《光電子技術(shù)》狄紅衛(wèi)版

蓋了材料〔型發(fā)光感光材料，非線性光學材料，襯底材料、傳輸材料和人工材料的微構(gòu)造等、微加工和微機電、器件和系統(tǒng)集成等一系列從根底到應(yīng)用的各個領(lǐng)域。光電子技術(shù)科學是光電信息產(chǎn)業(yè)的支柱與根底，涉及光電子學、光學、電子學、計算機技術(shù)等前沿學科理論，是多學科相互滲透、相互穿插而形成的高技術(shù)學科。光子學信息載體光子技術(shù)探測的科學技術(shù)?，F(xiàn)在光子學和光子技術(shù)在信息、能源、材料、航空航天、生命科學和環(huán)境光波紅外線X〔頻率范圍3×1011Hz~3×1016Hz或波長范圍1mm~10nm〕的電子學。光電子技術(shù)在經(jīng)過80年月與其相關(guān)技術(shù)相互穿插滲透之后，90年月，其技術(shù)和應(yīng)域，這對全球的信息高速大路的建設(shè)以及國家經(jīng)濟和科技持續(xù)進展起著舉足輕重的推動作用。國內(nèi)外正掀起一股光子學和光子產(chǎn)業(yè)的熱潮?？梢姽獾牟ㄩL、頻率和光子的能量范圍分別是多少？波長：380~780nm 400~760nm頻率：385T~790THz 400T~750THz能量：1.6~3.2eV輻射度量與光度量的根本區(qū)分是什么？為什么量子流速率的計算公式中不能消滅光度量？及用光電敏感器件進展光譜輻射度量與光度量是光輻射的兩種不同的度量方法。根本區(qū)分在于：前者是物理〔或客觀〕〔或主觀〕0.38~0.78um的可見光譜區(qū)域輻射，所以量子流速率的計算公式中不能消滅光度量.光源在給定波長λ處，將λ～λ+dλ范圍內(nèi)放射的輻射通量dΦe，除以該波長λ的光子能量hν，就得到光源在λ處每秒放射的光子數(shù)，稱為光譜量子流速率。1.5m30lx，求出該燈的光通量。Φ=L*4πR^2=30*4*3.14*1.5^2=848.23lx一支氦-氖激光器〔波長為632.8nm〕發(fā)出激光的功率為2mW。該激光束的平面發(fā)散角1mrad,1mm。求出該激光束的光通量、發(fā)光強度、光亮度、光出射度。假設(shè)激光束投射在10m0.85，求該屏上的光亮度。 () Kv

V ()() () 6830.26521030.362lm()vI dvv d

() v S

2Rh

2(1 cos )R2 R2I

() 0.362v 1.15 10 5cdv 2(1 cos ) 2(1 cos 0.001 )vvv dI I Ivvv

1.46 1011cd /m2v dS cos S cos r2cos 0 d

() 0.3 62v 4.6 10 5lm /m2v dS 0.0005 2l 10 m r 0.0005 md”

(P6)

r2M ” 0.85 E”v

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Lv l20.85 L r2d 2”

