GB/T 29505-2013硅片平坦表面的表面粗糙度測(cè)量方法

ICS29045

H80.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T29505—2013

硅片平坦表面的表面粗糙度測(cè)量方法

Testmethodformeasuringsurfaceroughnessonplanarsurfacesofsiliconwafer

2013-05-09發(fā)布2014-02-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T29505—2013

目次

前言…………………………

Ⅲ

范圍………………………

11

規(guī)范性引用文件…………………………

21

術(shù)語(yǔ)和定義………………

31

方法提要…………………

42

干擾因素…………………

53

儀器設(shè)備…………………

63

粗糙度測(cè)量步驟…………………………

75

報(bào)告………………………

88

附錄規(guī)范性附錄粗糙度測(cè)量規(guī)范和有關(guān)輸出的例子……………

A()9

附錄資料性附錄有關(guān)硅片粗糙度分布的試驗(yàn)和模型源于附錄…

B()(SEMIM40)11

參考文獻(xiàn)……………………

25

Ⅰ

GB/T29505—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研半導(dǎo)體材料股份有限公司中國(guó)有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孫燕李莉盧立延翟富義向磊

:、、、、。

Ⅲ

GB/T29505—2013

硅片平坦表面的表面粗糙度測(cè)量方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)提供了硅片表面粗糙度測(cè)量常用的輪廓儀干涉儀散射儀三類方法的測(cè)量原理測(cè)量設(shè)備

、、、

和程序并規(guī)定了硅片表面局部或整個(gè)區(qū)域的標(biāo)準(zhǔn)掃描位置圖形及粗糙度縮寫定義

,。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于平坦硅片表面的粗糙度測(cè)量也可用于其他類型的平坦晶片材料但不適用于晶片邊

;,

緣區(qū)域的粗糙度測(cè)量

。

本標(biāo)準(zhǔn)不適用于帶寬空間波長(zhǎng)的測(cè)量?jī)x器

≤10nm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

自相關(guān)函數(shù)autocorrelationfunction

強(qiáng)譜線密度函數(shù)的傅立葉轉(zhuǎn)換它表示一個(gè)表面輪廓和經(jīng)滑移或橫向移動(dòng)的同樣輪廓之間關(guān)于其

。

自身的相似性

。

32

.

自相關(guān)長(zhǎng)度autocorrelationlength

要求橫向滑動(dòng)以把自相關(guān)函數(shù)簡(jiǎn)化為一個(gè)等于乘以它的滑動(dòng)值的值有時(shí)使用或者

e-10。10%

值定義替代

0e-1。

33

.

雙向反射分布函數(shù)bi-directionalreflectancedistributionfunctionBRDF

;

由一個(gè)表面來(lái)描述光散射的分布以不同的發(fā)光度輻照度歸一化不同的發(fā)光輻射率并且近似

,()(),

于每單位投射的立體角散射功率除以入射功率

。

34

.

尼奎斯特準(zhǔn)則Nyquiscriterion

檢測(cè)到的最短空間波長(zhǎng)它是兩倍于取樣間隔