常用半導(dǎo)體器件

常用半導(dǎo)體器件第一頁，共五十一頁，2022年，8月28日第一節(jié)PN結(jié)及其單向?qū)щ娦园雽?dǎo)體的導(dǎo)電特點

PN結(jié)返回第二頁，共五十一頁，2022年，8月28日一、半導(dǎo)體的導(dǎo)電特點1.半導(dǎo)體材料物質(zhì)分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體。半導(dǎo)體是4價元素。半導(dǎo)體材料的特點：半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力受光和熱影響。

T↑

導(dǎo)電能力↑光照↑導(dǎo)電能力↑純凈的半導(dǎo)體摻入雜質(zhì)導(dǎo)電性會大大增強。返回第三頁，共五十一頁，2022年，8月28日+4純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。本征半導(dǎo)體中的載流子自由電子(－)

空穴（+）2.本征半導(dǎo)體空穴與電子成對出現(xiàn)并可以復(fù)合。*空穴的移動返回第四頁，共五十一頁，2022年，8月28日3.雜質(zhì)半導(dǎo)體

N型半導(dǎo)體摻5價元素，如磷，自由電子數(shù)多于空穴數(shù)，自由電子數(shù)是多子。

P型半導(dǎo)體摻3價元素，如硼，空穴數(shù)多于自由電子數(shù)，空穴是多子。返回第五頁，共五十一頁，2022年，8月28日N型半導(dǎo)體磷原子硅原子+N型硅表示+4+5+4+4硅或鍺+少量磷N型半導(dǎo)體多余電子返回第六頁，共五十一頁，2022年，8月28日P型半導(dǎo)體硼原子P型硅表示+4+4+4+3硅原子硅或鍺+少量硼P型半導(dǎo)體多余空穴返回第七頁，共五十一頁，2022年，8月28日返回4．擴散運動與漂移運動載流子由于濃度差異而形成運動叫擴散運動。在電場作用下，載流子的定向運動叫漂移運動。

第八頁，共五十一頁，2022年，8月28日

1.PN結(jié)的形成二、

PN結(jié)擴散運動空間電荷區(qū)削弱內(nèi)電場漂移運動內(nèi)電場動態(tài)平衡－－－－－－－－－－－－－－－－P內(nèi)電場電荷區(qū)空間擴散運動漂移運動N返回第九頁，共五十一頁，2022年，8月28日外電場方向與內(nèi)電場方向相反

空間電荷區(qū)(耗盡層)變薄

擴散＞漂移導(dǎo)通電流很大,呈低阻態(tài)。

2.PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕璓N內(nèi)電場外電場加正向電壓（正偏）P（+）N（－）返回少子形成的電流，可忽略。第十頁，共五十一頁，2022年，8月28日外電場與內(nèi)電場相同耗盡層加厚

漂移＞擴散少子形成反向電流IR，很小，呈高阻態(tài)。N－－－－－－－－－－－－－－－－P內(nèi)電場外電場加反向電壓（反偏）P（－）N（+）

PN結(jié)正偏，導(dǎo)通；PN結(jié)反偏，截止返回第十一頁，共五十一頁，2022年，8月28日第二節(jié)半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管的伏安特性半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)返回第十二頁，共五十一頁，2022年，8月28日一、半導(dǎo)體二極管的伏安特性+P區(qū)－陽極N區(qū)－陰極陽極陰極

1.正向特性死區(qū)電壓硅管0.5V

鍺管0.1V

正向?qū)妷汗韫?.7V

鍺管0.3VI/mAU/V反向擊穿電壓死區(qū)GeSi

2.

反向特性反向飽和電流很小，可視為開路；反向電壓過高，電流急增，二極管發(fā)生擊穿。導(dǎo)通電壓VD返回O第十三頁，共五十一頁，2022年，8月28日二、半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)1.最大整流電流IF

二極管允許通過的最大正向平均電流。2.最高反向工作電壓URM

保證二極管不被擊穿允許加的最大反向電壓。3.最大反向飽和電流IR

室溫下，二極管加最高反向電壓時的反向電流，與溫度有關(guān)。返回第十四頁，共五十一頁，2022年，8月28日例1、如圖，當E＝5V時，I＝5mA，則E=10V，I＝（B）

