畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）-基于AT89C51單片機(jī)的數(shù)字溫度控制系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)

數(shù)字溫度控制系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)摘要單片機(jī)系統(tǒng)的開發(fā)應(yīng)用給現(xiàn)代工業(yè)測(cè)控領(lǐng)域帶來(lái)了極大的便利，單片機(jī)由于其微小的體積和極低的本錢，廣泛的應(yīng)用于家用電器、工業(yè)控制等領(lǐng)域中。在工業(yè)生產(chǎn)中，電流、電壓、溫度、壓力和流量也都是常用的被控參數(shù)。論文介紹了“基于單片機(jī)的溫度控制系統(tǒng)〞的設(shè)計(jì)及其相關(guān)內(nèi)容?？刂葡到y(tǒng)中引入單片機(jī)，可以充分利用單片機(jī)在對(duì)采集數(shù)據(jù)加以分析并根據(jù)所得結(jié)果做出邏輯判斷等方面的能力。提高整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。論文首先利用溫度傳感器將被測(cè)溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，這一信號(hào)經(jīng)單片機(jī)處理后。通過(guò)一執(zhí)行機(jī)構(gòu)——可控硅對(duì)加熱源的開關(guān)狀態(tài)進(jìn)行控制。并實(shí)現(xiàn)報(bào)警及溫度顯示的功能。論文介紹了基于單片機(jī)的溫度控制系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)的過(guò)程。簡(jiǎn)單介紹了背景和總體的設(shè)計(jì)思路、AT89C51單片機(jī)的根本知識(shí)并對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中所涉及的一些主要的芯片做了簡(jiǎn)單的介紹。關(guān)鍵詞：?jiǎn)纹瑱C(jī)；溫度控制；傳感器THETEMPERATURECONTROLSYSTEMBASEDONMCUAbstractThedevelopmentandapplicationofMCU(MicroControlUnit)broughttheenormousconvenienceinmanyfieldsofmodernindustrialdetectandcontrol.Becauseofitssmallvolume,extremelylowcostandhighefficiency,itiswidelyusedinhomeapplicancesandindustrialcontrol.Intheprocessofproduction,current,voltage,temperatureandpressureareusuallytheparametertobemonitored.ThedesignofthetemperaturecontrolsystembasedonMCUisintroducedinthispaper.whenMCUintroducedincontrolsystem,itcannotonlytoanalyzethedatawhichhadbeentogathered,butalsobasistheobtainedresulttomakeslogicaljudgementandsoon.Itcanimprovereliabilityofwholesystem.First,thetemperaturesensortransformsthemeasuredtemperaturesignalintothedigitalsignal.AfterthedealingwithMCU.Throughaimplementingagency--silicon-controlledrectifiertheswitchconditiontocarryonthecontrol.Andtherealizationreportstothepoliceandthetemperaturedemonstrationfunction.ThispapermainlyincludesthehardwareprocessofthetemperaturecontrolsystembasedonMCU.Thisdesigndescribesthebackgroundknowledgeandthegeneraldesignofthesystem.ItintroducesthebasicknowledgeofAT89C51andthechipswhichareusedinthesystem.Thereisageneralconclusionintheendofthepaper.Keywords:MCU;TemperatureControl;Sensor目錄前言 1第1章本課題的研究現(xiàn)狀及意義 2課題研究的意義 2總體設(shè)計(jì)方案 2第2章單片機(jī)AT89C51的結(jié)構(gòu)和原理主要性能參數(shù) 22.2功能特性概述 22.3引腳功能 2時(shí)鐘振蕩器 22.5空閑節(jié)電模式 22.6掉電模式 2 2第3章硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì) 錯(cuò)誤！未定義書簽。3.1溫度監(jiān)控電路設(shè)計(jì) 23.1輸入通道設(shè)計(jì) 23.1加熱驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 2第4章溫度控制系統(tǒng)的器件介紹4.1溫度傳感器DS18B20結(jié)構(gòu)和原理 24.2光電耦合器MOC3041 2\4.3雙向可控硅BTA06 24.48位鎖存器74LS374 24.4四2輸入與門74LS08 24.4四2輸入或非門74LS02 2結(jié)論 錯(cuò)誤！未定義書簽。致謝 錯(cuò)誤！未定義書簽。參考文獻(xiàn) 33附錄1程序流程圖〔1〕 錯(cuò)誤！未定義書簽。附錄2程序流程圖〔2〕 錯(cuò)誤！未定義書簽。附錄3電子計(jì)價(jià)秤前面 錯(cuò)誤！未定義書簽。前言數(shù)字式溫度控制系統(tǒng)由單片機(jī)、執(zhí)行機(jī)構(gòu)、控制對(duì)象和檢測(cè)裝置等局部組成，其特點(diǎn)是通過(guò)數(shù)字溫度控制傳感器DS18B20實(shí)現(xiàn)對(duì)溫度的集成了采樣、物理量/模擬量轉(zhuǎn)換、A/D轉(zhuǎn)換等，直接輸出數(shù)字信號(hào)，無(wú)需另接任何外圍電路即可方便地構(gòu)成溫度檢測(cè)系統(tǒng)，在實(shí)際應(yīng)用中取得了良好的測(cè)溫效果，執(zhí)行機(jī)構(gòu)由光電藕合器驅(qū)動(dòng)雙向可控硅，可控硅再對(duì)加熱源的開關(guān)狀態(tài)進(jìn)行控制。光電耦合器除了具有電隔離的功能、脈沖和直流都可以使用外。還具有抗干擾和噪聲的能力，具有響應(yīng)速度快，使用方便、耗電省、本錢低等優(yōu)點(diǎn)！以單片機(jī)為核心，通過(guò)程序內(nèi)部的運(yùn)算將轉(zhuǎn)換好的溫度數(shù)值發(fā)送給LED顯示出來(lái)。溫度報(bào)警系統(tǒng)，通過(guò)鍵盤接口設(shè)置溫度的上下限數(shù)值，設(shè)定完畢后程序會(huì)實(shí)時(shí)查詢當(dāng)時(shí)的環(huán)境溫度是否超出設(shè)置的上下限溫度數(shù)值。如果超出會(huì)報(bào)警或?qū)⒇?fù)載切斷，停止其工作。在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)過(guò)程中，一般要求處于某一恒定的溫度下進(jìn)行控制，因此常常要求對(duì)溫度進(jìn)行控制。為實(shí)現(xiàn)儀器的智能化，一般都嵌有微處理器(或數(shù)字信號(hào)處理器)作為主控制器，因此，如果用一般的溫度傳感器作為檢測(cè)元件，就需要進(jìn)行A／D轉(zhuǎn)換，而選用美國(guó)Dallas公司生產(chǎn)的數(shù)字式溫度傳感器DS18B20作為檢測(cè)元件，可以直接將溫度值轉(zhuǎn)換成數(shù)字量，就不需A／D轉(zhuǎn)換電路，簡(jiǎn)化了控制電路。在本文設(shè)計(jì)的一種檢測(cè)儀器中，要求試樣的溫度恒定保持在0℃(40≤0≤100)，精度為±0．5℃，因此只考慮其加熱而不考慮其制冷。用貼在金屬底座上的金屬電熱膜作為加熱元件，用一片DS18B20對(duì)金屬底座進(jìn)行單點(diǎn)測(cè)溫，采用單片機(jī)AT89C51作為控制器，構(gòu)成一個(gè)閉環(huán)溫度控制系統(tǒng)。這種溫度控制器可以在只占用較小體積的情況下，對(duì)溫度第1章本課題的研究現(xiàn)狀及意義溫度是重要的物理量，溫度的測(cè)量和控制，在工業(yè)生產(chǎn)和科研工作中都非常重要。在傳統(tǒng)的模擬信號(hào)遠(yuǎn)距離溫度測(cè)量系統(tǒng)中，需要很好的解決引線誤差補(bǔ)償問(wèn)題、多點(diǎn)測(cè)量切換誤差問(wèn)題和放大電路零點(diǎn)漂移誤差問(wèn)題等技術(shù)問(wèn)題，才能夠到達(dá)較高的測(cè)量精度。另外一般監(jiān)控現(xiàn)場(chǎng)的電磁環(huán)境都非常惡劣，各種干擾信號(hào)較強(qiáng)，模擬溫度信號(hào)容易受到干擾而產(chǎn)生測(cè)量誤差，影響測(cè)量精度。模擬器件〔熱電耦〕體積大、應(yīng)用復(fù)雜、而且不容易實(shí)現(xiàn)數(shù)字化等缺點(diǎn)，也阻礙了應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展。數(shù)字式溫度測(cè)量系統(tǒng)的特點(diǎn)是以微處理器為核心，利用微處理器的控制、運(yùn)算功能，具有智能化的特點(diǎn)。本系統(tǒng)采用數(shù)碼管直接顯示被測(cè)溫度值，這種數(shù)字式顯示不僅直觀、測(cè)量精度高，而且便于進(jìn)行自動(dòng)控制。所以，數(shù)字式溫度測(cè)量電路獲得了廣泛的應(yīng)用數(shù)字式溫度控制系統(tǒng)由單片機(jī)、執(zhí)行機(jī)構(gòu)、控制對(duì)象和檢測(cè)裝置等局部組成，其特點(diǎn)是通過(guò)數(shù)字溫度控制傳感器實(shí)現(xiàn)對(duì)溫度的集成了采樣、物理量/模擬量轉(zhuǎn)換、A/D轉(zhuǎn)換等，直接輸出數(shù)字信號(hào)，無(wú)需另接任何外圍電路即可方便地構(gòu)成溫度檢測(cè)系統(tǒng)，在實(shí)際應(yīng)用中取得了良好的測(cè)溫效果，執(zhí)行機(jī)構(gòu)由光電藕合器驅(qū)動(dòng)雙向可控硅，可控硅再對(duì)加熱源的開關(guān)狀態(tài)進(jìn)行控制。光電耦合器除了具有電隔離的功能、脈沖和直流都可以使用外。還具有抗干擾和噪聲的能力，具有響應(yīng)速度快，使用方便、耗電省、本錢低等優(yōu)點(diǎn)！以單片機(jī)為核心，通過(guò)程序內(nèi)部的運(yùn)算將轉(zhuǎn)換好的溫度數(shù)值發(fā)送給LED顯示出來(lái)。溫度報(bào)警系統(tǒng)，通過(guò)鍵盤接口設(shè)置溫度的上下限數(shù)值，設(shè)定完畢后程序會(huì)實(shí)時(shí)查詢當(dāng)時(shí)的環(huán)境溫度是否超出設(shè)置的上下限溫度數(shù)值。如果超出會(huì)報(bào)警或?qū)⒇?fù)載切斷，停止其工作。系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)原理溫度傳感器將對(duì)被測(cè)溫度進(jìn)行采樣和轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，并將此測(cè)量結(jié)果送入單片機(jī)，單片機(jī)將輸入的溫度值與內(nèi)部指定單元的給定溫度值進(jìn)行比擬，根據(jù)比擬結(jié)果，通過(guò)一個(gè)執(zhí)行機(jī)構(gòu)———可控硅對(duì)加熱源〔電阻爐電熱水壺和燈泡等〕的開斷狀態(tài)進(jìn)行控制。采用簡(jiǎn)單的開關(guān)控制。本設(shè)計(jì)系統(tǒng)為硬件局部的設(shè)計(jì)，包括溫度傳感器、單片機(jī)、雙向可控制硅和光電耦合器的選用。輸入通道、控制系統(tǒng)、輸出通道，顯示電路的設(shè)計(jì)。系統(tǒng)的功能實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)原理圖如下：鍵盤顯示鍵盤顯示報(bào)警單片機(jī)執(zhí)行機(jī)構(gòu)加熱器傳感器圖1-1結(jié)構(gòu)原理圖器件選擇本設(shè)計(jì)在設(shè)計(jì)過(guò)程中主要選取了以下一些器件．單片機(jī)：AT89C51。．溫度傳感器：DS18B20。．光電耦合器：MOC341。．雙向可控硅：BTA06。．8位鎖存器：74LS374。．4輸入與門：74LS08。．4輸入或非門：74LS02。