2023年晶盛機(jī)電研究報(bào)告 立足光伏-打造泛半導(dǎo)體平臺(tái)型公司

2023年晶盛機(jī)電研究報(bào)告立足光伏_打造泛半導(dǎo)體平臺(tái)型公司一、晶盛機(jī)電：立足光伏，打造泛半導(dǎo)體平臺(tái)型公司（一）泛半導(dǎo)體平臺(tái)型公司，設(shè)備+材料+零部件多元驅(qū)動(dòng)晶盛機(jī)電是泛半導(dǎo)體領(lǐng)域平臺(tái)型公司，立足于光伏長(zhǎng)晶設(shè)備，拓展半導(dǎo)體設(shè)備、碳化硅和藍(lán)寶石材料業(yè)務(wù)。目前，公司產(chǎn)品矩陣主要涵蓋三大類產(chǎn)品：設(shè)備及服務(wù)、材料、核心零部件。（1）設(shè)備及服務(wù)：主要包括光伏設(shè)備（拉晶設(shè)備、硅片設(shè)備及疊瓦設(shè)備線）、半導(dǎo)體設(shè)備（硅片設(shè)備、晶圓及封裝設(shè)備）、碳化硅設(shè)備（襯底設(shè)備、封裝設(shè)備）及對(duì)應(yīng)的升級(jí)改造服務(wù)；（2）材料：主要包括碳化硅（6英寸導(dǎo)電性碳化硅襯底）、藍(lán)寶石（LED照明襯底和藍(lán)寶石晶錠、晶棒和晶片）、輔材耗材（石英坩堝、金剛線）；（3）零部件：主要包括磁流體、精密零部件、半導(dǎo)體閥門、尾氣處理裝置等光伏/半導(dǎo)體設(shè)備配套零部件。隨著公司圍繞泛半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的產(chǎn)品體系不斷完善，平臺(tái)化布局將引領(lǐng)邁入新征程。產(chǎn)品發(fā)展復(fù)盤：從賣鏟人走向平臺(tái)化，進(jìn)入光伏+半導(dǎo)體雙輪驅(qū)動(dòng)的發(fā)展階段?？v觀整個(gè)發(fā)展歷程，公司成立于2006年，早期從事半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)設(shè)備研發(fā)，但光伏晶體硅生長(zhǎng)設(shè)備率先起量，并逐步成長(zhǎng)為光伏長(zhǎng)晶設(shè)備龍頭。此后公司在持續(xù)對(duì)光伏設(shè)備和半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行迭代的同時(shí)，憑借經(jīng)驗(yàn)積累先后拓展藍(lán)寶石材料、半導(dǎo)體零部件、輔材耗材、碳化硅業(yè)務(wù)，泛半導(dǎo)體領(lǐng)域平臺(tái)化布局逐漸形成。擴(kuò)張戰(zhàn)略復(fù)盤：前瞻性布局+逆周期投資助力公司穿越周期，保持高增長(zhǎng)。（1）2006-2011：發(fā)展積累期，全球金融危機(jī)沖擊光伏行業(yè)需求，公司憑借穩(wěn)健經(jīng)營(yíng)抵御風(fēng)險(xiǎn)，并未受到顯著影響；（2）2012-2014：發(fā)展蟄伏期，光伏行業(yè)受美國(guó)雙反政策影響需求萎靡，公司在此期間登陸創(chuàng)業(yè)板上市，拓展光伏智能加工設(shè)備和藍(lán)寶石材料業(yè)務(wù)；（3）2015-2017：光伏加速期，補(bǔ)貼政策推動(dòng)光伏需求回暖，公司收入高速增長(zhǎng)。公司同時(shí)前瞻性布局半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，于2017年底與中環(huán)集團(tuán)合資成立中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體，晶鴻精密投資半導(dǎo)體精密零件基地；（4）2018-至今：雙主業(yè)并行期，光伏531新政和補(bǔ)貼退坡導(dǎo)致行業(yè)供過于求，同時(shí)半導(dǎo)體行業(yè)也進(jìn)入了周期性下行階段，公司在此期間逆流而進(jìn)，投資中科智芯集成、成立求是半導(dǎo)體啟動(dòng)半導(dǎo)體CVD設(shè)備研制。2022年公司定增重點(diǎn)擴(kuò)充半導(dǎo)體設(shè)備及材料產(chǎn)能，乘勢(shì)引領(lǐng)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化浪潮。競(jìng)爭(zhēng)格局復(fù)盤：深耕單晶爐核心產(chǎn)品，行業(yè)下行期實(shí)現(xiàn)趕超。京運(yùn)通2003年開始進(jìn)入單晶爐生產(chǎn)領(lǐng)域，由于前期多晶硅更有性價(jià)比，2008年起京運(yùn)通開始將重心轉(zhuǎn)移至多晶硅鑄錠爐生產(chǎn)，憑借先發(fā)優(yōu)勢(shì)在2011年之前一直保持光伏長(zhǎng)晶設(shè)備龍頭地位。而晶盛2008年進(jìn)入光伏長(zhǎng)晶設(shè)備領(lǐng)域，期間也生產(chǎn)過多晶爐，但始終以單晶爐生產(chǎn)為主。2012年光伏行業(yè)遭遇美國(guó)“雙反”政策，行業(yè)進(jìn)入下行周期，長(zhǎng)晶設(shè)備玩家收入大幅下滑，競(jìng)爭(zhēng)格局發(fā)生重新洗牌，晶盛在此期間蓄力反超。2015年，單晶硅性價(jià)比開始超越多晶硅，晶盛憑借在單晶爐多年深耕積淀經(jīng)驗(yàn)，收入體量開始大幅超越京運(yùn)通。定增加碼半導(dǎo)體設(shè)備和碳化硅業(yè)務(wù)，打開新增長(zhǎng)曲線。公司于2022年5月定增募集資金14.20億元，其中5.64億元用于12英寸集成電路大硅片設(shè)備測(cè)試實(shí)驗(yàn)線項(xiàng)目，4.32億元用于年產(chǎn)80臺(tái)套半導(dǎo)體材料拋光及減薄設(shè)備生產(chǎn)制造項(xiàng)目，剩余部分用于補(bǔ)充流動(dòng)資金。此外，公司已建設(shè)6英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)、切片、拋光環(huán)節(jié)的實(shí)驗(yàn)線，產(chǎn)品已通過部分下游客戶驗(yàn)證?？紤]公司自身的半導(dǎo)體技術(shù)基因和半導(dǎo)體行業(yè)的國(guó)產(chǎn)替代浪潮，半導(dǎo)體設(shè)備和碳化硅業(yè)務(wù)有望為公司帶來(lái)新的收入增長(zhǎng)點(diǎn)。（二）硅片擴(kuò)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)業(yè)績(jī)高增，目前在手訂單仍然充沛光伏硅片行業(yè)擴(kuò)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)收入高增長(zhǎng)，以設(shè)備銷售為主。受益于近兩年單晶硅片的大幅擴(kuò)產(chǎn)，公司收入快速增長(zhǎng)，凈利率持續(xù)提升。2016-2021年，營(yíng)業(yè)收入CAGR達(dá)40.43%，歸母凈利潤(rùn)C(jī)AGR達(dá)53.06%。22Q1-3公司實(shí)現(xiàn)收入74.63億元，同比增長(zhǎng)87%，歸母凈利潤(rùn)20.09億元，同比增長(zhǎng)81%，高增長(zhǎng)延續(xù)。設(shè)備銷售占收入主要部分，2014年及以前，公司業(yè)務(wù)以單晶爐、多晶爐等長(zhǎng)晶設(shè)備為主，收入占比達(dá)80%以上；隨著產(chǎn)品矩陣不斷豐富擴(kuò)張，2014年之后單晶爐業(yè)務(wù)規(guī)模仍在持續(xù)增長(zhǎng)，但在公司收入中的占比降至60%左右，而硅片加工設(shè)備、設(shè)備升級(jí)改造服務(wù)等業(yè)務(wù)開始發(fā)力。設(shè)備在手訂單充裕，有望保障23-24年業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。公司在手訂單持續(xù)高增，根據(jù)公司年報(bào)，截至2022Q1-3公司未完成晶體生長(zhǎng)設(shè)備及智能化加工設(shè)備合同總計(jì)237.90億元（含稅），其中未完成光伏設(shè)備合同213.3億元，未完成半導(dǎo)體設(shè)備合同24.6億元。