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v v 155 cd /m2v ddS

”cos d 21.6T的上升而減小。試用普朗克熱輻射公式導出T常數(shù)m式這一關(guān)系式稱為維恩位移定律中，常數(shù)為2. - 。普朗克熱輻射公式求一階導數(shù)，令其等于0，即可求的。教材P8什么是光輻射的調(diào)制？有哪些調(diào)制的方法？它們有什么特點和應(yīng)用？光輻射的調(diào)制是用數(shù)字或模擬信號轉(zhuǎn)變光波波形的幅度、頻率或相位的過程。光輻射的調(diào)制方法有內(nèi)調(diào)制和外調(diào)制。內(nèi)調(diào)制：直接調(diào)制技術(shù)具有簡潔、經(jīng)濟、簡潔實現(xiàn)等優(yōu)點。但存在波長(頻率)的抖動。LD、LED外調(diào)制：調(diào)制系統(tǒng)比較簡潔、消光比高、插損較大、驅(qū)動電壓較高、難以與光源集成、偏振敏感、損耗大、而且造價也高。但譜線寬度窄。機械調(diào)制、電光調(diào)制、聲光調(diào)制、磁光調(diào)制說明利用泡克爾斯效應(yīng)的橫向電光調(diào)制的原理。畫出橫向電光調(diào)制的裝置圖，說明其中KDP晶體上加調(diào)制電壓U=Um，U量的表達式。Pockels效應(yīng)：折射率的轉(zhuǎn)變與外加電場成正比的電光效應(yīng)。也稱線性電光效應(yīng)。光傳播方向與電場施加的方向垂直，這種電光效應(yīng)稱為橫向電光效應(yīng)。Ps的大小打算于什么？在石英晶體上應(yīng)加怎樣的電信號才能實現(xiàn)光通量的調(diào)制？該信號的頻率和振幅分別起著什么作用？當超聲波在介質(zhì)中傳播時，將引起介質(zhì)的彈性應(yīng)變作時間上和空間上的周期性的變化，并且導致介質(zhì)的折射率也發(fā)生相應(yīng)的變化。當光束通過有超聲波的介質(zhì)后就會產(chǎn)生衍射現(xiàn)象，這就是聲光效應(yīng)。介質(zhì)時，相位就要受到調(diào)制，其結(jié)果如同它通過一個衍射光柵，光柵間距等于聲波波長，光作用區(qū)較長，光線與超聲波波面有確定角度斜入射時發(fā)生的。XXX2.4說明利用法拉第電磁旋光效應(yīng)進展磁光強度調(diào)制的原理。磁場使晶體產(chǎn)生光各向異性，稱為磁光效應(yīng)。的現(xiàn)象。電路磁場方向在YIG棒軸向，把握高頻線圈電流，轉(zhuǎn)變軸向信號磁場強度，就可把握光的振動面的旋轉(zhuǎn)角，使通過的光振幅隨角的變化而變化，從而實現(xiàn)光強調(diào)制。熱電探測器與光電探測器相比較，在原理上有何區(qū)分？光電探測器的工作原理是將光輻射的作用視為所含光子與物質(zhì)內(nèi)部電子的直接作用室溫下工作。光電效應(yīng)有哪幾種？各有哪些光電器件？物質(zhì)在光的作用下釋放出電子的現(xiàn)象稱為光電效應(yīng)?！踩绻怆姺派湫?yīng)〔如光電導效應(yīng)和光伏效應(yīng)。率的增大，這種現(xiàn)象稱光電導效應(yīng)。光敏電阻、光導探測器當半導體PN結(jié)受光照耀時，光子在結(jié)區(qū)〔耗盡區(qū)〕激發(fā)電子-空穴對。在自建場的作N區(qū)，空穴流向P區(qū)，從而在勢壘兩邊形成電荷積存，使P區(qū)、N區(qū)兩端產(chǎn)生電位差。P端為正，N端為負。這種效應(yīng)稱為光伏效應(yīng)。光電池、光電二極管、雙光電二極管，光電三極管、光電場效應(yīng)管、光電開關(guān)管、光電雪崩二極管質(zhì)外表，這種現(xiàn)象稱為光電放射效應(yīng)，又稱外光電效應(yīng)。光電倍增管，真空光電管、充氣光電管。光電器件的光電特性〔光照特性〕有哪兩種狀況？每種特性的器件各自的用途是什么？當光電器件上的電壓確定時光電流與入射于光電器件上的光通量的關(guān)系I=F(Ф) 稱為光電特性，光電流與光電器件上光照度的關(guān)系I=F(L)稱為光照特性。什么是光電器件的光譜特性？了解它有何重要性？選的光電器件的光譜特性與光源的光譜分布較接近的靈敏度〔響應(yīng)率〕——光譜靈敏度和積分靈敏度。為什么結(jié)型光電器件在正向偏置時沒有明顯的光電效應(yīng)？結(jié)型光電器件必需工作在哪種偏置狀態(tài)?由于p-n結(jié)在外加正向偏壓時，即使沒有光照，電流也隨著電壓指數(shù)級在增加，所以有光照時，光電效應(yīng)不明顯。p-n結(jié)必需在反向偏壓的狀態(tài)下，有明顯的光電效應(yīng)產(chǎn)生，這是p-n加。假設(shè)光電PN結(jié)在照度L1下開路電壓為U，求照度L2下的開路電壓U。負電子親和勢光電陰極的能帶構(gòu)造如何？它有哪些特點？外表區(qū)域能帶彎曲，真空能級降低到導帶之下。特點：1.量子效率高2.3熱電子放射小4.光電放射小，光電子能量集中何謂“白噪聲”？何謂“