第2章單片機(jī)AT89C51的結(jié)構(gòu)和原理AT89C51是美國(guó)ATMEL公司生產(chǎn)的低電壓、高性能CMOS8位單片機(jī)，片內(nèi)含４KB的可反復(fù)擦寫的程序存儲(chǔ)器和128B的隨機(jī)存儲(chǔ)器〔RAM〕，器件采用Atmel公司的高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn)，兼容標(biāo)準(zhǔn)MCS—51指令系統(tǒng)，片內(nèi)配置通用8位中央處理器〔CPU〕和Flash存儲(chǔ)單元，功能強(qiáng)大的AT89C51單片機(jī)可靈活應(yīng)用于各種控制領(lǐng)域。2.1主要性能參數(shù)與MCS-51產(chǎn)品指令完全兼容．4KB可反復(fù)擦寫Flash閃速存儲(chǔ)器．1000次擦寫周期．時(shí)鐘頻率范圍：0Hz~24Hz．3級(jí)加密存儲(chǔ)器．128*8B內(nèi)部RAM．32個(gè)可編程I/O接口線．2個(gè)16為定時(shí)/計(jì)數(shù)器．6個(gè)中斷源．可編程串行UART通道．低功耗空閑和掉電模式功能特性概述AT89C51提供以下標(biāo)準(zhǔn)功能：4KB的Flash閃速存儲(chǔ)器，128B內(nèi)部RAM，32個(gè)I/O接口線，兩個(gè)16位定時(shí)/計(jì)數(shù)器，一個(gè)5向量?jī)杉?jí)中斷結(jié)構(gòu)，一個(gè)全雙工串行通信口，片內(nèi)振蕩器及時(shí)鐘電路。同時(shí)，AT89C51可降至于0Hz的靜態(tài)邏輯操作，并支持兩種軟件可選的節(jié)電工作模式。空閑方式停止CPU的工作，但允許RAM、定時(shí)/計(jì)數(shù)器、串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。掉電方式保存RAM中的內(nèi)容，但振蕩器停止工作并禁止其他所有部件工作直到下一個(gè)硬件復(fù)位。引腳功能AT89C51的引腳排列如圖2-1所示圖2-1AT8C51的PDIP封裝形式和引腳排列．VCC：電源．GND：地．P0口：P0口是一組8位漏級(jí)開路型雙向I/O樓，也即地址/數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。作為輸出口用時(shí)，每位能以輸出電流的方式驅(qū)動(dòng)8個(gè)TTL邏輯門電路，對(duì)端口寫“1〞可作為高阻抗輸入端用。在訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或程序存儲(chǔ)器時(shí)，這組口線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址〔低8位〕和數(shù)據(jù)總線復(fù)用，在訪問(wèn)期間激活內(nèi)部上拉電阻。在Flash編程時(shí)，P0口接收指令字節(jié)，而在程序校驗(yàn)時(shí)，輸出指令字節(jié)，校驗(yàn)時(shí)，要求外接上拉電阻。．P1口：P1口是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的8為雙向I/O口，P1的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)〔吸收或輸出電流〕4個(gè)TTL邏輯門電路。對(duì)端口寫“1〞，通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口。作輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流〔IIL〕.Flash編程和程序校驗(yàn)期間，P1接受低8位電阻。．P2口：P2是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口，P2的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)〔吸收或輸出電流〕4個(gè)TTL邏輯門電路。對(duì)端口寫“1〞，通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流〔IIL〕。在訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或16位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，P2口送出高8位地址數(shù)據(jù)。在訪問(wèn)8位地址的外部存儲(chǔ)器時(shí)，P2口線上的內(nèi)容〔特殊功能存放器SFR區(qū)中R2存放器的內(nèi)容〕，在整個(gè)訪問(wèn)期間不改變。Flash編程或校驗(yàn)時(shí)，P2亦接收高為地址和其他控制信號(hào)。．P3口：P3口是一組帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口。P3口輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)〔吸收或輸出電流〕4個(gè)TTL邏輯電路。對(duì)P3口寫入“1〞時(shí)，他們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。作輸入端時(shí)，被外部拉低的P3口將用上拉電阻輸出電流〔IIL〕。P3偶除了作為一般的I/O口線外，更重要的功能是它的第二功能，如表2-1所示。P3口還接收一些用于Flash閃速存儲(chǔ)器編程和程序校驗(yàn)的控制信號(hào)。表2-1AT89C51的P3口的第二功能端口引腳第二功能RXD(串行輸入口)TXD(串行輸出口)INT0(外中斷0〕INT1(外中斷1〕T0(定時(shí)/計(jì)數(shù)器0)T1(定時(shí)/計(jì)數(shù)器1)WR(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通)RD(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通)．RST：復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器工作時(shí)，RST引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。．ALE/PROG：當(dāng)訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，ALE〔地址鎖存允許〕輸出脈沖用于鎖存地址的低8位字節(jié)，即使不訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器，ALE仍以時(shí)鐘振蕩頻率的1/6輸出固定的正脈沖信號(hào)，因此它可對(duì)外輸出時(shí)鐘或用于定時(shí)目的。要注意的是：每當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)將跳過(guò)一個(gè)ALE脈沖。對(duì)Flash存儲(chǔ)器編程期間，該引腳還用于輸入編程脈沖〔PROG〕。如果必要，可通過(guò)特殊功能存放器〔SFR〕區(qū)中的8EH單元中的D0位置位，可禁止ALE操作。該位置位后，只要一條MOVX和MOVC指令A(yù)LE才會(huì)被激活，此外，該引腳還會(huì)微弱被拉高。單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí)，應(yīng)設(shè)置ALE無(wú)效。．PSEN：程序存儲(chǔ)器允許〔PSEN〕輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選信號(hào)，當(dāng)AT89C51由外部程序存儲(chǔ)器取指令〔或數(shù)據(jù)〕時(shí)，每個(gè)機(jī)器周期兩次PSENY有效，即輸出兩個(gè)脈沖。在此期間，當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，這兩次有效的PSEN信號(hào)不出現(xiàn)。．EA/VPP：外部訪問(wèn)允許。欲使CPU僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器〔地址為000011－FFFF11〕，EA端必須保持低電平〔接地〕。需注意的是如果加密位LB1被編程，復(fù)位時(shí)內(nèi)部會(huì)鎖存EA端狀態(tài)。如EA端為高電平〔接VCC端〕CPU那么執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的指令。Flash存儲(chǔ)器編程時(shí)，該引腳加上＋12V的編程允許電源VPP，當(dāng)然這必須是該器件是使用12V的編程電壓VPP。．XTAL1：振蕩器反相放大器及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端。．XTAL2：振蕩器反相放大器的輸入端。時(shí)鐘振蕩電路AT89C51中有一個(gè)用于構(gòu)成內(nèi)部振蕩器的高增益反相放大器，引腳XTAL1和XTAL2分別是該放大器的輸入端和輸出端。這個(gè)放大器作為反響元件的片外石英晶體諧振器一起構(gòu)成自激振蕩器，振蕩電路如圖2-2所示。圖2-2時(shí)鐘振蕩電路外接石英晶體諧振蕩及電容C1、C2接在放大器的反響回路中構(gòu)成并聯(lián)諧振電路。對(duì)外接電容C1、C2雖然沒有十分嚴(yán)格的要求，但電容容量的大小會(huì)輕微影響振蕩頻率的上下、震蕩器工作的穩(wěn)定性、起振的難易程度及溫度的穩(wěn)定性，如果使用石英晶體，電容使用30pF±10pF。AT89C51有兩種可用軟件編程的省電模式，空閑模式和掉電模式。這兩種方式是控制專用存放器PCON〔電源控制存放器〕中的PD〔PCON.1〕和IDL〔PCON.0〕位來(lái)實(shí)現(xiàn)。PD是掉電模式，單片機(jī)進(jìn)入掉電工作狀態(tài)，IDL是空閑等待狀態(tài)，當(dāng)IDL=1時(shí)，激活掉電工作模式，單片機(jī)進(jìn)入睡眠狀態(tài)，如需同時(shí)進(jìn)入兩種工作模式，即PD和IDL同時(shí)為1，那么先激活掉電工作模式。在空閑工作模式狀態(tài)，CPU保持睡眠狀態(tài)而所有片內(nèi)的外設(shè)仍保持激活狀態(tài)，這種方式由軟件產(chǎn)生。此時(shí)，片內(nèi)RAM和所有特殊功能存放器的內(nèi)容保持不變?？臻e模式可由任何允許的中斷請(qǐng)求或硬件復(fù)位終止。終止空閑工作模式的方法有兩種，其一是任何一條被允許中斷的事件被激活，IDL〔PCON.1〕被硬件去除，即刻中止空閑工作模式。程序會(huì)首先響應(yīng)中斷，進(jìn)入中斷效勞程序，執(zhí)行完中斷效勞程序并緊隨RETI〔中斷返回〕指令后，下一條要執(zhí)行的指令就是使單片機(jī)進(jìn)入空閑模式那條指令后面的一條指令。其二是通過(guò)硬件復(fù)位也可將空閑工作模式終止。需要注意的是，當(dāng)由硬件復(fù)位來(lái)終止空閑工作模式時(shí)，CPU通常是從激活空閑模式那條指令的下一條指令開始繼續(xù)執(zhí)行程序的，要完成內(nèi)部復(fù)位操作，硬件復(fù)位脈沖要保持兩個(gè)機(jī)器周期〔24個(gè)時(shí)鐘周期〕有效，在這種情況下，內(nèi)部禁止CPU訪問(wèn)片內(nèi)RAM，而允許訪問(wèn)其他端口。為了防止對(duì)端口產(chǎn)生意外寫入，激活空閑模式的那條指令后一條指令不應(yīng)是一條對(duì)端口或外部存儲(chǔ)器的寫入指令。在掉電模式下，振蕩器停止工作，進(jìn)入掉電模式的指令是最后一條被執(zhí)行的指令，片內(nèi)RAM和特殊功能存放器的內(nèi)容在終止掉電模式前被凍結(jié)。推出掉電模式的惟一方法是硬件復(fù)位，復(fù)位后將重新定義全部特殊功能存放器但不改變RAM中的內(nèi)容，在VCC恢復(fù)到正常工作電平前，復(fù)位應(yīng)無(wú)效，且必須保持一定時(shí)間以使振蕩器重啟動(dòng)并穩(wěn)重工作?？臻e和掉電模式外部引腳狀態(tài)如表2-2所示。表2-2外部引腳圖模式空閑模式空閑模式掉電模式掉電模式程序存儲(chǔ)器內(nèi)部外部?jī)?nèi)部外部ALE1100模式空閑模式空閑模式掉電模式掉電模式PROG1100P0數(shù)據(jù)浮空數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)P1數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)P2數(shù)據(jù)地址數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)P3浮空數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)2.7AT89C51的極限參數(shù)．工作溫度：-55℃～+125．儲(chǔ)藏溫度：-65℃～＋15第3章溫度控制系統(tǒng)的器件介紹3.1溫度傳感器Dallas半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的數(shù)字化溫度傳感器DS18B20是世界上第一片支持“一線總線〞接口的溫度傳感器?！耙痪€總線〞接口芯片獨(dú)特而且經(jīng)濟(jì)，使戶可以輕松的組建傳感器網(wǎng)絡(luò)，為測(cè)量系統(tǒng)的構(gòu)建引入全新概念。DS18B20、