2022年前三季度每期新接訂單分別為41.01億元、32.21億元、38.43億元，合計(jì)約112億元。由于光伏及半導(dǎo)體設(shè)備從產(chǎn)品出貨到設(shè)備驗(yàn)收的周期一般為6-9個(gè)月，預(yù)計(jì)當(dāng)前在手訂單有望充分保障2022-2023年業(yè)績(jī)。設(shè)備毛利率維持較高水平，材料毛利率穩(wěn)步提升。公司作為光伏硅片設(shè)備絕對(duì)龍頭，能夠維持較高毛利率，2022Q1-3毛利率為40%，且近年來(lái)穩(wěn)中有升。其中，設(shè)備及服務(wù)壁壘較高，2016-2020年，晶體生長(zhǎng)設(shè)備的毛利率均高于40%，智能化加工設(shè)備的毛利率均高于30%。藍(lán)寶石材料業(yè)務(wù)經(jīng)過數(shù)年發(fā)展，受益于規(guī)模效應(yīng)釋放和供需關(guān)系改善，2021年毛利率提升到25%左右。規(guī)模效應(yīng)顯著，成本費(fèi)用管控能力優(yōu)秀。隨著下游廠商210mm設(shè)備訂單增加，公司設(shè)備產(chǎn)量增加，加強(qiáng)了對(duì)上游供應(yīng)商的議價(jià)權(quán)，毛、凈利率持續(xù)改善。在規(guī)模效應(yīng)釋放下，公司期間費(fèi)用率大幅降低，已基本穩(wěn)定在17%左右，主要為管理費(fèi)用與研發(fā)費(fèi)用。其中2022年前三季度銷售費(fèi)用率為0.43%，管理費(fèi)用率為9.54%，財(cái)務(wù)費(fèi)用率為-0.10%，研發(fā)費(fèi)用率為6.84%。隨著批量設(shè)備訂單兌現(xiàn)，規(guī)模效應(yīng)釋放，預(yù)計(jì)公司費(fèi)用率將進(jìn)一步降低。（三）管理團(tuán)隊(duì)技術(shù)背景深厚，股權(quán)激勵(lì)強(qiáng)化團(tuán)隊(duì)積極性公司管理團(tuán)隊(duì)學(xué)歷及行業(yè)背景深厚，引領(lǐng)公司產(chǎn)品技術(shù)創(chuàng)新。曹建偉任公司董事長(zhǎng)和研發(fā)中心主任，深入研究機(jī)電控制、液壓傳動(dòng)與控制等領(lǐng)域，曾獲國(guó)家“萬(wàn)人計(jì)劃”科技創(chuàng)業(yè)領(lǐng)軍人才等榮譽(yù)稱號(hào)；董事邱敏秀曾任浙江大學(xué)機(jī)械電子控制工程研究所博士生導(dǎo)師，在機(jī)械設(shè)計(jì)、流體傳動(dòng)及控制領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富，承擔(dān)多項(xiàng)國(guó)家重大科技專項(xiàng)課題。其中，邱敏秀、曹建偉、朱亮、張俊、傅林堅(jiān)、石剛均參與2009年“300mm硅單晶生長(zhǎng)裝備的開發(fā)”和2011年“8英寸區(qū)熔硅單晶爐國(guó)產(chǎn)設(shè)備研制”兩項(xiàng)國(guó)家科技重大專項(xiàng)課題研究。股權(quán)結(jié)構(gòu)集中，曹建偉和邱敏秀為公司實(shí)際控制人。邱敏秀及其之子女何俊、何潔構(gòu)成一致行動(dòng)關(guān)系，曹建偉和邱敏秀及其之子女何俊、何潔通過公司控股股東晶盛投資間接持有公司47.45%的股權(quán)，且邱敏秀、曹建偉的直接持股比例分別為2.92%、2.72%，因此，曹建偉和邱敏秀共同控制公司。此外，公司前十大股東中包括社?；稹⑷A夏基金、易方達(dá)基金等機(jī)構(gòu)投資者。員工持股計(jì)劃彰顯公司業(yè)績(jī)發(fā)展信心，強(qiáng)化團(tuán)隊(duì)積極性。公司于2022年9月15日公告了員工持股計(jì)劃，本持股計(jì)劃持股規(guī)模不超過175.2390萬(wàn)股，占公司當(dāng)前總股本的0.1340%。公司層面的業(yè)績(jī)考核指標(biāo)為以2021年凈利潤(rùn)為基數(shù)，2022年、2023年凈利潤(rùn)增長(zhǎng)率分別不低于50%、70%。該持股計(jì)劃將充分調(diào)動(dòng)員工積極性，彰顯公司對(duì)未來(lái)業(yè)績(jī)發(fā)展的信心。二、光伏設(shè)備：長(zhǎng)晶設(shè)備優(yōu)勢(shì)顯著，輔材發(fā)力穿越周期（一）23年硅片擴(kuò)產(chǎn)景氣持續(xù)，設(shè)備市場(chǎng)空間近300億元全球、中國(guó)光伏新增裝機(jī)量高增長(zhǎng)，下游需求無(wú)虞。（1）全球需求：根據(jù)CPIA，2022年全球光伏新增裝機(jī)230GW，同比增長(zhǎng)35%；根據(jù)廣發(fā)電新組的預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)2023年全球新增光伏裝機(jī)將達(dá)350GW。（2）國(guó)內(nèi)需求：根據(jù)國(guó)家能源局?jǐn)?shù)據(jù)，2022年全國(guó)新增光伏裝機(jī)87.41GW，同比增長(zhǎng)59%；根據(jù)廣發(fā)電新組的預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)2023年國(guó)內(nèi)新增光伏裝機(jī)130GW。單晶爐和切片機(jī)在硅片設(shè)備中價(jià)值量占比高，競(jìng)爭(zhēng)格局好。從光伏硅片產(chǎn)線的設(shè)備投資來(lái)看，建設(shè)1GW單晶硅片產(chǎn)能需要的主設(shè)備投資約1.85億元（單晶爐、截?cái)鄼C(jī)、開方機(jī)、磨面機(jī)、切片機(jī)、分選機(jī)、插片清洗機(jī)），其中單晶爐價(jià)值量最大，約1.2億元/GW，在設(shè)備投資中占比約67%；其次是切片機(jī)，價(jià)值量0.26億元/GW，在設(shè)備投資中占比約14%；其余設(shè)備包括截?cái)鄼C(jī)、開方機(jī)、磨面機(jī)、分選機(jī)和清洗機(jī)等，價(jià)值量占比在2%-6%左右。產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)進(jìn)步導(dǎo)致硅片設(shè)備單位投資下降。由于拉晶技術(shù)進(jìn)步、工藝提升、設(shè)備更新?lián)Q代及硅片薄片化等因素，每GW硅片設(shè)備投資有所下降。例如，天合光能年產(chǎn)35GW直拉單晶項(xiàng)目由于采用N型技術(shù)路線，對(duì)應(yīng)N型電池光電轉(zhuǎn)換效率更高，并且采用薄片工藝，單位產(chǎn)能所需的硅棒產(chǎn)量更少，因此單位產(chǎn)能所需的單晶爐等核心設(shè)備的數(shù)量更少。以過去五年間各家公司的單晶拉棒擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目為例，我們測(cè)算出平均單GW固定資產(chǎn)投資額下降較快，2017-2022年年均降幅為12%。從量?jī)r(jià)變化情況來(lái)看，光伏拉晶設(shè)備呈現(xiàn)出量降價(jià)穩(wěn)的特征。用量方面，通過統(tǒng)計(jì)2016-2022年隆基、中環(huán)、晶科各個(gè)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目中的單晶爐采購(gòu)量，可以發(fā)現(xiàn)單GW單晶爐用量一直在持續(xù)下降，從2016年的192臺(tái)/GW下降到64臺(tái)/GW。價(jià)格方面，根據(jù)晶盛機(jī)電年報(bào)數(shù)據(jù)，單晶爐的單臺(tái)價(jià)格變化不大，基本在130~150萬(wàn)元/臺(tái)的區(qū)間波動(dòng)，2016-2019年由于機(jī)型迭代疊加競(jìng)爭(zhēng)格局穩(wěn)固，單臺(tái)價(jià)值量上升，2021年價(jià)格又回落到136萬(wàn)元/臺(tái)的水平。23年硅片擴(kuò)產(chǎn)仍有望達(dá)到去年水平，對(duì)應(yīng)近300億設(shè)備新增需求。