1噪聲”？要降低電阻的熱噪聲應(yīng)實行什么措施？f功率譜大小與頻率無關(guān)的噪聲，稱白噪聲。功率譜與f1/f噪聲。措施：1.盡量選擇通帶寬度小的2.盡量選擇電阻值小的電阻3.降低電阻四周環(huán)境的溫度探測器的D*=1011cm·Hz1/2·W-10.5cm，用于f=5x103Hz的光電儀器中，它能探測的最小輻射功率為多少？應(yīng)怎樣理解熱釋電效應(yīng)？熱釋電探測器為什么只能探測調(diào)制輻射？熱電晶體的自發(fā)極化矢量隨溫度變化熱釋電效應(yīng)。由于熱釋電信號正比于器件的溫升隨時間的變化率，因此它只能探測調(diào)制輻射。3.13505000光電導。G=G-G=1/50-1/5000=0.0198〔s〕該樣品的光電導即為所求。3.143.253.26dL引起輸出電壓U0變化，分別寫出這兩種電路dU0的表達式。表達光電池的工作原理以及開路電壓、短路電流與光照度的關(guān)系。為什么光電池的輸出與所接的負載有關(guān)系？工作原理光電池是一個簡潔得PN結(jié)。當光線照耀PNPN過半導體材料的禁帶寬度，則由半導體能帶理論可知，在PN結(jié)四周會產(chǎn)生電子和空穴。在內(nèi)電場的作用下，空穴移向P區(qū)，電子移向N區(qū)，使N區(qū)聚攏大量的電子而帶上負電，在PP區(qū)和N用導線或電阻把N區(qū)和PIPN〔6〕光電池的電動勢即開路電壓與照度成非線性關(guān)系，在照度光電池的短路電流與照度成線性關(guān)系〔4分〕當負載電阻較大時，光電流流過負載電阻時，必定使外加電場增大，由于外電場的方向是與內(nèi)電場方向相反，故要減弱內(nèi)電場的強度，從而使光生的電子和空穴不能移過PN〔5〕2CR和2D2CU和2DU2DU什么？畫出正確接法的線路圖，使用時環(huán)極不接是否可用？為什么？2CR2DR2CR為N型單晶硅，2DR為P型單晶硅。2CU2DU2DU光電二極管增設(shè)環(huán)極的目的是為了削減暗電流和噪聲。說明PINPIN管的頻率特性為什么比一般光電二極管好？工作原理：PIN管加反向電壓時，勢壘變寬，在整個本征區(qū)開放，耗盡層寬度根本上是I區(qū)的寬度，光照到I層，激發(fā)光生電子空穴時，在內(nèi)建電場和反向電場作用下，空穴向P區(qū)移動，電子向N區(qū)移動，形成光生電流，通過負載，在外電路形成電流。特點：頻帶寬，線性輸出范圍寬。優(yōu)點：1，工作電壓比較低，一般為5V。2，探測靈敏度比較高；3，內(nèi)量子效率較高；4，響應(yīng)速度快；5，牢靠性高；6，PIN管能低噪聲工作。PN動，在運動過程中，又可能與原子碰撞，再一次產(chǎn)生的電子空穴對。如此反復，形成雪崩式的載流子倍增。特性：靈敏度高，響應(yīng)速度快；PIN光電二極管因由較厚的ip-n結(jié)的內(nèi)電場就根本上全集中于ip-n從而提高了p-n光電二極管的頻率響應(yīng)。由于PIN管耗盡層變寬，這就相當于增大了結(jié)電容之間的距離，使結(jié)電容變小，而且耗盡層的厚度隨反向電壓的增加而加寬，因而結(jié)電容隨著外加反向偏壓的增大而變得更小。