GB/T 4937-1995半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法

ICS31.080L40中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T4937-1995idtIEc749:1995半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法Mechanicalandclimatictestmethodsforsemiconductordevices1995-12-22發(fā)布1996-08-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T4937-1995前言IEC前言第I篇總則……·范圍和用途1目的oooooooo3術(shù)語、定義和文字符號4標(biāo)準(zhǔn)大氣條件……外觀檢查和尺寸檢驗6電測量···················第I篇機(jī)械試驗方法·1引出端強(qiáng)度2錫焊3正弦振動………4恒定加速度…鍵合強(qiáng)度試驗…7芯片剪切強(qiáng)度試驗……第亞篇?dú)夂蛟囼灧椒囟茸兓ぁぁぁ?·····.·.·….··財存(在高溫下）34循環(huán)濕熱………5穩(wěn)態(tài)濕熱…………6溫度/濕度組合循環(huán)試驗789熱間斷試驗·10質(zhì)譜法測量內(nèi)部水汽含量第W篇其他試驗方法1塑料封裝器件的易燃性試驗29標(biāo)志的耐久性………

CB/T4937-1995本標(biāo)準(zhǔn)是根據(jù)電工委員會IC749:1984《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法》IEC749:1991-11和IEC749:1993-09修改單對GB4937一85進(jìn)行修訂。修訂的標(biāo)準(zhǔn)與IC749標(biāo)準(zhǔn)等同。該標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容較多，因此在標(biāo)準(zhǔn)文本前面增加了目次，便于查閱。本標(biāo)準(zhǔn)中章、條、圖號和表格與IC標(biāo)準(zhǔn)等同，便于和國際標(biāo)準(zhǔn)接軌。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國電子工業(yè)部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：上海市電子儀表標(biāo)準(zhǔn)計量測試所、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所.本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：倪月琴、王長福。

CB/T4937-1995IC前IEC749:1991修改單由IECTC47半導(dǎo)體器件技術(shù)委員會和TC47A集成電路分會制定本修改單的文本以下列文件為依據(jù)：二月法表決報告六月法表決報省47（C0)105447（C0)118247（C0113547（C0)121847/47A（CO）47/47A（CO）1169/2241289/20147（C0)117047（C0)128347（C0）118647（C0)1272本修改單認(rèn)可的所有表決資料可在上裘所列的表決報告中找到。IEC749：1993修改單由IEC中TC47：半導(dǎo)體器件技術(shù)委員會制定刪除表決報告47（C0)125247（C0）133347（C0)131447（C0)134347（C0)131647（C01348本修改單認(rèn)可的所有表決資料可在上表所列的表決報告中找到

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T4937-1995半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法idtIEC749:1984代替GB4937-86Mechanicalandclimatictestmethodsforsemiconductordevices第1篇總范圍和用途本標(biāo)準(zhǔn)列出了適用于半導(dǎo)體器件(分立器件和集成電路)的試驗方法。使用時可從中進(jìn)行選擇。對于非空腔器件，可以要求補(bǔ)充的試驗方法。?。悍强涨黄骷侵钙骷Y(jié)構(gòu)中封裝材料與管芯的所有暴露表面緊密接觸且沒有任何空間的器件。本標(biāo)準(zhǔn)已盡可能考慮了IEC68《基本環(huán)境試驗規(guī)程》。2日的確定統(tǒng)一的優(yōu)選試驗方法及應(yīng)力等級的優(yōu)選值，以便評價半導(dǎo)體器件的環(huán)境性能。如本標(biāo)準(zhǔn)與有關(guān)規(guī)范相抵觸時，應(yīng)以有關(guān)規(guī)范為準(zhǔn)。3術(shù)語、定義和文字符號引用下列標(biāo)準(zhǔn)GB2421一89電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程美總則GB2423電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程！試驗方法GB2424電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程導(dǎo)則GB5169.5—82電工電子產(chǎn)品著火危險試驗針焰試驗方法IEC747半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路IEC748半導(dǎo)體器件：集成電路標(biāo)準(zhǔn)大氣條件引用：GB2421電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程總則：除非另有規(guī)定，所有試驗和恢復(fù)應(yīng)在GB2421一89中5.3和5.4規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下進(jìn)行。其條件是：溫度：15℃～35℃相對濕度：45%～75%(適用時)；氣壓：86kPa～106kP