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電池的特殊工藝第一頁,共二十九頁,2022年,8月28日主要特殊工藝絨面的制備擴(kuò)散方法的改進(jìn)制作背面場金屬電極的制作透明電極的制作第二頁,共二十九頁,2022年,8月28日一、絨面的制備1、絨面介紹外貌類似“倒金字塔”狀的一個個小錐體是由相交晶面形成的。絨面電池的硅表面通常平行于(100)面,倒金字塔由(111)面相交而成。配一副圖片教材P82第三頁,共二十九頁,2022年,8月28日2、絨面的特點(diǎn)優(yōu)點(diǎn):使入射光有兩次機(jī)會進(jìn)入電池,總的反射為33%×33%=11%,比光滑硅片的反射率33%低很多;入射光經(jīng)反射使入射光能夠更接近在電池表面被吸收,增加載流子的收集幾率。一、絨面的制備第四頁,共二十九頁,2022年,8月28日缺點(diǎn):絨面工藝過程操作增加難度絨面能吸收所有波長的光,使電池表面的溫度升高,降低電池效率表面制備金屬電極難度加大,會消耗更多的金屬材料一、絨面的制備第五頁,共二十九頁,2022年,8月28日制備原理:硅的各向異性腐蝕劑通常采用堿性溶劑。在氫氧化鈉、氫氧化鉀、聯(lián)氨、乙二胺或硅酸鈉的水溶液里,水是氧化劑。添加醇類能起絡(luò)合作用,如異丙醇、n-丙醇、仲丁醇或鄰苯二酚。在高濃度的堿、聯(lián)氨的水溶液中,氧化與絡(luò)合兩種作用同時存在一、絨面的制備第六頁,共二十九頁,2022年,8月28日腐蝕液對不同晶面的腐蝕速率差別很大,<100>方向的腐蝕速率比<111>方向的腐蝕速率高達(dá)10倍以上。在水、乙二胺、鄰苯二酚腐蝕劑中,(100)、(110)和(111)的腐蝕速率分別近似于50:30:3(微米/小時)。一、絨面的制備第七頁,共二十九頁,2022年,8月28日制備方法一:在60%的聯(lián)氨(N2H4)水溶液中,加熱到90℃,腐蝕30分鐘,腐蝕速率為1.6微米/分,腐蝕深度可達(dá)48微米。一、絨面的制備第八頁,共二十九頁,2022年,8月28日制備方法二:19%的氫氧化鉀水溶液中,在80℃時腐蝕120分鐘,腐蝕速率為0.59微米/分。腐蝕深度可達(dá)71微米。一、絨面的制備第九頁,共二十九頁,2022年,8月28日制備方法三:0.7~1.0%的氫氧化鋰水溶液,用無水乙醇作為分散劑,溫度大于90℃,腐蝕6分鐘以上,可得黑色均勻的絨面。一、絨面的制備第十頁,共二十九頁,2022年,8月28日制備方法四:腐蝕液中氫氧化鈉與異丙醇的質(zhì)量配比為1:7,配制濃度合適的NaOH溶液(濃度在2~3%之間左右,原因如下:由于硅表面的平均反射率與少數(shù)載流子的壽命是判斷單晶硅絨面制作成功的主要參數(shù),通過查閱文獻(xiàn)發(fā)現(xiàn):在90℃的條件下,單晶硅片表面的平均反射率在NaOH的濃度為2%時最低,降低到16%。同時,NaOH的腐蝕液質(zhì)量的濃度越大,載流子的壽命就越高,在質(zhì)量濃度為3%的NaOH腐蝕液在90℃腐蝕20min所得的載流子壽命最長,為0.8994us。)一、絨面的制備第十一頁,共二十九頁,2022年,8月28日二、擴(kuò)散方法的改進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)工藝中我們講到的是擴(kuò)散批量生產(chǎn)制作pn結(jié),通過改進(jìn)工業(yè)中用離子注入的方法連續(xù)的摻雜制作pn結(jié)離子注入的定義(后續(xù))第十二頁,共二十九頁,2022年,8月28日離子注入概述最早應(yīng)用于原子物理和核物理研究提出于1950’s1970’s中期引入半導(dǎo)體制造領(lǐng)域第十三頁,共二十九頁,2022年,8月28日離子注入離子注入是另一種對半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜的方法。將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束,在電場中加速而獲得極高的動能后,注入到硅中(稱為“靶”)而實(shí)現(xiàn)摻雜。離子注入定義第十四頁,共二十九頁,2022年,8月28日離子注入與擴(kuò)散的比較擴(kuò)散離子注入第十五頁,共二十九頁,2022年,8月28日擴(kuò)散離子注入高溫,硬掩膜900-1200℃低溫,光刻膠掩膜室溫或低于400℃各向同性各向異性不能獨(dú)立控制結(jié)深和濃度可以獨(dú)立控制結(jié)深和濃度注入與擴(kuò)散的比較第十六頁,共二十九頁,2022年,8月28日離子注入控制離子束流密度和注入時間控制雜質(zhì)濃度(注入離子劑量)離子能量控制結(jié)深雜質(zhì)分布各向異性第十七頁,共二十九頁,2022年,8月28日ImplantationProcess:WellImplantation第十八頁,共二十九頁,2022年,8月28日三、制作背面場背面場通過摻雜的方式在電池背面建立一個重?fù)诫s區(qū),重?fù)诫s區(qū)和較輕摻雜的體區(qū)之間的界面能夠起到低復(fù)合速度表面的作用。背面場的特點(diǎn):(1)重?fù)诫s區(qū)和較輕摻雜的體區(qū)之間的界面具有低復(fù)合速度(2)背電極的接觸電阻大大降低,同時增加電壓與電流的輸出第十九頁,共二十九頁,2022年,8月28日制作背面場的方法對于P型<100>硅片,采用硼的兩步擴(kuò)散法。先用硼源進(jìn)行恒定源擴(kuò)散,不去BSG;再取出樣片進(jìn)行氧化推進(jìn)。第二十頁,共二十九頁,2022年,8月28日四、金屬電極的制作實(shí)驗(yàn)室常用的蒸鍍(濺射)金屬膜的方法激光刻槽埋柵絲網(wǎng)印刷電鍍法(略)透明電極第二十一頁,共二十九頁,2022年,8月28日實(shí)驗(yàn)室制備電極的方法正面電極用電子束蒸發(fā)金屬鈦電子束蒸發(fā)金屬鈀電子束蒸發(fā)金屬銀背面電極用電子束蒸發(fā)金屬鈦電子束蒸發(fā)金屬鋁第二十二頁,共二十九頁,2022年,8月28日四、金屬電極的制作(2)激光刻槽埋柵這種方法是在表面受到保護(hù)的輕摻雜基體上,用激光或者機(jī)械的方法刻劃出電極槽,經(jīng)過清洗之后對電極槽區(qū)域進(jìn)行重?fù)诫s,最后將不同合金按照不同順序澆注到電極槽內(nèi)形成電極。用這種方法優(yōu)點(diǎn):

