標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 5252-2020 鍺單晶位錯密度的測試方法》相較于《GB/T 5252-2006 鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法》進(jìn)行了多方面的更新與調(diào)整。在新版本中,標(biāo)準(zhǔn)名稱由“鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法”變更為“鍺單晶位錯密度的測試方法”,反映了測試技術(shù)的進(jìn)步以及對位錯密度測量理解的深化。此外,新標(biāo)準(zhǔn)在術(shù)語定義、樣品制備、實(shí)驗(yàn)步驟、結(jié)果分析等方面都做了不同程度的修改和完善。

具體來說,在術(shù)語和定義部分,《GB/T 5252-2020》增加了更多關(guān)于位錯及其相關(guān)概念的詳細(xì)說明,有助于使用者更準(zhǔn)確地理解和應(yīng)用該標(biāo)準(zhǔn)。對于樣品制備,《GB/T 5252-2020》提出了更加嚴(yán)格的要求,包括但不限于樣品表面平整度、清潔度等方面的規(guī)定,以確保測試結(jié)果的一致性和可靠性。

在實(shí)驗(yàn)操作流程上,《GB/T 5252-2020》不僅優(yōu)化了原有的腐蝕工藝參數(shù)設(shè)置,還引入了新的檢測手段和技術(shù),比如利用電子顯微鏡等先進(jìn)設(shè)備來輔助觀察和計(jì)數(shù)位錯,提高了數(shù)據(jù)獲取的精確度。同時,新版標(biāo)準(zhǔn)還加強(qiáng)了對實(shí)驗(yàn)環(huán)境條件(如溫度、濕度)控制的要求,并明確了不同條件下可能對測試結(jié)果產(chǎn)生的影響及相應(yīng)的修正措施。


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....

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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2020-06-02 頒布
  • 2021-04-01 實(shí)施
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文檔簡介

ICS77040

H21.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T5252—2020

代替

GB/T5252—2006

鍺單晶位錯密度的測試方法

Testmethodfordislocationdensityofmonocrystalgermanium

2020-06-02發(fā)布2021-04-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T5252—2020

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法本標(biāo)準(zhǔn)與

GB/T5252—2006《》。GB/T5252—2006

相比除編輯性修改外主要技術(shù)變化如下

,:

修改了標(biāo)準(zhǔn)適用范圍見第章年版的第章

———(1,20061);

增加了規(guī)范性引用文件見第章

———(2);

修改了術(shù)語和定義見第章年版的第章

———(3,20062);

修改了方法原理的內(nèi)容見第章年版的第章

———(4,20063);

將年版標(biāo)準(zhǔn)試樣制備中的試劑材料修改為單獨(dú)章節(jié)見第章年版的第章

———2006“”(5,20064);

修改了試樣制備的要求見第章年版的第章

———(7,20064);

增加了直徑鍺單晶的測試點(diǎn)位置見

———110mm、130mm、150mm(8.3);

增加了位錯腐蝕坑計(jì)數(shù)的注意事項(xiàng)見

———(8.5);

修改了試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理的內(nèi)容見第章年版的第章

———(9,20067);

以位錯密度-2為分界值修改了精密度見第章年版的第章

———1000cm,(10,20069);

修改了試驗(yàn)報(bào)告包含的內(nèi)容見第章年版的第章

———(11,20068)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研光電新材料有限責(zé)任公司北京國晶輝紅外光學(xué)科技有限公司國合通用測

:、、

試評價(jià)認(rèn)證股份公司云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所廣東

、、、

先導(dǎo)稀材股份有限公司中鍺科技有限公司義烏力邁新材料有限公司

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張路馮德伸馬會超普世坤姚康劉新軍郭榮貴向清華韋圣林

:、、、、、、、、、

黃洪偉文

。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T5252—1985、GB/T5252—2006。

GB/T5252—2020

鍺單晶位錯密度的測試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了鍺單晶位錯密度的測試方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于和面鍺單晶位錯密度的測試測試范圍為-2-2

{111}、{100}{113},0cm~100000cm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

鍺晶體缺陷圖譜

GB/T8756

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

3術(shù)語和定義

和界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T8756GB/T14264。

4方法原理

鍺單晶中位錯周圍的晶格會發(fā)生畸變當(dāng)用某些化學(xué)腐蝕劑腐蝕晶體表面時在晶體表面上的位錯

,,

露頭處腐蝕速度較快進(jìn)而形成具有特定形狀的腐蝕坑在顯微鏡下觀察并按一定規(guī)則統(tǒng)計(jì)這些具有

,。

特定形狀的腐蝕坑單位視場面積內(nèi)的腐蝕坑個數(shù)即為位錯密度

,。

5試劑和材料

除非另有說明測試分析中僅使用確認(rèn)為分析純及以上的試劑所用水的電阻率不小于

,,12MΩ·cm。

51鐵氰化鉀質(zhì)量分?jǐn)?shù)不小于

.[K3Fe(CN)6],99%。

52氫氧化鉀質(zhì)量分?jǐn)?shù)不小于

.(KOH),85%。

53氫氟酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)不小于

.(HF),40%。

54硝酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)為

.(HNO3),65%~68%。

55過氧化氫質(zhì)量分?jǐn)?shù)不小于

.(H2O2),30%。

56硝酸銅溶液質(zhì)量分?jǐn)?shù)為用質(zhì)量分?jǐn)?shù)不小于的配制

.:10%,99%Cu(NO3)2。

57拋光液的混合液體積比為

.:HF、HNO3,1∶(1~3)。

58腐蝕液稱取鐵氰化鉀氫氧化鉀置于燒杯中用水溶解混

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