根據(jù)下游隆基、中環(huán)、晶科等硅片廠商截至目前公告的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，我們不完全統(tǒng)計(jì)得到2023-2025年已規(guī)劃的每年新增拉晶產(chǎn)能191/143/45GW，每年新增切片產(chǎn)能191/157/76GW。2024年拉晶和切片產(chǎn)能將超過1000GW，相對(duì)裝機(jī)需求已較為充分，預(yù)計(jì)未來(lái)兩年行業(yè)擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏將有所放緩。由于擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目通常只規(guī)劃到一兩年，之后可能仍會(huì)有2025年的新增擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃，基于目前已出爐的擴(kuò)產(chǎn)增量，我們假設(shè)2025年拉晶新增擴(kuò)產(chǎn)110GW，切片新增擴(kuò)產(chǎn)140GW，在未來(lái)每年硅片設(shè)備單位投資金額同比下降10%的前提下，可測(cè)算得到2023-25年硅片設(shè)備每年新增市場(chǎng)空間分別為293/202/146億元。硅片大尺寸化更新迭代，帶來(lái)部分落后爐型替換需求。目前主流的爐型主要包括120型、140型、160型，對(duì)應(yīng)的爐室直徑分別為1200mm、1400mm和1600mm。160型為目前最先進(jìn)的爐型，可兼容42寸以下熱場(chǎng)；120型及以下的爐型無(wú)法生產(chǎn)210尺寸大硅片，預(yù)計(jì)未來(lái)將逐漸被淘汰。根據(jù)未來(lái)新能源的統(tǒng)計(jì)，截止到2021年上半年，120型單晶爐共4349臺(tái)，占存量單晶爐數(shù)量21%。若假設(shè)120型爐在23-25年間完成替換，按照140萬(wàn)元/臺(tái)的價(jià)格估算，對(duì)應(yīng)的總需求空間約61億元，年均需求規(guī)模在20億元左右。（二）硅片設(shè)備：高壁壘+客戶綁定深入，公司龍頭地位穩(wěn)固單晶爐技術(shù)壁壘高+先發(fā)優(yōu)勢(shì)明顯，行業(yè)集中度較高。從需求端來(lái)看，長(zhǎng)晶設(shè)備需要設(shè)備廠商和下游客戶一起進(jìn)行工藝研發(fā)，設(shè)備廠商需要深入理解和掌握工藝，且不同硅片廠商使用的單晶爐工藝參數(shù)為核心機(jī)密，因此不同設(shè)備廠商的產(chǎn)品之間存在差異，下游客戶粘性較強(qiáng)；從供給端來(lái)看，硅片生產(chǎn)技術(shù)漸進(jìn)式迭代，領(lǐng)先的設(shè)備廠商可不斷積累技術(shù)和客戶優(yōu)勢(shì)，因此行業(yè)集中度較高。根據(jù)光伏技術(shù)，當(dāng)前業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的單晶爐已演進(jìn)到1600型，單爐投料量達(dá)2800kg以上，可配置36英寸以上的熱場(chǎng)。高壁壘造就穩(wěn)定競(jìng)爭(zhēng)格局，龍頭晶盛實(shí)現(xiàn)規(guī)模與盈利雙贏。單晶爐的主要玩家包括晶盛機(jī)電、連城數(shù)控、北方華創(chuàng)、京運(yùn)通（目前單晶爐已從外銷轉(zhuǎn)向內(nèi)部硅片擴(kuò)產(chǎn)自用為主）、天通股份等，以及新進(jìn)入的玩家奧特維（旗下子公司松瓷機(jī)電）。從業(yè)務(wù)規(guī)模上看，2021年晶盛的長(zhǎng)晶設(shè)備收入49.8億元，體量遠(yuǎn)超京運(yùn)通和連城數(shù)控（20.4億元）；從盈利能力上看，晶盛的長(zhǎng)晶設(shè)備毛利率一直處于相對(duì)較高水平，基本穩(wěn)定在40%左右；隨著連城在非隆基客戶的開拓上取得進(jìn)展，連城與晶盛之間的毛利差逐漸縮小。公司長(zhǎng)晶設(shè)備性能優(yōu)越，更大投料量增加拉晶效率。長(zhǎng)晶設(shè)備的核心技術(shù)在于控制系統(tǒng)、核心零部件、熱場(chǎng)等，單晶爐的熱場(chǎng)分布會(huì)影響拉晶速度和長(zhǎng)晶質(zhì)量，而熱場(chǎng)控制主要通過控制系統(tǒng)完成。2008年，公司收購(gòu)慧翔電液的控制系統(tǒng)，控制單晶硅生長(zhǎng)過程的眾多環(huán)境參數(shù)，目前公司在控制系統(tǒng)方面具有技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。與競(jìng)對(duì)產(chǎn)品相比，公司的單晶爐拉晶長(zhǎng)度和拉晶尺寸更大，最大熱場(chǎng)規(guī)模也具有明顯優(yōu)勢(shì)。公司產(chǎn)品迭代能力優(yōu)秀，平均3~5年推出新一代單晶爐。2006年，晶盛機(jī)電推出第一代全自動(dòng)單晶爐；2010年研發(fā)出水冷套裝置，實(shí)現(xiàn)高拉速第二代單晶爐；2013年研發(fā)出復(fù)投器+大熱場(chǎng)，開創(chuàng)第三代RCZ高產(chǎn)單晶爐；2017年研發(fā)出基于工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的第四代智能化單晶爐。而2023年公司即將推出第五代新型單晶爐，配置了基于開放架構(gòu)的用戶可編程的軟件定義工藝平臺(tái)，開啟新一輪迭代升級(jí)。公司在切片設(shè)備領(lǐng)域后來(lái)居上，形成三足鼎立新格局。切片設(shè)備主要玩家包括晶盛機(jī)電、高測(cè)股份、上機(jī)數(shù)控、連城數(shù)控、梅耶博格、天準(zhǔn)科技等。2018年之前切片設(shè)備的頭部三大廠商以上機(jī)數(shù)控、高測(cè)股份和連城數(shù)控為主，但隨著上機(jī)數(shù)控的業(yè)務(wù)重心轉(zhuǎn)向單晶硅業(yè)務(wù)，設(shè)備產(chǎn)能優(yōu)先滿足自用，外銷收入大幅下滑；而晶盛的切片設(shè)備業(yè)務(wù)又在近兩年快速發(fā)力，實(shí)現(xiàn)后來(lái)者居上，如今晶盛和高測(cè)、連城并肩形成切片設(shè)備領(lǐng)域新的三足鼎立格局。綜合對(duì)比主要玩家在光伏領(lǐng)域的產(chǎn)品布局，晶盛在硅片、組件、輔材環(huán)節(jié)的產(chǎn)品矩陣較為全面，連城則主要布局硅片、電池片環(huán)節(jié)，其余玩家的產(chǎn)業(yè)鏈上下游覆蓋度相對(duì)較低。由于晶盛與連城在光伏設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品布局較為接近，我們?cè)谙挛牡挠懻撝幸赃@兩家廠商的單晶爐業(yè)務(wù)對(duì)比為主。發(fā)展路線不同：晶盛單晶爐起步早、積累深，先發(fā)優(yōu)勢(shì)強(qiáng)。連城初期以硅片生產(chǎn)的后道設(shè)備為主，主要銷售硅片開方截?cái)鄼C(jī)等機(jī)加設(shè)備以及切片機(jī)，2008年研制出我國(guó)第一代具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的多線切割機(jī)。不同于晶盛的內(nèi)生發(fā)展路線，連城在單晶爐領(lǐng)域是通過外延并購(gòu)起家，2013年通過收購(gòu)美國(guó)KAYEX切入單晶爐市場(chǎng)，并在2014年實(shí)現(xiàn)單晶爐產(chǎn)品的銷售。對(duì)比連城，晶盛的特點(diǎn)是在單晶爐領(lǐng)域起步較早、積淀較深，具備較強(qiáng)的先發(fā)優(yōu)勢(shì)。核心綁定客戶不同：晶盛深度綁定中環(huán)，大力拓展非隆基客戶。