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文檔簡介

電力MOSFET驅(qū)動電路報(bào)告人：吳國瑞導(dǎo)師：康龍?jiān)芃OS高頻開關(guān)工作狀態(tài)等效模型CGD=CRSSCGS=CISS-CRSSCDS=COSS-CRSSMOSFET開關(guān)特性MOSFET驅(qū)動要求一個(gè)好的MOSFET驅(qū)動電路的要求是：（1）開關(guān)管開通瞬時(shí),驅(qū)動電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值,保證開關(guān)管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩;（2）開關(guān)管導(dǎo)通期間驅(qū)動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定使可靠導(dǎo)通;（3）關(guān)斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放,保證開關(guān)管能快速關(guān)斷;（4）關(guān)斷期間驅(qū)動電路最好能提供一定的負(fù)電壓避免受到干擾產(chǎn)生誤導(dǎo)通;（5）另外要求驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)簡單可靠,損耗小,根據(jù)情況施加隔離。

不隔離的驅(qū)動電路應(yīng)用：單個(gè)開關(guān)管或多個(gè)開關(guān)管源極共地的場合最簡單的情況：PWM信號直接驅(qū)動有時(shí)候，PWM信號的輸出信號功率比較大，或MOS管結(jié)電容較小，需要驅(qū)動功率小，工作頻率比較低，性能要求不高的場合，可以直接由控制電路產(chǎn)生的PWM信號驅(qū)動，或僅加拉電阻驅(qū)動。如右圖：增大驅(qū)動電壓的簡單方法控制信號電壓不夠，輸出功率較低的情況下，需要增大門極驅(qū)動電壓。可以用三極管或場效應(yīng)管加一個(gè)高電平來拉高。不隔離的驅(qū)動電路1、圖騰柱結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)：功耗低，速度快缺點(diǎn)：輸出電壓受控制信號影響圖騰柱結(jié)構(gòu)改進(jìn)進(jìn)一步改進(jìn)產(chǎn)生負(fù)壓的方法二、隔離驅(qū)動電路技術(shù)方法：1、光隔離：光耦元件2、電磁隔離：脈沖變壓器光耦隔離驅(qū)動電路脈沖變壓器隔離的驅(qū)動電路脈沖變壓器正激驅(qū)動方法推挽式隔離驅(qū)動另外，利用MOS集成驅(qū)動IC，可以構(gòu)建隔離或不隔離的驅(qū)動電路，如IR2110，UC3724/ 37

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