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1、半導(dǎo)體和PN結(jié)根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,來(lái)區(qū)分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體;導(dǎo)體:電阻率小于10-4次方,比如金Au、銀Ag、銅Cu、鐵Fe等絕緣體:電阻率大于10+9次方,比如玻璃、橡膠、塑料等半導(dǎo)體:介于兩者之間,比如硅Si、鍺Ge、砷化鎵GaAs等是良好的導(dǎo)體;(電阻率:是衡量物質(zhì)導(dǎo)電性能好壞的一個(gè)物理量,以字母ρR=ρ*L/S)半導(dǎo)體特性:1、熱敏性2、光敏性3、摻雜性概念:1、本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體;2、多數(shù)載流子、少數(shù)載流子;3、N型半導(dǎo)體(摻雜5價(jià)磷PP型半導(dǎo)體(摻雜3價(jià)硼B(yǎng)PN結(jié)形成原理:濃度差--》多子擴(kuò)散--》摻雜離子形成空間電荷區(qū)--》內(nèi)電場(chǎng)--》阻止多子擴(kuò)散,促使少子漂移--》動(dòng)態(tài)平衡,所以PN實(shí)際是電荷區(qū),又叫耗盡層特點(diǎn):1、單向?qū)щ娦?、光熱敏V/I曲線:導(dǎo)通、擊穿、結(jié)電容2、半導(dǎo)體二極管1、點(diǎn)接觸型PN結(jié)面積小,結(jié)電容小,適合檢波、變頻等高頻電路結(jié)構(gòu):2、面接觸型PN結(jié)面積大,適合工頻大電流整流電路;3、平面型PN結(jié)面積可大可小,用于集成電路制造工藝中,多用于開關(guān)和高頻整流電路;伏安曲線:半導(dǎo)體二極管實(shí)物圖特性參數(shù):1、最大整流電流Rf;2、反向擊穿電壓VBR和反向電流Ir/反相飽和電流Is;3、導(dǎo)通電壓Vf,或正向壓降。一般硅管0.7V,鍺管0.2V;4、極間電容或最高工作頻率;3、特殊半導(dǎo)體二極管2、變?nèi)荻O管3、光電子器件(光電二極管、發(fā)光二極管LED、激光二極管等)1、穩(wěn)壓二極管A:穩(wěn)壓原理穩(wěn)壓原理:利用二極管反向特性實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。穩(wěn)壓狀態(tài),二極管工作在反向擊穿區(qū),同時(shí)說明電擊穿是可逆的(齊納擊穿、雪崩擊穿),而熱擊穿是不可逆的。B:特性參數(shù)1、穩(wěn)定電壓Vz。2、動(dòng)態(tài)電阻Rz=?Vz/?Iz3、最大耗散功率Pzm=Vz×Iz4、最大穩(wěn)定工作電流Izmax和最小穩(wěn)定工作電流Izmin5、穩(wěn)定電壓的溫度系數(shù)C:典型應(yīng)用電路和參數(shù)設(shè)計(jì)穩(wěn)壓條件:滿足下列不等式,并注意功耗不能超過Pzm需要設(shè)計(jì)一個(gè)6V的穩(wěn)壓電路,已知:Vi=12V,Vz=6V,Imax=20mA,Imin=2mA問:R=?合適5、思考題練習(xí)1:1、請(qǐng)分析右圖的D1,D2導(dǎo)通情況2、VA輸出電壓是多少?假設(shè)二極管導(dǎo)通管壓降為0.7V練習(xí)2:請(qǐng)分析右圖電路的工作原理,假設(shè)U1=220V,變壓器匝比50:1,Uo=?6、半導(dǎo)體三極管的工作原理1、實(shí)物和內(nèi)部結(jié)構(gòu)2、工作條件和電流分配發(fā)射區(qū)高摻雜,集電區(qū)低摻雜,面積大,基區(qū)很薄,最低摻雜。