DS1822

“一線總線〞數(shù)字化溫度傳感器

同DS1820一樣，DS18B20也

支持“一線總線〞接口，測(cè)量溫度范圍為

-55°C~+125°C，在-10~+85°C范圍內(nèi),精度為±0.5°C。DS1822的精度較差為±

2°C

?，F(xiàn)場(chǎng)溫度直接以“一線總線〞的數(shù)字方式傳輸，大大提高了系統(tǒng)的抗干擾性。適合于惡劣環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)溫度測(cè)量，如：環(huán)境控制、設(shè)備或過(guò)程控制、測(cè)溫類消費(fèi)電子產(chǎn)品等。與前一代產(chǎn)品不同，新的產(chǎn)品支持3V～5.5V的電壓范圍，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)更靈活、方便。而且新一代產(chǎn)品更廉價(jià)，體積更小。

DS18B20、

DS1822

的特性

DS18B20可以程序設(shè)定9～12位的分辨率，精度為±0.5°C?？蛇x更小的封裝方式，更寬的電壓適用范圍。分辨率設(shè)定，及用戶設(shè)定的報(bào)警溫度存儲(chǔ)在EEPROM中，掉電后依然保存。DS18B20的性能是新一代產(chǎn)品中最好的！性能價(jià)格比也非常出色！

DS1822與

DS18B20軟件兼容，是DS18B20的簡(jiǎn)化版本。省略了存儲(chǔ)用戶定義報(bào)警溫度、分辨率參數(shù)的EEPROM，精度降低為±2°C，適用于對(duì)性能要求不高，本錢控制嚴(yán)格的應(yīng)用，是經(jīng)濟(jì)型產(chǎn)品。

繼“一線總線〞的早期產(chǎn)品后，DS1820開辟了溫度傳感器技術(shù)的新概念。DS18B20和DS1822使電壓、特性及封裝有更多的選擇，讓我們可以構(gòu)建適合自己的經(jīng)濟(jì)的測(cè)溫系統(tǒng)。主要特性DS18xx傳統(tǒng)特性。．測(cè)量范圍-55°C~+125°C。．-10~+85°C范圍內(nèi)精度為±0.5°C〔DS1822除外〕．用戶可自定義的EEPROM，設(shè)定的報(bào)警溫度存在EEPROM〔DS1822除外〕．無(wú)需外部元件．“一線總線〞特征．獨(dú)特的電源和信號(hào)復(fù)合在一起．僅使用一條口線．每個(gè)芯片惟一編碼，支持聯(lián)網(wǎng)尋址．簡(jiǎn)單的網(wǎng)絡(luò)化的溫度感知．零功耗等待DS18B20的新性能如下：．可用數(shù)據(jù)線供電．可測(cè)溫范圍-55°C~+125°C，在-10~+85°C范圍內(nèi)精度為±0.5°C．可編程分辨率9~12位，可分辨溫度分別為0.5°C、0.25°C、0.．負(fù)壓特性，電源極性接反時(shí)，溫度計(jì)不會(huì)因發(fā)燒而燒毀，但不能正常工作。．溫度轉(zhuǎn)換時(shí)間由DS18的2s降為750ms，且靈敏度大為提高，在逐漸升。溫的水中與精度為±0.5°C的溫度計(jì)幾乎同步，且回復(fù)性很好。．每個(gè)芯片惟一編碼管腳圖及管腳說(shuō)明1.管腳圖該系列產(chǎn)品采用DSOC、SOIC和TO-92等3中不同的封裝形式。DS18B20的TO-92封裝管腳圖如圖2-1所示。圖3-1TO-92封裝管腳圖DS18B20的TO-92封裝管腳圖如圖2-3所示。

圖3-2TO-92封裝管腳圖〔2〕管腳定義DS18B20的管腳定義如表3-1所示。表3-1DS18B20的管腳定義TO-29封裝名稱功能1GND接地2DQ輸入/輸出3VDD電源內(nèi)部功能框圖DS18B20內(nèi)部功能如圖2-4所示，主要由如下4局部組成。6464–BITROMAND1-WIREPORTMEMORYANDCONTROLLOGICSCRATCHPADTEMPERATURESENSORHIGHTEMPERATURELOWTEMPERATURECONFIGURATIONRFGISTF8-BITCRCGENERATORPOWERSUPPLYSENSE圖3-3內(nèi)部功能框圖．64位ROM．溫度傳感器．非揮發(fā)的溫度報(bào)警觸發(fā)器TH和TL．配置存放器ROM中的64位序列號(hào)是出廠前被刻上去的，它可以看作是該DS18B20的地址序列碼，每個(gè)DS18B20的序列號(hào)均不相同。64位循環(huán)冗余校驗(yàn)碼的特征多項(xiàng)式為CRC=X8+X5+X4+1。ROM的作用是使每一個(gè)DS18B20都不相同，這樣就可以實(shí)現(xiàn)一根總線上掛接多個(gè)DS18B20的目的。DS18B20中的溫度傳感器完成多溫度的測(cè)量。上下溫報(bào)警觸發(fā)器TH和TL、配置存放器均由一個(gè)字節(jié)的EEPROM組成，使用一個(gè)存放器功能命令可對(duì)TH、TL或配置存放器寫入工作特性DS18B20的主要技術(shù)參數(shù)如下。．輸入通道數(shù)．測(cè)量精度：-10~+85°C范圍內(nèi)根本測(cè)量精度±5℃．設(shè)定精度：與顯示值一致，無(wú)相對(duì)誤差。．顯示：2位LED 通道號(hào)顯示；4位LED測(cè)量值顯示各通道報(bào)警狀態(tài)指示燈。．告警方式：4種告警方式。2點(diǎn)公用告警繼電器輸出。．多點(diǎn)控制繼電器輸出〔擴(kuò)展功能〕。．告警輸出接點(diǎn)容量：AC250V、2A〔阻值負(fù)載〕。．電源V0：AC187V~242V，耗電量10VA以下。．電壓V1：DC20~28V，耗電量8VA以下。．工作環(huán)境：0~50℃．DS18B20的推薦工作范圍如表3-2所示。表3-2推薦的工作范圍參數(shù)名稱條件最小值典型值最大值單位供電電壓VDD局部供電-V數(shù)據(jù)針DQ--V邏輯1VIH--V邏輯0VIL--V．DS18B20電氣特性如表3-3所示。表3-3電氣特性名稱條件最小值典型值最大值單位tERR-10℃~+--±℃-55℃~+--±2-VIH局部供電-VVIL--VILVIO--mAIDDS--7501000nAIDD--1mAIDQ--5-uA．DS18B20的時(shí)間特性如表3-4所示表3-4時(shí)間特性名稱條件最小值典型值最大值單位tWR--210mstCONV9Bit--ms10Bit11Bit--375-12Bit--750-tSLOT-60-120ustREC-1--ustLOW0-60-120us續(xù)表名稱條件最小值典型值最大值單位tLOW1-1-15ustRDV15ustRSTH-480--ustRSTL-480--ustPDHIGH-15-60ustPDLOW-60-240us應(yīng)用介紹1.DS18B20的溫度計(jì)算DS18B20中的溫度傳感器完成對(duì)溫度的測(cè)量，用16位符號(hào)擴(kuò)展的二進(jìn)制補(bǔ)碼讀數(shù)形式提供，以℃/LSB形式表達(dá)，其中S為符號(hào)位，溫度值和二進(jìn)制輸出對(duì)照表如表3-5所示。例如，+125℃的數(shù)字輸出為07D0H，+℃的數(shù)字輸出為0191H，℃的數(shù)字輸出為FF6FH,-55表3-5溫度值和二進(jìn)制輸出對(duì)照表溫度二進(jìn)制輸出十六進(jìn)制輸出+125000001111101000007D0H+8500000101010100000550H+℃00000001100100010191H+℃000000001010001000A2H+℃00000000000010000008H000000000000000000000H℃1111111111111000FFF8H℃1111111101011110FF5EH℃1111111001101111FE6FH-551111110010010000FC90H溫度存放器的復(fù)位值是+85．DS18B20的數(shù)據(jù)格式如表3-6所示。表3-6DS18B20的數(shù)據(jù)格式BitBit7Bit6Bit5Bit4Bit3Bit2Bit1Bit0LSByte232221202-12-22-32-4Bit15Bit14Bit13Bit12Bit11Bit10Bit9Bit8MSByteSSSSS262524這是轉(zhuǎn)化得到的12位數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)在18B20的兩個(gè)8比特的RAM中，二進(jìn)制中的前面5位是符號(hào)位，如果測(cè)得的溫度大于0，這5位為0，只要將測(cè)到的數(shù)值乘以0.0625,即可得到實(shí)際溫度；如果溫度小于0，這5位為1，測(cè)到的數(shù)值需要取反加1再乘以0.0625，即可得到實(shí)際溫度。2.DS18B20溫度傳感器的存儲(chǔ)器

