• 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1983-08-18 頒布
  • 1984-10-01 實施
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YB 1603-1983硅單晶切割片和研磨片_第1頁
YB 1603-1983硅單晶切割片和研磨片_第2頁
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文檔簡介

YB中華人民共和國治金工業(yè)部部標(biāo)準(zhǔn)YB1603—83硅單晶切割片和研磨片1983-08-18發(fā)布1984-10-01實施中華人民共和國治金工業(yè)部批準(zhǔn)

中華人民共和國治金工業(yè)部部標(biāo)準(zhǔn)YB1603-83硅單晶切割片和研磨片本標(biāo)準(zhǔn)適用于制造半導(dǎo)體器件（分立器件和集成電路）的三種等直徑硅單品切割片和雙面研磨片。用作其他器件的硅單晶切割片和研磨片，可參照本標(biāo)準(zhǔn)確定其相應(yīng)的技術(shù)參數(shù)。本標(biāo)準(zhǔn)只列出硅片的外形幾何尺寸和品向參數(shù)，硅片所涉及的硅單晶物理參數(shù)應(yīng)符合YB1602—83《硅單晶》所規(guī)定的技術(shù)要求。技術(shù)要求1.1術(shù)語1.1.1晶向：品體結(jié)品方向。1.1.2品向偏離：切割硅片時，使硅片法線與晶體結(jié)品方向偏離一定的角度。1.1.3正交取向偏差：（111）硅單晶片作品向偏離時，硅片法線與最近的<110>方向在（11）平面上投影之間的夾角（見圖I）11.4主參考面：硅單品鍵上磨制一確定方向的平面，用作硅片劃片方向的標(biāo)志。1.1.5次參考面：硅單品片導(dǎo)電類型和品向的標(biāo)志。1.1.6硅片厚度；硅單晶片中心點(diǎn)厚度值.1.1.7厚度偏差：硅單品片中心點(diǎn)厚度的測量值與公稱值之差。1.1.8總厚度變化：硅單晶片五點(diǎn)厚度（中心一點(diǎn)和距邊緣6mm處間隔90“的四點(diǎn)）間的最大值與最小值之差。1.1.9彎曲度：硅片處于自由無夾持狀態(tài)下相對于一理想平面的單純凹或凸的體形變，1.1.10缺口：；硅片周邊穿透兩面的缺損。1.1.11邊：：硅片邊緣不穿透兩面的破損，1.2技術(shù)要求1.2.1硅單品切割片和研磨片的技術(shù)參數(shù)應(yīng)符合表1的規(guī)定，表1硅單晶切割片和研磨片技術(shù)參數(shù)直徑及共允許偏差,品名稱4050.8(50)mm76.2（975）允許偏差，不大于+0.3士0.4+0.5切235(翻片總厚度交化，世m(xù)彎曲度，1公老面長度，mm19~25沃參老面長度，mm10~1323002490厚度偏差總口醫(yī)賣化：mum

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