信息材料復(fù)習(xí)題

1，信息功能材料的范疇。當(dāng)今信息功能材料發(fā)展的趨勢(shì)。復(fù)習(xí)信息處理技術(shù)和材料信息傳遞技術(shù)和材料信息存儲(chǔ)技術(shù)和材料信息顯示技術(shù)和材料信息獲取技術(shù)和材料激光材料和光功能材料信息的載體正由電子向光電子結(jié)合和光子方向發(fā)展。第一代半導(dǎo)體材料以Si和Ge為代表。金鋼石結(jié)構(gòu)、元素半導(dǎo)體、間接帶隙半導(dǎo)體、微電子材料等。

第二代半導(dǎo)體以GaAs為代表。閃鋅礦結(jié)構(gòu)、二元化合物半導(dǎo)體、直接帶隙半導(dǎo)體、光電材料等。第三代半導(dǎo)體以氮化鎵和碳化硅為代表。禁帶寬度大、電子飽和漂移速度高、良好的化學(xué)穩(wěn)定性等獨(dú)特的特性。

2,請(qǐng)說出三代半導(dǎo)體的代表材料及特征。復(fù)習(xí)1）所能加工的最小線寬；2）晶片直徑；3）DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）所儲(chǔ)存的容量。復(fù)習(xí)1，評(píng)斷集成電路的發(fā)展?fàn)顩r的幾個(gè)指標(biāo)：1，小尺寸器件會(huì)帶來哪些問題，如何解決？復(fù)習(xí)器件尺寸縮小，導(dǎo)致短溝道效應(yīng)。〉〉多晶硅柵極由單摻雜發(fā)展為雙摻雜。帶來pMOS中B的滲透問題?！怠礢iNxOy能有效克服。較大介電常數(shù)，低漏電密度和高抗老化擊穿。器件尺寸進(jìn)一步縮小，導(dǎo)致柵絕緣介質(zhì)隧穿電流的出現(xiàn)。〉〉高K柵介質(zhì)材料以增加?xùn)沤橘|(zhì)厚度。復(fù)習(xí)3微電子芯片最重要的CMOS結(jié)構(gòu)中，各功能部分所用材料。1）襯底材料：單晶硅片；襯底材料是制備微電子元件的基礎(chǔ)。2）柵極結(jié)構(gòu)：由多晶硅或其它難熔硅化物來制備。3）npn晶體管：由源極，漏極和柵極組成。是集成電路中最重要的器件，可以實(shí)現(xiàn)基本的邏輯功能；4）淺槽隔離：一般通過離子刻蝕來制備溝槽，然后覆蓋一層熱氧化層SiO2。主要功能是隔開相鄰的晶體管；5）絕緣介質(zhì)層：一般由SiO2來制備。柵絕緣介質(zhì)層和柵電極一起對(duì)源極和漏極之間的溝道起控制作用；6）源極或漏極：一般由Al和Cu等金屬來制備，要求其和芯片能夠形成歐姆接觸，有小的串聯(lián)電阻。1）介電常數(shù)k比Si3N4(k>7)大的材料稱為高介電常數(shù)材料。隨著特性尺寸的減少，需要用合適的高介電常數(shù)材料傳統(tǒng)的電容介質(zhì)材料二氧化硅以減少介質(zhì)層厚度增加電容。大k值介電材料可以用于制造非易失鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeRAM),如鈦鋯鉛(PZT)或鉭鍶鉍(SBT)。2）k值比SiO2（k<3.9）小的材料稱為低介電常數(shù)材料。使用低介電常數(shù)材料替代傳統(tǒng)的絕緣材料二氧化硅，使得連線之間難于傳遞電壓；復(fù)習(xí)4，高，低介電常數(shù)介質(zhì)材料的定義與功用。1，請(qǐng)說出鐵電體材料的特征及典型材料。復(fù)習(xí)具有自發(fā)極化特性，且自發(fā)極化方向可隨外加電壓而轉(zhuǎn)向，即使關(guān)斷電源，其極化方向也不會(huì)改變；只有加上反向電壓后，極化方向才能被改變。

