GB/T 30860-2014太陽能電池用硅片表面粗糙度及切割線痕測試方法

ICS77040

H21.

中華人民共和國國家標準

GB/T30860—2014

太陽能電池用硅片表面粗糙度及

切割線痕測試方法

Testmethodsforsurfaceroughnessandsawmarkofsiliconwafersforsolarcells

2014-07-24發(fā)布2015-04-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T30860—2014

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會及材料分技術(shù)委員會

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并歸口

203/SC2)。

本標準起草單位中國有色金屬工業(yè)標準計量質(zhì)量研究所瑟米萊伯貿(mào)易上海有限公司江蘇協(xié)

:、()、

鑫硅材料科技發(fā)展有限公司有研半導體材料股份有限公司特變電工新疆新能源股份有限公司洛陽

、、、

鴻泰半導體有限公司連云港國家硅材料深加工產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心

、。

本標準主要起草人徐自亮任皓陳佳洵李銳孫燕熊金杰楊素心蔣建國王麗華薛抗美

:、、、、、、、、、、

黃黎

。

Ⅰ

GB/T30860—2014

太陽能電池用硅片表面粗糙度及

切割線痕測試方法

1范圍

本標準規(guī)定了太陽能電池用硅片以下簡稱硅片的表面粗糙度及切割線痕的接觸式或非接觸式輪

()

廓測試方法

。

本標準適用于通過線切工藝加工生產(chǎn)的單晶和多晶硅片如果需要適用于其他產(chǎn)品則需相關(guān)各

。,

方協(xié)商同意

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法表面粗糙度參數(shù)及其數(shù)值

GB/T1031(GPS)

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法術(shù)語定義及表面結(jié)構(gòu)參數(shù)

GB/T3505(GPS)、

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法評定表面結(jié)構(gòu)的規(guī)則和方法

GB/T10610(GPS)

半導體材料術(shù)語

GB/T14264

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法相位修正濾波器的計量特性

GB/T18777(GPS)

太陽能電池用硅單晶切割片

GB/T26071

所有部分產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范濾波

GB/Z26958()(GPS)

太陽電池用多晶硅片

GB/T29055

硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法

GB/T29505

太陽能電池用硅片翹曲度和波紋度測試方法

GB/T30859

3術(shù)語和定義

和

GB/T1031、GB/T3505、GB/T10610、GB/T14264、GB/T18777、GB/T26071、GB/T29055

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/Z26958。

4方法原理

41表面粗糙度

.

411一般認為硅片表面粗糙度是硅片表面空域波長小于的硅片表面變化測量采用各種接

..0.5mm,

觸式或非接觸式技術(shù)的探頭在硅片表面最粗糙的單個或多個區(qū)域或者某些規(guī)定的區(qū)域沿一定的掃

,,,

描路徑進行掃描得到硅片表面輪廓進一步提取出粗糙度輪廓最后計算出硅片表面粗糙度值

,,,。

412表征硅片表面粗糙度的參數(shù)推薦使用粗糙度輪廓算術(shù)平均偏差Ra粗糙度輪廓最大高度Rz

..、、

粗糙度輪廓均方根R粗糙度輪廓單元平均寬度Rsm如有必要也可采用其他參數(shù)更詳細的信息

q、。。

可參見