有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)推選優(yōu)秀ppt

有源矩陣有機(jī)(yǒujī)發(fā)光顯示技術(shù)第一頁，共13頁。11.1OLED的結(jié)構(gòu)和發(fā)光方式11.2AMOLED面板的TFT技術(shù)11.3OLED的驅(qū)動(dòng)(qūdònɡ)原理11.4全彩色AMOLED顯示本章(běnzhānɡ)主要內(nèi)容第二頁，共13頁。11.1OLED的結(jié)構(gòu)和發(fā)光(fāɡuānɡ)方式襯底基板OLEDITO透明陽極半透明陰極陰極襯底基板OLEDITO透明陽極襯底基板OLED反射陽極半透明陰極正置型OLED的發(fā)光方式（a）底發(fā)射；（b）頂發(fā)射；（c）穿透型OLED的結(jié)構(gòu)正直型OLED、倒直型OLED和微腔結(jié)構(gòu)。正直型OLED是常用的器件結(jié)構(gòu)，陽極在下面，上面蒸鍍或旋涂等方法制備有機(jī)發(fā)光(fāɡuānɡ)層，最上面是陰極的結(jié)構(gòu)。發(fā)光(fāɡuānɡ)方式分為三種底發(fā)射型、頂發(fā)射型、穿透型。第三頁，共13頁。3OLED的驅(qū)動(dòng)(qūdònɡ)原理3OLED的驅(qū)動(dòng)(qūdònɡ)原理上層：電源線和存儲(chǔ)電容的一極正直型OLED是常用的器件結(jié)構(gòu)，陽極在下面，上面蒸鍍或旋涂等方法制備有機(jī)發(fā)光(fāɡuānɡ)層，最上面是陰極的結(jié)構(gòu)。有源矩陣(jǔzhèn)驅(qū)動(dòng)方式2AMOLED面板的TFT技術(shù)本章(běnzhānɡ)主要內(nèi)容無源(wúyuán)矩陣驅(qū)動(dòng)方式低溫多晶硅，μ≈100cm2/Vs，△VTH<0.有源矩陣有機(jī)(yǒujī)發(fā)光顯示技術(shù)非晶硅，μ≈1cm2/Vs，△VTH≈3V非晶硅，μ≈1cm2/Vs，△VTH≈3V高溫多晶硅，μ≈20cm2/Vs，△VTH<0.用于驅(qū)動(dòng)(qūdònɡ)OLED的有源矩陣TFT有多種，非晶硅、多晶硅、微晶硅、氧化物和有機(jī)薄膜晶體管等。非晶硅，μ≈1cm2/Vs，△VTH≈3V微晶硅，μ<10cm2/Vs，△VTH<0.11.1OLED的結(jié)構(gòu)和發(fā)光(fāɡuānɡ)方式ITO透明陽極OLED襯底基板陰極電子DBR空穴注入層ITO陽極玻璃襯底空穴金屬陰極（全反射層）發(fā)光層空穴注入層微腔結(jié)構(gòu)OLED倒置型OLED結(jié)構(gòu)倒置型OLED，InvertedOLED，縮寫為IOLED，是在基板上先制作陰極，在陰極金屬上蒸鍍有機(jī)薄膜，最后制作陽極導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)。微腔結(jié)構(gòu)OLED，在陽極和陰極間構(gòu)成微型光學(xué)諧振腔，利用兩電極間反射光的反復(fù)干涉效果(xiàoguǒ)，提高OLED發(fā)光的色純度和發(fā)光強(qiáng)度的一種結(jié)構(gòu)。第四頁，共13頁。11.2AMOLED面板(miànbǎn)的TFT技術(shù)低溫多晶硅高溫多晶硅非晶氧化物微晶硅非晶硅10010100468產(chǎn)線世代（代）TFT的載流子遷移率（cm2/Vs)低溫多晶硅，μ≈100cm2/Vs，△VTH<0.3V高溫多晶硅，μ≈20cm2/Vs，△VTH<0.3V非晶氧化物，μ≈10cm2/Vs，△VTH<0.3V微晶硅，μ<10cm2/Vs，△VTH<0.3V非晶硅，μ≈1cm2/Vs，△VTH≈3V用于驅(qū)動(dòng)(qūdònɡ)OLED的有源矩陣TFT有多種，非晶硅、多晶硅、微晶硅、氧化物和有機(jī)薄膜晶體管等。第五頁，共13頁。11.3OLED的驅(qū)動(dòng)(qūdònɡ)原理玻璃基板陰極陽極發(fā)光層陰極列信號(hào)陽極單色OLED行信號(hào)無源(wúyuán)矩陣驅(qū)動(dòng)方式PMOLED在陰極和陽極線交叉處是OLED發(fā)光的像素區(qū)。