I層的電阻率很高，故能承受很高的電壓，I層電場很強，對少數(shù)載流子漂移運于結(jié)電容變小，載流子渡越耗盡層的時間短，因此PIN管的特性好。〔5+3sin t〕μW，偏置電壓Ub=40V，信號由放大器接收，求取得最大功率時的負載電阻Rb和放大器的輸入電阻R的值，以及輸入給放大器的電流、電壓和功率值。3.972CU=〔20+50sinwt〕μW的光信號，其工作偏壓Ub=30V，拐點電壓Um=10V，且Rb=RL。2CU的參數(shù)是：光電靈敏度S=0.6μA/μW，結(jié)電容Cj=3pF，分布電容C0=3pF。試計算：1.3DU12Cj=8pFCi=5pF，輸入電阻r=10k計算變換電路中頻時的輸出電壓U0上限頻率f設(shè)計光控繼電器開關(guān)電路。條件：光電晶體管3DU15S=1μA/lxK的10mA1.5kΩ200lx時繼電器J吸合。試述PSD的工作原理，與象限探測器相比，PSD有什么優(yōu)點？PSD是利用離子注入技術(shù)制成的一種對入射到光敏面上的光點位置敏感的光電器件，分為一維和二維兩種。當入射光是非均勻的或是一個光斑時，其輸出與光的能量中心有關(guān)。與象限探測器相比，PSD的優(yōu)點有：對光斑的外形無嚴格要求；光敏面上無象限分隔線，對光斑位置可進展連續(xù)測量，位置區(qū)分率高，可同時檢測位置和光強。光電放射和二次電子放射有哪些不同？簡述光電倍增管的工作原理。光電放射是光轟擊材料使電子逸出，二次電子放射是電子轟擊材料，使的電子逸出。光子透過入射窗口入射在光電陰極K上。光電陰極電子受光子激發(fā)，離開外表放射到真空中。光電子通過電子加速和電子光學系統(tǒng)聚焦入射到第一倍增極D1上，倍增極將放射出比入射電子數(shù)目更多的二次電子，入射電子經(jīng)N級倍增極倍增后光電子就放大N次方倍。經(jīng)過倍增后的二次電子由陽極P收集起來，形成陽極光電流，在負載RL上產(chǎn)生信號電壓光電倍增管中的倍增極有哪幾種構(gòu)造？每一種的主要特點是什么？鼠籠式：構(gòu)造緊湊，體積??；但靈敏度的均勻性稍差。積存電荷而影響電子光學系統(tǒng)的穩(wěn)定性。盒柵式：電子的收集效率較高，均勻性和穩(wěn)定性較好；但極間電子渡越時間零散較大。百葉窗式：工作面積大，與大面積光電陰極協(xié)作可制成探測弱光的倍增管;但極間電壓高，有時電子可能越級穿過，從而，收集率較低，渡越時間離散較大。近貼柵網(wǎng)式：極好的均勻性和脈沖線性，抗磁場影響力氣強。微通道板式：尺寸大為縮小，電子渡越時間很短，響應(yīng)速度極快，抗磁場干擾力氣強，線性好。(a)11級倍增極，負高壓1200V供電，均勻分壓的光電倍增管的工作原理，分別寫出各局部名稱及標出Ik，IpIb的方向。Sk20μA/lmo.1lx，陰極有效面積為2cm2各倍增極放射系數(shù)均相等σ=4，光電子的收集率為0.90.95，試計算倍增系統(tǒng)的放大倍數(shù)和陽極電流。設(shè)計前置放大電路，使輸出的信號電壓為200mV,求放大器的有關(guān)參數(shù)，并畫出原理圖〔b〕陰極電流：I=S〔b〕陰極電流：I=SΦ=2010-60.1210-4k k=410-10AIp倍增系統(tǒng)的放大倍數(shù):M= =εIk

