標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 4058-2009 硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法》相較于1995年的版本,在內(nèi)容上進(jìn)行了多方面的更新和改進(jìn)。首先,新版標(biāo)準(zhǔn)對(duì)術(shù)語(yǔ)和定義部分進(jìn)行了更加明確的規(guī)定,增加了對(duì)于“硅拋光片”、“氧化誘生缺陷”等關(guān)鍵概念的具體描述,使得標(biāo)準(zhǔn)使用者能夠更準(zhǔn)確地理解和應(yīng)用。
在檢驗(yàn)方法方面,《GB/T 4058-2009》細(xì)化了檢測(cè)流程,明確了樣品準(zhǔn)備、實(shí)驗(yàn)條件設(shè)置以及數(shù)據(jù)記錄的具體要求。比如,對(duì)于樣品的選擇與處理有了更為嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn);同時(shí),針對(duì)不同類型的氧化誘生缺陷(如堆垛層錯(cuò)、位錯(cuò)環(huán)等),給出了具體的識(shí)別指導(dǎo)原則及判斷依據(jù)。此外,還增加了使用光學(xué)顯微鏡、掃描電子顯微鏡等多種先進(jìn)儀器進(jìn)行觀察分析的方法說(shuō)明,提高了檢驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性與可靠性。
另外,《GB/T 4058-2009》中加入了關(guān)于質(zhì)量控制的要求,強(qiáng)調(diào)了實(shí)驗(yàn)室環(huán)境條件對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響,并提出了相應(yīng)的管理措施建議。這部分新增內(nèi)容有助于提高整個(gè)檢測(cè)過(guò)程的一致性和重復(fù)性,確保不同批次或不同實(shí)驗(yàn)室之間獲得的數(shù)據(jù)具有可比性。
最后,新版標(biāo)準(zhǔn)還特別注意到了環(huán)境保護(hù)與安全防護(hù)的重要性,在相關(guān)章節(jié)中加入了廢棄物處理指南和個(gè)人防護(hù)裝備使用規(guī)范等內(nèi)容,體現(xiàn)了對(duì)從業(yè)人員健康及自然環(huán)境負(fù)責(zé)的態(tài)度。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2009-10-30 頒布
- 2010-06-01 實(shí)施
文檔簡(jiǎn)介
犐犆犛29.045
犎80
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
犌犅/犜4058—2009
代替GB/T4058—1995
硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法
犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉犱犲狋犲犮狋犻狅狀狅犳狅狓犻犱犪狋犻狅狀犻狀犱狌犮犲犱犱犲犳犲犮狋狊犻狀
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20091030發(fā)布20100601實(shí)施
中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局
發(fā)布
中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
書
中華人民共和國(guó)
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法
GB/T4058—2009
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行
北京復(fù)興門外三里河北街16號(hào)
郵政編碼:100045
網(wǎng)址www.spc.net.cn
電話:6852394668517548
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各地新華書店經(jīng)銷
開本880×12301/16印張1.25字?jǐn)?shù)33千字
2010年1月第一版2010年1月第一次印刷
書號(hào):155066·139567
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舉報(bào)電話:(010)68533533
書
犌犅/犜4058—2009
前言
本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T4058—1995《硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法》。
本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T4058—1995相比,主要有如下變化:
———范圍中增加了硅單晶氧化誘生缺陷的檢驗(yàn);
———增加了引用標(biāo)準(zhǔn);
———增加了“術(shù)語(yǔ)和定義”章;
———將原標(biāo)準(zhǔn)中“表1四種常用化學(xué)拋光液配方”刪除,在第5章中對(duì)化學(xué)拋光液配比進(jìn)行了修
改,刪除了乙酸配方;增加了鉻酸溶液A的配制、Sirtl腐蝕液及Wright腐蝕液的配制;增加了
幾種國(guó)際上常用的無(wú)鉻、含鉻腐蝕溶液的配方、應(yīng)用及適用性的分類對(duì)比表;
———采用氧化程序替代原標(biāo)準(zhǔn)中的氧化的操作步驟;增加了(111)面缺陷的顯示方法及Wright腐
蝕液的腐蝕時(shí)間,將(111)面和(100)面缺陷顯示方法區(qū)分開了;(100)面缺陷的顯示增加了
Wright腐蝕液腐蝕方法;
———在缺陷觀測(cè)的測(cè)點(diǎn)選取中增加了“米”字型測(cè)量方法。
本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A為資料性附錄。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:峨嵋半導(dǎo)體材料廠。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:何蘭英、王炎、張輝堅(jiān)、劉陽(yáng)。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:
———GB4058—1983、GB/T4058—1995;
———GB6622—1986、GB6623—1986。
Ⅰ
書
犌犅/犜4058—2009
硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅拋光片表面區(qū)在模擬器件氧化工藝中誘生或增強(qiáng)的晶體缺陷的檢測(cè)。
硅單晶氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)也可參照此方法。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有
的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究
是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
GB/T1554硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法
GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)
YS/T209硅材料原生缺陷圖譜
3術(shù)語(yǔ)和定義
GB/T14264中規(guī)定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
4方法原理
模擬器件工藝的氧化條件,利用氧化來(lái)綴飾或擴(kuò)大硅片中的缺陷,
溫馨提示
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