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筆記本結(jié)構(gòu)設(shè)計經(jīng)驗教訓(xùn)NB-ME-Design-Lesson-learn第一頁,共48頁。Case1Issue:Hingebosscrack第二頁,共48頁。Case1Rootcause/Solution:第三頁,共48頁。Case1Rootcause/Solution:第四頁,共48頁。Case2Issue:HingeBracketbroken第五頁,共48頁。Case2Rootcause/Solution:第六頁,共48頁。Case2Rootcause/Solution:第七頁,共48頁。Case3Issue:E-sataJackInterferance第八頁,共48頁。Case3Rootcause/Solution:ForstrengthconcernedtoEChingesupport第九頁,共48頁。Case3TherearedifferenttypeJack
RDcheckMolexonly(noplastic),
foxconnandtycohaveplastic0.7mmhighinterfere0.3mm
Rootcause/Solution:第十頁,共48頁。Case3Rootcause/Solution:第十一頁,共48頁。Case4Issue:SmilegapRootcause/Solution:1.Refertothepicture,thedimensionofthecenteroftheaxistotheironsurfaceis15.55mm±0.1mm.2.Oldhingeactualdatefor5unitsasbelow:(1)15.48mm(2)15.43mm(3)15.43mm(4)15.40mm(5)15.45mm→ST:ReducerubberheightLT:AddheightofAxis第十二頁,共48頁。Case5鐳雕區(qū)域非鐳雕區(qū)域Issue:PowerbuttonUVcoatingpeeloff第十三頁,共48頁。Case5Rootcause:ProcessCoatingthicknessSubstrateBlackbasecoatingPrimer(Basecoating)PlatingUVcoating15μm8μm1.0~1.5μm8~15μm鐳雕Colory一般控制在10~12μm中制程
雷雕工藝為整個工藝的最后一道,UV層破壞后沒有保護(hù)動作。
鐳雕機(jī)功率設(shè)定過高,鐳雕后周邊區(qū)域碳化;鐳雕機(jī)功率設(shè)定為額定功率的80%,約7~8W,頻率為1200Hz第十四頁,共48頁。Case5Solution:
降低鐳雕機(jī)功率鐳雕機(jī)功率降為額定功率的60%,約5~6W,頻率不變
變更工藝流程,雷雕工藝放在UVcoating之前,雷雕后通過UV保護(hù)BlackbasecoatingPrimer(Basecoating)PlatingUVcoating15μm8μm1.0~1.5μm8~15μm鐳雕中制程第十五頁,共48頁。Case6Issue:NoiseatK-locklocation機(jī)器做open/close時,hinge的搖擺帶動K-lockBKT運(yùn)功,
其噴漆面與base摩擦產(chǎn)生異音.Rootcause:1.K-lockBKT與base的gap設(shè)計值為0;2.K-lockBKT與base接觸面為噴漆光面;3.K-lockBKT與hinge有鎖附關(guān)係;第十六頁,共48頁。Case6Solution:1.Shortterm:K-lockBKT噴漆面打磨為粗糙面/K-lock與base的結(jié)合面加點(diǎn)酒精.2.Longterm:Base偷肉0.2mm,增加base與K-lock的GAP的GAP,避免面對面的摩擦.第十七頁,共48頁。Case7gapmax1.1-1.2mm(spec<0.8mm)Issue:GapbetweenTopandBase第十八頁,共48頁。Case7Rootcause:MEStructure第十九頁,共48頁。Case7Rootcause:topshielding結(jié)構(gòu)薄弱,screw鎖附時產(chǎn)生一個反向的力,
導(dǎo)致卡勾瞬間脫離影響會微量的下陷;第二十頁,共48頁。Case7Rootcause:base上卡勾的supportrib在卡合面以下,且為斜面卡合,
卡合受力後base卡勾向內(nèi)變形,導(dǎo)致卡合量丟失;第二十一頁,共48頁。Case7在topshielding兩個鎖screw位置的中間加1pcsrubber,
rubberZ軸干涉量0.5mm,形成一個蹺蹺板的支點(diǎn);Solution:第二十二頁,共48頁。Case7此位置的卡勾卡合方式由斜面卡合改平面卡合,並將BASE卡勾背面的supportrib加高到卡合面以上1mm的位置;Solution:第二十三頁,共48頁。Case8Issue:UVCoatingpeelofffromTPpanel第二十四頁,共48頁。NisshaIMRalreadybewithhardcoat,andanotherAkzoUVcoatingisontheIMR.
ButAkzoUVcoatingcannotbegoodtomixwithIMRhardcoat.
SoUVcoatingiseasytopeeloffonTPPlateRootCause:Case8第二十五頁,共48頁。Solution:Case8ST:ChangetouseNisshaIMRfoilwhichiswithouthardcoat.LT:MoveIMRfoilbacktoPMMA第二十六頁,共48頁。Case9Issue:HookofBatteryLatchbroken第二十七頁,共48頁。Case9RootCause:link卡勾後側(cè)base上的support面積太小且為R角結(jié)構(gòu),導(dǎo)致對卡勾配合面的support不夠;第二十八頁,共48頁。Case9Link與battery配合的卡勾根部及卡勾轉(zhuǎn)角處加0.5mm的R角後Solution:第二十九頁,共48頁。Case10Issue:ThermalBlockinterferencewithCPUSpringPlateCuBaseHeatspreaderInterferenceThermalmoduleinterferencewithCPU.Causesystemshut-down.
第三十頁,共48頁。Case101.ThermalTeamdonotrequestthermalvendortousewhatkindofassemblymethodtofixspringplate,Cu-baseandheatspreader.(Thermalteamside)2.ThermalvendorAurasusedwrongmethod(雞眼釘Copperrivet)tofixcontactstructure,resulting雞眼釘interferewithCPUcapacitor.(Vendorside)FixRootCause:第三十一頁,共48頁。Case10RootCause:雞眼釘干涉Copperrivet雞眼釘pitis
0.35mmMylarthicknessis
0.1mmTotalthicknessis0.45
mm2DDimensionofAMDtheGapbetweenCPUdieandcapacitorisonlyabout0.2mm第三十二頁,共48頁。Case10Solution1:抽拉銅柱固定方式製程方式:
Cuheatspreader先抽拉出銅柱,之後再放入一個鉚合模鉚合彈片,銅塊。此方式可確保heatspreader面限高為零!限高0mmSolution:第三十三頁,共48頁。Case10Solution:製程:
Cuheatspreader先經(jīng)一套鉚合模,鉚入實心銅柱,接下來在進(jìn)另外一套鉚合模,鉚合彈片及銅塊。此方式需用到兩套鉚合模,故成本較高。但此方式亦可確保heatspreader面限高為零!限高0mmSolution
2:鉚接實心銅柱固定方式第三十四頁,共48頁。Case11Issue:RAMdoorribshorttoRAMcapacitanceaspressthedoor
RootCause:第三十五頁,共48頁。Case11Solution:1.Addmylaronramdoorribtopreventthisrisk.2.Haveectocancelthisribtoenlargegap.第三十六頁,共48頁。Case12Issue:1.NopostorNopower
2.MBcanpoweronwhenpressN.Bridgebyfinger第三十七頁,共48頁。Case12FA:第三十八頁,共48頁。Case12FA:Dye-Pry第三十九頁,共48頁。Case12FA:Dye-Pry第四十頁,共48頁。Case12FA:CrossSection第四十一頁,共48頁。Case12FA:CrossSection第四十二頁,共48頁。Case12FA:CrossSectionBasedonaboveanalysis(cracklocationandmultiplexcrackinterface),su
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