DS18B20溫度傳感器的內(nèi)部存儲(chǔ)器包括一個(gè)高速暫存RAM和一個(gè)非易失性的可擦除的E2RAM，后者存放高溫度和低溫度觸發(fā)器TH、TL和結(jié)構(gòu)存放器暫存存儲(chǔ)器包含了8個(gè)連續(xù)字節(jié)，前兩個(gè)字節(jié)是測(cè)得的溫度信息，第一個(gè)字節(jié)的內(nèi)容是溫度的低八位，第二個(gè)字節(jié)是溫度的高八位。第三個(gè)和第四個(gè)字節(jié)是TH、TL的易失性拷貝，第五個(gè)字節(jié)是結(jié)構(gòu)存放器的易失性拷貝，這三個(gè)字節(jié)的內(nèi)容在每一次上電復(fù)位時(shí)被刷新。第六、七、八個(gè)字節(jié)用于內(nèi)部計(jì)算。第九個(gè)字節(jié)是冗余檢驗(yàn)字節(jié)。DS18B20的存放器在器件內(nèi)部的分布如表3-7所示。表3-7DS18B20暫存存放器分布存放器內(nèi)存字節(jié)地址溫度最低數(shù)字位0溫度最高數(shù)字位1高溫限值2低溫限值3保存4保存5計(jì)數(shù)剩余值6每度計(jì)數(shù)值7CRC校驗(yàn)8第五個(gè)字節(jié)是器件的配置存放器，其各位的意義為：TM-R1-R0-1-1-1-1-1。低五位都是1，TM是測(cè)試模式位，用于設(shè)置DS18B20在工作模式還是在測(cè)試模式。在DS18B20出廠時(shí)該位被設(shè)置為0，用戶不要去改動(dòng)。R1和R0用來(lái)設(shè)置分辨率〔DS18B20出廠時(shí)被設(shè)置位12位〕，DS18B20的分辨率設(shè)置如表3-8所示。表3-8分辨率設(shè)置表R1R0分辨率溫度最大轉(zhuǎn)換時(shí)間009位0110位187.5ms1011位375ms1112位750ms根據(jù)DS18B20的通訊協(xié)議，主機(jī)控制DS18B20完成溫度轉(zhuǎn)換必須經(jīng)過(guò)三個(gè)步驟：．每一次讀寫之前都要對(duì)DS18B20進(jìn)行復(fù)位。．復(fù)位成功后發(fā)送一條ROM指令。．最后發(fā)送RAM指令。這樣才能對(duì)DS18B20進(jìn)行預(yù)定的操作。復(fù)位要求主CPU將數(shù)據(jù)線下拉500微秒，然后釋放，DS18B20收到信號(hào)后等待16～60微秒左右，后發(fā)出60～240微秒的存在低脈沖，主CPU收到此信號(hào)表示復(fù)位成功。對(duì)ROM操作時(shí)，采用如表3-9所示的代碼。表3-9對(duì)ROM操作的代碼數(shù)指令約定代碼功能讀ROM33H讀DS18B20ROM中的編碼〔即讀64位地址〕符合ROM55H發(fā)出此命令后，接著發(fā)出64位ROM編碼，訪問(wèn)單線上與該編碼相對(duì)應(yīng)的DS18B20使之做出反響，為下一步對(duì)該DS18B20的讀寫做準(zhǔn)備搜索ROM0F0H用于確定掛接在同一總線上DS18B20的個(gè)數(shù)和識(shí)別64位ROM地址，為操作各器件做好準(zhǔn)備跳過(guò)ROM0CCH忽略64位ROM地址，直接向DS18B20發(fā)濕度變換命令，適用于單機(jī)工作告警搜索命令0ECH執(zhí)行后，只有溫度超過(guò)設(shè)定值上限或下限的片子才做出響應(yīng)對(duì)存放器操作的代碼表如表3-10所示，表中還包括啟動(dòng)溫度轉(zhuǎn)換和讀供電方式的指令。表3-10對(duì)存放器操作的代碼表指令約定代碼功能溫度變換44H啟動(dòng)DS18B20進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換，轉(zhuǎn)換時(shí)間最長(zhǎng)為500ms〔典型為200ms〕，結(jié)果存入內(nèi)部9字節(jié)RAM中讀暫存器0BEH讀內(nèi)部RAM中9字節(jié)的內(nèi)容寫暫存器4EH讀內(nèi)部RAM的第3、4字節(jié)寫上、下限溫度數(shù)據(jù)命令，緊跟該命令之后，是傳送兩字節(jié)的數(shù)據(jù)復(fù)制暫存器48H將RAM中第3、4字節(jié)內(nèi)容復(fù)制到E2PRAM中重調(diào)E2PRAM0B8H將E2PRAM中內(nèi)容恢復(fù)到RAM中的第3、4字節(jié)讀供電方式0B4H對(duì)DS18B20的供電模式，寄生供電時(shí)DS18B20發(fā)送“0〞，外接電源供電DS18B20發(fā)送“1〞DS1820使用中考前須知

DS1820雖然具有測(cè)溫系統(tǒng)簡(jiǎn)單、測(cè)溫精度高、連接方便、占用口線少等優(yōu)點(diǎn)，但在實(shí)際應(yīng)用中也應(yīng)注意以下幾方面的問(wèn)題：

(1)較小的硬件開銷需要相對(duì)復(fù)雜的軟件進(jìn)行補(bǔ)償，由于DS1820與微處理器間采用串行數(shù)據(jù)傳送，因此，在對(duì)DS1820進(jìn)行讀寫編程時(shí)，必須嚴(yán)格的保證讀寫時(shí)序，否那么將無(wú)法讀取測(cè)溫結(jié)果。在使用PL/M、C等高級(jí)語(yǔ)言進(jìn)行系統(tǒng)程序設(shè)計(jì)時(shí)，對(duì)DS1820操作局部最好采用匯編語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)。

(2)在DS1820的有關(guān)資料中均未提及單總線上所掛DS1820數(shù)量問(wèn)題，容易使人誤認(rèn)為可以掛任意多個(gè)DS1820，在實(shí)際應(yīng)用中并非如此。當(dāng)單總線上所掛DS1820超過(guò)8個(gè)時(shí)，就需要解決微處理器的總線驅(qū)動(dòng)問(wèn)題，這一點(diǎn)在進(jìn)行多點(diǎn)測(cè)溫系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)要加以注意。

(3)連接DS1820的總線電纜是有長(zhǎng)度限制的。試驗(yàn)中，當(dāng)采用普通信號(hào)電纜傳輸長(zhǎng)度超過(guò)50m時(shí)，讀取的測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)將發(fā)生錯(cuò)誤。當(dāng)將總線電纜改為雙絞線帶屏蔽電纜時(shí)，正常通訊距離可達(dá)150m，當(dāng)采用每米絞合次數(shù)更多的雙絞線帶屏蔽電纜時(shí)，正常通訊距離進(jìn)一步加長(zhǎng)。這種情況主要是由總線分布電容使信號(hào)波形產(chǎn)生畸變?cè)斐傻摹Ｒ虼?，在用DS1820進(jìn)行長(zhǎng)距離測(cè)溫系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)要充分考慮總線分布電容和阻抗匹配問(wèn)題。

