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能否發(fā)生(反應(yīng)方向)能量轉(zhuǎn)換(熱效應(yīng))反應(yīng)限度(化學(xué)平衡)化學(xué)熱力學(xué)化學(xué)動(dòng)力學(xué)反應(yīng)的可能性反應(yīng)的現(xiàn)實(shí)性2021/5/91第一章基本框架體系境敞開(kāi)體系封閉體系孤立體系物質(zhì)交換能量交換性質(zhì)深度.廣度狀態(tài)函數(shù)環(huán)狀態(tài)物理.化學(xué)熱力學(xué)第一定律

?U=Q?W過(guò)程函數(shù)熱力學(xué)第二定律

封閉體系:?G<0,自發(fā)過(guò)程孤立體系:?S

>0,自發(fā)過(guò)程熱力學(xué)第三定律

T=0K,純物質(zhì)完整晶態(tài),混亂度最小,S=0-ΔGT,P=(W有用)

最大2021/5/92概念:1.熱力學(xué)標(biāo)準(zhǔn)態(tài);狀態(tài)函數(shù);內(nèi)能U;熱Q;功W2.熱效應(yīng);焓(變)(H,△H,△rHθ,△rHθm,△fHθm)3.吉布斯自由能(G,△G,△rGθ,△rGθm,△fGθm)4.熵(Sθm,△rSθm)計(jì)算:1.蓋斯定律ΔrHθm(T)=∑

vBΔfHθm(B,T)2.吉布斯-赫姆霍茲公式:

ΔG(T)=ΔH(T)-TΔS(T)

T轉(zhuǎn)3.ΔrGm(298.15K)=∑

vB

ΔfGm(B,298.15K)4.ΔrS

m(298.15K)=∑

vBSm

(B,298.15K)5.(1)ΔfHm、ΔfGm單位是kJ·mol-1,Sm(T)的單位是J·K-1·mol-1;(2)參考態(tài)單質(zhì)ΔfHm=0;ΔfGm=0;Sm(T)≠0。2021/5/93第三章基本知識(shí)點(diǎn)及要求1.道爾頓分壓定律:pi=p總

xi2.平衡常數(shù):(1)氣相反應(yīng):Kp,Kθ

(注意單位)

(2)溶液反應(yīng):αB,Kc,Kθ

(3)意義及書寫注意事項(xiàng)(4)多重平衡規(guī)則:Kθ=Kθ1.

Kθ23.化學(xué)反應(yīng)等溫方程式:

(1)ΔrGm(T)

=-RTlnK(T)

(2)ΔrGm(T)=RTlnJc/KΔrGm(T)=RTlnJp

/KlnK2θK1θ=ΔrHθm

R

T2–T1

T2×T1()(3)lnKθ(T)=-ΔrHθm/RT+ΔrSθm/R

2021/5/944.一元弱酸弱堿的電離平衡:c(H+)={Ka.c(HA)}1/2c(OH-)≈{Kb.c(B)}1/25.緩沖溶液:(1)定義;組成;緩沖原理(加酸,加堿,稀釋)

c(弱酸)c(弱酸鹽)c(H+)≈Ka

c(弱堿)c(弱堿鹽)c(OH-)≈Kb

(2)6.沉淀-溶解平衡:(1)溶度積Ks及與溶解度關(guān)系

(2)溶度積規(guī)則:比較離子積與Ks7.配離子的離解平衡:

(1)配合物的構(gòu)成(中心離子,配位原子,配位數(shù))

(2)配合物的命名(配正,配負(fù),2個(gè)以上配體)c(HAc)/Ka≥400c(NH3·H2O)/Kb≥400c(弱酸)c(弱酸鹽)pH≈pKa-lg

c(弱堿)c(弱堿鹽)pH≈14-pKb+lg2021/5/951.原電池(△G<0)組成;正負(fù)極反應(yīng)及配平;書寫符號(hào);電極類型;電對(duì)書寫2.電極電勢(shì)E?及電動(dòng)勢(shì)E標(biāo)準(zhǔn)氫(甘汞)電極;無(wú)加和性與方程式書寫無(wú)關(guān);介質(zhì)酸堿性有關(guān)3.Nernst方程意義,正確書寫及應(yīng)用aO+ze-=bR(R=8.315J·K-1

·mol-1

;F=96,485C·mol-1;T=298.15K)第四章電化學(xué)原理及應(yīng)用E(電極)=E

(電極)+lg

{c(R)/c}b0.0592V{c(O)/c}az(1)pH影響:氧化物(MnO2、PbO2)、含氧酸及其鹽(KMnO4、KClO3)pH減小(酸度增大),電極電勢(shì)增加,氧化能力增強(qiáng)。(2)生成沉淀(配離子)影響:氧化型形成沉淀,Eq↓;還原型形成沉淀,Eq↑;氧化型和還原型都形成沉淀,看二者Ks的相對(duì)大小。2021/5/964.電動(dòng)勢(shì)E與△G的關(guān)系5.電極電勢(shì)的應(yīng)用-DrG=Welec,maxDrGm=--zFE或DrGmθ=--zFEθ(1)氧化劑和還原劑相對(duì)強(qiáng)弱的比較

