紅外遙控萬年歷源代碼-12864中文

DM12864M8192個中文漢字（16X16點陣128個字符（8X16點陣）64X256RAM（GDRAM。電源：VDD3.3V~+5V(內置升壓電路，無需負壓)；顯示內容：128列×64行顯示角度：6：00LCDMCU接口：84位并行/3位串行配置LED背光NOMINAL128X64HZ1-2-3-LCD456789--工作溫度(Ta)：0～60℃(常溫)/-20～75℃（寬溫8MPUMPU 第一字節(jié)：串口控制—格式A為數(shù)據(jù)傳送方向控制：HLCDMCU，LMCUB為數(shù)據(jù)類型選擇：H表示數(shù)據(jù)是顯示數(shù)據(jù)，LC第二字節(jié)：(并行)8位數(shù)據(jù)的高4位—格式DDDD0000第三字節(jié)：(并行)8位數(shù)據(jù)的低4位—格式0000DDDD串行接口時序參數(shù)：(測試條件：T=25℃VDD=4.5V)1（RE=0（0000000001設定DDRAM000000001X設定DDRAM令并不改變DDRAM的內容00000001S開/0000001DCBC=1：游標ON000001XXDDRAM00001X0XX （必須設為1）RE=1RE=0設定 0001設定CGRAM地址到地址計數(shù)設定001設定DDRAM地址到地址計數(shù)0110（DDRAM/CGRAM/IRAM/G讀出11從內部RAM讀取資料（市錦昌電子2（E=1執(zhí)行時間（）RW76543210待命模0000000001將DDRAM填滿20H”，并且設定DDRAM的地址計數(shù)卷動地 IRAM000000001SR=0反白選000000014睡眠模式0000001XX擴充功000011X1G0G=1G=0 IRAM址或卷0001SR=1：AC5—AC0ICONIRAM設定繪圖0011、當模塊在接受指令前，微處理順必須先確認模塊內部處于非忙碌狀態(tài)，即BF標志時BF需為0，方可接受新的指令；如果在送出一個指令前并查BF標志，那么一個指令和這個指令中間必須延遲一具體指令介紹 LLLLLLLLLHDDRAM位址計數(shù)器調整為“00H” LLLLLLLLHXDDRAM位址計數(shù)器調整為“00H”DDRAM LLLLLLLHS功能：把DDRAM位址計數(shù)器調整為“00H”DDRAM功能：執(zhí)行該命令ZA0-A5位地Z0-63范圍內任意一行。Z地址計數(shù)器具有循環(huán)計數(shù)功能，用于顯示4、顯示狀態(tài)開/ LLLLLLHDCB功能：D=1；整體顯示ON C=1；游標ON LLLLLHXXDDRAM LLLLHX0XX功能：DL=1（必須設為1） 7、設定CGRAM位址 LLLHCGRAM位址到位址計數(shù)器8DDRAM LLH LH HL11、讀出RAM的值 HH功能：從內部RAM資料12 LLLLLLLLLH13IRAM位址選擇 LLLLLLLLH SR=0；允許輸入IRAM位 LLLLLLLH4 LLLLLLHXX LLLLHHX1GL RE=0；基本指令集動作G=1；繪圖顯示ON 17、設定IRAM位址或卷動位址（017H） LLLH功能：SR=1；AC5~AC0為垂直卷動位 SR=0；AC3~AC0寫ICONRAM位18RAM位址 LLHGDRAM位址到位址計數(shù)器X—以字節(jié)單位2X代碼RAM8個×4RAMCGROM、HCGROM與CGRAM的字型；ST7920A可以顯示三種字型，分別是半寬的HCGROM字型、CGRAM字型及中文CGROM字型。三種字型的選擇，由在DDRAM中寫入的編碼選擇，各種字型詳細編碼如下：DDRAM02H-7FH顯示CGRAM字型：將兩字節(jié)編碼寫入DDRAM中，總共有0000H，0002H，0004H，0006H四種編碼DDRAMKA1A0H-F7FFH(GB碼)A140H-D75FH(BIG5碼)繪圖顯示RAM提供128×8個字節(jié)的空間，在更改繪圖RAM時，先連續(xù)寫入水平與垂直的坐標值，再寫入兩個字節(jié)的數(shù)據(jù)到繪圖RAM，而地址計數(shù)器（AC）會自動加一；在寫入繪圖RAM的期間，繪圖顯示必須關閉，整個寫入繪圖RAM的步驟如下：2、先將水平的位元組坐標（X）RAM地址；再將垂