標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 29055-2012 太陽(yáng)電池用多晶硅片》是中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)之一，主要針對(duì)用于制造太陽(yáng)電池的多晶硅片制定了詳細(xì)的技術(shù)要求和測(cè)試方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于通過(guò)鑄錠法制備并經(jīng)過(guò)切割加工成特定尺寸的多晶硅片。

在技術(shù)要求方面，標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了多晶硅片應(yīng)達(dá)到的各項(xiàng)物理性能指標(biāo)，包括但不限于外觀質(zhì)量、幾何尺寸及其偏差范圍、電學(xué)性質(zhì)等。其中，外觀上不允許存在裂紋、孔洞等影響使用性能的缺陷；對(duì)于幾何尺寸，則明確了長(zhǎng)度、寬度以及厚度的具體數(shù)值，并給出了允許的最大誤差值；此外，還對(duì)電阻率、少數(shù)載流子壽命等關(guān)鍵電學(xué)參數(shù)設(shè)定了限定條件。

測(cè)試方法部分則提供了驗(yàn)證上述各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)是否符合規(guī)定的具體實(shí)驗(yàn)步驟與操作規(guī)范。例如，采用光學(xué)顯微鏡檢查硅片表面是否存在微觀瑕疵；利用游標(biāo)卡尺或更精確的測(cè)量工具來(lái)測(cè)定實(shí)際尺寸；而電阻率及少子壽命等內(nèi)部特性，則需要借助專門設(shè)備如四探針測(cè)試儀、光致發(fā)光譜分析系統(tǒng)等進(jìn)行測(cè)定。

整個(gè)文檔還包括了抽樣規(guī)則、包裝運(yùn)輸指導(dǎo)等內(nèi)容，確保從生產(chǎn)到交付過(guò)程中能夠有效保證產(chǎn)品質(zhì)量的一致性和穩(wěn)定性。通過(guò)遵循這一系列標(biāo)準(zhǔn)化流程，有助于提高我國(guó)太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的整體技術(shù)水平與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。


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  • 2012-12-31 頒布
  • 2013-10-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS29045

H82.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T29055—2012

太陽(yáng)電池用多晶硅片

Multi-crystallinesiliconwaferforsolarcell

2012-12-31發(fā)布2013-10-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

太陽(yáng)電池用多晶硅片

GB/T29055—2012

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

/p>

年月第一版

20134

*

書(shū)號(hào)

:155066·1-46637

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T29055—2012

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位江西賽維太陽(yáng)能高科技有限公司寧波晶元太陽(yáng)能有限公司無(wú)錫尚德太

:LDK、、

陽(yáng)能電力有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人萬(wàn)躍鵬唐駿孫世龍游達(dá)朱華英劉林艷段育紅

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T29055—2012

太陽(yáng)電池用多晶硅片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)電池用多晶硅片的術(shù)語(yǔ)定義符號(hào)及縮略語(yǔ)產(chǎn)品分類技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢

、、、、、

測(cè)規(guī)則以及標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存等

、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于鑄錠多晶切片垂直于長(zhǎng)晶方向生產(chǎn)的太陽(yáng)電池用多晶硅片

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測(cè)定方法

GB/T1551

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T6618

硅片彎曲度測(cè)試方法

GB/T6619

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

太陽(yáng)能級(jí)鑄造多晶硅塊

GB/T29054

用微波反射非接觸光電導(dǎo)衰減方法測(cè)試硅晶片載流子復(fù)合壽命的方法

SEMIMF1535

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

密集線痕densesawmark

硅塊切割時(shí)在硅片表面留下的密集型劃痕

,。

4外形尺寸分類

太陽(yáng)電池用多晶硅片的規(guī)格系列見(jiàn)表在表中未列出的尺寸規(guī)格要求由供需雙方協(xié)商

1,1。

表1太陽(yáng)電池用多晶硅片規(guī)格系列

外形尺寸

/mm125×125156×156

160

硅片厚度180

/μm

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