放大條件:發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏7、三極管的輸入輸出特性曲線9、三極管電路分析--圖解法飽和失真截止失真10、三極管小信號(hào)等效電路1、H參數(shù)小信號(hào)模型目的:簡(jiǎn)化分析,使非線型簡(jiǎn)化為線性分析,等效成流控電流源。使用范圍:小信號(hào)。11、三極管放大電路的主要技術(shù)參數(shù)1、放大倍數(shù)或放大增益反映放大電路在輸入信號(hào)控制下,把供電電源能量轉(zhuǎn)化為輸出信號(hào)能量的能力。放大倍數(shù):Av=Vo/Vi放大倍數(shù):Avo=Vo/Vi(負(fù)載開路)放大增益:Av=20Lg(Vo/Vi)dB問:放大0倍和0dB,那個(gè)大?2、輸入電阻Ri=Vi/Ii3、輸出電阻Ro=Vt/ItVs=0的時(shí)候還有溫度特性和頻率特性比如溫漂、零漂、帶寬、頻響等傳遞效率問題:真正到達(dá)負(fù)載上的電壓=Vs×(Ri/(Rs+Ri))×Avo×(RL/(Ro+RL))所以,Ri越大越好,Ro越小越好,同時(shí)可以看出,RL的變化是影響整個(gè)電路最終的放大效果的13、放大電路工作點(diǎn)穩(wěn)定問題溫度增加,會(huì)造成Ic上升,導(dǎo)致工作點(diǎn)漂移,造成放大參數(shù)不穩(wěn)定。穩(wěn)定原理:T升高--》Ic增大--》Ie增大--》Ve增大,Vb基本不變--》Vbe減小--》Ib減?。稩c減小,Re取值越大,穩(wěn)定能力越強(qiáng)B點(diǎn)電位基本不變條件:I1>>Ib,一般5~10倍,此時(shí)Vb約等于Rb2/(Rb1+Rb2)*Vcc14、三組態(tài)性能比較15、多級(jí)放大器多級(jí)放大器級(jí)間耦合:1、直接耦合優(yōu)點(diǎn):頻帶寬,適合集成電路工藝缺點(diǎn):工作點(diǎn)關(guān)聯(lián)2、阻容耦合優(yōu)點(diǎn):工作點(diǎn)不關(guān)聯(lián),設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單缺點(diǎn):低頻特性差3、變壓器耦合優(yōu)點(diǎn):阻抗匹配容易缺點(diǎn):體積大,低頻特性差緩沖和隔離:為什么加這樣一級(jí)?該級(jí)的電壓放大倍數(shù)一般多少?17、一階RC濾波器的幅頻特性1、一階低通RC濾波器的幅頻特性:2、一階高通RC濾波器的幅頻特性:最大倍數(shù)0dB,fH是-3dB點(diǎn)(是多少倍?),相位關(guān)系:輸出滯后輸入,最大90度18、思考題1、如何用萬(wàn)用表判斷三極管的類型和極性?2、假設(shè)Vcc=6V,T硅管的放大倍數(shù)100,問Rt,Rc取值多少合適?19、場(chǎng)效應(yīng)管JFET:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,(?)MOSFET:金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,俗稱MOS管(MetalOxSemiconducterFieldEfiiciTransistor?)問:符號(hào)中的箭頭是指什么?21、直流穩(wěn)壓電源7.1直流穩(wěn)壓電源的基本組成7.2整流電路7.3濾波電路7.4穩(wěn)壓電路濾波電路的基本形式串聯(lián)型直流穩(wěn)壓電路(1)啟動(dòng)電路(2)基準(zhǔn)電壓電路(3)取樣比較放大電路和調(diào)整電路整流電路2278L××型為輸出電壓固定的三端集成穩(wěn)壓器原理圖夢(mèng)自己想夢(mèng)的做自己想做的認(rèn)真敬業(yè)勤奮創(chuàng)造脈沖調(diào)寬式開關(guān)型穩(wěn)壓電路示意圖根據(jù)開關(guān)穩(wěn)壓電源的控制方式不同,可分為脈沖寬度調(diào)制型(即開關(guān)工作頻率不

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