(4)在DS1820測(cè)溫程序設(shè)計(jì)中，向DS1820發(fā)出溫度轉(zhuǎn)換命令后，程序總要等待DS1820的返回信號(hào)，一旦某個(gè)DS1820接觸不好或斷線，當(dāng)程序讀該DS1820時(shí)，將沒有返回信號(hào)，程序進(jìn)入死循環(huán)。這一點(diǎn)在進(jìn)行DS1820硬件連接和軟件設(shè)計(jì)時(shí)也要給予一定的重視。3.2光電耦合器MOC3041MOC3041器件由砷化硅發(fā)光二極管與執(zhí)行過(guò)零出發(fā)的雙向可控硅組成。輸入局部是一個(gè)砷化鎵發(fā)光二極管，在5~15mA正向電流的作用下發(fā)出足夠強(qiáng)度的紅外光去觸發(fā)輸出局部。輸出局部包括一個(gè)硅光敏雙向可控硅和過(guò)零觸發(fā)器。在紅外線的作用下，雙向可控硅可雙向?qū)?-11極限參數(shù)(TA=25℃參數(shù)符號(hào)數(shù)值單位紅外線發(fā)射二極管反向電壓VR6V正向連續(xù)電流IF60mA總功耗PD120mW輸出驅(qū)動(dòng)截止?fàn)顟B(tài)時(shí)的端電壓VDRM400V峰值重復(fù)浪涌電流ITDM1A總功耗PD150mW整個(gè)器件絕緣電壓VISO7500Vac(pk)總功耗PD250mW結(jié)溫范圍TJ-40～＋100℃工作環(huán)境溫度范圍TA-40～＋85℃貯藏溫度Tstg-40～＋150℃焊接溫度TL260℃絕緣電壓(VISO)是內(nèi)部器件介質(zhì)擊穿參數(shù)．在這里，１腳和２腳是公用的，４、5和6腳是公用的。3-12電學(xué)特性電學(xué)特性符號(hào)最小值典型值最大值單位輸入LED反向漏電流(VR=6V)IR100uA正向電壓(IF=30mA)VFV輸出檢測(cè)發(fā)光二極管兩個(gè)方向關(guān)閉漏電流IDRM12100nA導(dǎo)通狀態(tài)下峰值電壓VTM3Volts靜態(tài)電壓變化率Dv/dt10002000V/us耦合LED觸發(fā)電流IFTIFH15mA保持電流IH250uA絕緣電壓(f=60HZ,t=1sec)VISO7500Vac(pk)過(guò)零抑制電壓VIH520Volts截止?fàn)顟B(tài)下電流IDRM2500UA測(cè)試電壓必須與靜態(tài)電壓變化率相符合。3.3雙向可控硅BTA06型雙向可控硅主要用于變頻電路、電開工具開關(guān)、調(diào)溫電路、洗衣機(jī)、空調(diào)等。1、特點(diǎn)·可雙向觸發(fā)極大地方便了電流的控制·阻斷電壓高·通態(tài)壓降低·觸發(fā)可靠·封裝形式：TO-2202、電特性極限值(Ta=25℃)時(shí)的電特性表3-13電特性參數(shù)名稱符號(hào)額定值單位斷態(tài)重復(fù)鋒值電壓VDRM600V反向重復(fù)鋒值電壓VRRM600V通態(tài)平均電流IT〔AV〕6A通態(tài)不重復(fù)浪涌電流ITSM60A控制極平均功率Tj125℃貯存溫度Tstg-40～125℃表3-14電參數(shù)〔Ta=25℃參數(shù)名稱符號(hào)測(cè)試條件標(biāo)準(zhǔn)值單位最小典型最大通態(tài)峰值電壓VTMIT=10AV斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDRMVDRM=600V；RGK=1K歐姆20uA維持電流IHVD=12V；IGT=20mA關(guān)閉電流ILVD=12V；IGT=60mA電流上升速率dIT/dtIT=8A,IG=,dIG/dt=/uS50A/us電壓上升速率dVD/dtVDM=67％VDRM,RGK=1K歐姆,Tj=125℃50250V/us控制極觸發(fā)電壓VGTV控制極最大電流IGM2A控制極最高電壓VGM5V控制極觸發(fā)電流T2+G+T2+G-T2-G-T2-G+IGTVD=12VIT=35353570mA控制極觸發(fā)電壓T2-G-T2+G-T2-G-T2-G-VGTVD=12VRL=100V漏電流IDVD=VDRMmA3.574LS37474LS374為具有三態(tài)輸出的八D邊沿觸發(fā)器,其主要電器特性的典型值如下(不同廠家具體值有差異):表3-15電特性型號(hào)fmPD74LS37450MHz135mW74LS374的輸出端O0~O7可直接與總線相連。當(dāng)三態(tài)允許控制端OE為低電平時(shí)，O0~O7為正常邏輯狀態(tài)，可用來(lái)驅(qū)動(dòng)負(fù)載或總線。當(dāng)OE為高電平時(shí)，O0~O7呈高阻態(tài)，即不驅(qū)動(dòng)總線，也不為總線的負(fù)載，但鎖存器內(nèi)部的邏輯操作不受影響。當(dāng)時(shí)鐘端CP脈沖上升沿的作用下，O隨數(shù)據(jù)D而變。由于CP端施密特觸發(fā)器的輸入滯后作用，使交流和直流噪聲抗擾度被改善400mV。引出端符號(hào)：D0～D7數(shù)據(jù)輸入端OE三態(tài)允許控制端〔低電平有效〕CP時(shí)鐘輸入端O0~O7輸出端外部管腳圖：圖3-5外部管腳圖真值表表3-16真值表：DnLEOEOnH↑LHL↑LLXXHZ*邏輯圖：極限值:電源電壓：7V輸入電壓：7V輸出高阻態(tài)時(shí)高電平電壓：5.5V工作環(huán)境溫度：0~70℃存儲(chǔ)溫度：-65~150表3-17推薦工作條件：最小額定最大單位電源電壓VCC5V輸入高電平電壓ViH2V輸入低電平電壓ViLV輸入高電平電流IOHmA輸入低電平電流IOL24mA脈沖寬度tWCP(H)15nsCP(L)15保持時(shí)間tHD0↓ns建立時(shí)間tsetD20↓ns表3-18動(dòng)態(tài)特性(TA=25℃參數(shù)[2]測(cè)試條件最小最大單位fmaxVcc=5VRL=667歐姆CL=45pF75MHZtPLHCP到028nstPHL28tPZHOE到O0～O728nstPZL28tPHZOE到O0～O7CL=5pF20nstPLZ25[1]:測(cè)試條件中的“最小〞和“最大〞用推薦工作條件中的相應(yīng)值。動(dòng)態(tài)特性(TA=25℃)[2]tPLH輸出由低到高傳輸延遲時(shí)間tPHL輸出由高到低傳輸延遲時(shí)間tPZH輸出由高阻態(tài)到高允許時(shí)間tPZL輸出由高阻態(tài)到低允許時(shí)間tPHZ輸出由高到高阻態(tài)禁止時(shí)間tPLZ輸出由低到高阻態(tài)禁止時(shí)間表3-19靜態(tài)特性〔TA為工作環(huán)境溫度范圍〕參數(shù)測(cè)試條件[1]最小最大單位VIk輸入嵌位電壓Vcc=最小，Iik=-18mAVVOH輸出高電平電壓Vcc=最小,VIL=最大,VIH=2V,IOH=最大VVOL輸出低電平電壓Vcc=最小,VIL=最大,VIH=2V,IOL=最大VII最大輸入電壓時(shí)輸入電流Vcc=最大mAVI=7VIIL輸入低電平電流Vcc=最大mAIIH輸入高電平電流20uAIOS輸出短路電流Vcc=最大-30-130mAIcc電源電流40mA續(xù)表參數(shù)測(cè)試條件[1]最小最大單位IOZH輸出高阻態(tài)時(shí)高電平電流Vcc=最大,VIH=2VV0mAV020IOZL輸出高阻態(tài)時(shí)低電平電流Vcc=最大,VIH=2VV0mAV0-203.474LS0874LS08為四組2輸入端與門〔正邏輯〕，其主要電特性的典型值如下:表3-20電特性tPLHtPHLPD8ns10ns17mW引出端符號(hào)：1A—4A輸入端1B—4B輸入端邏輯圖：1Y—4Y輸出端雙列直插封裝圖3-4引腳圖極限值：電壓電壓：7V；輸入電壓：7VA—輸出截止態(tài)電壓:7V工作環(huán)境溫度：0~70℃；存儲(chǔ)溫度：-65~功能表：表3-21真值表Y=ABInputsOutputABYLLLLHLHLLHHH表3-22推薦工作條件：最小額定最大單位電源電壓VCC5V輸入高電平電壓ViH2V輸入低電平電壓ViLV輸出高電平電流IOH-400uA輸出低電平電流IOL8mA表3-23靜態(tài)特性〔TA為工作環(huán)境溫度范圍〕參數(shù)測(cè)試條件[1]小最大單位VIk輸入嵌位電壓Vcc=最小，Iik=-12mAVIik=-18mAVOH輸出高電平電壓Vcc=最小,VIH=2V,IOH=最大VVOL輸出低電平電壓Vcc=最小,VIL=最大,IOL=最大VII最大輸入電壓時(shí)輸入電流Vcc=最大mAVI=7VIIH輸入高電平電流Vcc=最大mA20IIL輸入低電平電流Vcc=最大uAIOS輸出短路電流Vcc=最大-20-100mAICCH輸出高電平時(shí)電源電流Vcc=最大mAICCL輸出低電平時(shí)電源電流Vcc=最大mA[1]:測(cè)試條件中的“最小〞和“最大〞用推薦工作條件中的相應(yīng)值。