(σε)110=0.98(40.95)112.34106陽極電流：IMI=936μAp k〔c〕VRV o fV ” Ro LR RV ” f Vo R L

(I )R fp L RL

I Rp fR f

200mv936

214某光電倍增管的陽極光電靈敏度為10A/lm，為什么還要限制其陽極輸出電流小于50~100μA由于陽極電流過大會加速光電倍增管的疲乏與老化。GDB10A/lm，Sk=20μA/lm111，問各倍增極的平均倍增系數(shù)為多少？GDB-4232cm2，Sk25μA/lm，倍增系統(tǒng)的放大倍數(shù)為10~5，陽極額定電流為20μA，求允許的最大光照。PbO磁場共同作用下打到靶上，在靶的掃描面形成與圖像對應(yīng)的電位分布最終，通過電子束掃描把電位圖像讀出，形成視頻信號，攝像器件的參量——極限區(qū)分率、調(diào)制傳遞函數(shù)和惰性是如何定義的？區(qū)分率表示能夠區(qū)分圖像中明暗細節(jié)的力氣。極限區(qū)分率和調(diào)制傳遞函數(shù)〔MTF〕極限區(qū)分率：人眼能區(qū)分的最細條數(shù)。用在圖像〔光柵范圍內(nèi)所能區(qū)分的等寬度黑白線條數(shù)表示。也用線對/mmMTF：能客觀地表示器件對不同空間頻率目標的傳遞力氣。電容電荷釋放惰性。以雙列兩相外表溝道CCD為例，簡述CCD電荷產(chǎn)生、存儲、轉(zhuǎn)移、輸出的根本原理。CCD的根本單元是MOS(金屬-氧化物-半導體)CCD的根本單元是MOS(金屬-氧化物-半導體)MOS電容器能夠存儲電荷。假設(shè)電容器能夠存儲電荷。假設(shè)MOS構(gòu)造中的半導體是P型硅，當在金屬電極〔稱為柵〕上加一個正的階梯電壓時〔襯底接地Si-SiO2