典型材料：Pb(Zr,Ti)O3(PZT鋯鈦酸鉛)(Sr,Ba)TiO3(SBT鈦酸鋇鍶)2，存儲(chǔ)器的類型和鐵電存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。復(fù)習(xí)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器有兩大體系：易失性存儲(chǔ)器，例如SRAM和DRAM，在沒有電源的情況下都不能保存數(shù)據(jù)。但擁有高性能，易用等優(yōu)點(diǎn)。非易失性存儲(chǔ)器，像EPROM,EEPROM和FLASH，能在斷電后仍保存數(shù)據(jù)。但由于所有這些存儲(chǔ)器均起源自只讀存儲(chǔ)器(ROM)技術(shù),所以它們都有不易寫入的缺點(diǎn)。

鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起。3，銅互連技術(shù)的發(fā)展情況。復(fù)習(xí)在深亞微米工藝中（0.18μm及以下），銅將逐步代替鋁成為硅片上多層布線的材料。銅與傳統(tǒng)的鋁及其合金相比,優(yōu)點(diǎn)：較低的電阻率；更好的抗電遷移能力；更高的熔點(diǎn)，更高的熱傳導(dǎo)系數(shù)。缺點(diǎn)：易氧化；與介質(zhì)層的粘結(jié)性差；銅易擴(kuò)散進(jìn)入硅與二氧化硅形成銅與硅的化合物,影響器件的可靠性；硅擴(kuò)散入銅將增加銅的電阻率。在0.13um以后，銅互連與低介電常數(shù)絕緣材料共同使用時(shí)的可靠性問題還有待研究開發(fā)。復(fù)習(xí)1，IC器件進(jìn)行平坦化所需的CMP技術(shù)主要針對(duì)哪些材料。金屬導(dǎo)電層材料：Cu、W；氧化物絕緣介質(zhì)材料：SiO2，低k絕緣材料；阻擋層(Ta、TaN)；淺溝道隔離（SiO2,Si3N4）；貴金屬和多晶硅等。

復(fù)習(xí)平坦化技術(shù)光刻刻蝕。2，IC制造工藝中幾大關(guān)鍵技術(shù)？復(fù)習(xí)1，類似于傳統(tǒng)的激光器，半導(dǎo)體激光器中的三個(gè)組成部分？

工作物質(zhì)：有源區(qū)；

諧振腔：晶體的自然解理面；

泵浦源：電源。2，為什么說AlxGa1-xAs是最重要的異質(zhì)結(jié)材料？復(fù)習(xí)AlxGa1-xAs晶格系數(shù)隨x基本不變，但是帶隙變化大。復(fù)習(xí)3，為什么說量子級(jí)聯(lián)激光器的發(fā)明被視為半導(dǎo)體激光器的一次革命？1）量子級(jí)聯(lián)激光器是單極型激光器，它只有電子參加；2）通過量子阱導(dǎo)帶激發(fā)態(tài)子能級(jí)電子共振躍遷到基態(tài)釋放能量，發(fā)射光子并隧穿到下一級(jí)，一級(jí)一級(jí)傳遞下去，其激射波長取決于由量子限制效應(yīng)決定的兩個(gè)激發(fā)態(tài)之間的能量差，而與半導(dǎo)體材料的能隙無關(guān)。3）量子級(jí)聯(lián)激光器的發(fā)明大大簡化了在中紅外到遠(yuǎn)紅外這樣寬波長范圍內(nèi)產(chǎn)生特定波長激光的途徑。復(fù)習(xí)III-V族的化合物半導(dǎo)體光電材料有機(jī)半導(dǎo)體光電材料無機(jī)晶體和石英玻璃等。1，主要的光電材料系統(tǒng)有哪些？2,制備半導(dǎo)體器件以及決定半導(dǎo)體光電屬性的3個(gè)最重要的參數(shù)？晶格常數(shù)禁帶寬度吸收/發(fā)射光波長

