廣東省佛山市南海中學(xué)2023年高二物理期末試卷含解析

廣東省佛山市南海中學(xué)2023年高二物理期末試卷含解析一、選擇題：本題共5小題，每小題3分，共計15分．每小題只有一個選項符合題意1.（單選）已知點電荷A的電量是點電荷B的2倍，則A對B作用力大小跟B對A作用力大小的比值為（）A、2:1

B、1:2

C、1:1

D、不確定參考答案：C由點電荷庫侖力的公式，可以得到，距離不變，將它們之間的電量增大為原來的2倍，庫侖力將變?yōu)樵瓉淼?倍，而A對B的作用力大小跟B對A的作用力大小是屬于作用力與反作用力，因此兩者大小相等，即1：1，所以C正確，ABD錯誤．故選：C．2.如圖所示，一帶正電的金屬球Q先緩慢的靠近導(dǎo)體A、B，然后接觸再分開，

Q、A、B都與外界絕緣，對這一過程，下列說法正確的是（

）

A、當(dāng)Q靠近A、B時，A端出現(xiàn)負(fù)電荷，B出現(xiàn)正電荷

B、當(dāng)Q接觸A、B然后移開，A、B都帶上正電荷，因為Q的正電荷轉(zhuǎn)移了一部分到A、B上來。

C、若將Q靠近A、B時，用手接觸B，B上的正電荷會移到大地，從而使B不帶電。

D、對于A、B,與Q還沒接觸之前，電荷的代數(shù)和為0，接觸之后電荷代數(shù)和不為0參考答案：AD3.以往我們認(rèn)識的光電效應(yīng)是單光子光電效應(yīng)，即一個電子在極短時間內(nèi)能吸收到一個光子而從金屬表面逸出。強激光的出現(xiàn)豐富了人們對于光電效應(yīng)的認(rèn)識，用強激光照射金屬，由于其光子密度極大，一個電子在極短時間內(nèi)吸收多個光子成為可能，從而形成多光子光電效應(yīng)，這已被實驗證實。光電效應(yīng)實驗裝置示意如圖。用頻率為v的普通光源照射陰極K，沒有發(fā)生光電效應(yīng)；換用同樣頻率為v的強激光照射陰極K，則發(fā)生了光電效應(yīng)。此時，若加上反向電壓U，即將陰極K接電源正極，陽極A接電源負(fù)極，在KA之間就形成了使光電子減速的電場，逐漸增大U，光電流會逐漸減??；當(dāng)光電流恰好減小到零時，所加反向電壓U可能是下列的（其中W為逸出功，h為普朗克常量，e為電子電量）A．

B．

C．

D．參考答案：B4.如圖所示電路中，L為電感線圈，R為燈泡，電流表內(nèi)阻為零。電壓表內(nèi)阻無限大，交流電源的電壓u=220sin10πtV。若保持電壓的有效值不變，只將電源頻率改為25Hz，下列說法中錯誤的是（

）A．電流表示數(shù)增大]

B．電壓表示數(shù)減小C．燈泡變暗

D．燈泡變亮參考答案：C5.電場中某點置試探電荷q，其所受電場力為F，則下列說法不正確的是：A．該點的場強大小為F/q；

B．若移走該試探電荷，該點的場強大小仍為F/q；C．若在該點換上2q的試探電荷，該點的場強大小仍為F/q；D．若在該點換上2q的試探電荷，該點的場強大小仍為2F/q；參考答案：D二、填空題：本題共8小題，每小題2分，共計16分6.

靜電場中任何兩條電場線

（選填：能，不能）相交，電場線

的地方電場強度大。

（選填：正，負(fù)）電荷在電場中受到的電場力方向就是該店的電場方向，也就是電場線上該點的

方向。參考答案：7.面積為20cm2的平面線圈放在磁感應(yīng)強度B＝0.4T的勻強磁場中，線圈平面垂直于磁感線，則穿過線圈平面的磁通量為__________Wb；若線圈平面與磁感線平行，則穿過線圈平面的磁通量為___________Wb；若另一平面線圈也放在同一勻強磁場中，線圈平面垂直于磁感線，穿過線圈平面的磁通量為4.0×10－3Wb，則該線圈的面積為_________cm2。參考答案：

0

1008.將一阻值是4Ω的電阻R1與另一電阻R2串聯(lián)，其總電阻是10Ω，則R2=Ω，若將它們并聯(lián)接入電路，則通過R1與R2的電流強度之比為I1：I2=．參考答案：解：串聯(lián)電路中總電阻等于各部分電阻之和：故R2=10﹣4=6Ω；并聯(lián)電路中各部分電流之比等于電阻的反比；故I1：I2=：=R2：R1=3：2．故答案為：6；3：2．9.金屬棒bc在兩光滑的水平放置的平行金屬導(dǎo)軌上運動時，閉合回路AbcD中有感應(yīng)電流．這時bc棒將受到向______的磁場力；為使bc棒向右運動，必須對bc施加方向向______的力，這個力克服______力做功；在這個過程中______能轉(zhuǎn)化成了______能。參考答案：10.A是放射性元素,半衰期是12天,當(dāng)1千克A有7/8的原子核發(fā)生衰變時,經(jīng)歷的時間是A．12天

