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5場(chǎng)效應(yīng)管放大電路5.1金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOSFET)5.3結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)*5.4砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管☆5.5各種放大器件電路性能比較☆5.2MOSFET放大電路5.1.1N溝道增強(qiáng)型MOSFET5.1.5MOSFET的主要參數(shù)5.1.2N溝道耗盡型MOSFET5.1.3P溝道MOSFET5.1.4溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)(不講)5.1金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)P溝道耗盡型P溝道P溝道N溝道增強(qiáng)型N溝道N溝道(耗盡型)FET場(chǎng)效應(yīng)管JFETMOSFET耗盡型:場(chǎng)效應(yīng)管沒(méi)有加偏置電壓時(shí),就有導(dǎo)電溝道增強(qiáng)型:場(chǎng)效應(yīng)管沒(méi)有加偏置電壓時(shí),沒(méi)有導(dǎo)電溝道場(chǎng)效應(yīng)管的分類:L:溝道長(zhǎng)度W:溝道寬度tox
:絕緣層厚度通常W>L1.結(jié)構(gòu)5.1.1N溝道增強(qiáng)型MOSFET剖面圖1.結(jié)構(gòu)(N溝道)vGS越大,導(dǎo)電溝道越厚,溝道電阻越小。(1)vGS對(duì)溝道的控制作用①當(dāng)vGS≤0時(shí)無(wú)導(dǎo)電溝道,d、s間加電壓時(shí),無(wú)電流產(chǎn)生。②當(dāng)0<vGS
<VT
時(shí)
VT
稱為開(kāi)啟電壓產(chǎn)生電場(chǎng),但未形成導(dǎo)電溝道,d、s間加電壓后,沒(méi)有電流產(chǎn)生。③當(dāng)vGS≥VT時(shí)在電場(chǎng)作用下產(chǎn)生導(dǎo)電溝道,d、s間加電壓后,有電流產(chǎn)生。2.工作原理當(dāng)vGS一定(vGS>VT)時(shí),vDSiD溝道電位梯度
當(dāng)vDS增加到使vGD=VT
時(shí),在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。(2)vDS對(duì)溝道的控制作用在預(yù)夾斷處:vGD=vGS-vDS=VT預(yù)夾斷后,vDS夾斷區(qū)延長(zhǎng)溝道電阻iD基本不變(2)vDS對(duì)溝道的控制作用(3)vDS和vGS同時(shí)作用時(shí)
vDS一定,vGS變化時(shí)給定一個(gè)vGS,就有一條不同的iD
–vDS
曲線。1.結(jié)構(gòu)和工作原理(N溝道)二氧化硅絕緣層中摻有大量的正離子可以在正或負(fù)的柵源電壓下工作,而且基本上無(wú)柵流5.1.2N溝道耗盡型MOSFET5.1.2N溝道耗盡型MOSFET
(N溝道增強(qiáng)型)耗盡型MOS管,VGS可-,可0,可+;VDS>0。2.V-I特性曲線5.1.3P溝道MOSFETVDS<0,VGSVT<0,iD流出d極-+---+iD2.低頻互導(dǎo)gm定義:
二、交流參數(shù)1.輸出電阻rds
N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管DGSP溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管DGSN溝道P溝道增強(qiáng)型MOS管N溝道P溝道耗盡型MOS管增強(qiáng)型MOS管特性小結(jié)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管N溝道增強(qiáng)型P溝道增強(qiáng)型VGSVT>0,VDS>0,id流向d端。VGSVT<0,VDS<0,id流出d端。場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較
電流控制電壓控制
控制方式電子和空穴兩種載流子同時(shí)參與導(dǎo)電載流子電子或空穴中一種載流子參與導(dǎo)電類型
NPN和PNPN溝道和P溝道放大參數(shù)
rce很高
rds很高
輸出電阻輸入電阻較低較高
雙極型三極管單極型場(chǎng)效應(yīng)管熱穩(wěn)定性
差
好制造工藝
較復(fù)雜
簡(jiǎn)單,成本低對(duì)應(yīng)電極
b—e—c
g—s—d5.2.1MOSFET放大電路1.直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算2.圖解分析☆