量子窮工程假。人夏工新晝材料恩。復(fù)習(xí)3，半搭導(dǎo)體區(qū)激光寇感興誼趣的禍波長泥范圍車是0.慰3m-涼--菌17m，說出膛特定廉波段犯的典勿型材牛料。紫外鈴至可帖見光建：0.誼2-友0.于65室2m(Al爸,G酒a,嫂In穴)N基材得料；Al鉛Ga支In干P:殲66蒙0n要m.近紅陡外波滲段：Al建Ga狗As哄/G伍aA跳s:兩80經(jīng)8n騙m；Ga謎In奴As當(dāng)/G哪aA濫s:滅98柴0n爪m；In崖P基長焦波長雖激光擁器:1及.3傭-1晉.5對(duì)5mm。中紅小外波惰段：2-日4mm。Ga朗In拳As待Sb儉/A搭lG待aA恭sS掠b。中遠(yuǎn)陣紅外穴波段垃：4.轟6-巷17mm。復(fù)習(xí)1，半吸導(dǎo)體躺光電攤探測(cè)拍器的歉工作稿原理醫(yī)及步喜驟。工作蓬原理:半導(dǎo)澤體光換電探蜻測(cè)器否是指測(cè)利用疫光輻蝴射在揉半導(dǎo)帖體中烈產(chǎn)生童光生擱載流輩子的苦各種滲相半逝導(dǎo)體蘇光電逮探測(cè)器器是考指利點(diǎn)用光震輻射舊在半麻導(dǎo)體稱中產(chǎn)歷生光境生載緒流子蹦的各責(zé)種相伶關(guān)效郊應(yīng)進(jìn)絨行光巾電轉(zhuǎn)糞換的許一類伶器件長。工作態(tài)步驟劈燕：入射遮光產(chǎn)熟生載餓流子行；通過液任何跨可行劑的電噸流增繁益機(jī)研制，促使載誼流子場(chǎng)傳導(dǎo)感及倍曠增；電流赤與外柔部電艷路相局互作鵝用，奏以提崖供輸撕出信敘號(hào)。復(fù)習(xí)2,什么貌是寬想禁帶壤半導(dǎo)定體材督料?主要趟的寬羞禁帶靜半導(dǎo)淡體材滾料以危及在先探測(cè)叉器方取面的控主要搞應(yīng)用拍有哪降些?寬禁岔帶半尤導(dǎo)體賄材料乘是指次其禁猛帶寬病度對(duì)在2e蟻V以上漠的材鴨料。調(diào)寬禁嘩帶材速料的鄙光盲梁或日芬光盲扭的特狗性提金高器圓件的遙抗干晴擾能佳力。Ga崗N：Eg掉-3蝴.4正eV。理童想的殼中紫蓮?fù)猓?0兔0-皺32中0n浸m）和混紫外版（32友0-默28你0n毀m）光終電探鉆測(cè)器輩件材耐料。Zn罷OEg-勉3.佩3e頓V。是繼Ga所N以后朽出現(xiàn)暖的又淹一種擋第三驢代寬拌禁帶賽半導(dǎo)徑體。金剛舒石C：Eg袍-5殺.5除eV。理想苦的中拜紫外罷（30床0-趟20袖0n蘿m）和警紫外止（20辱0-候10怨0n曬m）光幟電探疏測(cè)器后件材鎮(zhèn)料。器件裁之間惜拼接條緊湊周，既易能減兇少因交互連震效應(yīng)宰引起停的響齒應(yīng)延撓遲和福噪聲列，從票而提摩高傳灰遞信談息的漢容量運(yùn)和高尖保真晝度，撤又能榴使器擋件微波型化壘，便征于信夜息工柄程的乖應(yīng)用軟。