B．24天

C．36天

D．48天參考答案：C11.甲乙兩種光子的波長之比為4∶3，分別用它們照射同一金屬板，發(fā)出光電子的最大初動能為E甲、E乙，則甲乙兩種光子的能量之比為

，該金屬的逸出功為

.參考答案：

3∶4

，

12.某實驗室購買了一個上面標(biāo)有“220V，110W”電烙鐵，則該電烙鐵正常工作時電流為

▲

A,5分鐘內(nèi)該電烙鐵需要消耗

▲J的電能。參考答案：0.5，3.3×104；13.在一次研究性學(xué)習(xí)的實驗探究中,某組同學(xué)分別測繪出一個電源的路端電壓隨電流變化的關(guān)系圖線,還測繪出了一個電阻兩端的電壓隨電流表化的關(guān)系圖線,如圖12中AC和OB.若把該電阻R接在該電源上構(gòu)成閉合電路(R為唯一用電器),由圖可知，電源的內(nèi)阻是_________，電源的輸出功率是_________參考答案：r=0.3Ω；

P=1.2W三、簡答題：本題共2小題，每小題11分，共計22分14.（8分）在3秒鐘時間內(nèi)，通過某導(dǎo)體橫截面的電荷量為4.8C，試計算導(dǎo)體中的電流大小。參考答案：根據(jù)電流的定義可得：I=Q/t=4.8/3A=1.6A………………（8分）15.如圖9所示是雙縫干涉實驗裝置，使用波長為6.0×10－7m的橙色光源照射單縫S，在光屏中央P處(到雙縫的距離相等)觀察到亮條紋，在位于P點上方的P1點出現(xiàn)第一條亮條紋中心(即P1到S1、S2的路程差為一個波長)，現(xiàn)換用波長為4.0×10－7m的紫色光照射單縫時，問：(1)屏上P處將出現(xiàn)什么條紋？(2)屏上P1處將出現(xiàn)什么條紋？參考答案：(1)亮條紋(2)暗條紋四、計算題：本題共3小題，共計47分16.傾角θ=30°的斜面上，固定一金屬框，寬L=0.25m，接入電動勢ε=12V、內(nèi)阻不計的電池。垂直框面放有一根質(zhì)量m=0.2kg的金屬棒ab，它與框架之間的動摩擦因數(shù)為m=，整個裝置放在磁感應(yīng)強B=0.8T垂直框面向上的勻強磁場中，如圖所示。當(dāng)調(diào)節(jié)滑動變阻器R的阻值在什么范圍內(nèi)時，可使金屬棒靜止在框架上？框架與棒的電阻不計，g=10m/s2。

參考答案：17.在某空間存在著水平向右的勻強電場和垂直于紙面向里的勻強磁場，如圖17所示，一段光滑且絕緣的圓弧軌道AC固定在紙面內(nèi)，其圓心為O點，半徑R=1.8m，OA連線在豎直方向上，AC弧對應(yīng)的圓心角θ=37°。今有一質(zhì)量m=3.6×10-4kg、電荷量q=+9.0×10-4C的帶電小球（可視為質(zhì)點），以v0=4.0m/s的初速度沿水平方向從A點射入圓弧軌道內(nèi)，一段時間后從C點離開，小球離開C點后做勻速直線運動。已知重力加速度g=10m/s2，sin37°=0.6，cos37°=0.8，不計空氣阻力，求：

（1）勻強電場的場強大小E；

（2）勻強磁場的磁感應(yīng)強度大小B；（3）小球射入圓弧軌道后的瞬間對軌道的壓力。

參考答案：（1）（1）當(dāng)小球離開圓弧軌道后，對其受力分析如圖所示，由平衡條件得：F電=qE=mgtan

（2分）

代入數(shù)據(jù)解得：E=3N/C

（1分）

（2）小球從進入圓弧軌道到離開圓弧軌道的過程中，由動能定理得：F電

（3分）

代入數(shù)據(jù)得：

（1分）

由

（2分）

解得：B=1T

（1分）

(3)分析小球射入圓弧軌道瞬間的受力情況如圖所示，由牛頓第二定律得：

（2分）

代入數(shù)據(jù)得：N

（1分）

由牛頓第三定律得，小球?qū)壍赖膲毫

（1分）ks5u18.某儀器用電場和磁場來控制電子在材料表面上方的運動，如圖所示，材料表面上方矩形區(qū)域PP′N′N充滿豎直向下的勻強電場，寬為d；矩形區(qū)域NN′M′M充滿垂直紙面向里的勻強磁場，磁感應(yīng)強度為B，長為3s，寬為s；NN′為磁場與電場之間的薄隔離層．一個電荷量為e、質(zhì)量為m、初速為零的電子，從P點開始被電場加速經(jīng)隔離層垂直進入磁場，電子每次穿越隔離層，運動方向不變，其動能損失是每次穿越前動能的10%，最后電子僅能從磁場邊界M′N′飛出，不計電子所受重力．(1)求電子第二次與第一次圓周運動半徑之比；(2)求電場強度的取值范圍；(3)A是M′N′的中點，若要使電子在A、M′間垂直于AM′飛出，求電子在磁場區(qū)域中運動的時間．參考答案：(1)設(shè)圓周運動的半徑分別為R1、R2、…、Rn、Rn＋1…，第一和第二次圓周運動速率分別為v1和v2，動能分別為Ek1和Ek2.由Ek2＝0.81Ek1，R1＝，R2＝，Ek1＝mv，Ek2＝mv

得R2：R1＝0.9.(2)設(shè)電場強度為E，第一次到達隔離層前的速率為v′.由eEd＝mv′2,

0.9×mv′2＝mv，R1＝