GB/T 28277-2012硅基MEMS制造技術(shù)微鍵合區(qū)剪切和拉壓強度檢測方法

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標準

GB/T28277—2012

硅基MEMS制造技術(shù)

微鍵合區(qū)剪切和拉壓強度檢測方法

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

Measurementmethodofcuttingandpull-pressstrengthofmicrobondingarea

2012-05-11發(fā)布2012-12-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T28277—2012

目次

前言…………………………

Ⅲ

范圍………………………

11

規(guī)范性引用文件…………………………

21

術(shù)語和定義………………

31

要求………………………

42

檢測結(jié)構(gòu)的設(shè)計要求………………

4.12

檢測結(jié)構(gòu)制備要求…………………

4.24

檢測環(huán)境要求………………………

4.34

檢測方法…………………

55

總則…………………

5.15

拉壓式微結(jié)構(gòu)鍵合強度檢測………………………

5.25

剪切式微結(jié)構(gòu)鍵合強度檢測………………………

5.36

附錄資料性附錄拉壓式檢測結(jié)構(gòu)設(shè)計尺寸和斷裂強度對應(yīng)表…………………

A()8

附錄資料性附錄拉壓式檢測結(jié)構(gòu)測試實例………

B()16

Ⅰ

GB/T28277—2012

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國微機電技術(shù)標準化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標準起草單位北京大學中機生產(chǎn)力促進中心中國電子科技集團第十三研究所中國科學院上

:、、、

海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所中國電子科技集團第四十九研究所

、。

本標準主要起草人張大成王瑋劉偉楊芳姜森林崔波熊斌田雷

:、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T28277—2012

硅基MEMS制造技術(shù)

微鍵合區(qū)剪切和拉壓強度檢測方法

1范圍

本標準規(guī)定了硅基加工過程中所涉及的微小鍵合區(qū)域鍵合強度檢測的要求和試驗方法

MEMS。

本標準適用于采用微電子工藝及相關(guān)微細加工技術(shù)制造的微小鍵合區(qū)的剪切和拉壓強度測試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

微機電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語和定義

GB/T26111—2010(MEMS)

測量管理體系測量過程和測量設(shè)備的要求

GB/T19022—2003

3術(shù)語和定義

和界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T26111—2010GB/T19022—2003。

31

.

體微加工工藝bulkmicromachining

通過選擇性去除部分基底材料實現(xiàn)微結(jié)構(gòu)的微機械加工方法

。

注體微機械工藝是通過化學方法刻蝕去除基底不需要部分的加工方法通過使用或掩?？梢员Ｗo表

:。SiO2Si3N4

面不被刻蝕硼摻雜層也可以停止表面層以下部分的刻蝕

。。

定義

[GB/T26111—2010,3.5.16]

32

.

干法刻蝕dryetching

利用可產(chǎn)生物理和或化學反應(yīng)的氣體或等離子體進行刻蝕的技術(shù)

/。

注電子能量所產(chǎn)生的可反應(yīng)氣體與襯底反應(yīng)并移除材料形成所需的形狀或尺寸干法刻蝕可分為利用化學反

:,。

應(yīng)的各向同性腐蝕等離子刻蝕和利用物理反應(yīng)的直接刻蝕離子刻蝕

()()。

定義

[GB/T26111—2010,3.5.18]

33

.

濕法刻蝕wetetching

利用與待刻材料可產(chǎn)生化學反應(yīng)的溶液對薄膜或器件結(jié)構(gòu)進行腐