復(fù)習(xí)OE鄰IC光發(fā)辦射機(jī)是由丟激光動(dòng)二極嗎管(L圍D)、發(fā)光競管(L勒ED際)及驅(qū)密動(dòng)電敗路構(gòu)怎成，將光源種與驅(qū)膽動(dòng)電劍路及影探測(cè)織器集盟成。OE邀IC光接景收機(jī)俱器件主要襲由探毀測(cè)器們與電脊子放匠大電戰(zhàn)路(晶體孟管放庸大器)構(gòu)成丹。光收找發(fā)機(jī)慨（中繼測(cè)器）將光寫發(fā)射番器件蘭、光揀接收抬器件持和放凳大電變路器答件集循成在咽一起柳，兼術(shù)有光騰發(fā)射掩、接敘收和灰放大夕功能口。1，光突電子墊集成察電路(O閃EI且C的優(yōu)蹤蝶點(diǎn)有極哪些拳？2,光電紀(jì)子集步成電循路主算要包咐括哪剝些器恢件？復(fù)習(xí)1,什么悠是光繪誘導(dǎo)般電子蕉轉(zhuǎn)移瀉與電去荷轉(zhuǎn)上移？化合殲物分庭子在電磁川波輻煌射下吸蝴收一拔個(gè)光遠(yuǎn)子，俗可引基起基據(jù)態(tài)分狂子內(nèi)咐的一蔑個(gè)電尺子被死激發(fā)得至激殘發(fā)態(tài)刮，從漿而引定起一股系列駐不同清的激發(fā)土態(tài)衰征變過程具。在主一個(gè)陰反應(yīng)詳體系緩內(nèi)，笛如果如存在牧幾種反不同陳的化獲合物遣的分摸子，袋當(dāng)其冊(cè)中一尋個(gè)（電子請(qǐng)給體）被間激發(fā)鑰后，帆被激悅發(fā)的筐分子叔容易足和另恐一種撈分子目（電子鹽受體）發(fā)普生分難子間脊的電教子轉(zhuǎn)表移。標(biāo)這種挨現(xiàn)象線稱為光誘大導(dǎo)電尺子轉(zhuǎn)紹移。分子優(yōu)內(nèi)共刊軛的溫電荷掏在光松照下乳發(fā)生齊部分膠的電頂子轉(zhuǎn)級(jí)移，錄稱為電荷袋轉(zhuǎn)移。1，有膊機(jī)電快致發(fā)毒光的量機(jī)理油。復(fù)習(xí)有機(jī)沒電致循發(fā)光母是指池有機(jī)冤物質(zhì)劉受電廚子激粒發(fā)而偷發(fā)出隊(duì)光的火現(xiàn)象煮。有機(jī)肌電致屑發(fā)光籍屬于郊注入閱型發(fā)法光。尋在正展向電鵲壓驅(qū)挑動(dòng)下,陽極著向發(fā)擠光層仁注入桶空穴,陰極鋼向發(fā)冶光層買注入擋電子漏。注瘋?cè)氲膴W空穴相和電厭子在員發(fā)光差層中影相遇茫結(jié)合君成激魄子,激子跳復(fù)合磨并將橡能量歇傳遞逼給發(fā)抹光材澇料,后者棄經(jīng)過霜輻射乖馳豫熊過程微而發(fā)背光。2，指奧出有艇機(jī)發(fā)執(zhí)光器匠件中雄各功債能層兄所用予典型顧材料喝。復(fù)習(xí)陰極賀：鎂鋁技電極槐。電子域傳輸拴層：常用伶材料浙是8-羥基餐喹啉渴鋁(A櫻lq周3)、8-羥基即喹啉連鋅(Z施nq蔑2)等;空穴擔(dān)傳輸清層：常用備材料矮是芳忍香雙螺胺如TP廁D、TA催D等。某些醫(yī)材料坦在機(jī)旱械力秩作用海下產(chǎn)斧生變閘形，是會(huì)引汁起表買面帶什電的或現(xiàn)象業(yè)，而愧且其六表面貞電荷盞密度浸與應(yīng)死力成敬正比距，稱治為正準(zhǔn)壓電抖效應(yīng)肢。在某習(xí)些材督料上咳施加早電場(chǎng)紙，會(huì)剛產(chǎn)生茂機(jī)械選變形醬，而比且其互應(yīng)變座與電趙場(chǎng)強(qiáng)磨度成脂正比行，稱濱為逆互壓電鳴效應(yīng)要。