GB/T 28277-2012硅基MEMS制造技術(shù)微鍵合區(qū)剪切和拉壓強(qiáng)度檢測(cè)方法

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T28277—2012

硅基MEMS制造技術(shù)

微鍵合區(qū)剪切和拉壓強(qiáng)度檢測(cè)方法

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

Measurementmethodofcuttingandpull-pressstrengthofmicrobondingarea

2012-05-11發(fā)布2012-12-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T28277—2012

目次

前言…………………………

Ⅲ

范圍………………………

11

規(guī)范性引用文件…………………………

21

術(shù)語和定義………………

31

要求………………………

42

檢測(cè)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)要求………………

4.12

檢測(cè)結(jié)構(gòu)制備要求…………………

4.24

檢測(cè)環(huán)境要求………………………

4.34

檢測(cè)方法…………………

55

總則…………………

5.15

拉壓式微結(jié)構(gòu)鍵合強(qiáng)度檢測(cè)………………………

5.25

剪切式微結(jié)構(gòu)鍵合強(qiáng)度檢測(cè)………………………

5.36

附錄資料性附錄拉壓式檢測(cè)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)尺寸和斷裂強(qiáng)度對(duì)應(yīng)表…………………

A()8

附錄資料性附錄拉壓式檢測(cè)結(jié)構(gòu)測(cè)試實(shí)例………

B()16

Ⅰ

GB/T28277—2012

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位北京大學(xué)中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心中國電子科技集團(tuán)第十三研究所中國科學(xué)院上

:、、、

海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所中國電子科技集團(tuán)第四十九研究所

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張大成王瑋劉偉楊芳姜森林崔波熊斌田雷

:、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T28277—2012

硅基MEMS制造技術(shù)

微鍵合區(qū)剪切和拉壓強(qiáng)度檢測(cè)方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅基加工過程中所涉及的微小鍵合區(qū)域鍵合強(qiáng)度檢測(cè)的要求和試驗(yàn)方法

MEMS。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于采用微電子工藝及相關(guān)微細(xì)加工技術(shù)制造的微小鍵合區(qū)的剪切和拉壓強(qiáng)度測(cè)試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語和定義

GB/T26111—2010(MEMS)

測(cè)量管理體系測(cè)量過程和測(cè)量設(shè)備的要求

GB/T19022—2003

3術(shù)語和定義

和界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T26111—2010GB/T19022—2003。

31

.

體微加工工藝bulkmicromachining

通過選擇性去除部分基底材料實(shí)現(xiàn)微結(jié)構(gòu)的微機(jī)械加工方法

。

注體微機(jī)械工藝是通過化學(xué)方法刻蝕去除基底不需要部分的加工方法通過使用或掩?？梢员Ｗo(hù)表

:。SiO2Si3N4

面不被刻蝕硼摻雜層也可以停止表面層以下部分的刻蝕

。。

定義

[GB/T26111—2010,3.5.16]

32

.

干法刻蝕dryetching

利用可產(chǎn)生物理和或化學(xué)反應(yīng)的氣體或等離子體進(jìn)行刻蝕的技術(shù)

/。

注電子能量所產(chǎn)生的可反應(yīng)氣體與襯底反應(yīng)并移除材料形成所需的形狀或尺寸干法刻蝕可分為利用化學(xué)反

:,。

應(yīng)的各向同性腐蝕等離子刻蝕和利用物理反應(yīng)的直接刻蝕離子刻蝕

()()。

定義

[GB/T26111—2010,3.5.18]

33

.

濕法刻蝕wetetching

利用與待刻材料可產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的溶液對(duì)薄膜或器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行腐