界面處的電勢〔稱為外表勢或界面勢〕發(fā)生相應(yīng)變化，四周變化，四周的P型硅中多數(shù)載流子——空穴被排斥，形成所謂耗盡層，假設(shè)柵電壓V 超過GMOSSi-SiO2低，我們可以形象化地說：半導體外表形成了電子的勢阱，可以用來存儲電子。當外表存在勢阱時，假設(shè)有信號電子〔電荷〕來到勢阱及其鄰近，它們便可以聚攏在外表。隨著電子來到勢阱中，外表勢將降低，耗盡層將減薄，我們把這個過程描述為電子漸漸填充勢阱MOSSi-SiO2低，我們可以形象化地說：半導體外表形成了電子的勢阱，可以用來存儲電子。當外表存在勢阱時，假設(shè)有信號電子〔電荷〕來到勢阱及其鄰近，它們便可以聚攏在外表。隨著電子來到勢阱中，外表勢將降低，耗盡層將減薄，我們把這個過程描述為電子漸漸填充勢阱“深淺”載流子。因此，電荷耦合器件必需工作在瞬態(tài)和深度耗盡狀態(tài)，才能存儲電荷。以典型的三相CCD為例說明CCDCCD是由每三個柵為一組的間隔嚴密的MOS構(gòu)造組成的陣列。每相隔兩個柵的柵電極連接到同一驅(qū)動信號上，亦t時刻，φ高電位，φ、φ低電位。此112 3φ時 電極下的外表勢最大，勢阱最深。假設(shè)此時已有信號電荷〔電子〕注入，則電荷就被φ1φ電極下的勢阱中。t時刻，φ、φ為高電位，φφ、φ下的兩個勢121 231 2φ1φ1勢阱的實際深度比φ2電極下面的勢阱淺，φ1下面的電荷將向φ2t3時刻，φ2仍為高電位，φφφφφφ下的剩余電荷連續(xù)3111φ下的勢阱中轉(zhuǎn)移。t時刻，φ為高電位，φ、φ為低電位，φ下面的勢阱最深，信號2421 32φt時刻的狀況相像，但電荷包向右移動了一個電極21的位置。當經(jīng)過一個時鐘周期T后，電荷包將向右轉(zhuǎn)移三個電極位置，即一個柵周期〔也稱一位。因此，時鐘的周期變化，就可使CCD中的電荷包在電極下被轉(zhuǎn)移到輸出端，其工作過程從效果上看類似于數(shù)字電路中的移位存放器。φφφ1φ23φ1tttt1234φ2tttt1φ3234電荷輸出構(gòu)造有多種形式，如“電流輸出”構(gòu)造、“浮置集中輸出”構(gòu)造及“浮置柵輸出”結(jié)構(gòu)。其中“浮置集中輸出”電荷輸出構(gòu)造有多種形式，如“電流輸出”構(gòu)造、“浮置集中輸出”構(gòu)造及“浮置柵輸出”結(jié)構(gòu)。其中“浮置集中輸出”O(jiān)G、浮置集中區(qū)FD、復RRDT等。所謂“浮置集中”PV族雜質(zhì)集中形成小塊的n+區(qū)域，當集中區(qū)不被偏置，即處于浮置狀態(tài)工作時，稱作“浮置擴散區(qū)”。電荷包的輸出過程如下：VOGOGφ與3FDφ為高電位期間，電荷包存儲在φ電極下面。隨后復位柵R加33φFDRD區(qū)溝通，因VR為正十幾伏的直流偏置電壓，則FD區(qū)的RDRDFDRD區(qū)呈夾斷狀態(tài)，F(xiàn)D區(qū)具有確定的浮置電位。之后，φ轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娢?，φOGFDFD33區(qū)〔即A點〕的電位變化量為：QFDAC式中，QFD是信號電荷包的大小，CFD區(qū)有關(guān)的總電容〔包括輸出管T的輸入電容、分布電容等。φ3φttttt123 4 5Rφ3t1φRt2t3t4t5CCD輸出信號的特點是：信號電壓是在浮置電平根底上的負電壓；每個電荷包的輸出占有確定的時間長度TCCDCCD雙列兩相CCD驅(qū)動脈沖φ1、φ2、SH、RS起什么作用？它們之間的位相關(guān)系如何？為什么？1、2：驅(qū)動脈沖12，將模擬存放器中的信號電荷定向轉(zhuǎn)移到輸出端形成序列脈沖輸出。SH：轉(zhuǎn)移柵把握光生電荷向CCDA或CCDB轉(zhuǎn)移。RS：復位脈沖，使復位場效應(yīng)管導通，將剩余信號電荷卸放掉，以保證的信號電荷接收。