1,分別溝說明唉正壓播電效演應(yīng)和拋逆壓聞電效警應(yīng)。復(fù)習(xí)2,軟化許學(xué)方拴法的誘定義有。舉凝例說許明。軟化著學(xué)方辦法是初在溫窯和的斯反應(yīng)繁條件軍下和鼓緩慢娘的反芬應(yīng)進(jìn)敲程中返以可妖控制裕的步喊驟,一步麗步地涂進(jìn)行器化學(xué)朋反應(yīng)另以制英備材粱料。溶膠-凝膠伐技術(shù):是指新金屬本有機(jī)唯化合華物或勞無機(jī)怒化合厚物經(jīng)唉過溶瞇液、掉溶膠羨、凝財(cái)膠而住固化,再經(jīng)笨熱處仍理而頃成氧喚化物宵或其距它化勤合物犯固體辱的方夢(mèng)法。沉淀-煅燒編法:是采之用各同種水糊溶性扁的化附合物垮經(jīng)混暗合、較反應(yīng)貿(mào)生成祖不溶脹性的金氫氧繩化物濱、碳所酸鹽近、草磚酸鹽他或有斑機(jī)鹽妖類,將過歐濾洗女滌后宵的沉笑淀物膝經(jīng)過汪煅燒乖處理,從而允得到影化學(xué)拘組成恢和相佩組成摩符合螺要求哲的粉找料。水熱殊合成列法:是指透在高藍(lán)溫、相高壓亭下一偶些氫蔑氧化鑒物在息水中編的溶吳解度同大于慈對(duì)應(yīng)檢的氧張化物仆在水任中的效溶解革度,于是圖氫氧包化物帽溶入羽水中予同時(shí)疊析出禁氧化樸物。復(fù)習(xí)半導(dǎo)康體陶端瓷的舉電阻喜隨溫唯度而巨變化居的性癥質(zhì)，輝可用史于非奸線性怨電阻泛。負(fù)溫刪度系挎數(shù)非竿線性塔電阻NT睛C（Ne奏ga呆ti開ve乘T摧em素pe會(huì)ra攝tu朗re亡C形oe避ff毛ic新ie襖nt）元件創(chuàng)。隨溫饒度上但升而堂電阻潤降低描，具價(jià)有一乘般的捉半導(dǎo)蝴體特閃性。競非線潛性電脈阻可醬應(yīng)用女于電怎路保嗎護(hù)元提件和但避雷膛器元怠件。正溫陣度系錯(cuò)數(shù)熱都敏電飲阻PT懷C（Po蜓si何ti能ve聲T抹em未pe嫩ra挽tu餡re瀉C風(fēng)oe折ff蝴ic溝ie宅nt）元件甩。這種罰陶瓷捉因?yàn)榕谙嗨庾儨爻卸认抡骐娮枭骷眲】冊(cè)龃筚N，如捉果作寶為電仗阻加綿熱元后件而互應(yīng)用呆，則設(shè)可在膊相變獅溫度帽附近譜自動(dòng)籌控溫頁，是店很方萬便的款。3，簡申述NT性C和PT輪C陶瓷復(fù)習(xí)復(fù)銳習(xí)1,現(xiàn)代桿傳感得器的立構(gòu)成現(xiàn)代厭傳感膝器通榴常由敏感霞元件和轉(zhuǎn)換院器件組成權(quán)。它獲宇取的香信息仙可以聰是各揀種物膚理量萄、化縣學(xué)量秒和生累物量嘗，通低常是念將非魂電量找或電撿量轉(zhuǎn)購換成屬易于驅(qū)計(jì)算寸機(jī)處搶理和孝傳輸繼的電嬸量。復(fù)苦習(xí)2，生柿物傳汁感器局的工脊作原骨理待測(cè)新物質(zhì)俯經(jīng)擴(kuò)理散作耕用進(jìn)自入固越定生不物膜既敏感膊層，瘡經(jīng)分魚子識(shí)角別而恰發(fā)生杯生物壺學(xué)作昆用；產(chǎn)生剪的信稀息如拜光、館熱、聰音等矮被相薪應(yīng)的浙信號(hào)何轉(zhuǎn)換渠器變衫為可組定量盼和處唉理的奮電信承號(hào)；再經(jīng)裁二次境儀表結(jié)放大炭并輸還出，形以電哲極測(cè)廈定其軟電流跡值或隙電壓災(zāi)值，獄從而蒜換算圖出被江測(cè)物督質(zhì)的凡量或暢濃度養(yǎng)。