晶盛第一大客戶為中環(huán)及其子公司，2021年中環(huán)銷售收入占比51%；連城數(shù)控第一大客戶為隆基，2021年對(duì)隆基的銷售收入占比72%，相較于2020年的93.3%的占比有所下降，目前在手訂單中非隆基客戶占比持續(xù)上升，未來(lái)有望持續(xù)開拓非隆基客戶。產(chǎn)品量?jī)r(jià)差距：晶盛的產(chǎn)品量、價(jià)均顯著領(lǐng)先，凸顯較強(qiáng)產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。從銷量來(lái)看，2017-2019年晶盛的單晶爐銷量遠(yuǎn)超連城，2020年由于隆基擴(kuò)產(chǎn)較多，二者銷量差距有所縮小。從單價(jià)來(lái)看，連城對(duì)隆基的銷售單價(jià)顯著低于晶盛和平均水平，這主要是由于隆基掌握了上游設(shè)備制造商的核心技術(shù)，可獨(dú)立開發(fā)拉晶控制系統(tǒng)，因此連城對(duì)隆基銷售的單晶爐不配置熱場(chǎng)、真空泵及部分控制系統(tǒng)等關(guān)鍵部件。這也是造成隆基和連城體量差距的關(guān)鍵因素之一。下游硅片客戶雙寡頭格局穩(wěn)定，新進(jìn)入玩家有限。隆基為硅片第一大龍頭廠商，2021年硅片產(chǎn)量占總產(chǎn)量31%；中環(huán)近年來(lái)市場(chǎng)份額持續(xù)提升，2021年占比19%。根據(jù)前文對(duì)已公告硅片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目的統(tǒng)計(jì)，22-24年拉晶產(chǎn)能可達(dá)到約695/886/1029GW，若按照容配比1.25、電池片冗余度1.1、硅片冗余度1.1計(jì)算，可分別支撐約482/614/713GW的裝機(jī)需求，我們預(yù)計(jì)未來(lái)兩年內(nèi)繼續(xù)有新玩家進(jìn)入硅片市場(chǎng)的可能性較小。公司主要硅片客戶擴(kuò)產(chǎn)對(duì)應(yīng)的設(shè)備需求確定性高。由于客戶綁定深入且設(shè)備需求主要來(lái)源于新建產(chǎn)線，因此光伏硅片設(shè)備玩家收入與下游客戶擴(kuò)產(chǎn)情況息息相關(guān)。晶盛下游客戶較多，除隆基、京運(yùn)通以外的硅片廠商在未來(lái)兩年擴(kuò)產(chǎn)較為積極，我們測(cè)算出公司客戶在2022-2024年擴(kuò)產(chǎn)對(duì)應(yīng)的硅片設(shè)備需求預(yù)計(jì)達(dá)到266/222/171億元。通過年末設(shè)備在手訂單-年初設(shè)備在手訂單+當(dāng)年?duì)I業(yè)收入，可以計(jì)算出公司當(dāng)年設(shè)備新接訂單，由此可估算出晶盛新接訂單在當(dāng)年客戶擴(kuò)產(chǎn)設(shè)備需求中的占比。隨著晶盛設(shè)備整線覆蓋能力逐步提升，預(yù)計(jì)未來(lái)晶盛在客戶采購(gòu)中的占比也將提升。而公司當(dāng)年?duì)I收是由年初在手訂單+當(dāng)年新接訂單完成后轉(zhuǎn)化而來(lái)，根據(jù)往年的轉(zhuǎn)化率數(shù)據(jù)，我們估計(jì)晶盛的光伏硅片設(shè)備收入在22-24年可達(dá)到65/74/77億元。（三）耗材：產(chǎn)能快速落地，打造穿越周期的第二成長(zhǎng)曲線公司石英坩堝產(chǎn)能快速擴(kuò)張，產(chǎn)能規(guī)模行業(yè)領(lǐng)先。晶盛2017年開始布局石英坩堝，并先后在浙江、內(nèi)蒙古、寧夏建立坩堝生產(chǎn)基地，生產(chǎn)28-42英寸不同規(guī)格尺寸的坩堝。晶盛旗下生產(chǎn)坩堝的平臺(tái)包括浙江美晶（晶盛機(jī)電控股子公司）和寧夏鑫晶（浙江美晶全資子公司），寧夏鑫晶16萬(wàn)只大尺寸石英坩堝擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目已于2022年5月分別投產(chǎn)、簽約一期4.8萬(wàn)只和二期4.8萬(wàn)只項(xiàng)目，余下產(chǎn)能預(yù)計(jì)將在兩年內(nèi)完成投產(chǎn)。歐晶科技、江陰龍?jiān)础幭木∽鳛橹协h(huán)股份、隆基股份供應(yīng)商，因下游客戶產(chǎn)能占全球產(chǎn)能比重較高而形成一定規(guī)模，其他玩家規(guī)?？傮w較小。歐晶科技2021年坩堝產(chǎn)能9.2萬(wàn)只，24年產(chǎn)能有望擴(kuò)張到15.2萬(wàn)只?？紤]到公司原有的坩堝產(chǎn)能（浙江美晶），預(yù)計(jì)晶盛產(chǎn)能爬坡后將在23年形成36萬(wàn)只/年的產(chǎn)能，規(guī)模將大幅領(lǐng)先同行。當(dāng)前36英寸坩堝價(jià)格約1.5-1.7萬(wàn)元/只，在明后年石英砂持續(xù)供給緊張的情況下，預(yù)計(jì)坩堝價(jià)格將繼續(xù)上漲。根據(jù)我們測(cè)算，23-25年光伏行業(yè)石英坩堝需求量約68/76/83萬(wàn)個(gè)，若滿產(chǎn)公司市占率可達(dá)35%~48%，預(yù)計(jì)公司坩堝產(chǎn)值將分別達(dá)到43/72/79億元。參考?xì)W晶科技財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)，石英坩堝毛利率基本在30%以上，預(yù)計(jì)公司坩堝業(yè)務(wù)可貢獻(xiàn)毛利潤(rùn)13/22/24億元。金剛線業(yè)務(wù)與切片機(jī)協(xié)同，一期3000萬(wàn)公里產(chǎn)能落地。公司通過子公司浙江晶鈺新材料開展金剛線生產(chǎn)業(yè)務(wù)，新一代金剛線生產(chǎn)項(xiàng)目分兩期建設(shè)，一期3000萬(wàn)公里產(chǎn)能于2022年11月9日在上虞投產(chǎn)。若按照產(chǎn)能規(guī)模來(lái)計(jì)算，晶盛機(jī)電的金剛線業(yè)務(wù)在2023年市占率可達(dá)6%。根據(jù)該項(xiàng)目的環(huán)評(píng)報(bào)告，項(xiàng)目總投資4.67億元，建成達(dá)產(chǎn)后將達(dá)到年平均銷售收入9億元，利潤(rùn)3.03億元，稅收0.83億元。三、半導(dǎo)體設(shè)備：大硅片國(guó)產(chǎn)化加速，核心設(shè)備先行（一）12英寸硅片擴(kuò)產(chǎn)潮興起，設(shè)備商有望受益半導(dǎo)體硅片在產(chǎn)業(yè)鏈中位于晶圓上游，按加工程度可分為研磨片、拋光片和外延片。硅研磨片是指對(duì)硅單晶錠進(jìn)行切割、研磨等加工得到的厚度小于1mm的圓形晶片，是制作硅拋光片及硅外延片的中間產(chǎn)品，也可以用于制作分立器件芯片。硅拋光片由硅研磨片經(jīng)過后續(xù)拋光、清洗等精密加工而成，主要應(yīng)用于集成電路和分立器件制造。硅外延片是指在硅單晶襯底上外延生長(zhǎng)一層或多層硅單晶薄膜的材料，用于制造半導(dǎo)體分立器件和集成電路。按照摻雜濃度，硅片又可分為重?fù)胶洼p摻。半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)高度集中，海外廠商占據(jù)主導(dǎo)地位。半導(dǎo)體硅片技術(shù)難度高、研發(fā)周期長(zhǎng)、資金投入大、客戶認(rèn)證周期長(zhǎng)，因此行業(yè)進(jìn)入壁壘較高，主要廠商為海外巨頭。2021年，全球Top5半導(dǎo)體硅片企業(yè)（信越化學(xué)、SUMCO、環(huán)球晶圓、Siltronic、SKSiltron）市場(chǎng)份額合計(jì)高達(dá)94%。在中國(guó)半導(dǎo)體硅片行業(yè)中，國(guó)內(nèi)廠商包括滬硅產(chǎn)業(yè)、中環(huán)股份、立昂微等，但市占率仍較低，未來(lái)空間廣闊。8英寸硅片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)行中，12英寸硅片國(guó)產(chǎn)化率仍較低。半導(dǎo)體硅片的尺寸（以直徑計(jì)算）主要分為150mm及以下（6英寸及以下）、200mm（8英寸）與300mm（12英寸），目前市場(chǎng)最主流的產(chǎn)品規(guī)格為12英寸（占比近70%）和8英寸（占比約25%）。