a.電極寬度很窄(20~25μm);

b.具有很低的表面覆蓋率,增加光照面積;

c.具有高的縱深比,能夠更好地吸收載流子。第二十三頁,共二十九頁,2022年,8月28日第二十四頁,共二十九頁,2022年,8月28日(3)絲網(wǎng)印刷絲網(wǎng)印刷基本上從古老的絲網(wǎng)面料印刷發(fā)展而來——運(yùn)用導(dǎo)電漿料像絲網(wǎng)面料印刷那樣印刷后燒結(jié)而成,是晶體硅太陽能電池的工業(yè)生產(chǎn)電池電極制作的常用方法。四、金屬電極的制作第二十五頁,共二十九頁,2022年,8月28日絲網(wǎng)印刷電池的特點(diǎn)沒有化學(xué)廢物需要處理速度快效率高,能進(jìn)行大批量生產(chǎn)較大的電極寬度(現(xiàn)在大多數(shù)導(dǎo)線燒結(jié)后的尺寸是110-120μm寬,12-15μm高)具有高度自動化,極高的產(chǎn)量和處理超薄硅片的能力成本低第二十六頁,共二十九頁,2022年,8月28日(4)透明電極透明電極受到了人們的關(guān)注。這種電極一般是用ZnOx制成,可以避免表面被遮蓋,但是由于硅電池的后續(xù)工藝都需要高溫,透明電極的導(dǎo)電性能和透光性能在后續(xù)工藝中都會下降。四、金屬電極的制作第二十七頁,共二十九頁,2022年,8月28日透明導(dǎo)電氧化物(TC

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