主要院種類灣：根據(jù)羊生物狼傳感譜器中生物潮分子旋識(shí)別昌元件兔上的徒敏感投材料可分極為酶傳感肢器、微紡生物傳感冬器、免臣疫傳感耳器、組邁織傳感敗器、基市因傳感冊(cè)器、細(xì)薯胞及冬細(xì)胞循器傳感允器。未來項(xiàng)發(fā)展晉方向聲：集成衣化與兄功能抽化提高耗靈敏撕度智能娘化3，生烘物傳燥感器耳的主專要種夫類和貝未來仿發(fā)展烈方向摘？復(fù)鄭習(xí)受光達(dá)型:液晶喚顯示氏器(L紙CD殊)、電致完變色賽顯示次器(E哪CD趣)、電泳葬顯示逢器(E謊PI酬D)、鐵電筑陶瓷堆顯示本器(P禮LZ橋T)等；發(fā)光煎型:等離耐子體親顯示塵器(P欣DP陜)、電致論發(fā)光委顯示貝器(包括EL衫D和LE致D)、場(chǎng)發(fā)片射顯急示器(F促ED摟)、真空巖熒光脫顯示縣器(V每FD享)等。1，平戚板顯缺示器云可分舅為發(fā)做光型驚和受鋤光型題兩大衡類。夏試舉漂例說艦明。復(fù)期習(xí)光致閃發(fā)光冶材料輪：常以瞧硫化昆物、懲硒化傭物或丈含氧界化合于物為蹤蝶基質(zhì)印，主礎(chǔ)要用傻于制白造各備類熒提光燈良和高惠壓水時(shí)銀燈誕。電致服發(fā)光剖材料?。涸陔娊増?chǎng)作櫻用下達(dá)，可句直接品將電棍能轉(zhuǎn)篩變?yōu)槎竟廨検枭?。艙有結(jié)云型、銅粉末跟型和炮薄膜使型3種。依最典疤型的著結(jié)型富電致販發(fā)光貌材料原制件奔是發(fā)臨光二桶極管品。射線微發(fā)光礎(chǔ)材料粘：有陰拒極射鼓線（陶電子隆束轟船擊）輪、X射線磨和放枕射線高激發(fā)胸的發(fā)膠光材紋料。確用于祥制造怪電視怠顯像側(cè)裝置仿、雷趨達(dá)指園示管際和微椅光夜姥視儀右等。此外族，還笑有通根過機(jī)武械壓也力激脊發(fā)的摩擦?xí)x發(fā)光疼材料、通要過化味學(xué)反程應(yīng)激訊發(fā)的化學(xué)夾發(fā)光鈴材料，以援及通籠過生痛物過徐程激蜜發(fā)的生物還發(fā)光閘材料等。復(fù)習(xí)偉：2,按激賀發(fā)方悄式分職常用鬧發(fā)光差材料借有哪煌些種丸類?向列跌型（ne陡ma算ti恢c）液統(tǒng)晶液晶漏分子規(guī)大致油以長冬軸方臣向平環(huán)行排慈列，巴因此守具有答一維鉛空間活的規(guī)謙則性雕排列峽。層列莖型（sm灑ec蠻ti榮c）液蟻晶具有鞭二維住空間駁的層飲狀規(guī)甜則性宰排列翼，各蟲層間素則有拍一維器的順魄向排架列。膽甾論型（ch享ol套es盾te餅ri鐘c）液貿(mào)晶液晶取是由稿多層兔向列壩型液灰晶堆筑積所縮慧形成獨(dú)，為留向列符型液補(bǔ)晶的區(qū)一種尤，也搖可以缸稱為間旋光爬性的轟向列初型液旋晶。復(fù)習(xí)飽：液晶的三秀大種收類？復(fù)講習(xí)吸收辯損耗賺：主要拘由材良料的口本征半吸收壓損耗糟，雜段質(zhì)吸狗收損替耗以耗及原群子的赤吸收?qǐng)F(tuán)損耗凍引起越。如Si-O鍵會(huì)損造成溫紅外煩吸收乎損耗腫；散射唱損耗嫌：主要撈包括匹瑞利愛散射公，波守導(dǎo)結(jié)低構(gòu)散碑射和懷非線浴性效私應(yīng)散聯(lián)射。違如瑞對(duì)利散醋射是爆由于萄材料寶的密介度不諸均勻揉和折感射率宅不均肯勻造躬成。仇波長突越長禮，散牢射損什耗越蔽小，殼因此費(fèi)可以潮通過痰向長界波方疊向發(fā)牙展來叮解決諸。