目前，不同尺寸的硅片國(guó)產(chǎn)化率存在較大差異，8英寸硅片國(guó)產(chǎn)化率約為20%，12英寸硅片國(guó)產(chǎn)化率低于5%。硅片國(guó)產(chǎn)化的薄弱環(huán)節(jié)主要在于部分基礎(chǔ)材料和零件，包括高純度高分子材料、高純石英、石墨材料，以及管道、閥門等零件。大尺寸硅片供快速增長(zhǎng)，帶動(dòng)設(shè)備需求擴(kuò)容。半導(dǎo)體硅片未來(lái)主要增量在大尺寸硅片，根據(jù)上海新昇的預(yù)測(cè)，市場(chǎng)預(yù)期從2022年至2025年大陸企業(yè)12寸硅片的需求和供應(yīng)情況將持續(xù)增長(zhǎng)。2022年大陸企業(yè)需求為95萬(wàn)片，國(guó)內(nèi)產(chǎn)能為100萬(wàn)片。而及至2024年，國(guó)內(nèi)需求為205萬(wàn)片，國(guó)內(nèi)產(chǎn)能將達(dá)300萬(wàn)片。半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)核心工藝包括長(zhǎng)晶、切片、研磨、拋光、外延等，單晶爐為核心設(shè)備。半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)過程與光伏硅片相似，但加工工序更多。前道經(jīng)過拉單晶、滾圓、截?cái)?、切割等基本與光伏硅片類似的工藝后，還需要倒角、研磨、減薄拋光（雙面拋光、邊緣拋光、最終拋光），到這一步即可檢測(cè)清洗后加工為拋光片；若要加工為外延片，則還需要經(jīng)歷外延工序。光伏級(jí)單晶硅的純度要求一般為“6個(gè)9”（即99.9999%），而半導(dǎo)體級(jí)單晶硅對(duì)純度要求通常在“11個(gè)9”以上，對(duì)提純和冶煉環(huán)節(jié)的技術(shù)要求更高，因此半導(dǎo)體單晶爐單臺(tái)價(jià)值也更高，約1000-2000萬(wàn)元/臺(tái)，而光伏單晶爐單價(jià)僅140萬(wàn)元/臺(tái)。長(zhǎng)晶、拋光、外延設(shè)備價(jià)值占比較高，12英寸產(chǎn)線設(shè)備投資高于8英寸。與8英寸硅片相比，12英寸硅片普遍應(yīng)用于更先進(jìn)的制程，對(duì)單晶微缺陷、硅片平整度、表面顆粒物、表面沾污等關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)要求更嚴(yán)格，因此對(duì)晶體生長(zhǎng)、硅片加工、硅片清洗的核心技術(shù)要求更高。參考2019年立昂微年產(chǎn)120萬(wàn)片8英寸硅片項(xiàng)目設(shè)備投資情況，設(shè)備單位投資額約為5億元/10萬(wàn)片/月，其中長(zhǎng)晶/拋光/外延設(shè)備占比分別為17%/18%/24%；參考立昂微年產(chǎn)180萬(wàn)片集成電路用12英寸硅片項(xiàng)目設(shè)備投資情況，其中外延片產(chǎn)線設(shè)備單位投資額約為25億元/10萬(wàn)片/月，長(zhǎng)晶/拋光/外延設(shè)備占比分別為7%/20%/17%。國(guó)產(chǎn)廠商積極擴(kuò)產(chǎn)12英寸硅片，大尺寸設(shè)備市場(chǎng)空間廣闊。目前，國(guó)產(chǎn)硅片廠商積極推進(jìn)12英寸硅片產(chǎn)能規(guī)劃，滬硅產(chǎn)業(yè)于2022年3月完成定增，擴(kuò)產(chǎn)新的12英寸產(chǎn)線，新增產(chǎn)能30萬(wàn)片/月；立昂微于2022年2月收購(gòu)國(guó)晶半導(dǎo)體，已完成月產(chǎn)40萬(wàn)片產(chǎn)能的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)；中環(huán)股份提出到2023年底，實(shí)現(xiàn)8英寸100萬(wàn)片/月、12英寸60萬(wàn)片/月的目標(biāo)。根據(jù)我們的不完全統(tǒng)計(jì)，截至目前國(guó)內(nèi)廠商已規(guī)劃的2023-25年8英寸拋光片+外延片新增產(chǎn)能為142/46/5萬(wàn)片每月，已規(guī)劃的12英寸拋光片+外延片新增產(chǎn)能為109/105/71萬(wàn)片每月，大尺寸硅片的擴(kuò)產(chǎn)明顯更加積極。12英寸硅片設(shè)備空間超兩百億，其中國(guó)產(chǎn)設(shè)備市場(chǎng)空間持續(xù)增長(zhǎng)。由于2024、2025年仍可能新增擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，根據(jù)集微網(wǎng)，我們假設(shè)24-25年8英寸硅片新增產(chǎn)能按照-20%的復(fù)合增速增長(zhǎng)，12英寸硅片新增產(chǎn)能按照8.3%的復(fù)合增速增長(zhǎng)；由此，我們測(cè)算出8英寸設(shè)備空間在2023-25年預(yù)計(jì)可達(dá)到56/45/36億元，12英寸設(shè)備空間預(yù)計(jì)達(dá)273/232/251億元。隨著國(guó)產(chǎn)化率不斷提升，8英寸國(guó)產(chǎn)設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將在2023-2025年達(dá)到45/38/32億元；12英寸國(guó)產(chǎn)設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到109/127/176億元，CAGR為9.77%。（二）大尺寸國(guó)產(chǎn)設(shè)備突破進(jìn)行時(shí)，單晶爐進(jìn)展較快單晶爐已實(shí)現(xiàn)，切片、研磨、拋光等環(huán)節(jié)仍有待國(guó)產(chǎn)突破。行業(yè)早期半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)線的設(shè)備主要依賴進(jìn)口，核心供應(yīng)商集中在日、美、德等國(guó)。而過去五年國(guó)產(chǎn)設(shè)備在6英寸、8英寸尺生產(chǎn)線的批量應(yīng)用上實(shí)現(xiàn)了較大突破。以單晶爐等為代表的部分生產(chǎn)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程較快，從有研半導(dǎo)體以及衢州金瑞泓8英寸項(xiàng)目設(shè)備的采購(gòu)情況來(lái)看，單晶爐和清洗機(jī)的國(guó)產(chǎn)化率基本在50%以上。而拋光、外延環(huán)節(jié)等價(jià)值量占比較大的設(shè)備依然基本依賴進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)化率相對(duì)較低。12英寸長(zhǎng)晶設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率約30%，大尺寸領(lǐng)域的仍有較大空間。根據(jù)晶升裝備招股書，S-TECHCo.,Ltd.等國(guó)外晶體生長(zhǎng)供應(yīng)商占國(guó)內(nèi)硅片廠商采購(gòu)的比重約為70%左右；國(guó)內(nèi)晶體生長(zhǎng)供應(yīng)商主要包括公司、晶盛機(jī)電及其他供應(yīng)商，合計(jì)占國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額僅為30%左右。其中，國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商市場(chǎng)占有率較高的包括晶盛機(jī)電、南京晶能（晶升裝備），市場(chǎng)份額在10%以上。國(guó)內(nèi)廠商后發(fā)而進(jìn)取，長(zhǎng)晶設(shè)備產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)已接近國(guó)外水平。