A.I＝10mAB.I>10mAC.I＜10mAD.不確定EVDIB返回第十五頁，共五十一頁，2022年，8月28日O例2、如圖，E＝5V，二極管正向壓降忽略不計，畫出

uo波形。EVDuiuo10ui/Vωtui<EVD截止

uo=Eui>EVD導(dǎo)通

uo=ui5uoωt5利用二極管的單向?qū)щ娦钥蓪敵鲂盘柶鹣薹饔?。返回O第十六頁，共五十一頁，2022年，8月28日例3、如圖，E＝6V，二極管正向壓降忽略不計，畫出uo波形。EVD1uiuo10ui/Vωt6EVD2R－6ui>E，VD1導(dǎo)通，VD2截止

uo=E=6V－E<ui<E

，VD1、VD2截止，

uo=uiuoωt解：ui<－E，

VD2導(dǎo)通，VD1截止

uo=－E=－6V6返回OO第十七頁，共五十一頁，2022年，8月28日例4、二極管組成電路如圖，設(shè)二極管導(dǎo)通電壓為0.3V，試求輸出電壓UF。+3VUF－12VR0VVD1VD23V

>0>－12VVD1率先導(dǎo)通，

UF＝3V－0.3V＝2.7VVD2截止解：返回第十八頁，共五十一頁，2022年，8月28日第三節(jié)特殊二極管穩(wěn)壓管光敏二極管發(fā)光二極管返回第十九頁，共五十一頁，2022年，8月28日穩(wěn)壓管是一種特殊的二極管，具有穩(wěn)定電壓的作用。穩(wěn)壓管工作于反向擊穿區(qū)。特點：電流變化大，電壓變化小。1.穩(wěn)壓原理穩(wěn)壓管：1）加正向電壓時等同于二極管。

2）加反向電壓時使其擊穿后穩(wěn)壓。I/mAU/V反向擊穿電壓VS返回一、穩(wěn)壓管O第二十頁，共五十一頁，2022年，8月28日

1)穩(wěn)定電壓UZ

正常工作下，穩(wěn)壓管兩端電壓。同一型號的穩(wěn)壓管分散性較大。

2)穩(wěn)定電流IZ

正常工作下的參考電流。大小由限流電阻決定。

3)動態(tài)電阻rZ

rZ=△U/△I

rZ越小，穩(wěn)壓效果越好。2.穩(wěn)壓管參數(shù)返回第二十一頁，共五十一頁，2022年，8月28日4)溫度系數(shù)αu

溫度改變1℃，穩(wěn)壓值改變的百分比。其值可正，可負。5)最大允許耗散功率PZM

管子不至于產(chǎn)生熱損壞時的最大功率損耗值叫做最大耗散功率。穩(wěn)壓管工作時，功耗超過PZM

，管子將會因熱擊穿而損壞。返回第二十二頁，共五十一頁，2022年，8月28日返回例1、如圖，已知UZ=10V，負載電壓UL（）（Ａ）5Ｖ（Ｂ）10Ｖ（Ｃ）15Ｖ（Ｄ）20ＶAVS20V15kΩ5kΩUL穩(wěn)壓管的工作條件（１）必須工作在反向擊穿狀態(tài)。（２）電路中應(yīng)有限流電阻，以保證反向電流不超過允許范圍。第二十三頁，共五十一頁，2022年，8月28日例2、已知ui=6sinωt，UZ=3V，畫輸出波形。VSuiuo6ui/Vωt3uoωt3返回OO第二十四頁，共五十一頁，2022年，8月28日例3、圖示電路中，穩(wěn)壓管VS1、VS2的穩(wěn)壓值分別為UZ1＝5V，UZ2＝7V，正向壓降為0.7Ｖ，若輸入電壓Ui波形如圖所示，試畫出輸出電壓波形。RRVS1VS2UiUoUit6V12V－2VUi經(jīng)電阻分壓UR＝Ui/2當UR<5V，VS1、VS2截止，Uo=UR7V>UR>5V，VS1反向?qū)ǎ琕S2截止，Uo=UZ1