在ITO陽極加上正電壓，金屬陰極上加負(fù)電壓，交叉點(diǎn)像素就會(huì)有電流通過(tōngguò)發(fā)光。缺點(diǎn)：非選通像素上的等效電容和電極間的漏電，會(huì)引起脈沖信號(hào)在電極間的串?dāng)_，導(dǎo)致交叉串?dāng)_現(xiàn)象，顯示圖像失真。第六頁，共13頁。11.3OLED的驅(qū)動(dòng)(qūdònɡ)原理有源矩陣(jǔzhèn)驅(qū)動(dòng)方式玻璃基板TFT像素電極電子傳輸層發(fā)光層空穴傳輸層有機(jī)層陰極封裝層或蓋板AMOLED是采用薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)的有機(jī)發(fā)光顯示器，優(yōu)點(diǎn)(yōudiǎn)是：1）同一畫面的各個(gè)像素是同時(shí)發(fā)光，發(fā)光亮度高、壽命長(zhǎng)；2）各個(gè)像素獨(dú)立控制，驅(qū)動(dòng)電壓也降低，耗電少，適合大面積顯示；3）避免交叉串?dāng)_。第七頁，共13頁。11.3OLED的驅(qū)動(dòng)(qūdònɡ)原理2T1C驅(qū)動(dòng)(qūdònɡ)的AMOLEDT1T2OLED驅(qū)動(dòng)模塊玻璃基板封裝蓋板SDT2T1信號(hào)線電源線掃描線CsG2T1C驅(qū)動(dòng)電路包含兩個(gè)TFT和一個(gè)存儲(chǔ)電容，是最簡(jiǎn)單的電壓控制型驅(qū)動(dòng)電路。T1為掃描尋址的開關(guān)器件；T2是提供固定電流的驅(qū)動(dòng)器件；Cs存儲(chǔ)電容起到持續(xù)供電保證各像素(xiànɡsù)連續(xù)發(fā)光。第八頁，共13頁。11.3OLED的驅(qū)動(dòng)(qūdònɡ)原理2T1C驅(qū)動(dòng)(qūdònɡ)的AMOLED平面布局掃描線信號(hào)線電源線上層：電源線和存儲(chǔ)電容的一極下層：T2的柵極及存儲(chǔ)電容的另一極過孔T1CsT2T1T2Cs像素電極ITO及OLED區(qū)第九頁，共13頁。3OLED的驅(qū)動(dòng)(qūdònɡ)原理用于驅(qū)動(dòng)(qūdònɡ)OLED的有源矩陣TFT有多種，非晶硅、多晶硅、微晶硅、氧化物和有機(jī)薄膜晶體管等。2T1C驅(qū)動(dòng)電路包含兩個(gè)TFT和一個(gè)存儲(chǔ)電容，是最簡(jiǎn)單的電壓控制型驅(qū)動(dòng)電路。0468正直型OLED是常用的器件結(jié)構(gòu)，陽極在下面，上面蒸鍍或旋涂等方法制備有機(jī)發(fā)光(fāɡuānɡ)層，最上面是陰極的結(jié)構(gòu)。本章(běnzhānɡ)主要內(nèi)容上層：電源線和存儲(chǔ)電容的一極3OLED的驅(qū)動(dòng)(qūdònɡ)原理非晶氧化物，μ≈10cm2/Vs，△VTH<0.有源矩陣(jǔzhèn)驅(qū)動(dòng)方式3OLED的驅(qū)動(dòng)(qūdònɡ)原理11.3OLED的驅(qū)動(dòng)(qūdònɡ)原理2T1C驅(qū)動(dòng)(qūdònɡ)的AMOLED陣列基板的實(shí)物照片中科院長(zhǎng)春(chánɡchūn)應(yīng)用化學(xué)研究所第十頁，共13頁。11.4全彩色(cǎisè)AMOLED顯示真空(zhēnkōng)掩膜蒸鍍綠色發(fā)光層藍(lán)色發(fā)光層掩膜板ITO陽極紅色發(fā)光層玻璃基板隔離柱1）在真空下，利用掩模板遮擋的方法，將相鄰的三個(gè)像素中遮擋兩個(gè)像素，在另一個(gè)(yīɡè)像素上蒸鍍紅、藍(lán)、綠其中一種發(fā)光層。2）利用高精度的對(duì)位系統(tǒng)移動(dòng)遮擋的掩模板，再繼續(xù)蒸鍍下一像素。第十一頁，共13頁。11.4全彩色(cǎisè)AMOLED顯示激光轉(zhuǎn)移(zhuǎnyí)技術(shù)顯示基板載膜基板夾具抽真空放大氣口X激光束激光頭Y掃描平臺(tái)激光束吸光層發(fā)光層轉(zhuǎn)移的發(fā)光層陽極PDL隔離層顯示基板載膜基板有機(jī)功能層第十二頁，共13頁。11.4全彩色(cǎisè)AMO