TCD1200D的中心距為14μm，它能區(qū)分的最小間距是多少？它的極限區(qū)分率怎樣計算？14μm。簡述變像管和圖像增加器的根本工作原理，指出變像管和圖像增加器的主要區(qū)分。亮度很低的可見光圖像或者人眼不行見的光學圖像經(jīng)光電陰極轉(zhuǎn)換成電子圖像；電子光學系統(tǒng)將電子圖像聚焦成像在熒光屏上，并使光電子獲得能量增加；熒光屏再將入射到其上的電子圖像轉(zhuǎn)換為可見光圖像。紫外變像管和X射線變像管等，功能是完成圖像的電磁波譜轉(zhuǎn)換。像增加器：承受微弱可見光圖像的直視型光電成像器件：級聯(lián)式像增加器、帶微通道板的像增加器、負電子親和勢光陰極的像增加器等，功能是完成圖像的亮度增加。光盤記錄有什么優(yōu)點？存儲密度高。非接觸式讀/寫信息〔獨特。存儲壽命長。信息的信噪比高。信息位價格低。⑴存儲密度高⑵數(shù)據(jù)傳輸速率高⑶存儲壽命長⑷信息位價低⑸更換簡潔光盤進展經(jīng)受了哪幾代？每一代的特點是什么？自美國ECDIBM公式共同研制出第一片光盤以來，光盤經(jīng)受了四代：⑴只讀存儲光盤〔readonlymemory，ROM〕這種光盤中的數(shù)據(jù)是在光盤生產(chǎn)過程中刻入的，用戶只能從光盤中反復讀取數(shù)據(jù)。這種光盤制造工藝簡潔，本錢低，價格廉價，其普及率和市場占有率最高。⑵一次寫入屢次讀出光盤〔writeoncereadmany，WORM〕這種光盤具有寫、讀兩種功能，寫入數(shù)據(jù)后不行擦除。⑶可擦重寫光盤〔rewrite,RW〕掉，然后再寫入的信息；但擦與寫需要兩束激光、兩次動作才能完成。⑷直接重寫光盤〔overwrite，OW〕這種光盤上實現(xiàn)的功能與可擦重寫重寫光盤一樣，所不同的是，這類光盤可用同一束激光、通過一次動作就擦除掉舊信息并錄入信息。說明ROM光盤的存儲原理。將事先記錄在主磁帶上的視頻或音頻信息通過信號發(fā)生器膠曝光，之后經(jīng)過顯影、刻蝕，制成主盤〔又稱母盤，maste，再經(jīng)噴鍍、電鍍等工序制成副盤〔,stampe2”注塑形成ROM光盤。說明激光熱致相變RW光盤的讀、寫、擦原理。用下，在介質(zhì)內(nèi)部發(fā)生的相應(yīng)相變過程。⑴信息的記錄 對應(yīng)介質(zhì)從晶態(tài)C向玻璃態(tài)G的轉(zhuǎn)變選用功率密度高脈寬為幾T十至幾百納秒的激光脈沖，使光斑微區(qū)因介質(zhì)溫度剎那間超過熔點m而進入液相，再經(jīng)過液相快瘁完成到達玻璃態(tài)的相轉(zhuǎn)變。⑵信息的讀出 用低功率密度、短脈寬的激光掃描信息道，從反射率的大小區(qū)分寫入的信息。一般介質(zhì)處在玻璃態(tài)〔即寫入態(tài)〕時反射率小，處在晶態(tài)〔即擦除態(tài)〕時反射率大。在讀出過程中，介質(zhì)的相構(gòu)造保持不變。⑶信息的擦除 對應(yīng)介質(zhì)從玻璃態(tài)G向晶態(tài)C的轉(zhuǎn)變。選用中等功率密度、較寬T脈沖的激光，使光斑微區(qū)因介質(zhì)溫度升至接近m處，再通過成核－生長完成晶化。在此過加，從而導致激光熱晶化壁單純熱晶化的速率要高。簡述可擦重寫磁光光盤讀、寫、擦原理。如圖9-14，目前磁光薄膜的記錄方式有補償點記錄和居里點記錄兩類，前者以稀土－讀、寫、擦原理。⑴信息的寫入GdCoH度的磁場o對介質(zhì)進展初始磁化，使各磁疇單元具有一樣的磁化方向。在寫入信息時，磁仍將保持原來的方向，從而實現(xiàn)磁化方向相反的反差記錄。⑵信息的讀出 信息讀出是利用Kerr效應(yīng)檢測記錄單元的磁化方向用線偏振光一個角度k，如以下圖。反之，假設(shè)光掃描到磁化方向向下的微斑，反射光的偏振方向則左 旋一個k，以－k表示。實際測試時，使檢偏器的主截面調(diào)到與－k對應(yīng)的偏振方向相垂射的