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  • 1995-04-18 頒布
  • 1995-12-01 實(shí)施
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GB/T 4058-1995硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法_第1頁
GB/T 4058-1995硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法_第2頁
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UDC669.782-415.056.9620.19H26中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T4058-一1995硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法Testmethodfordetectionofoxidationinduceddefectsinpolishedsiliconwafers1995-04-18發(fā)布1995-12-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T4058-1995硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法代替GB4058-83GB6622-一86TestmethodfordetectionofoxidationGB6623-86induceddefectsinpolishedsiliconwarers主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅拋光片表面區(qū)在模擬器件氧化工藝中誘生或增強(qiáng)的品體缺陷的檢測(cè)。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB/T15544硅品體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法YS/T209硅材料原生缺陷圖譜3方法提要模擬器件工藝的氧化條件,利用氧化來級(jí)飾或擴(kuò)大硅片中的缺陷，或兩者兼有，然后用擇優(yōu)腐蝕液顯示缺陷，并用顯微技術(shù)觀測(cè)。4試劑和材料4.11三氧化鉻4.22氫氟酸(42%）優(yōu)級(jí)純。4.3硝硝酸(p1.4g/mL）,優(yōu)級(jí)純4.4氨水（o0.90g/mL）,優(yōu)級(jí)純4.5鹽酸(p1.18g/mL）,優(yōu)級(jí)純.4.6乙酸(p1.05g/mL)，優(yōu)級(jí)純。4.7過過氧化氫(30%),優(yōu)級(jí)純。4.8高純水,25℃時(shí)的電阻率大于10MQ·cm。4.9清洗液1“：水·氮水(4.4）·過氧化氫(4.7)=4：1：1（V/V)。4.10清洗液2：水·鹽酸(4.5）；過氧化氫(4.7)－4：1：1（V/V)。4.11化學(xué)拋光液采用表

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