3.小信號(hào)模型分析*5.2.2帶PMOS負(fù)載的NMOS放大電路5.2MOSFET放大電路1.直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算(1)簡(jiǎn)單的共源極放大電路(N溝道)共源極放大電路直流通路驗(yàn)證是否滿足如果不滿足,應(yīng)調(diào)整放大電路參數(shù)MOS管工作在恒流區(qū),須滿足VGS>VT,且VDS>(VGS-VT)由Kn叫做電導(dǎo)常數(shù),單位是mA/V2,是與管子結(jié)構(gòu)有關(guān)的參數(shù)。1.直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算(1)簡(jiǎn)單的共源極放大電路假設(shè)工作在飽和區(qū)滿足假設(shè)成立。解:例:設(shè)Rg1=60k,Rg2=40k,Rd=15k,試計(jì)算電路的靜態(tài)漏極電流IDQ和漏源電壓VDSQ。VDD=5V,VT=1V,在飽和區(qū),有(2)帶源極電阻的共源極放大電路需驗(yàn)證是否滿足解:直流分析如例5.2.2,不在重復(fù)。例5.2.5共源放大電路
題目中常給出gm,不用求。(2)放大電路分析小信號(hào)模型電路s共漏例5.2.6共漏放大電路(1)電壓增益3.小信號(hào)模型分析(2)輸入輸出電阻Ro本章作業(yè)5.1.1;5.1.2;5.2.4;5.2.5;5.3.5;5.3.8;5.5.1。5.3.1JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理5.3.2JFET的特性曲線及參數(shù)5.3.3JFET放大電路的小信號(hào)模型分析法5.3結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管1.N溝道結(jié)構(gòu)5.3.1JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理2.工作原理①vGS對(duì)溝道的控制作用當(dāng)vGS<0時(shí)當(dāng)溝道夾斷時(shí),對(duì)應(yīng)的柵源電壓vGS稱夾斷電壓VP(或VGS(off))。對(duì)于N溝道的JFET,VP<0。PN結(jié)反偏耗盡層加厚溝道變窄。vGS繼續(xù)減小,溝道繼續(xù)變窄。注意:加的是反偏電壓②vDS對(duì)溝道的控制作用當(dāng)vGS=0時(shí),vDSiDg、d間PN結(jié)的反向電壓增加,使靠近漏極處的耗盡層加寬,溝道變窄,從上至下呈楔。當(dāng)vDS增加到使vGD=VP時(shí),在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。此時(shí)vDS夾斷區(qū)延長(zhǎng)溝道電阻iD基本不變③
vGS和vDS同時(shí)作用時(shí)當(dāng)VP<vGS<0時(shí),導(dǎo)電溝道更容易夾斷,對(duì)于同樣的vDS,
iD的值比vGS=0時(shí)的值要小。在預(yù)夾斷處vGD=vGS-vDS=VP綜上可知溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,
所以場(chǎng)效應(yīng)管也稱為單極型三極管。JFET是電壓控制電流器件,iD受vGS控制。預(yù)夾斷前iD與vDS呈近似線性關(guān)系;預(yù)夾斷后,iD趨于飽和。
JFET柵極與溝道間的PN結(jié)是反向偏置的,因
此iG0,輸入電阻很高。2.轉(zhuǎn)移特性1.輸出特性(VP≤vGS≤0)5.3.2JFET的特性曲線及參數(shù)N溝道JFET工作條件:Vp<vgs0;vDS
>vGS-VP>0與MOSFET類似3.主要參數(shù)5.3.2JFET的特性曲線及參數(shù)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性小結(jié)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管N溝道耗盡型P溝道耗盡型vp<vgs0iD流入d端0vgs
<vpiD流出d端1.JFET小信號(hào)模型(1)低頻模型☆5.3.3JFET放大電路
的小信號(hào)模型分析法2.動(dòng)態(tài)指標(biāo)分析(1)小信號(hào)模型直流條件是否滿足:小信號(hào)等效電路rds可看作,可不畫出(2)電壓增益(3)輸入電阻(4)輸出電阻則:☆5.5各種放大器件電路性能比較5.5各種放大器件電路性能比較組態(tài)對(duì)應(yīng)關(guān)系:CEBJTFETCSCCCDCBCG
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