表3-24動(dòng)態(tài)特性(TA=25℃)參數(shù)測(cè)試條件最大單位tPLH輸出由低到高傳輸延遲時(shí)間Vcc=5V,CL=15Pf,RL=2K歐姆15nstPHL輸出由高到低傳輸延遲時(shí)間20ns3.474LS0274LS02為四組2輸入端或非門〔正邏輯〕，其主要電特性的典型值如下:表3-25電特性tPLHtPHLPD8ns10ns11mW引出端符號(hào)：1A—4A輸入端1B—4B輸入端1Y—4Y輸出端功能表：表3-26真值表Y=A+BInputsOutputABYLLHLHLHLLHHL邏輯圖：雙列直插封裝極限值：電壓電壓：7V輸入電壓：7V工作環(huán)境溫度：0~70℃存儲(chǔ)溫度：-65~150表3-27推薦工作條件最小額定最大單位電源電壓VCC5V輸入高電平電壓ViH2V輸入低電平電壓ViLV輸出高電平電流IOH-400uA輸出低電平電流IOL8mA表3-28靜態(tài)特性〔TA為工作環(huán)境溫度范圍〕參數(shù)測(cè)試條件[1]最小最大單位VIk輸入嵌位電壓Vcc=最小Iik=-12mAVIik=-18mAVOH輸出高電平電壓Vcc=最小,VIL=2V,IOH=最大VVOL輸出低電平電壓Vcc=最小,VIH=最大,IOL=最大VII最大輸入電壓時(shí)輸入電流Vcc=最大mAVI=7VIIH輸入高電平電流Vcc=最大mA20IIL輸入低電平電流Vcc=最大uAIOS輸出短路電流Vcc=最大-20-100mAICCH輸出高電平時(shí)電源電流Vcc=最大mAICCL輸出低電平時(shí)電源電流Vcc=最大mA[1]:測(cè)試條件中的“最小〞和“最大〞用推薦工作條件中的相應(yīng)值。表3-29動(dòng)態(tài)特性(TA=25℃參數(shù)測(cè)試條件最大單位tPLH輸出由低到高傳輸延遲時(shí)間Vcc=5V,CL=45Pf,RL=2K歐姆15nstPHL輸出由高到低傳輸延遲時(shí)間15ns第4章硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)4.1單片機(jī)控制電路的設(shè)計(jì)顯示器及接口1.LED結(jié)構(gòu)與原理LED顯示塊是由發(fā)光二極管顯示字段的顯示器件。在單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中通常使用的是7段LED。這種顯示塊共有共陽(yáng)極和共陰極兩種，本設(shè)計(jì)采用共陰極LED顯示塊的發(fā)光二極管與陽(yáng)極并接，如圖4.1所示。圖3.1LED顯示塊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)通常的7段顯示塊中共有8個(gè)發(fā)光二極管，其中7個(gè)發(fā)光二極管構(gòu)成7筆字形“8〞，一個(gè)發(fā)光二極管構(gòu)成小數(shù)點(diǎn)。7段顯示塊與單片機(jī)接口非常容易。只要將一個(gè)8位并行輸出口不同的字節(jié)數(shù)據(jù)即可獲得不同的數(shù)字或字符，如表3-1所示。通常將控制發(fā)光二極管的8位字節(jié)數(shù)據(jù)稱為段選碼。表4-1LED顯示塊功能表顯示字符共陰極段選碼顯示字符共陰極段選碼03FHCC6H106HDA1H25BHE86H34FHB83H466HF8EH56DHP8CH67DHUC1H707HLCEH87FHY91H96FHA77H2.LED顯示器接口由LED的結(jié)構(gòu)及工作原理可知，要想在LED上顯示數(shù)據(jù)或字母，那么首先必須要把待顯示的數(shù)據(jù)或字母轉(zhuǎn)換成LED的7位顯示代碼，方可顯示相應(yīng)的數(shù)字和字母。本設(shè)計(jì)采用74LS374驅(qū)動(dòng)LED。其引腳分布如圖3-2所示。74LS374為具有三態(tài)輸出的八D邊沿觸發(fā)器,可用來(lái)驅(qū)動(dòng)負(fù)載或總線。其中，O0~O7為輸出端；D0～D7為輸入端；OE為三態(tài)允許控制端〔低電平有效〕；CP時(shí)鐘輸入端，當(dāng)三態(tài)允許控制端OE為低電平時(shí)，O0~O7為正常邏輯狀態(tài)；當(dāng)OE為高電平時(shí)，O0~O7呈高阻態(tài)，即不驅(qū)動(dòng)總線，也不為總線的負(fù)載，但鎖存器內(nèi)部的邏輯操作不受影響。當(dāng)時(shí)鐘端CP脈沖上升沿的作用下，輸出隨輸入而變。由于CP端施密特觸發(fā)器的輸入滯后作用，使交流和直流噪聲抗擾度被改善400mV。使用時(shí)，只要將輸入端與單片機(jī)的P0口相連，而74LS374的輸出直接與LED的a～g相接，便可實(shí)現(xiàn)數(shù)碼管的顯示，圖4-1所示圖4-1采用74LS374驅(qū)動(dòng)的顯示電路圖報(bào)警系統(tǒng)的設(shè)計(jì)本設(shè)計(jì)采用4只發(fā)光二極管輸出報(bào)警，顯示報(bào)警的有電源狀態(tài)、加熱狀態(tài)、保溫狀態(tài)和上檔狀態(tài)4個(gè)，因此只需在單片機(jī)的P1.4—P1.7分別接上4只發(fā)光二極管，單片機(jī)即可根據(jù)不同的情況輸出相應(yīng)的狀態(tài)。如圖4-2所示。圖4-2報(bào)警電路鍵盤的設(shè)置本設(shè)計(jì)采用簡(jiǎn)單的按鍵控制，鍵盤的設(shè)置如圖4-3所示，1號(hào)鍵為溫度設(shè)定/確定設(shè)定控制鍵；2號(hào)鍵為上下檔/顯示設(shè)定溫度控制鍵；3號(hào)鍵為調(diào)節(jié)溫度上升/下降控制鍵；4號(hào)鍵為調(diào)節(jié)溫度右移/左移控制鍵。上檔時(shí)，標(biāo)志燈亮，再次按1號(hào)鍵時(shí)為確定設(shè)定溫度；在沒有設(shè)定溫度時(shí)，按2號(hào)鍵為顯示所設(shè)定的溫度；在設(shè)定為上檔/下檔溫度時(shí)，按奇次為上檔，按偶次為下檔；此時(shí)應(yīng)注意：在設(shè)定溫度時(shí)，必須首先按下1號(hào)鍵，3號(hào)和4號(hào)才有效。圖4-3按鍵開關(guān)電路圖控制電路原理圖圖4-4控制電路原理圖控制電路的工作原理控制電路如圖3-3所示，主要是由按鍵開關(guān)S1～S4，單片機(jī)AT89C51，鎖存器74LS374，LED顯示器構(gòu)成。其工作過(guò)程如下：通過(guò)鍵盤接口設(shè)置溫度的上下限數(shù)值，設(shè)定完畢后程序會(huì)實(shí)時(shí)查詢當(dāng)時(shí)的環(huán)境溫度是否超出設(shè)置的上下限溫度數(shù)值。如果超出會(huì)報(bào)警且將負(fù)載切斷，停止其工作。其中，S1～S4按鍵的一端接地，另一端與AT89C51連接，S3、S4與門74LS08連接，當(dāng)S3、S4按鍵的任何一個(gè)一位按下時(shí)，與門74LS08的8腳輸出都顯示低電平使單片機(jī)中斷，、、P3.6控制端輸出高電平，通過(guò)或非門74LS02使鎖存器處于下降沿，表示單片機(jī)可以向鎖存器發(fā)送數(shù)據(jù)，但是74LS374沒有輸出，因?yàn)樘幱谙陆禃r(shí)鎖存。此時(shí)只要將要顯示的數(shù)據(jù)的代碼經(jīng)鎖存器后，從輸出端O0～Ｏ7輸出，送LED顯示器顯示。調(diào)節(jié)按鍵S3、S4數(shù)字加一或移位，直到調(diào)到需要設(shè)置的溫度為止。4.2輸入通道的設(shè)計(jì)這局部電路完成的功能主要是：把非電物理量〔溫度量〕轉(zhuǎn)換成模擬電信號(hào)，再經(jīng)A/D轉(zhuǎn)換為數(shù)字量，然后送入單片機(jī)。溫度傳感器的選擇溫度傳感器性能的好壞、精確度等直接影響測(cè)量以及控制的結(jié)果，因此，這是很重要的局部?？紤]到本設(shè)計(jì)的要求，在這里我們采用新型的單片數(shù)字溫度傳感器DS18B20，DS18B20支持“一線總線〞接口，測(cè)量溫度范圍為

