YS/T 1124-2016磁性濺射靶材透磁率測(cè)試方法

ICS77.120.99

H21

中華人民共和國(guó)有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

YST1124—2016

磁性濺射靶材透磁率測(cè)試方法

Testingmethodonpassthroughfluxofmagneticsputteringtarget

2016-07-11發(fā)布2017-01-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布

YST1124—2016

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研億金新材料有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人羅俊鋒萬(wàn)小勇向磊丁照崇李勇軍何金江徐國(guó)進(jìn)夏乾坤劉曉王越

:、、、、、、、、、。

Ⅰ

YST1124—2016

磁性濺射靶材透磁率測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了磁控濺射用磁性靶材透磁率的術(shù)語(yǔ)和定義檢測(cè)設(shè)備檢驗(yàn)過(guò)程及結(jié)果計(jì)算等內(nèi)容

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于濺射薄膜用各類磁性靶材透磁率的檢驗(yàn)

。

2術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)

。

2.1

透磁率passthroughflux

PTF

直流磁場(chǎng)從磁性靶材一面透過(guò)另一面的比率也稱磁透率

,。

2.2

源磁場(chǎng)sourcefield

使用霍爾探頭高斯計(jì)測(cè)量的貼近載物臺(tái)上表面的磁場(chǎng)為直流磁場(chǎng)單位為

,,Gs。

2.3

參考磁場(chǎng)referencefield

載物臺(tái)預(yù)置靶材的上表面位置的磁場(chǎng)其強(qiáng)度取決于霍爾探頭到源磁體的距離

,。

2.4

測(cè)量磁場(chǎng)measuringfield

濺射靶材置于載物臺(tái)后靶材的上表面位置的磁場(chǎng)

。

3檢測(cè)設(shè)備

透磁率檢測(cè)設(shè)備主要包括源磁體載物臺(tái)高斯計(jì)和霍爾探頭等設(shè)備放置在無(wú)鐵磁性材料或外部

、、,

強(qiáng)磁場(chǎng)干擾的環(huán)境中示意圖如圖所示

。1。

3.1源磁體

源磁體為馬蹄形永磁鐵固定到載物臺(tái)的下方并保持穩(wěn)定源磁體兩極平行于載物臺(tái)表面調(diào)整

,,。。

源磁體距離載物臺(tái)的位置使霍爾探頭高斯計(jì)測(cè)得的源磁場(chǎng)強(qiáng)度為

,825Gs±50Gs。

3.2高斯計(jì)

高斯計(jì)是透磁率檢測(cè)的核心設(shè)備附帶有橫向場(chǎng)霍爾探頭高斯計(jì)直流磁場(chǎng)測(cè)量范圍為

(PTF),。0~

精確度為霍爾探頭在源磁體兩極正中位置如圖所示霍爾探頭位于樣品上方

3500Gs,±2%。,1a)。,

僅能通過(guò)調(diào)節(jié)支架上下移動(dòng)并與磁鐵在水平位置相對(duì)固定

。

3.3載物臺(tái)

載物臺(tái)作為靶材的承載平臺(tái)存在于透磁率檢測(cè)設(shè)備中位于源磁體與霍爾探頭之間載物臺(tái)裝配有