GB/T 26067-2010硅片切口尺寸測(cè)試方法

ICS29045

H17.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T26067—2010

硅片切口尺寸測(cè)試方法

Standardtestmethodfordimensionsofnotchesonsiliconwafers

2011-01-10發(fā)布2011-10-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T26067—2010

前言

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研半導(dǎo)體材料股份有限公司萬(wàn)向硅峰電子股份有限公司

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人杜娟孫燕盧立延樓春蘭

:、、、。

Ⅰ

GB/T26067—2010

硅片切口尺寸測(cè)試方法

1范圍

11本標(biāo)準(zhǔn)定性的提供了判定硅片基準(zhǔn)切口是否滿足標(biāo)準(zhǔn)限度要求的非破壞性測(cè)試方法本方法的

.。

測(cè)試原理同樣適用于其他切口尺寸的測(cè)量

。

12本標(biāo)準(zhǔn)中物體平面尺寸為時(shí)通過(guò)倍的放大后會(huì)在投影屏上形成的影像通

.0.1mm,202.0mm,

過(guò)倍放大后會(huì)產(chǎn)生的投影本方法可以發(fā)現(xiàn)切口輪廓上的最小尺寸細(xì)節(jié)

505.0mm。。

13本標(biāo)準(zhǔn)不提供切口頂端的曲率半徑的測(cè)試

.。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法概述

41本方法是利用一系列輪廓模板在顯示屏上的投影與載物臺(tái)上的待測(cè)硅片的切口投影相比較從而

.,

得到待測(cè)硅片的切口是否滿足規(guī)定要求

。

42使硅片切口邊緣的投影與定位硅片位置的定位銷投影相切此時(shí)切口底部的投影應(yīng)位于或者低

.。,

于切口和深度模板的一條已設(shè)定基準(zhǔn)線并且硅片邊緣的投影位于或高于輪廓板上的另外一條基準(zhǔn)線

,。

43重新定位硅片使硅片的邊緣和輪廓模板中硅片外圍線重合此時(shí)切口底部的投影應(yīng)在輪廓模

.,“”,

板上切口最深線和切口最淺線之間

。

44切口邊緣的投影與切口角度輪廓模板上一系列切口角度相比較其中選擇輪廓模板中與切口邊緣

.,

吻合最好的那個(gè)角的角度值作為切口的角度

。

45還可以使用邊緣輪廓儀對(duì)于切口形狀進(jìn)行精確測(cè)量具體參見(jiàn)附錄

.,A。

5干擾因素

51切口邊緣處任何其他材料的沾污或者粗糙通過(guò)光路會(huì)產(chǎn)生扭曲的投影圖像導(dǎo)致檢測(cè)出錯(cuò)誤的切

.,

口尺寸

。

52切口位置相對(duì)于硅片中心點(diǎn)的校準(zhǔn)是得到準(zhǔn)確切口參數(shù)的重要環(huán)節(jié)

.。

53磨削工具的磨損以及過(guò)程變差可能導(dǎo)致切口邊緣不直使切口頂點(diǎn)的半徑不唯一在這種情況

.,。

下要特別關(guān)注定位切口投影圖像在輪廓模板上的正確位置

,。

54按照特定晶向滾磨硅片邊緣形成的切口是對(duì)硅片