半導(dǎo)體級(jí)單晶硅爐技術(shù)指標(biāo)參數(shù)主要分為設(shè)備規(guī)格、晶體生長(zhǎng)控制和單晶硅生長(zhǎng)工藝技術(shù)三個(gè)方面，其中國(guó)產(chǎn)商已經(jīng)在設(shè)備規(guī)格和晶體生長(zhǎng)控制參數(shù)上接近或達(dá)到國(guó)際主流供應(yīng)商水平，但在單晶硅生長(zhǎng)工藝技術(shù)上仍與國(guó)外廠商存在一定差距。此外，由于國(guó)外設(shè)備交期較長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)硅片廠在非忙季時(shí)會(huì)更加注重推進(jìn)國(guó)產(chǎn)設(shè)備的驗(yàn)證，國(guó)產(chǎn)設(shè)備有望加速替代。國(guó)產(chǎn)設(shè)備加速突破國(guó)內(nèi)硅片廠認(rèn)證。以上海新昇的設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程為例，過去五年公司已有三分之一的國(guó)產(chǎn)設(shè)備種類和金額通過認(rèn)證，四分之一的國(guó)產(chǎn)設(shè)備種類和40%的金額已有供應(yīng)商提供產(chǎn)品并處于認(rèn)證階段，只有極少數(shù)設(shè)備仍在尋找供應(yīng)商。分工藝段來(lái)看，拉晶、晶棒加工環(huán)節(jié)的設(shè)備基本都已通過國(guó)產(chǎn)化認(rèn)證，可完全滿足生產(chǎn)需求；線割片機(jī)、邊緣研磨機(jī)等也有國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商提供樣機(jī)；外延和清洗以及包裝環(huán)節(jié)的外延反應(yīng)爐、槽式清洗機(jī)、晶盒清洗機(jī)仍然處于待評(píng)估和待開發(fā)的狀態(tài)，但單片清洗機(jī)、快速退火爐已有國(guó)內(nèi)廠商通過驗(yàn)證。部分通過驗(yàn)證的設(shè)備可以達(dá)到甚至超過國(guó)外同等水平，待評(píng)估的部分設(shè)備也突破在即。國(guó)產(chǎn)設(shè)備商在大尺寸硅片設(shè)備上持續(xù)取得進(jìn)展，晶盛12英寸整線覆蓋能力較強(qiáng)。大尺寸半導(dǎo)體硅片設(shè)備的空間較大，目前主要參與者包括晶盛機(jī)電、連城數(shù)控、南京晶能、天通股份等。國(guó)內(nèi)廠商中，晶盛機(jī)電整線覆蓋能力相對(duì)較強(qiáng)，12英寸的長(zhǎng)晶、切磨、拋光等設(shè)備都已實(shí)現(xiàn)批量銷售；連城數(shù)控借助凱克斯技術(shù)優(yōu)勢(shì)，先后推出新型8英寸、12英寸單晶爐，并率先研制出24英寸單晶爐和切片機(jī)，走在世界前列；南京晶能、天通股份等也都已具備12英寸單晶爐量產(chǎn)能力。（三）整線覆蓋+一體化服務(wù)，訂單飽滿蓄勢(shì)待發(fā)公司深耕半導(dǎo)體領(lǐng)域，技術(shù)儲(chǔ)備豐富，率先開發(fā)出多種半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)設(shè)備。公司相繼開發(fā)出具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的全自動(dòng)單晶爐、多晶鑄錠爐、區(qū)熔硅單晶爐等晶體生長(zhǎng)設(shè)備，公司研發(fā)的大尺寸、大投料量型單晶爐能夠?qū)崿F(xiàn)大尺寸晶體生長(zhǎng)，滿足下一代大規(guī)格硅片對(duì)單晶生長(zhǎng)設(shè)備的需求。2021年，公司研制出國(guó)內(nèi)首臺(tái)12英寸硬軸直拉硅單晶爐，成功生長(zhǎng)出12英寸單晶硅棒；同時(shí)在12英寸大硅片設(shè)備領(lǐng)域陸續(xù)研發(fā)了減薄設(shè)備、雙拋設(shè)備、最終拋光設(shè)備。半導(dǎo)體設(shè)備布局完善，覆蓋生長(zhǎng)、切片、拋光、外延四大環(huán)節(jié)。在8寸線方面，公司具備幾乎100%的整線能力，實(shí)現(xiàn)了從長(zhǎng)晶到加工的全覆蓋，已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)和批量出貨；在12寸線方面，公司的單晶爐、滾磨設(shè)備、截?cái)嘣O(shè)備、研磨設(shè)備、邊緣拋光設(shè)備、雙面拋光設(shè)備均已實(shí)現(xiàn)批量銷售，未來(lái)也有望具備整線能力。目前，8英寸和12英寸硅片項(xiàng)目的國(guó)產(chǎn)化率仍有較大差距，但長(zhǎng)晶設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率較高，公司作為長(zhǎng)晶設(shè)備龍頭，有望充分享受下游擴(kuò)產(chǎn)紅利。下游客戶積極擴(kuò)產(chǎn)大硅片項(xiàng)目，對(duì)應(yīng)的公司可觸達(dá)設(shè)備市場(chǎng)空間超百億元。隨著國(guó)內(nèi)硅片廠對(duì)國(guó)產(chǎn)化設(shè)備的需求提升，公司設(shè)備驗(yàn)證和出貨情況較好，已與中環(huán)領(lǐng)先、奕斯偉、中晶科技建立了長(zhǎng)期合作關(guān)系，與有研新材、上海新昇、合晶科技。神工股份等建立了穩(wěn)定合作關(guān)系。經(jīng)不完全統(tǒng)計(jì)，上述客戶在2023-25年已確定的8英寸擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模合計(jì)分別達(dá)到53/6/2萬(wàn)片每月，12英寸擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模合計(jì)分別達(dá)到41/35/11萬(wàn)片每月；考慮到公司在半導(dǎo)體設(shè)備的產(chǎn)品布局，我們將下游客戶的拋光片及外延片擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模乘以相應(yīng)的設(shè)備投資額，測(cè)算出2023-2025年晶盛機(jī)電在以上客戶擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模對(duì)應(yīng)的設(shè)備需求中可觸達(dá)空間達(dá)到57/40/10億元，合計(jì)約107億元。隨著未來(lái)更多擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目落地，公司的可觸達(dá)設(shè)備空間將持續(xù)增長(zhǎng)，若按照2023年可觸達(dá)設(shè)備空間在總國(guó)產(chǎn)設(shè)備空間中的占比（37%），預(yù)計(jì)2024-2025年可觸達(dá)市場(chǎng)可高達(dá)61/76億元?？蛻暨M(jìn)展順利，半導(dǎo)體設(shè)備在手訂單飽滿。隨著設(shè)備在下游客戶的出貨及驗(yàn)證不斷加速，公司半導(dǎo)體設(shè)備訂單自2021年開始快速增長(zhǎng)，截至2022Q1-3公司未完成半導(dǎo)體設(shè)備合同24.6億元，2022年全年新簽訂單目標(biāo)突破30億元。向上游半導(dǎo)體零部件及耗材拓展，深化一體化能力。公司還建立了以高純石英坩堝、金剛線、半導(dǎo)體閥門、管件、磁流體、精密零部件為主的產(chǎn)品體系，以配套半導(dǎo)體和光伏設(shè)備所需關(guān)鍵零部件及產(chǎn)業(yè)鏈所需核心輔材耗材方面的需求。其中，半導(dǎo)體閥門壁壘較高，國(guó)產(chǎn)化率很低，且具備損耗快、替換頻率高的屬性，我們測(cè)算出國(guó)內(nèi)泵閥增量+存量替換市場(chǎng)規(guī)模24年約44億元，隨著加速，晶盛在閥門市場(chǎng)的滲透率有望提高。