-55°C~+125°C，在-10~+85°C范圍內(nèi),精度為±0.5°C?，F(xiàn)場(chǎng)溫度直接以“一線總線〞的數(shù)字方式傳輸，大大提高了系統(tǒng)的抗干擾性。適合于惡劣環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)溫度測(cè)量。電路設(shè)計(jì)及工作原理輸入通道主要由溫度傳感器DS18B20組成，此電路工作過(guò)程為：溫度傳感器將溫度信號(hào)進(jìn)行采樣，并通過(guò)物理量/模擬量轉(zhuǎn)換、A/D轉(zhuǎn)換等功能，直接輸出數(shù)字信號(hào)。并將此數(shù)字信號(hào)通過(guò)P3.0口(RXD)送入單片機(jī)，由單片機(jī)進(jìn)行處理。其原理圖如4-5所示圖4-5輸入通道設(shè)計(jì)4.3加熱驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)本設(shè)計(jì)通過(guò)中間驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)單片機(jī)對(duì)功率設(shè)備工作狀態(tài)的控制。實(shí)際應(yīng)用中，通常采用繼電器或交流接觸器間接驅(qū)動(dòng)。由于繼電器或交流接觸器具有機(jī)械接觸特點(diǎn)，因而很大程度上降低了控制系統(tǒng)整體的穩(wěn)定性和可靠性。為了防止機(jī)械接觸開關(guān)的缺點(diǎn)，本系統(tǒng)選用以可控硅為主體的完全光電隔離的中間驅(qū)動(dòng)電路。可控硅是大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件。能在高電壓、大電流條件下工作，具有無(wú)器械接觸、體積小、便于安裝等優(yōu)點(diǎn)。加熱驅(qū)動(dòng)電路示意圖如圖4-6所示。圖4-6加熱電路AT89C51根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)溫度的和用戶設(shè)定的目標(biāo)溫度進(jìn)行比擬，根據(jù)比擬的結(jié)果，通過(guò)P3.1口控制光電耦合器MOC3041的截止和導(dǎo)通。假設(shè)輸出為低電平，通過(guò)限流保護(hù)器R8，雙向光電耦合器上電工作，雙向可控硅BTA06柵極被經(jīng)由R8和雙向耦合器的信號(hào)觸發(fā)導(dǎo)通，加熱電路得電工作；假設(shè)輸出為高電平，雙向光電耦合器截止，雙向可控硅BTA06柵極無(wú)觸發(fā)信號(hào)被關(guān)斷，加熱電路斷電停止工作。電阻確實(shí)定：R8為限流電阻,使輸入的LED電流分別為15mA，R8可按下式計(jì)算:R1=(VCC-VF)/IFT=式中:VF為紅外發(fā)光二極管的正向電壓,可取1.2～1.4V;IFT為紅外發(fā)光二極管觸發(fā)電流。R2是雙向可控硅的門極電阻,當(dāng)可控硅靈敏度較高時(shí),門極阻抗也很高,并上R2可提高抗干擾能力。R3是觸發(fā)功率雙向可控硅的限流電阻,其值由交流電網(wǎng)電壓峰值及觸發(fā)器輸出端允許重復(fù)沖擊電流峰值決定,可按下式選取:R2=VP/ITSM式中:VP為交流電路中的峰值電壓。ITSM為峰值重復(fù)浪涌電流(一般可取1A)。另外電阻R11和0.01μF電容組成浪涌吸收電路,防止浪涌電壓損壞雙向可控硅參考文獻(xiàn)[2]王芳.電子線路Protel99SE實(shí)用教程[M].長(zhǎng)沙：中南大學(xué)出版社.2005[8][美]ThomasH.lee.TheDesignofCMOSRadio-FrequencyIntegratedCircuitsSecondEdition[M].北京：電子工業(yè)出版社.2005.原文已完。下文為附加文檔，如不需要，下載后可以編輯刪除，謝謝！施工組織設(shè)計(jì)本施工組織設(shè)計(jì)是本著“一流的質(zhì)量、一流的工期、科學(xué)管理〞來(lái)進(jìn)行編制的。編制時(shí)，我公司技術(shù)開展部、質(zhì)檢科以及工程部經(jīng)過(guò)精心研究、合理組織、充分利用先進(jìn)工藝，特制定本施工組織設(shè)計(jì)。工程概況：西夏建材城生活區(qū)27#、30#住宅樓位于銀川市新市區(qū)，橡膠廠對(duì)面。本工程由寧夏燕寶房地產(chǎn)開發(fā)開發(fā)，銀川市規(guī)劃建筑設(shè)計(jì)院設(shè)計(jì)。本工程耐火等級(jí)二級(jí)，屋面防水等級(jí)三級(jí)，地震防烈度為8度，設(shè)計(jì)使用年限50年。本工程建筑面積:27#m2;30#m2。室內(nèi)地坪±m(xù)為準(zhǔn)，總長(zhǎng)27#m；30#m。總寬27#m；30#m。設(shè)計(jì)室外地坪至檐口高度18.600m，呈長(zhǎng)方形布置，東西向，三個(gè)單元。本工程設(shè)計(jì)屋面為坡屋面防水采用防水涂料。外墻水泥砂漿抹面，外刷淺灰色墻漆。內(nèi)墻面除衛(wèi)生間200×300瓷磚，高到頂外，其余均水泥砂槳罩面，刮二遍膩?zhàn)?；樓梯間內(nèi)墻采用50厚膠粉聚苯顆粒保溫。地面除衛(wèi)生間200×200防滑地磚，樓梯間50厚細(xì)石砼1：1水泥砂漿壓光外，其余均采用50厚豆石砼毛地面。樓梯間單元門采用樓宇對(duì)講門，臥室門、衛(wèi)生間門采用木門，進(jìn)戶門采用保溫防盜門。本工程窗均采用塑鋼單框雙玻窗，開啟窗均加紗扇。本工程設(shè)計(jì)為節(jié)能型住宅，外墻均貼保溫板。本工程設(shè)計(jì)為磚混結(jié)構(gòu)，共六層。根底采用C30鋼筋砼條形根底，上砌MU30毛石根底，砂漿采用M10水泥砂漿。一、二、三、四層墻體采用M10混合砂漿砌筑MU15多孔磚；五層以上采用M混合砂漿砌筑MU15多孔磚。本工程結(jié)構(gòu)中使用主要材料：鋼材：=1\*ROMANI級(jí)鋼，=2\*ROMANII級(jí)鋼；砼：根底墊層C10，根底底板、地圈梁、根底構(gòu)造柱均采用C30，其余均C20。本工程設(shè)計(jì)給水管采用PPR塑料管，熱熔連接；排水管采用UPVC硬聚氯乙烯管，粘接；給水管道安裝除立管及安裝IC卡水表的管段明設(shè)計(jì)外，其余均暗設(shè)。本工程設(shè)計(jì)采暖為鋼制高頻焊翅片管散熱器。本工程設(shè)計(jì)照明電源采用BV－銅芯線，插座電源等采用BV－4銅芯線；除客廳為吸頂燈外，其余均采用座燈。施工部署及進(jìn)度方案1、工期安排本工程合同方案開工日期：2004年8月21日，竣工日期：2005年7月10日，合同工期315天。方案2004年9月15日前完成根底工程，2004年12月30日完成主體結(jié)構(gòu)工程，2005年6月20日完成裝修工種，安裝工程穿插進(jìn)行，于2005年7月1日前完成。具體進(jìn)度方案詳見附圖－1〔施工進(jìn)度方案〕。2、施工順序=1\*GB2⑴根底工程工程定位線〔驗(yàn)線〕→挖坑→釬探〔驗(yàn)坑〕→砂礫墊層的施工→根底砼墊層→刷環(huán)保瀝青→根底放線〔預(yù)檢〕→砼條形根底→刷環(huán)保瀝青→毛石根底的砌筑→構(gòu)造柱砼→地圈梁→地溝→回填工。=2\*GB2⑵結(jié)構(gòu)工程結(jié)構(gòu)定位放線〔預(yù)檢〕→構(gòu)造柱鋼筋綁扎、定位〔隱檢〕→磚墻砌筑〔＋50cm線找平、預(yù)檢〕→柱梁、頂板支模〔預(yù)檢〕→梁板鋼筋綁扎〔隱檢、開盤申請(qǐng)〕→砼澆筑→下一層結(jié)構(gòu)定位放線→重復(fù)上述施工工序直至頂。=3\*GB2⑶內(nèi)裝修工程門窗框安裝→室內(nèi)墻面抹灰→樓地面→門窗安裝、油漆→五金安裝、內(nèi)部清理→通水通電、竣工。=4\*GB2⑷外裝修工程外裝修工程遵循先上后下原那么，屋面工程〔包括煙道、透氣孔、壓頂、找平層〕結(jié)束后，進(jìn)行大面積裝飾，塑鋼門窗在裝修中逐步插入。施工準(zhǔn)備現(xiàn)場(chǎng)道路本工程北靠北京西路，南臨規(guī)劃道路，交通較為方便。場(chǎng)內(nèi)道路采用級(jí)配砂石鋪墊，壓路機(jī)壓。機(jī)械準(zhǔn)備=1\*GB2⑴設(shè)2臺(tái)攪拌機(jī)，2臺(tái)水泵。=2\*GB2⑵現(xiàn)場(chǎng)設(shè)鋼筋切斷機(jī)1臺(tái)，調(diào)直機(jī)1臺(tái)，電焊機(jī)2臺(tái)，1臺(tái)對(duì)焊機(jī)。=3\*GB2⑶現(xiàn)場(chǎng)設(shè)木工鋸，木工刨各1臺(tái)。=4\*GB2⑷回填期間設(shè)打夯機(jī)2臺(tái)。=5\*GB2⑸現(xiàn)場(chǎng)設(shè)塔吊2臺(tái)。3、施工用電施工用電已由建設(shè)單位引入現(xiàn)場(chǎng)；根據(jù)工程特點(diǎn)，設(shè)總配電箱1個(gè)，塔吊、攪抖站、攪拌機(jī)、切斷機(jī)、調(diào)直機(jī)、對(duì)焊機(jī)、木工棚、樓層用電、生活區(qū)各配置配電箱1個(gè)；電源均采用三相五線制；各分支均采用鋼管埋地；各種機(jī)械均設(shè)置接零、接地保護(hù)。具體配電箱位置詳見總施工平面圖。施工用水施工用水采用深井水自來(lái)水，并砌筑一蓄水池進(jìn)行蓄水。樓層用水采用鋼管焊接給水管，每層留一出水口；給水管不置蓄水池內(nèi)，由潛水泵進(jìn)行送水。生活用水生活用水采用自來(lái)水。勞動(dòng)力安排=1\*GB2⑴結(jié)構(gòu)期間：瓦工40人；鋼筋工15人；木工15人；放線工2人；材料1人；機(jī)工4人；電工2人；水暖工2人；架子工8人；電焊工2人；壯工20人。=2\*GB2⑵裝修期間抹灰工60人；木工4人；油工8人；電工6人；水暖工10人。四、主要施工方法1、施工測(cè)量放線=1\*GB2⑴施工測(cè)量根本要求A、西夏建材城生活區(qū)17#、30#住宅樓定位依據(jù)：西夏建材城生活區(qū)工程總體規(guī)劃圖，北京路、規(guī)劃道路永久性定位B、根據(jù)工程特點(diǎn)及＜建筑工程施工測(cè)量規(guī)程＞DBI01－21－95，4、3、2條，此工程設(shè)置精度等級(jí)為二級(jí)，測(cè)角中誤差±12，邊長(zhǎng)相對(duì)誤差1/15000。C、根據(jù)施工組織設(shè)計(jì)中進(jìn)度控制測(cè)量工作進(jìn)度，明確對(duì)工程效勞，對(duì)工程進(jìn)度負(fù)責(zé)的工作目的。=2\*GB2⑵工程定位A、根據(jù)工程特點(diǎn)，平面布置和定位原那么，設(shè)置一橫一縱兩條主控線即27#樓：〔A〕軸線和〔1〕軸線；30#樓：〔A〕軸線和〔1〕軸線。根據(jù)主軸線設(shè)置兩條次軸線即27#樓：〔H〕軸線和〔27〕軸線；30#樓：〔H〕軸線和〔27〕軸線。B、主、次控軸線定位時(shí)均布置引樁，引樁采用木樁，后砌一水泥砂漿磚墩；并將軸線標(biāo)注在四周永久性建筑物或構(gòu)造物上，施測(cè)完成后報(bào)建設(shè)單位、監(jiān)理單位確認(rèn)后另以妥善保護(hù)。C、控軸線沿結(jié)構(gòu)逐層彈在墻上，用以控制樓層定位。D、水準(zhǔn)點(diǎn)：建設(shè)單位給定準(zhǔn)點(diǎn)，建筑物±.500m。