GB/T 4023-1997半導體器件分立器件和集成電路第2部分：整流二極管

TCS31.080.10L41中華人民共和國國家標準GB/T.4023-1997eavIEC747-2.1983半導體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管SemiconductordevicesDiscretedevicesandintegratedcircuitsPart2：Rectifierdiodes1997-10-07發(fā)布1998-09-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T4023-1997次前言IEC序言/IEC前言第I篇1引言2范圍3整流二極管的標志第I篇術(shù)語和文字符號通用術(shù)語2關(guān)于額定值和特性的術(shù)語2.1電壓2.2電流2.3耗散功率2.44其他特性3文字符號3.1、概述·…3.2補充的通用下標3.3文字符號一覽表·····第工第基本額定值和特性溉述1.1、適用范圍1.2顏定方式1.3推薦溫度2額定條件2.1環(huán)境額定的整流二極管2.2管殼額定的整流二極管3電壓和電流的額定值(極限值)3.1電壓額定值3.2電流額定值4頻率額定值(極限值)…耗散功率額定值(極限值)S5.1反向(不重復)浪涌耗散功率(雪崩整流二極管和可控雪崩整流二極管的）5.2反向重復峰值耗散功率（可控雪崩整流二極管的》……5.3反向平均耗散功率(可控雪崩整流二極管的)

GB/T4023-19976溫度額定值(極限值）……6.1冷卻流體溫度或基準點溫度(環(huán)境額定或管殼額定的整流二極管)6.2財存溫度(T·）6.3等效結(jié)溫(T）……………電特性……………….7.1正向特性…·7.2正向電壓（在熱平衡條件下）……………7.3擊穿電壓(V.r,）不重復使用時雪崩整流二極管的)7.4反向重復峰值電流?！ぁぁぁぁぁぁぁ?.5總耗散功率…單個正弦半波正向電流脈沖的最大總能量(特別適用于快開關(guān)二極管)7.67.7恢復電荷(Q,）…7.8反向恢復峰值電流·………………·7.9反向恢復時間(z。）…·7.10正向恢復時間(ta）8熱特性?……………·138.1腰態(tài)熱阻抗（Zm,）…….···機械特性和其他資料·13910應用資料10.1穩(wěn)態(tài)工作10.2瞬態(tài)條件14第N篇測試方法1電特性…………i.1一般注意事項……11.2正向電壓…151.3雪崩整流二極管和可控雪崩整流二極管的擊穿電壓(V.er,）反向電流…·1.4181.5恢復電荷Q,和反向恢復時間211.6正向恢復時間"和正向恢復峰值電壓Vrrm22.11基準點溫度…2.2熱阻和態(tài)熱阻抗…263額定值(極限值)驗證…正向(不重復)浪涌電流（/rsu）……………3.1283.2反向不重復峰值電壓(Vrsm）…·33.3雪崩和可控雪崩整流二極管的反向峰值功率(重復或不重復的)PrmM.Pew）3.4管亮非破壞峰值電流………….334熱循環(huán)負載試驗………………····…······335

GB/r4023-1997第V篇接收和可靠性第1節(jié)定型試驗和例行試驗定型試驗352例行試驗·側(cè)量和試驗方法·36第2節(jié)電耐久性試驗一般要求.362特殊要求……………36附錄A(提示的附錄)隨時間變化的負載能力計算方法附錄B(提示的附錄)瞬態(tài)熱阻抗測試方法（快速測試法）44

GB/T4023-1997前國家標準GB4023—86《半導體分立器件第2部分：整流二極管》是80年代中期，根據(jù)當時的工業(yè)科技水平及使用的實際需要而制訂的，等效采用了IEC747-2(1983)《半導體器件分立器件和集成電路第2部份:整流二極管》的全部內(nèi)容及其所引用的IEC747-1(1983）《半導體器件總則》的有關(guān)部分。此外,又根據(jù)我國國情,補充了“瞬態(tài)熱阻抗”的(快速)測試方法等。隨著科學技術(shù)的發(fā)展和生產(chǎn)技術(shù)的進步，十年來國內(nèi)情況發(fā)生了不同程度的變化。國際電工委員會也對IEC747-2作過兩次修訂,為此本標準等效采用IEC747-2：1983《半導體器件分立器件和集成電路第2部分：整流二極管》和1992、1993年兩次修訂的全部技術(shù)內(nèi)容，這樣,通過使我國標準盡可能與國際一致或等同，以盡快適應國際貿(mào)易、技術(shù)和經(jīng)濟交流以及采用國際標準飛躍發(fā)展的需要。本標準適用于整流二極管的一般要求、參數(shù)測試以及接收和可靠性的要求。在引用本標準時，有關(guān)的具體要求應在相應的詳細規(guī)范中加以規(guī)定。本標準的附錄A、附錄B是提示的附錄。本標準由中華人民共和國電子工業(yè)部提出本標準由全國半導體器件標準化技術(shù)委員會歸口.本標準由中國振華集團永光電工廠和西安電力電子技術(shù)研究所負責起草。本標準主要起草人：王繼紅、楊子江、秦賢滿、鄒盛琳。

GB/T4023-1997IEC本標準由國際電工委員會第47技術(shù)委員會（半導體分立器件和集成電路)制定IEC747-2號標準構(gòu)成IEC747半導體器件通用標準的第2部分。除IEC747-1通用標準之外，本標準中所給出的各項標準使整流二極管的標準超于完善。1982年9月在倫敦舉行的第47技術(shù)委員會會議上，批準了將IEC147和IEC148號標準改編成現(xiàn)在按器件編排的形式的建議。由于所有組成部分都已預先按·六個月法'或·二個月程序"表決批準,所以不需要重新表決。以前出現(xiàn)在IEC147和IEC148中有關(guān)集成電路的內(nèi)容，現(xiàn)在將包括在IEC748中。以前出現(xiàn)在IEC147-5和IEC147-5A中有關(guān)機械和氣候試驗方法，現(xiàn)在將包括在IEC749中。由于第47技術(shù)委員會不斷的進行工作，并注意到各種半導體器件領(lǐng)域中的進步，所以通過對本標淮的修訂和擴充將使本標準跟上時代的發(fā)展。IEC前言1）IFC（國際電工委員會)在技術(shù)問題上的正式?jīng)Q議或協(xié)議，是由對這些問題特別關(guān)切的國家委員會參加的技術(shù)委員會制定的,對所涉及的問題盡可能地代表了國際上的一致意見。2）這些決議或協(xié)議,以推薦標準的形式供國際上使用，并在此意義上為各國家委員會所認可3）為了促進國際上的統(tǒng)一,IEC希型各國家委員會在本國條件許可的情況下,采用IEC標準的文本作為其國家標準。IEC標準與相應國家標準之間的差異，應盡可能在國家標準中指明。

中華人民共和國國家標準半導體器件分立器件和集成電路CB/T4023-1997第2部分：整流二極管cqvIEC747-2.1983代特GB4023-86SemiconductordevicesDiscretedeyicesandintegratedcircujtsPart2：Rectifierdiodes第！篇總1引通常，本標準要與IEC747-1一起使用，本標準涉及以下全部基礎(chǔ)資料：·術(shù)語：文字符號：基本額定值和特性;-測試方法；-接收和可靠性。2范圍本標準給出了下列種類或分類器件的標準：整流二極管，包括雪崩整流二極管;可控雪崩整流二極管：-快開關(guān)整流二極管。3整流二極管的標志每只整流二極管必須清晰、年固地打印上下列標志：-制造廠名稱或商標；制造廠或供應商的標