標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 27760-2011 利用Si(111)晶面原子臺(tái)階對(duì)原子力顯微鏡亞納米高度測(cè)量進(jìn)行校準(zhǔn)的方法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),旨在為使用原子力顯微鏡(AFM)進(jìn)行亞納米級(jí)高度測(cè)量時(shí)提供一種基于硅單晶(111)晶面上自然形成的原子臺(tái)階作為參考標(biāo)準(zhǔn)的校準(zhǔn)方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于需要高精度測(cè)量表面形貌或結(jié)構(gòu)的研究領(lǐng)域。
根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn),利用了硅單晶材料特有的物理性質(zhì)——在(111)晶面上存在周期性出現(xiàn)的高度差約為0.154納米的原子臺(tái)階。通過(guò)精確測(cè)定這些臺(tái)階之間的距離,可以用來(lái)校正AFM探針與樣品之間相對(duì)高度變化的測(cè)量誤差,從而提高AFM在亞納米尺度上的測(cè)量準(zhǔn)確性。
標(biāo)準(zhǔn)中詳細(xì)規(guī)定了實(shí)驗(yàn)所需條件、樣品準(zhǔn)備過(guò)程、AFM操作參數(shù)設(shè)置以及數(shù)據(jù)處理方法等關(guān)鍵步驟。其中包括但不限于:選擇合適質(zhì)量且清潔無(wú)污染的硅片作為測(cè)試基底;采用適當(dāng)?shù)募夹g(shù)手段確保硅片表面平整并去除可能存在的氧化層或其他污染物;調(diào)整AFM工作模式以適應(yīng)不同類型的樣品及研究需求;記錄下每個(gè)原子臺(tái)階位置及其對(duì)應(yīng)的垂直位移值,并通過(guò)統(tǒng)計(jì)分析獲得平均值來(lái)代表實(shí)際臺(tái)階高度;最后,將得到的結(jié)果用于修正儀器內(nèi)部參數(shù),實(shí)現(xiàn)更精準(zhǔn)的高度測(cè)量功能。
此外,還強(qiáng)調(diào)了在整個(gè)實(shí)驗(yàn)過(guò)程中需要注意的安全事項(xiàng)和個(gè)人防護(hù)措施,確保操作人員健康不受損害的同時(shí)也能保證實(shí)驗(yàn)結(jié)果的有效性和可靠性。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2011-12-30 頒布
- 2012-05-01 實(shí)施
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GB/T 27760-2011利用Si(111)晶面原子臺(tái)階對(duì)原子力顯微鏡亞納米高度測(cè)量進(jìn)行校準(zhǔn)的方法-免費(fèi)下載試讀頁(yè)文檔簡(jiǎn)介
ICS19020
N04.
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T27760—2011
利用Si111晶面原子臺(tái)階對(duì)原子力
()
顯微鏡亞納米高度測(cè)量進(jìn)行校準(zhǔn)的方法
Testmethodforcalibratingthez-magnificationofanatomicforcemicroscopeat
subnanometerdislacementlevelsusinSi111monatomicstes
pg()p
2011-12-30發(fā)布2012-05-01實(shí)施
中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布
中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T27760—2011
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)與利用晶面原子臺(tái)階對(duì)原子力顯微鏡亞納米高度測(cè)量進(jìn)行
ASTME2530—2006《Si(111)
校準(zhǔn)的方法英文版技術(shù)內(nèi)容基本一致
》()。
考慮到我國(guó)國(guó)情在采用時(shí)本標(biāo)準(zhǔn)做了一些修改有關(guān)技術(shù)性差異已編入
,ASTME2530—2006,,
正文中附錄規(guī)范性附錄中給出樣品制備方法附錄資料性附錄中列出了本標(biāo)準(zhǔn)章條編號(hào)與
。A(),B()
章條編號(hào)的對(duì)照一覽表附錄資料性附錄中給出了技術(shù)性差異及其原因一覽
ASTME2530—2006,C()
表以供參考
。
本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)科學(xué)院提出
。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口
(SAC/TC279)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位國(guó)家納米科學(xué)中心
:。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人朱曉陽(yáng)楊延蓮賀蒙高潔
:、、、。
Ⅰ
GB/T27760—2011
利用Si111晶面原子臺(tái)階對(duì)原子力
()
顯微鏡亞納米高度測(cè)量進(jìn)行校準(zhǔn)的方法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了利用晶面原子臺(tái)階高度樣品校準(zhǔn)原子力顯微鏡z向標(biāo)度的測(cè)量方法
Si(111)。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于在大氣或真空環(huán)境下工作的原子力顯微鏡并且其z向放大倍率達(dá)到最大量級(jí)即z
,,
向位移在納米和亞納米范圍內(nèi)這是原子力顯微鏡用于檢測(cè)半導(dǎo)體表面光學(xué)器件表面和其他高科技元
,,
件表面中經(jīng)常用到的檢測(cè)范圍
。
本標(biāo)準(zhǔn)并未指出所有可能的安全問(wèn)題在應(yīng)用本標(biāo)準(zhǔn)之前使用者有責(zé)任采取適當(dāng)?shù)陌踩徒】荡?/p>
,,
施并保證符合國(guó)家有關(guān)法規(guī)規(guī)定的條件
,。
注本標(biāo)準(zhǔn)中以國(guó)際單位制規(guī)定的數(shù)值作為標(biāo)準(zhǔn)值括號(hào)內(nèi)插入的數(shù)值僅供參考
:,。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
產(chǎn)品幾何量技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)區(qū)域法第部分表面結(jié)構(gòu)測(cè)量方
ISO25178-6:2010(GPS)6:
法分類
(Geometricalproductsspecification—Surfacetexture:Areal—Part6:Classificationofmethods
formeasuringsurfacetexture)
測(cè)量不確定度表示指南
ISO/IECGuide98-3:2008(Uncertaintyofmeasurement—Part3:Guide
totheexpressionofuncertaintyinmeasurement)
測(cè)量不確定度評(píng)估的重復(fù)性再現(xiàn)性和準(zhǔn)確度評(píng)估的使用指南
ISO/TS21748:2004、(Guidance
fortheuseofrepeatability,reproducibilityandtruenessestimatesinmeasurementuncertaintyestima-
tion)
3術(shù)語(yǔ)和定義
下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件
。
31
.
原子力顯微術(shù)atomicforcemicroscopyAFM
()
通過(guò)檢測(cè)探針與樣品表面相互作用力吸引力或排斥力來(lái)獲得表面高度進(jìn)而得到樣品表面形貌的
()
檢測(cè)技術(shù)
。
32
.
坐標(biāo)軸coordinateaxes
檢測(cè)表面形貌時(shí)使用的坐標(biāo)系
。
注通常采用直角坐標(biāo)系即各軸形成笛卡爾正交系x軸方向是樣品表面被跟蹤的主掃描方向軸方向是在樣
:,,
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