彎曲伴損耗模。主要豎包括證宏彎搖損耗劫和微涌彎損側(cè)耗。思如光她纖放赴置時(shí)戴彎曲揮，不默滿足鴿全反善射條志件而抗造成湖彎曲蒸。1，諷光纖址中存拖在哪紐奉三大拳類損伍耗？復(fù)舅習(xí)2，光撈纖放幼大器音的組圈成是肺什么匪？一般激都由遣增益棗介質(zhì)臭、泵逆浦光瘦和輸縣入輸肆出耦慮合結(jié)便構(gòu)組呢成。當(dāng)泵畢浦光運(yùn)輸入屢到摻校鉺光連纖中產(chǎn)時(shí)，儀就可攤以將逢大部絕分處酒于基贈(zèng)態(tài)的Er3+抽運(yùn)茶到激架發(fā)態(tài)側(cè)上；處于災(zāi)激發(fā)偉態(tài)的Er3+又迅攝速無表輻射廚地轉(zhuǎn)診移到但亞穩(wěn)賄態(tài)上拾，由杠于Er3+在亞跑穩(wěn)態(tài)須上的鵲平均堆停留扇時(shí)間模為10營ms，因織此很償容易五在亞稅穩(wěn)態(tài)庸與基幕態(tài)之尾間形疑成粒郵子數(shù)背反轉(zhuǎn)梳；信號(hào)膀光子饅通過視摻鉺崗光纖撕，在腥受激徒輻射鎖效應(yīng)票作用爺下產(chǎn)胡生大掏量與夫自身朵完全鼻相同渡的光刮子，經(jīng)使信原號(hào)光控子迅隸速增糕多，猴這樣劈燕在輸濃出端拆就可星以得栽到被令不斷采放大唉的光陷信號(hào)織。3，摻凳鉺光印纖放釘大器沈的工條作原碼理。2，縱當(dāng)向磁粥記錄擔(dān)和垂火直記伐錄的搬區(qū)別種？復(fù)蹈習(xí)縱向婦磁記華錄是霞指磁揀化方漲向與虎記錄絮介質(zhì)牲的運(yùn)及動(dòng)方貝向平王行的蠢記錄羨方式殖。垂直徐記錄敲是把尺原本搖橫向淚放置視的磁姐記錄顏單元蓄變?yōu)榍鹂v向揮排列,從而擺減少反每個(gè)修磁單茫元所豆占用陽的表巨面積詞。1,如何異提高屠磁盤帖的記捧錄密劑度？增大揚(yáng)介質(zhì)勞的HC/Br值；提高返矩形輪比m；減小吊介質(zhì)衣的厚繁度。3，什葛么是夢(mèng)巨磁稍電阻倚效應(yīng)?為什拔么巨購磁阻犁材料磁可以友用作諒高密淹度存籌儲(chǔ)磁尚頭材戴料。復(fù)傘習(xí)巨磁鄙電阻滲效應(yīng)控是指眠外磁串場(chǎng)引上起材橫料電蠟阻率牙巨大衣變化蛋的效瘋應(yīng).如利修用厚娘度為波納米挽（nm）級(jí)男的強(qiáng)頭磁-弱磁-強(qiáng)磁工多層嚷膜，搜選擇婚各層駝的適貿(mào)當(dāng)材噴料和沖層厚毅度，懶便可蛛在一掩定的委外加咱磁場(chǎng)療條件辟下使仙這多冰層膜舟處于糊低電鹿阻或西高電陣阻狀聾態(tài)，俱或使殺其電溉阻隨剝外加扮信號(hào)船磁場(chǎng)牙強(qiáng)度漂而改心變。巨磁栽阻磁括頭的喝讀出亡電壓抹比一她般的防感應(yīng)喇式磁邀頭大,間隙暈長度禁可以溪做得俗更小,有利哀于提期高道羽密度.復(fù)習(xí)1：三大膚存儲(chǔ)撿技術(shù)半導(dǎo)丈體存茄儲(chǔ)則是肌利用狹晶體甲管的浮電容脹效應(yīng)抬來完屠成信釣息的電存儲(chǔ)繁的。著其信金息的浴讀取屢和寫并入則裙是依廊靠檢工測(cè)晶道體管滑的電校平及谷對(duì)其垮充放槳電來觸完成鴉的。磁存站儲(chǔ)技老術(shù)利用浩磁記付錄介液質(zhì)來冰完成文信息施的記橋錄?；笃浠鶄z本原護(hù)理是母利用遞磁化線方向姻的不邀同來矮表征夜‘0’、‘1’信息,利用蓬磁疇喊