標準解讀
《YB 1601-1983 硅多晶》是一項關(guān)于硅多晶材料的技術(shù)標準,由當時的冶金工業(yè)部提出并負責起草。該標準主要規(guī)定了用于半導(dǎo)體器件制造的硅多晶的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及包裝、標志、運輸和貯存等方面的內(nèi)容。
根據(jù)標準,硅多晶按照電阻率的不同被分為多個等級,每個等級對應(yīng)著特定的應(yīng)用領(lǐng)域。例如,高純度的硅多晶適用于制備高性能的半導(dǎo)體元件,而較低純度的產(chǎn)品則可能被用于太陽能電池板等對材料純度要求相對不那么嚴格的應(yīng)用場合。
對于硅多晶的質(zhì)量控制,本標準詳細列出了包括外觀質(zhì)量(如表面缺陷)、尺寸偏差在內(nèi)的物理性能指標;同時也涵蓋了電學(xué)性質(zhì)如電阻率的具體數(shù)值范圍及其測量方法。此外,還指定了通過拉伸試驗來評估材料力學(xué)性能的要求,并且提供了有關(guān)樣品準備、測試條件等方面的指導(dǎo)信息。
在檢測過程中,除了上述提到的基本物理化學(xué)性質(zhì)外,《YB 1601-1983》還特別強調(diào)了雜質(zhì)元素含量分析的重要性,因為這些微量雜質(zhì)的存在會直接影響到最終產(chǎn)品的性能表現(xiàn)。因此,標準中給出了使用光譜法或其他適當手段進行定量測定的具體操作步驟。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 1983-08-18 頒布
- 1984-10-01 實施
文檔簡介
YB中華人民共和國治金工業(yè)部部標準YB1601-83硅務(wù)1983-08-18發(fā)布1984-10-01實施中華人民共和國治金工業(yè)部批準
中華人民共和國治金工業(yè)部標多YB1601-83中國標準出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號郵政編碼:100X45htp://電話:(01051299090、685220061984年11月第一版書號,1151692-5584版權(quán)專有浸權(quán)必究舉報電話:(010)68522006
中華人民共和國治金工業(yè)部部標準YB1601-83硅品本標準適用于三氯氫硅、四氯化硅氫還原法和硅燒熱分解法制取的棒狀高純硅多品技術(shù)要求1.1硅多晶技術(shù)參數(shù)指標應(yīng)符合下表規(guī)定。一級特級品二級品級品三級品二結(jié)晶致密,表面較平整,,斷面無夾層表面及斷面狀態(tài)結(jié)晶致密,裘面較平整,無氧化夾層直徑,m加二25二25二25二25直徑允許偏差,%+5+5士5全5基硼電阻率,R·m二4500二2600二1500二1000N型電阻宰,9·mn二450>150二300二60N型少數(shù)軟流子壽命,s二500二300>150二100含碳量,個原子/cm°<2×100<5×1010<5×1010含氧量,個原子/cm°<1×1010<5×10!<5×101注:○基硼電阻率和殯、氧含最為保證值。生產(chǎn)廠應(yīng)經(jīng)常進行基硼電阻率的檢測。每年定期進行碳、氧含量的分新。QN型少數(shù)載流子壽命值系指氫氣下檢驗工藝測試的壽命值?!靶璺饺缬刑刂橐?,供需雙方可另行協(xié)議。2試驗方法和檢驗規(guī)購2.1試驗方法2.1.1導(dǎo)電類型測試按GB1550一79*硅單品導(dǎo)電類型測定方法》進行。2.1.2N型少數(shù)載流子壽命測試按GB1553—7《高頻光電導(dǎo)衰誠方法》進行,取其縱向中間部位所測得的壽命值。2.1.3P型、N型電阻率測試按GB1552-79《硅單晶電阻率直流器探針測量方法》進行。2.1.4含氧量、含碳量的測試分別按GB1557—83“硅單品中間隙氧含量的紅外吸收方法》及GB1558一83《硅單品中代位碳含量的紅外吸收方法》進行。2.1.5裘面狀態(tài)用肉眼檢查。2.1.6斷面狀態(tài)檢驗按GB4061一83《硅多品的斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗方法》進行.2.1.7直徑用游標卡尺測量.直徑及其偏差測量位置(系指同一支多品棒)如下圖所示。直徑允許偏登的規(guī)定僅適用于區(qū)熔法用的硅多品。2.2檢驗規(guī)則2.2.1產(chǎn)品應(yīng)由供方技術(shù)監(jiān)督部門進行驗收,保證產(chǎn)品符合本標準要求,并填寫產(chǎn)品質(zhì)量證明書。2.2.2需方可對收到的產(chǎn)品進行質(zhì)量檢驗,如檢驗結(jié)果與本標準規(guī)定不符時,可在收到產(chǎn)品之
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