GB/T 32279-2015硅片訂貨單格式輸入規(guī)范

ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32279—2015

硅片訂貨單格式輸入規(guī)范

Specificationfororderentryformatofsiliconwafers

2015-12-10發(fā)布2017-01-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T32279—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)和全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位萬向硅峰電子股份有限公司浙江省硅材料質(zhì)量檢驗(yàn)中心杭州海納半導(dǎo)體有限

:、、

公司南京國盛電子有限公司有研新材料股份有限公司浙江金瑞泓科技股份有限公司江蘇協(xié)鑫硅材

、、、、

料科技發(fā)展有限公司中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人朱興萍樓春蘭戴文仙毛衛(wèi)中趙紀(jì)平王飛堯馬林寶孫燕李慎重

:、、、、、、、、、

林清香楊素心鄒劍秋

、、。

Ⅰ

GB/T32279—2015

硅片訂貨單格式輸入規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片訂貨單的格式要求和使用

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅單晶研磨片硅單晶拋光片硅單晶外延片太陽能電池用硅單晶切割片太陽能電

、、、、

池用多晶硅片的訂貨單格式其他半導(dǎo)體材料的訂貨單可參照本標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行

,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測(cè)定方法

GB/T1551

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法

GB/T1553

硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

GB/T1554

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1558

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法

GB/T4058

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T6618

硅片彎曲度測(cè)試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

GB/T6620

硅片表面平整度測(cè)試方法

GB/T6621

硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

GB/T6624

硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法

GB/T11073

硅單晶切割片和研磨片

GB/T12965

硅及其他電子材料晶片參考面長度測(cè)量方法

GB/T13387

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向射線測(cè)試方法

GB/T13388X

硅外延片

GB/T14139

硅片直徑測(cè)量方法

GB/T14140

硅外延層晶體完整性檢驗(yàn)方法腐蝕法

GB/T14142

硅晶體中間隙氧含量徑向變化測(cè)量方法

GB/T14144

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法

GB/T14847

硅拋光片表面顆粒測(cè)試方法

GB/T19921

硅片表面金屬沾污的全反射光熒光光譜測(cè)試方法

GB/T24578X

硅片載流子復(fù)合壽命的無接觸微波反射光