四、碳化硅：應(yīng)用前景廣闊，打開長(zhǎng)期成長(zhǎng)空間（一）碳化硅材料加速產(chǎn)業(yè)化，從0到1未來(lái)空間廣闊碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，具有耐高溫、耐高壓、高頻率等優(yōu)越性能。與硅基材料相比，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料在禁帶寬度、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、飽和電子漂移速率等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，可制作出耐高溫、耐高壓、高頻率和大功率的半導(dǎo)體器件，主要應(yīng)用于新能源車、光伏發(fā)電及射頻等場(chǎng)景。碳化硅襯底可以分為導(dǎo)電型襯底和半絕緣型襯底，導(dǎo)電型襯底應(yīng)用更加廣泛。在導(dǎo)電型碳化硅襯底（SiC-on-SiC）上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅外延片，可進(jìn)一步制成功率器件（二極管、MOSFET），適用于高溫、高壓環(huán)境，應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電等領(lǐng)域。在半絕緣型碳化硅襯底（GaN-on-SiC）上生長(zhǎng)氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進(jìn)一步制成微波射頻器件，適用于高頻、高溫環(huán)境，應(yīng)用于5G通訊、雷達(dá)等領(lǐng)域。國(guó)內(nèi)在碳化硅的量產(chǎn)應(yīng)用進(jìn)度上與國(guó)外仍存在較大差距。國(guó)外主流廠商在功率器件和射頻器件上均已實(shí)現(xiàn)8英寸的襯底量產(chǎn)應(yīng)用，而國(guó)內(nèi)目前進(jìn)展仍主要處于6英寸及以下襯底的量產(chǎn)階段。半絕緣型襯底（射頻器件），國(guó)內(nèi)已實(shí)現(xiàn)6英寸及以下襯底的量產(chǎn)應(yīng)用；碳化硅二極管6英寸及以下襯底已量產(chǎn)，下游主要處于產(chǎn)品送樣測(cè)試、小批量供貨階段，部分廠商量產(chǎn)；碳化硅MOSFET國(guó)內(nèi)尚處于6英寸驗(yàn)證階段，尚未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。預(yù)計(jì)新能源汽車和光伏逆變器領(lǐng)域的碳化硅高壓器件將在2024-25年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。由于碳化硅具有更高的擊穿電壓，且同等電壓下比硅同類器件擁有更低的導(dǎo)通電阻，因此碳化硅在高壓和超高壓器件的優(yōu)勢(shì)明顯。根據(jù)Yole，目前在新能源車載逆變器應(yīng)用上1200VSiC器件已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，預(yù)計(jì)2025年將實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)；光伏逆變器也將在2023-24年實(shí)現(xiàn)1700VSiC器件量產(chǎn)，以及1700VSiCMOSFET的產(chǎn)品升級(jí)。碳化硅器件性能優(yōu)越，在電動(dòng)車上的滲透率快速提升。新能源汽車系統(tǒng)架構(gòu)中涉及到功率半導(dǎo)體應(yīng)用的組件包括：電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、車載充電系統(tǒng)（OBC）、電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（車載DC/DC）和非車載充電樁。碳化硅功率器件在電動(dòng)車上不同部位應(yīng)用的滲透率不同，根據(jù)CASA，續(xù)航里程500km以上車型的電機(jī)控制器SiC滲透率到2023年降到100%，續(xù)航里程400km-500km的車型電控將在23年開始使用SiC功率半導(dǎo)體，整體滲透率在40%左右；續(xù)航里程400km以下車型電控將在2025年以后使用SiC功率半導(dǎo)體，整體滲透率小于10%。而OBC/DCDC的市場(chǎng)滲透進(jìn)度要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于電控。從整體來(lái)看，根據(jù)Wolfspeed，碳化硅在電動(dòng)車中的滲透率在2022年約為9%，預(yù)計(jì)到2027年將提升到25%；同時(shí)，隨著電動(dòng)車使用的碳化硅含量不斷增加，碳化硅在電動(dòng)車上的價(jià)值量也將持續(xù)提升。受益于SiC滲透率提升和新能源汽車需求爆發(fā)，全球SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模高增長(zhǎng)。使用SiC襯底制作的射頻及功率器件應(yīng)用場(chǎng)景廣泛。根據(jù)Yole預(yù)測(cè)，2021-2027E全球SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)從10.90億美元增長(zhǎng)至62.97億美元，CAGR高達(dá)34%，主要驅(qū)動(dòng)力是SiC模塊在新能源汽車中的滲透及新能源汽車需求爆發(fā)。襯底在產(chǎn)業(yè)鏈中價(jià)值量占比最高，全球市場(chǎng)規(guī)模約十億美元。根據(jù)數(shù)據(jù)，襯底在SiC功率半導(dǎo)體的成本構(gòu)成中占比高達(dá)47%。根據(jù)Wolfspeed，碳化硅襯底材料的市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的8億美元增長(zhǎng)至2026年的17億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率約25%。隨著Wolfspeed、II-VI等企業(yè)6英寸碳化硅晶片制造技術(shù)的成熟完善，6英寸產(chǎn)品質(zhì)量和穩(wěn)定性逐漸提高，國(guó)外下游器件制造廠商對(duì)碳化硅晶片的采購(gòu)需求逐漸由4英寸向6英寸轉(zhuǎn)化。國(guó)內(nèi)也正在積極向6英寸方向發(fā)展，在8英寸碳化硅晶片尚未實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的情況下，6英寸碳化硅晶片將成為市場(chǎng)主流產(chǎn)品。碳化硅外延設(shè)備是核心環(huán)節(jié)，未來(lái)市場(chǎng)年均增速超25%。與Si器件不同,SiC器件不能在晶圓上直接制作,而是需要在SiC晶圓上沉積生長(zhǎng)外延膜,利用外延膜生產(chǎn)器件，所以SiC外延設(shè)備在產(chǎn)業(yè)鏈中處于承上啟下的重要位置，因此價(jià)值量和利潤(rùn)空間較高，單臺(tái)價(jià)格在千萬(wàn)左右。根據(jù)ASM估計(jì)，預(yù)計(jì)2021-2025年對(duì)SiC外延設(shè)備的需求將以超過25%的CAGR增長(zhǎng)；據(jù)此測(cè)算，2025年全球市場(chǎng)規(guī)模將超過82億元。（二）8英寸襯底量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)在即，外延爐產(chǎn)能瓶頸加速SiC襯底市場(chǎng)：海外廠商份額壟斷，仍需突破。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2021年，CREE（已更名為Wolfspeed）市占率高達(dá)62%，且2018-2020年均穩(wěn)定在60%左右；II-VI（已更名為Coherent）和SiCrystal（被Rohm收購(gòu)）市占率分別為14%和13%，TOP5海外廠商占比為98%。SiC襯底產(chǎn)品的核心參數(shù)包括直徑、電阻率范圍、彎曲度、翹曲度、表面粗糙度等，參數(shù)的優(yōu)化需要通過反復(fù)測(cè)試來(lái)實(shí)現(xiàn)。