GB/T 29505-2013硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法

ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標準

GB/T29505—2013

硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法

Testmethodformeasuringsurfaceroughnessonplanarsurfacesofsiliconwafer

2013-05-09發(fā)布2014-02-01實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T29505—2013

目次

前言…………………………

Ⅲ

范圍………………………

11

規(guī)范性引用文件…………………………

21

術語和定義………………

31

方法提要…………………

42

干擾因素…………………

53

儀器設備…………………

63

粗糙度測量步驟…………………………

75

報告………………………

88

附錄規(guī)范性附錄粗糙度測量規(guī)范和有關輸出的例子……………

A()9

附錄資料性附錄有關硅片粗糙度分布的試驗和模型源于附錄…

B()(SEMIM40)11

參考文獻……………………

25

Ⅰ

GB/T29505—2013

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標準起草單位有研半導體材料股份有限公司中國有色金屬工業(yè)標準計量質量研究所

:、。

本標準主要起草人孫燕李莉盧立延翟富義向磊

:、、、、。

Ⅲ

GB/T29505—2013

硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法

1范圍

本標準提供了硅片表面粗糙度測量常用的輪廓儀干涉儀散射儀三類方法的測量原理測量設備

、、、

和程序并規(guī)定了硅片表面局部或整個區(qū)域的標準掃描位置圖形及粗糙度縮寫定義

,。

本標準適用于平坦硅片表面的粗糙度測量也可用于其他類型的平坦晶片材料但不適用于晶片邊

;,

緣區(qū)域的粗糙度測量

。

本標準不適用于帶寬空間波長的測量儀器

≤10nm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體材料術語

GB/T14264

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

自相關函數autocorrelationfunction

強譜線密度函數的傅立葉轉換它表示一個表面輪廓和經滑移或橫向移動的同樣輪廓之間關于其

。

自身的相似性

。

32

.

自相關長度autocorrelationlength

要求橫向滑動以把自相關函數簡化為一個等于乘以它的滑動值的值有時使用或者

e-10。10%

值定義替代

0e-1。

33

.

雙向反射分布函數bi-directionalreflectancedistributionfunctionBRDF

;

由一個表面來描述光散射的分布以不同的發(fā)光度輻照度歸一化不同的發(fā)光輻射率并且近似

,()(),

于每單位投射的立體角散射功率除以入射功率

。

34

.

尼奎斯特準則Nyquiscriterion

檢測到的最短空間波長它是兩倍于取樣間隔