UR<－0.7V，VS1、VS2正向?qū)?，Uo=－0.7VUot3V5V－0.7V解：返回第二十五頁，共五十一頁，2022年，8月28日返回二、光敏二極管光敏二極管(或稱光電二極管)是一種將光能轉(zhuǎn)換成電流的器件。光敏二極管的PN結(jié)接受光線照射時，會像熱激發(fā)一樣，可以成對地產(chǎn)生大量的電子和空穴，使半導(dǎo)體中少子的濃度提高。這些載流子在反向偏置下可以產(chǎn)生漂移電流，使反向電流顯著增加。

反向電流的大小與光照強度成正比。第二十六頁，共五十一頁，2022年，8月28日VL返回三、發(fā)光二極管發(fā)光二極管是一種將電能轉(zhuǎn)換為光能的半導(dǎo)體器件，簡稱為LED。當LED正向?qū)〞r，由于電子與空穴的復(fù)合而以光的形式放出能量。發(fā)光二極管的發(fā)光顏色取決于使用的材料。發(fā)光二極管只能工作在正向偏置狀態(tài)，工作時電路中必須串接限流電阻。第二十七頁，共五十一頁，2022年，8月28日第四節(jié)晶體管晶體管的基本結(jié)構(gòu)和類型晶體管的電流分配和放大原理晶體管的特性曲線晶體管的主要參數(shù)溫度對晶體管特性和參數(shù)的影響返回第二十八頁，共五十一頁，2022年，8月28日一、晶體管的基本結(jié)構(gòu)和類型基區(qū)集電區(qū)發(fā)射區(qū)基極集電極發(fā)射極集電結(jié)發(fā)射結(jié)NPN型VT返回第二十九頁，共五十一頁，2022年，8月28日PNP型特點：發(fā)射區(qū)參雜濃度很大，基區(qū)薄且濃度低，集電結(jié)體積大。VT返回第三十頁，共五十一頁，2022年，8月28日二、晶體管的電流分配和放大原理１．放大條件（１）內(nèi)部特點決定 發(fā)射區(qū)產(chǎn)生大量載流子;

基區(qū)傳送載流子;

集電區(qū)收集載流子。（２）外部條件 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。返回第三十一頁，共五十一頁，2022年，8月28日IEICIBRBRCEBECNNP發(fā)射區(qū)電子發(fā)射結(jié)正偏利于發(fā)射區(qū)發(fā)射電子基區(qū)集電結(jié)反偏利于集電區(qū)收集電子集電區(qū)2.電流分配返回少子的移動第三十二頁，共五十一頁，2022年，8月28日IBRBEBICRCECIE基極電流很小的變化，將引起集電極電流一個很大的變化。直流放大系數(shù)交流放大系數(shù)返回第三十三頁，共五十一頁，2022年，8月28日

1.輸入特性曲線三、晶體管特性曲線IB＝f(UBE)︳UCE=常數(shù)

IB/μAUBE/VUCE=0UCE≥1發(fā)射結(jié)、集電結(jié)正偏，兩個二極管正向并聯(lián)。集電結(jié)反偏，IB減小UCE>1IB變化很小，與UCE=1曲線重合。返回O第三十四頁，共五十一頁，2022年，8月28日2．輸出特性曲線飽和區(qū)截止區(qū)放大區(qū)截止區(qū)IB≈0，IC≈0，UBE≤0發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。放大區(qū)

IC＝βIB

發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。飽和區(qū)

UCE≤UBE

，發(fā)射結(jié)、集電結(jié)正偏。IC/mAUCE/VIB＝0IB＝20μAIB＝40μAIB＝60μAIB＝80μA返回O第三十五頁，共五十一頁，2022年，8月28日2．極間反向電流

ICBO：發(fā)射極開路，基極與集電極間的反向飽和電流，受溫度影響大。

ICEO：基極開路，集電極與發(fā)射極間的穿透電流。四、晶體管主要參數(shù)1．

放大倍數(shù)返回第三十六頁，共五十一頁，2022年，8月28日集電極最大電流ICM

IC<ICM

集電極—發(fā)射極反向擊穿電壓UCEO

基極開路，加在集電極和發(fā)射極間的最大允許工作電壓。

UCE<UCEO

集電極最大允許功耗PCM

ICUCE<PCM3．極限參數(shù)返回第三十七頁，共五十一頁，2022年，8月28日五、溫度對晶體管的影響溫度對ICEO、ICBO的影響

ICEO、ICBO隨溫度上升急劇增加，溫度每升高10℃，ICBO約增加一倍。溫度對鍺管的影響比較大。溫度對β的影響溫度增加，β隨之增加。3.溫度對UBE

的影響溫度增加，UBE

隨之減少。返回第三十八頁，共五十一頁，2022年，8月28日例1：由晶體管各管腳電位判定晶體管屬性（1）

A:1VB：0.3VC:3V（2）A:－0.2VB:0VC:－3V如何區(qū)分硅管和鍺管如何區(qū)分NPN、PNP管如何區(qū)分三個極A.︱UBE︳≈0.2V(鍺管）