=3\*GB2⑶根底測(cè)量A、在開挖前，基坑根據(jù)平面布置，軸線控制樁為基準(zhǔn)定出基坑長(zhǎng)、寬度，作為拉小線的依據(jù)；根據(jù)結(jié)構(gòu)要求，條基外側(cè)1100mm為砂礫墊層邊，考慮放坡，撒上白灰線，進(jìn)行開挖。B、在墊層上進(jìn)行根底定位放線前，以建筑物平面控制線為準(zhǔn)，校測(cè)建筑物軸線控制樁無(wú)誤后，再用經(jīng)緯儀以正倒鏡挑直法直接投測(cè)各軸線。C、標(biāo)高由水準(zhǔn)點(diǎn)引測(cè)至坑底。=4\*GB2⑷結(jié)構(gòu)施工測(cè)量A、首層放線驗(yàn)收后，主控軸一引至外墻立面上，作為以上務(wù)層主軸線豎身高以測(cè)的基準(zhǔn)。B、施工層放線時(shí)，應(yīng)在結(jié)構(gòu)平面上校投測(cè)軸線，閉合后再測(cè)設(shè)細(xì)部尺寸和邊線。C、標(biāo)高豎向傳遞設(shè)置3個(gè)標(biāo)高點(diǎn)，以其平均點(diǎn)引測(cè)水平線折平時(shí)，盡量將水準(zhǔn)儀安置在測(cè)點(diǎn)范圍內(nèi)中心位置，進(jìn)行測(cè)設(shè)。2、基坑開挖本工種設(shè)計(jì)地基換工，夯填砂礫墊層1100mm；根據(jù)此特點(diǎn)，采用機(jī)械大開挖，留200mm厚進(jìn)行挖工、鏟平。開挖時(shí)，根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)實(shí)際土質(zhì)，按標(biāo)準(zhǔn)要求1:0.33放坡，反鏟挖掘機(jī)挖土。開挖出的土，根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)實(shí)際情況，盡量留足需用的好土，多余土方挖出，防止二次搬運(yùn)。人工開挖時(shí)，由技術(shù)員抄平好水平控制小木樁，用方鏟鏟平。挖掘機(jī)挖土應(yīng)該從上而下施工，禁止采用挖空底腳的操作方法。機(jī)械挖土,先發(fā)出信號(hào)，挖土的時(shí)候，挖掘機(jī)操作范圍內(nèi)，不許進(jìn)行其他工作，裝土的時(shí)候，任何人都不能停留在裝土車上。3、砌筑工程=1\*GB2⑴材料磚：MU15多孔磚，毛石根底采用MU30毛石。砂漿：±0.00以下采用M10水泥砂漿，一、二、三、四層采用M10混合砂漿，五層以上采用M7.5混合砂漿。=2\*GB2⑵砌筑要求A、開工前由工長(zhǎng)對(duì)所管轄班組下發(fā)技術(shù)交底。B、砌筑前應(yīng)提前澆水濕潤(rùn)磚塊，水率保持在10％－15％。C、砌筑采用滿鋪滿擠“三一砌筑法“，要求灰漿飽滿，灰縫8－12mm。D、外墻轉(zhuǎn)角處應(yīng)同時(shí)砌筑，內(nèi)外墻交接處必須留斜槎，槎子長(zhǎng)度不小于墻體高度的2/3，槎子必須平直、通順。E、隔墻與墻不同時(shí)砌筑又不留成斜槎時(shí)可于墻中引出陽(yáng)槎或在墻的灰縫中預(yù)埋拉結(jié)筋，每道不少于2根。F、接槎時(shí)必須將外表清理干凈，澆水濕潤(rùn)，填實(shí)砂漿，保持灰縫平直。G、磚墻按圖紙要求每50mm設(shè)置2φ6鋼筋與構(gòu)造柱拉結(jié)，具體要求見結(jié)構(gòu)總說(shuō)明。H、施工時(shí)需留置臨時(shí)洞口，其側(cè)邊離交接處的墻面不少于500mm，頂部設(shè)邊梁。4、鋼筋工程=1\*GB2⑴凡進(jìn)場(chǎng)鋼筋須具備材質(zhì)證明，原材料須取樣試驗(yàn)，經(jīng)復(fù)試合格前方可使用。=2\*GB2⑵鋼筋綁扎前應(yīng)仔細(xì)對(duì)照?qǐng)D紙進(jìn)行翻樣，根據(jù)翻樣配料，施工前由工長(zhǎng)對(duì)所管轄班組下發(fā)技術(shù)交底，準(zhǔn)備施工工具，做好施工的準(zhǔn)備工作。=3\*GB2⑶板中受力鋼筋搭接，=1\*ROMANI級(jí)鋼30d，=2\*ROMANII級(jí)鋼40d，搭接位置：上部鋼筋在跨中1/3范圍內(nèi)，下部鋼筋在支座1/3范圍內(nèi)。=4\*GB2⑷鋼筋保護(hù)層：根底40mm，柱、梁30mm，板20mm。保護(hù)層采用50mm×50mm的水泥砂漿塊。板上部鋼筋用馬凳按梅花狀支起。=5\*GB2⑸所有鋼筋綁扎，須填寫隱檢記錄，質(zhì)評(píng)資料及目檢記錄，驗(yàn)收合格前方可進(jìn)行下道工序。5、砼工程=1\*GB2⑴水泥進(jìn)場(chǎng)后須做復(fù)試，經(jīng)復(fù)試合格后由試驗(yàn)室下達(dá)配合比。施工中嚴(yán)格掌握各種材料的用量，并在攪拌機(jī)前進(jìn)行標(biāo)識(shí)，注明每立方米、每盤用量。同時(shí)攪拌時(shí)，須車車進(jìn)磅，做好記錄。=2\*GB2⑵澆筑前，對(duì)模板內(nèi)雜物及油污、泥土清理干凈。=3\*GB2⑶投料順序：石子→水泥→砂子。=4\*GB2⑷本工程均采用插入式振搗器，一次澆筑厚度不宜超過(guò)振搗器作用局部長(zhǎng)度的倍，搗實(shí)砼的移動(dòng)間距不宜大于振搗器作用半徑的倍。=5\*GB2⑸砼澆筑后1晝夜?jié)菜B(yǎng)護(hù)，養(yǎng)護(hù)期不少于7d，砼強(qiáng)度未到達(dá)MPa之前不得上人作業(yè)。6、模板工程=1\*GB2⑴本工程模板采用鋼木混合模板。模板支搭的標(biāo)高、截面尺寸、平整度、垂直度應(yīng)到達(dá)質(zhì)量驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)，以滿足其鋼度，穩(wěn)定性要求。=2\*GB2⑵模板支撐應(yīng)牢固可靠，安裝進(jìn)程中須有防傾覆的臨時(shí)固定措施。=3\*GB2⑶本工程選用851脫模劑，每撤除一次模板經(jīng)清理后涂刷脫模劑，再重新組裝，以保證砼的外觀質(zhì)量。架子工程=1\*GB2⑴本工程采用雙排架子防護(hù)，外設(shè)立桿距墻2m，里皮距墻50cm，立桿間距，順?biāo)g距，間距不大于1m。=2\*GB2⑵架子底部夯實(shí)，墊木板，綁掃地桿。=3\*GB2⑶為加強(qiáng)架子的穩(wěn)定性，每七根立桿間設(shè)十字蓋，斜桿與地面夾角60o。=4\*GB2⑷為防止腳平架外傾，與結(jié)構(gòu)采用鋼性拉接，拉接點(diǎn)間距附和“垂四平六“的原那么。=5\*GB2⑸外防護(hù)架用閉目式平安網(wǎng)進(jìn)行封閉，兩平網(wǎng)塔接和網(wǎng)下口必須綁孔緊密。=6\*GB2⑹結(jié)構(gòu)架子高出作業(yè)層1m，每步架子滿鋪腳手板，要求嚴(yán)密牢固并嚴(yán)禁探頭板。裝飾工程裝飾工程施工前，要組織質(zhì)監(jiān)部門、建設(shè)、設(shè)計(jì)、施工單位四方參加的主體結(jié)構(gòu)工程核驗(yàn)收，對(duì)已完全體分部工程進(jìn)行全面檢查、發(fā)現(xiàn)問(wèn)題及時(shí)處理，去除隱患，并做好裝飾前材料、機(jī)具及技術(shù)準(zhǔn)備工作。1、根據(jù)預(yù)算所需材料數(shù)量，提出材料進(jìn)場(chǎng)日期，在不影響施工用料的原那么下，盡量減少施工用地，按照供料方案分期分批組織材料進(jìn)場(chǎng)。2、將墻面找方垂直線，清理基層，然后沖筋，按照?qǐng)D紙要求，分層找平垂直，陰陽(yáng)角度方正，然后拉線作灰餅。底子灰應(yīng)粘結(jié)牢固，并用刮杠刮平，木抹子抹平。3、罩面應(yīng)均勻一致，并應(yīng)在終凝前刮平壓光，上三遍灰抹子。4、油漆、涂料施工：油漆工程施工時(shí)，施工環(huán)境應(yīng)清潔干凈，待抹灰、樓地面工程全部完工前方可施工，油漆涂刷前被涂物的外表必須枯燥、清潔，刷漆時(shí)要多刷多理不流墜，到達(dá)薄厚均勻，色調(diào)一致，外表光亮。墻面涂料基層要求現(xiàn)整，對(duì)縫隙微小孔洞，要用膩?zhàn)诱移?，并用砂紙磨平。為了使顏色一致，?yīng)使用同一配合比的涂料，使用時(shí)涂料攪勻，方可涂刷，接槎外留在陰陽(yáng)角外必須保證涂層均勻一致外表不顯刷紋。樓地面工程樓地面工程只作50厚豆石砼墊層。做墊層必須先沖筋后做墊層，其平整度要控制在4mm以內(nèi)，加強(qiáng)養(yǎng)護(hù)4－5天后，才能進(jìn)行上層施工。10、層面工程1、屋面保溫層及找平層必須符合設(shè)計(jì)要求，防水采用防水卷材。2、做水泥砂漿找平層外表應(yīng)平整壓光，屋面與女兒墻交接處抹成R≥150mm圓角。3、本工程屋面材料防水，專業(yè)性強(qiáng)，為保證質(zhì)量，我們請(qǐng)專業(yè)人員作防水層。4、原材料在使用前經(jīng)化驗(yàn)合格后才能使用，不合格材料嚴(yán)禁使用。11、水、暖、電安裝工程=1\*GB2⑴管道安裝應(yīng)選用合格的產(chǎn)品，并按設(shè)計(jì)放線，坡度值及坡向應(yīng)符合圖紙和標(biāo)準(zhǔn)要求。=2\*GB2⑵水、暖安裝前做單項(xiàng)試壓，完畢后做通、閉水后試驗(yàn)和打壓試驗(yàn)，衛(wèi)生間閉水試驗(yàn)不少于24小時(shí)。=3\*GB2⑶電預(yù)埋管路宜沿最近線路敷設(shè)，應(yīng)盡量減少?gòu)澢镁€管的彎曲絲接套絲，折扁裂縫焊接，管口應(yīng)套絲用堵頭堵塞。油漆防腐等均符合圖紙各施工標(biāo)準(zhǔn)及質(zhì)量評(píng)定標(biāo)準(zhǔn)。=4\*GB2⑷燈具、插座、開關(guān)等器具安裝，其標(biāo)高位置應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求，外表應(yīng)平直潔凈方正。=5\*GB2⑸燈具、插座、開關(guān)等器具必須選用合格產(chǎn)品，不合格產(chǎn)品嚴(yán)禁使用。=6\*GB2⑹做好各種絕緣接地電阻的測(cè)試和系統(tǒng)調(diào)整記錄，檢查配線的組序一定要符合設(shè)計(jì)要求。五、預(yù)防質(zhì)量通病之措施本工程按優(yōu)質(zhì)工程進(jìn)行管理與控制，其優(yōu)質(zhì)工程的目標(biāo)體系與創(chuàng)優(yōu)質(zhì)工程的保證措施在本工程施工組織設(shè)計(jì)中做了詳述。本措施不再述。創(chuàng)優(yōu)質(zhì)工程除對(duì)各分部、分項(xiàng)、工序工程施工中，精心操作，一絲不茍、高標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)要求作業(yè)外，關(guān)鍵是防止質(zhì)量通病。為此，提出防止通病的作業(yè)措施如下：1、磚墻砌體組砌方法：=1\*GB2⑴、組砌方法：一順一丁組砌，由于這種方法有較多的丁磚，加強(qiáng)了在墻體厚度方向的連結(jié)，砌體的抗壓強(qiáng)度要高一些。=2\*GB2⑵、重視磚砌體水平灰縫的厚度不均與砂漿飽滿度：=1\*GB3①、水平灰縫不勻：標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定磚砌體水平灰縫厚度與豎向灰縫寬度一般為10mm，但不應(yīng)小于8mm，也不應(yīng)小于12mm。砂漿的作用：一是鋪平磚的砌筑外表，二是將塊體磚粘接成一個(gè)整體。標(biāo)準(zhǔn)中之所以有厚度和寬度要求，是由于灰縫