游晶圓貨源： 2019年1月公告：CREE與ST簽署一項為期多年的2.5億美元規(guī)模的生產供應協議，Wolfspeed將會向ST供應150咂SiC晶圓。》2018年10月公告：CREE宣布了一項價值8,500萬美元的長期協議，將為一家未公布名稱的〃領先電力設備公司”生產和供應SiC晶圓。?2018年2月公告Cree與英飛凌簽訂了1億美元的長期供應協議，為其光伏逆變器、機器人、充電基礎設施、工業(yè)電源、牽引和變速驅動器等產品提供SiC晶圓。二、5G加速推進，射頻市場有望高速成長海外率先商用，5G提速預期強烈海外5G率先商用，國內5G推進有望加速！4月3日，美國運營商Verizon宣布在部分地區(qū)推出5G服務；4月5日，韓國三大運營商宣布開始針對普通消費者的5G商用服務；4月10日，日本政府向四大運營商分配5G頻段，預計明年春正式商用；我們認為，在海外5G積極推進商用的節(jié)奏下，國內5G有望加速?！觥鯨aunched(limitedabtlityj■Launched(no<i>3GPP)■2018■20192020■2021■2022隨著5G的推廣，從5G的建設需求來看，5G將會采取"宏站加小站”組網覆蓋的模式，歷次基站的升級，都會帶來一輪原有基站改造和新基站建設潮。2017年我國4G廣覆蓋階段基本結束，4G宏基站達到328萬個。根據賽迪顧問預測，5G宏基站總數量將會是4G宏基站1.1~1.5倍，對應360萬至492萬5G宏基站。鴻毅近黃最立;隼建過直至■藐涮夢野露津：茂蔭收卸.國歐疊旌.卷瞳直航于此同時在小站方面，毫米波高頻段的小站覆蓋范圍是10~20m，應用于熱點區(qū)域或更高容量業(yè)務場景其數量保守估計將是宏站的2倍，由此我們預計5G小站將達到950萬個。5G產業(yè)或用卡 他缽住居（京站4T5萬個、小站號50萬個）近站我我山貓左助與空向寺卻通“吉河冷位步近站我我山貓左助與空向寺卻通“吉河冷位步■SDR/NFVM^本案J光軒比蜿I"；錯現虹運抵用洸某虛聞應用限弄在向聲.套和工易小基拈3鑰五醬，宏氈現制北域他計3000~5砒0元,小站等M無鰭SW-IOOO通壽今冬砧3科丸鋁時庭三小外型催乳.宏沾席任書就攢止翁升20M-500D死，小妹很舞由我史比預由500-1MCI比一?卜滋基曲整懦華格利計為5皿口“?？?。口七，五林至95。石；空西分嚇冷燒才力上也喊表車龍妣.很訃北.國5G企業(yè)颯野:用俞*恚此為E.：充.想競皇林守佶訃冷1000?斤左寄.在空降揩500-1000汽色仿眄喀詁降主變包括比跳.傳蛻.惶T可瓦亞弁禾林文淳芋系統(tǒng)設能一一可運營商燉計.在4G系蜒中通信冏站i￡谷曲短吊■艇過300口化無，寂們筐計5G&于SDMfNFVi：眄的網絡更用橋取鼠蛇伸世備科疏件定朵化解決矛案眄兩大上分.技計受會救得將對出均長30%.a■于匚一iwn部署》人一RJRU薊BBU及算剖匯聚點眄前能耐林網勢，技計平均等小沙站所需花桿2KH.每小時痂需先掙。3KM.能用九芯數光猊（144芯），宏站見甯區(qū)站意擰或用軍力50%.戲站：475萬117KM*50%=6&4忙號擊亶.小玷：用0萬T.5KM*1的=0馴化曰4里.近13.&E化芯公里，光纖折悟力H150-1DO元與心里京傳：毋不在站掩梟二伊扇區(qū)，每牛島國一+0BU和RRLL善、或站常堂6年北理法一舐自傳所需：（475萬+95。再■*6-85SQ萬外.峭耕：盍站BBJ可轉常第1個元喔法、芨于C-RAN-每個BBU葉皮3個RRU,每個基片需■第1個時神光模塊.笈斫嘴:475萬+。54萬=14=5萬個.總計所需光程比；9975萬十一255100G光槎炎量產后?延到正常有昭承受現樵普陵的部將I500-100C匕/個比他糧.修過好工娶色掙題.別近丑.可佗和:應挑一身運駕而創(chuàng)艮一投費現以為為12D0尼元-5G阿絡呈雪毛忖如頭中化運姓，用恁必沾總敕命多，也齊史雜厘很高-也頭中比，智七億的垃普明定一變讓名統(tǒng)”用心哎行小研用長達劑1MOO加元.5G面的物座碑、莖夜醫(yī)療.工址網互聯笨玨勢的筆現系廢與度用眼普.料不同于相國輅.包括行業(yè)審次方案.統(tǒng)映附邛內.大5US莊川平.一句運言商的瀏復-友陽誄守生什本5GM培上更沒時期.先投堂?登領行:化元_制同螞心E-停沒獨與工程過：七川朝密云1350送元.捏苴法等J 5G的用比博行15%玉30%,超升追1.6001二元W556;11.25ID5O2600ssg.2997.513001M01600氮化鎵將占射頻器件市場半壁江山基站建設將是氮化鎵市場成長的主要驅動力之一。Yoledevelopment數據顯示，2018年，基站端氮化鎵射頻器件市場規(guī)模不足2億美元，預計到2023年，基站端氮化鎵市場規(guī)模將超5億美元。氮化鎵射頻器件市場整體將保持23%的復合增速，2023年市場規(guī)模有望達13億美元。