國(guó)產(chǎn)廠商在4英寸和6英寸產(chǎn)品上仍與海外廠商具有一定差距，需要時(shí)間追趕技術(shù)差距。良率或成為競(jìng)爭(zhēng)核心，考驗(yàn)團(tuán)隊(duì)對(duì)SiC應(yīng)用的經(jīng)驗(yàn)/know-how積累。盡管國(guó)內(nèi)廠商積極進(jìn)行SiC襯底擴(kuò)產(chǎn)，但產(chǎn)品質(zhì)量和良率仍具有不確定性，具備大規(guī)模量產(chǎn)大尺寸SiC襯底能力的企業(yè)較少?？紤]國(guó)產(chǎn)廠商與海外龍頭的技術(shù)代際差距，高端SiC襯底仍然需要進(jìn)口。在國(guó)內(nèi)產(chǎn)能規(guī)劃陸續(xù)落地的背景下，良率較低的產(chǎn)能盈利水平仍有壓力。8英寸晶片產(chǎn)能稀缺，2023年為主流廠商的量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)。當(dāng)前，國(guó)內(nèi)企業(yè)具備碳化硅襯底量產(chǎn)能力的企業(yè)較少且主要布局于4英寸技術(shù)，僅有部分企業(yè)突破6英寸、8英寸工藝。8英寸襯底方面，海外進(jìn)展較快，Wolfspeed、Coherent已于2022年實(shí)現(xiàn)8英寸襯底量產(chǎn)，而Rohm、英飛凌等國(guó)際企業(yè)將8英寸碳化硅襯底的量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)定在2023年左右；國(guó)內(nèi)正在加速追趕，爍科晶體已實(shí)現(xiàn)小批量量產(chǎn)，而天科合達(dá)、晶盛機(jī)電也宣布將在2023年實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅襯底的小批量量產(chǎn)。碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)呈現(xiàn)雙寡頭壟斷格局。碳化硅單晶爐單臺(tái)價(jià)值量不大，約60-100萬(wàn)元/臺(tái)。國(guó)內(nèi)碳化硅長(zhǎng)晶爐廠商以北方華創(chuàng)（市占率50%）和晶升裝備（市占率27.47%-29%）為主，二者在設(shè)備規(guī)格指標(biāo)參數(shù)及晶體生長(zhǎng)控制指標(biāo)參數(shù)方面基本已經(jīng)達(dá)到或優(yōu)于國(guó)外主流廠商技術(shù)水平；其他供應(yīng)商包括連城數(shù)控、漢虹精密等。此外，還有一類廠商生產(chǎn)的長(zhǎng)晶設(shè)備基本不對(duì)外銷售，僅供自研/自用，如晶盛機(jī)電、天科合達(dá)、露笑科技等。海外四大龍頭壟斷SiC外延設(shè)備市場(chǎng)，國(guó)際廠商產(chǎn)能緊缺加速。目前全市場(chǎng)外延爐供應(yīng)商被四家龍頭海外公司所壟斷：日本TEL、德國(guó)Aixtron、日本Nuflare、意大利LPE（已被荷蘭ASM收購(gòu)），CR4接近100%；國(guó)內(nèi)供應(yīng)商主要包括晶盛機(jī)電、北方華創(chuàng)、恒普股份等。當(dāng)前，海外供應(yīng)商的外延爐產(chǎn)能極其緊缺，在未來(lái)的擴(kuò)產(chǎn)潮中可能成為產(chǎn)業(yè)鏈中的卡脖子環(huán)節(jié)。（三）從碳化硅設(shè)備到襯底材料，擴(kuò)徑迭代打開長(zhǎng)期空間從SiC設(shè)備向材料延伸，向大尺寸持續(xù)邁進(jìn)。目前，公司可提供的產(chǎn)品包括SiC長(zhǎng)晶設(shè)備、拋光設(shè)備、外延設(shè)備及6英寸導(dǎo)電型SiC襯底片、8英寸拋光片。設(shè)備方面，已實(shí)現(xiàn)6英寸外延爐批量供應(yīng)。2018年，公司研發(fā)了6英寸SiC晶體生長(zhǎng)爐，采用物理氣相沉積法；基于晶體生長(zhǎng)技術(shù)，公司開始往外延設(shè)備延伸，并已經(jīng)實(shí)現(xiàn)6英寸外延設(shè)備的批量供應(yīng)。2023年2月4日，公司發(fā)布6英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備，該產(chǎn)品與單片設(shè)備相比，新設(shè)備單臺(tái)產(chǎn)能增加70%，單片運(yùn)營(yíng)成本降幅可達(dá)30%以上。材料方面，從6英寸向8英寸的擴(kuò)徑迭代順利。公司建設(shè)了6英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實(shí)驗(yàn)線，實(shí)驗(yàn)線產(chǎn)品已通過下游部分客戶驗(yàn)證。公司已成功生長(zhǎng)出行業(yè)領(lǐng)先的8英寸N型碳化硅晶體，也實(shí)現(xiàn)了8英寸拋光片的開發(fā)，晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當(dāng)，預(yù)計(jì)今年Q2將實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)。公司積極擴(kuò)產(chǎn)6英寸及以上產(chǎn)能項(xiàng)目，已形成意向訂單。產(chǎn)能端，2021年10月，公司公告計(jì)劃在寧夏銀川投資碳化硅襯底晶片生產(chǎn)基地項(xiàng)目，建設(shè)年產(chǎn)40萬(wàn)片6英寸及以上尺寸的導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅襯底晶片產(chǎn)能，建設(shè)期60個(gè)月，達(dá)產(chǎn)后每年可實(shí)現(xiàn)新增銷售收入為23.56億元。銷售端，2022年2月，公司公告客戶A已與公司形成采購(gòu)意向，2022年-2025年公司將優(yōu)先向其提供碳化硅襯底合計(jì)不低于23萬(wàn)片，預(yù)計(jì)合同金額為13-14億元。總體來(lái)看，SiC作為新一代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)空間廣闊，晶盛機(jī)電作為國(guó)產(chǎn)設(shè)備和材料龍頭已加緊產(chǎn)業(yè)布局，并取得階段性成果。隨著國(guó)內(nèi)技術(shù)和工藝的不斷突破，我們認(rèn)為SiC有望為公司再度打開新的成長(zhǎng)空間。五、藍(lán)寶石：消費(fèi)電子帶動(dòng)需求增長(zhǎng)，公司布局領(lǐng)先藍(lán)寶石應(yīng)用領(lǐng)域廣泛。藍(lán)寶石俗稱剛玉，具有優(yōu)異的光學(xué)性能、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，其強(qiáng)度高、硬度大（莫氏硬度為9，僅次于鉆石，高于玻璃）、耐沖刷，可在近2000高溫的惡劣條件下工作，因而被廣泛的應(yīng)用于紅外軍事裝置、高強(qiáng)度激光的窗口材料、半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)，是大規(guī)模集成電路SOI和SOS及超導(dǎo)納米結(jié)構(gòu)薄膜等最為理想的襯底材料等。LED襯底材料是藍(lán)寶石最重要的應(yīng)用領(lǐng)域。從藍(lán)寶石下游應(yīng)用占比來(lái)看，LED襯底占比達(dá)80%，光學(xué)鏡片15%，智能手表屏幕3%，其余應(yīng)用包括半導(dǎo)體照明、攝像頭鏡頭保護(hù)玻璃等。MiniLED加速發(fā)展，有望帶動(dòng)藍(lán)寶石材料需求增長(zhǎng)。近年來(lái)MiniLED技術(shù)逐漸成熟，在下游的應(yīng)用持續(xù)推進(jìn)。2019年是MiniLED的商業(yè)化元年，行業(yè)龍頭和各家參與者爭(zhēng)相推出采用MiniLED背光或類似技術(shù)的產(chǎn)品，預(yù)計(jì)全球MiniL