︱UBE︳≈0.7V(硅管）B.步驟：1.區(qū)分硅管、鍺管，并確定C極（以相近兩個電極的電壓差為依據(jù)，

UBE硅＝0.7V／UBE鍺＝0.2V～0.3V）

2.區(qū)分NPN、PNP管（NPN：VC最高

，PNP：VC最低

）

3.區(qū)分三極（NPN：VC>VB>VE

PNP：VC<UB<VE）解：（1）硅管、NPN管A：基極；B:發(fā)射極；C:集電極（2）鍺管、PNP管A:基極；B:發(fā)射極；C:集電極返回第三十九頁，共五十一頁，2022年，8月28日例2：有三只晶體管，分別為鍺管β＝150，ICBO＝2μA；硅管β＝100，ICBO＝1μA；硅管β＝40，ICEO＝41μA；試從β和溫度穩(wěn)定性選擇一只最佳的管子。解：

β

值大，但ICBO也大，溫度穩(wěn)定性較差；β值較大，ICBO＝1μA，ICEO＝101μA；β

值較小，ICEO＝41μA，ICBO＝1μA。、ICBO相等，但的β

較大，故較好。返回第四十頁，共五十一頁，2022年，8月28日第五節(jié)場效應(yīng)晶體管

N溝道增強型MOS管

N溝道耗盡型MOS管

MOS管的主要參數(shù)及使用注意事項返回第四十一頁，共五十一頁，2022年，8月28日返回場效應(yīng)晶體管是用輸入回路的電場效應(yīng)來控制半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子，使流過半導(dǎo)體內(nèi)的電流大小隨電場強弱而變化，形成電壓控制其導(dǎo)電的一種半導(dǎo)體器件。與晶體管相比場效應(yīng)晶體管更易于集成。場效應(yīng)晶體管有兩種:N溝道P溝道耗盡型增強型結(jié)型場效應(yīng)晶體管絕緣柵型場效應(yīng)晶體管第四十二頁，共五十一頁，2022年，8月28日返回PN＋N＋GSDN區(qū)SiO2絕緣層源極柵極漏極金屬鋁P型襯底GSDBB一、N溝道增強型MOS管第四十三頁，共五十一頁，2022年，8月28日返回IDmAUDSUGSGSDRD特性曲線UGS＝0，ID＝0UGS>開啟電壓形成導(dǎo)電溝道ID隨UGS的增加而增大漏極特性曲線可變電阻區(qū)夾斷區(qū)恒流區(qū)ID/mAUDS/VUGS＝2VUGS＝5VUGS＝6V場效應(yīng)管是一種電壓控制電流的器件OV第四十四頁，共五十一頁，2022年，8月28日返回轉(zhuǎn)移特性曲線IDUGSUGS（th）開啟電壓固定一個UDS，ID和UGS的關(guān)系曲線，稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。IDO是UGS(th)/2時的ID值在一定的漏－源電壓UDS下，使管子由不導(dǎo)通變?yōu)閷?dǎo)通的臨界柵源電壓稱為開啟電壓UGS(th）。O第四十五頁，共五十一頁，2022年，8月28日返回二、N溝道耗盡型MOS管PN+N+GSDGSDBB＋＋＋＋N型溝道耗盡型管子的柵源電壓，在一定范圍內(nèi)正、負值均可控制漏極電流的大小。耗盡型場效應(yīng)管在制造時導(dǎo)電溝道就已形成第四十六頁，共五十一頁，2022年，8月28日返回特性曲線ID(mA)UDS(V)UGS＝－0.8VUGS＝0VUGS＝0.2VOUGS（off）IDUGS夾斷電壓漏極特性曲線