氮化鎵將占射頻器件市場半壁江山。在射頻器件領域，目前LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體）、GaAs（砷化鎵）、GaN（氮化鎵）三者占比相差不大，但據Yoledevelopment預測，至2025年，砷化鎵市場份額基本維持不變的情況下，氮化鎵有望替代大部分LDMOS份額，占據射頻器件市場約50%的份額。國422鼻森耳伴聲與群有sox如LDMOSMsox如LDMOSM如浦15 ?I4KI72014制種加就30QI葡口?2JBW遵著定涯二里址、國興謔崇濟完好5G時代，射頻元件是化合物半導體的天下早在802.11a技術開始商用時期，Wifi通訊頻段提升至5GHz，基于硅基的CMOS射頻PA組件已經逐漸消失；當進一步升級至毫米波頻段，使用28GHz、39GHz乃至70GHz，在可見的未來，都是化合物半導體的天下。目前6GHz以下的PA組件，主要使用的材料制程為GaAsHBT；28GHz39GHz在移動端使用GaAsHEMT，在小基站使用GaNHEMT。與赤z更/阿娓e中展時光京就盧學#斑楙理榆E5GH2以下GaA,HETT吉桂千帆：G3ASHEMT.小要耳繼：GJNHEI4T670GH2以上JriiPHBT.GaNIHEMTGaAiHEMT化合物半導體的特性更適用于5G技術。5G的射頻元件能滿足更高的頻段、更多的頻段、更快的速度、更小的尺寸，傳統(tǒng)硅半導體面臨技術困難，而化合物半導體可以有效解決毫米波帶來的問題?；衔锇雽w在功率、線性度、工作頻率、效率、可靠性更適合5G技術。CMOS產品面臨擊穿電壓低、襯底絕緣性差、高頻損耗大等先天缺陷，多個特性無法滿足要求。在5G時代，硅工藝的射頻器件由于小型化導致擊穿電壓下降，從而最大輸出功率也隨之下降，化合物半導體則有更好表現。skyworks的GaAsPA產品可以做到78%，而最好的硅基CMOSPA產品只能做到57%。未來多模多頻移動端PA用量增加兩倍以上。移動終端所需要的PA芯片數量與其支持的頻段數正相關，一般4G手機需要4個PA芯片，多模多頻終端所需要的PA芯片一般為5~7個，以iPhone6為例，其使用了

6個PA芯片。5G時代支持頻段數量能多，且需要向下兼容前代通訊制式，未來單個移動終端可能需要16個PA芯片?；衔锇雽w增速遠高于半導體整體增速，化合物射頻組件穩(wěn)定增長。根據Yole數據，2015年，全球化合物半導體市場規(guī)模約240億美元，LED占比超過50%，射頻通訊組件約40%。到2020年，化合物半導體市場將成長至440億美元，CARG為12.9%，是整個半導體市場增速6.5%的兩倍。化合物射頻組件中主要為功率放大器，GaAs在化合物射頻組件占比94%；GaN射頻器件占比雖小，但增速較快，有望在5年內爆發(fā)，市場規(guī)模從2015年的3.0億美元增長到2020年的6.3億美元。H要3那什也需型SKPA抵押我就.j/H要3那什也需型SKPA抵押我就.j/函di憎的mmr雷可抵承學能用力函埃埃舞.出也1T丘宛.天工FG土揚卻鷺尊5傳不思格林也不K金加陛的事5aB前也一觸霜如顆[ N::.TL:MH —里左廉河朝乩國圣廬行卻再修化合物射頻器件市場集中度高，市場格局相對穩(wěn)定。因為GaAs工藝PA技術門檻較高，所以PA市場具有集中度非常高。PA的主要設計公司有Skyworks、Qorvo和Avago三家。GaAs晶圓代工廠主要是臺灣的穩(wěn)懋半導體、宏捷科技和美國的TriQuint，三家的市場占有率超過85%oAvago和Skyworks除芯片設計的主要業(yè)務外，也有部分產能，當自身產能不足時會給臺灣代工廠商訂單Avago的代工廠商是穩(wěn)懋，Skyworks代工廠商是宏捷科技，Qorvo沒有代工廠商。三、相關標的三安光電：全工藝平臺布局，持續(xù)加碼化合物半導體，UI-V族龍頭正式起航我們認為III-V族化合物半導體是三安光電下一個十年的核心成長驅動及跟蹤重點5G無線通訊基站、智能手機、WiFi與光纖等高速數據傳輸、汽車/工業(yè)/太陽能等功率芯片，都將對化合物半導體產生強勁的需求。繼此前與華芯投資（集成電路產業(yè)大基金