E(O/R)O氧化能力R還原能力(2)氧化還原方向的判斷

電動(dòng)勢(shì)E>0,DrGm<0,正向自發(fā)(3)氧化還原反應(yīng)進(jìn)行的次序

反應(yīng)首先發(fā)生在電極電勢(shì)差值較大的兩個(gè)電對(duì)之間

(4)氧化還原反應(yīng)進(jìn)行程度的衡量lnKθ

=zFEθ/RTlgKθ

=zEθ/0.0592V(5)電極電勢(shì)的相對(duì)大小不能判斷反應(yīng)速率的大小2021/5/976.化學(xué)電源:掌握鉛蓄電池電極反應(yīng)及充放電原理7.電解(△G>0):

(1)電解池與原電池的區(qū)別:組成,原理,電極反應(yīng)(2)分解電壓,反電動(dòng)勢(shì),超電勢(shì)(3)極化:濃差;電化學(xué).結(jié)果:E(陽(yáng))增大,E(陰)減小

8.電鍍,電拋光,電解加工,陽(yáng)極氧化9.金屬腐蝕與防護(hù):

(1)化學(xué)腐蝕

(2)電化學(xué)腐蝕析氫腐蝕;吸氧腐蝕;氧濃差腐蝕(水線腐蝕)(3)了解防護(hù)方法2021/5/98應(yīng)用:1123z、z1、z2、z3

分別為各電對(duì)中氧化型與還原型的氧化數(shù)之差

EEEE

A

B

CDz1z2z3

zz=z1+

z2+z3

EEEE=z1+

z2+z3

zEEEE計(jì)算電對(duì)的標(biāo)準(zhǔn)電極電勢(shì)2021/5/99計(jì)算電對(duì)的標(biāo)準(zhǔn)電極電勢(shì)應(yīng)用:1(BrO-/Br2)=z2

z4(BrO-/Br-)-z3(Br2/Br-)

=(2×0.76-1×1.605)V1=0.455VEEEz4

BrO3BrO-

Br2Br-z1z2z3

??1.6050.760.61z例1E/VB-=z1+

z2+z3

zEEEE2021/5/910應(yīng)用:2反應(yīng)2Cu+

→Cu2++Cu當(dāng)一種元素處于中間氧化數(shù)時(shí),它一部分向高的氧化數(shù)狀態(tài)變化(被氧化),另一部分向低的氧化數(shù)狀態(tài)變化(被還原),這類反應(yīng)稱為歧化反應(yīng)判斷能否發(fā)生歧化反應(yīng)E(Cu2+/Cu+)=0.159VE(Cu+/Cu)=0.520V>

Cu2+

Cu+

Cu0.1590.5200.340E/VA結(jié)論:(右)>(左),Cu+易發(fā)生歧化反應(yīng)EE2021/5/911解釋元素的氧化還原特性應(yīng)用:34Fe2++O2+4H+

→4Fe3++2H2O

Fe2+在空氣中不穩(wěn)定,易被空氣中氧氧化為Fe3+。E/VA

Fe3+

Fe2+

Fe0.771-0.44如

E(O2/H2O)=1.229V>E(Fe3+/Fe2+)2021/5/912解釋元素的氧化還原特性應(yīng)用:3故Fe2+不會(huì)發(fā)生歧化反應(yīng)可發(fā)生歧化反應(yīng)的逆反應(yīng)在Fe2+鹽溶液,加入少量金屬鐵能避免Fe2+被空氣中氧氣氧化為Fe3+

Fe+2Fe3+

→3Fe2+

如E/VA

Fe3+

Fe2+

Fe0.771-0.442021/5/9131.波爾理論:定態(tài)假設(shè);軌道假設(shè);躍遷假設(shè)2.微觀粒子的波﹑粒二象性:

λ=h/p=h/mv;波恩的統(tǒng)計(jì)解釋;概率波3.電子運(yùn)動(dòng)的三大特性:

能量量子化;波粒二象性;統(tǒng)計(jì)性4.薛定諤方程與波函數(shù)y:波函數(shù)=薛定鍔方程的合理解=原子軌道

概念意義;s,p軌道角度分布圖(形狀特點(diǎn)及描述)5.電子云y2與波函數(shù)y:

概念意義;s,p電子云角度分布圖(形狀特點(diǎn)及描述)電子云與原子軌道角度分布圖區(qū)別第5章原子結(jié)構(gòu)與周期系2021/5/9146.四個(gè)量子數(shù)n,l,m,ms:取值,意義7.核外電子排布:

(1)三原則:泡利不相容;能量最低;洪特規(guī)則(2)電子進(jìn)入能級(jí)順序及電子分布式:重點(diǎn)4,5周期8.周期系與元素性質(zhì):

(1)外層電子構(gòu)型與周期表中的位置(2)有效核電荷數(shù),原子半徑,電負(fù)性2021/5/915描述了原子中電子出現(xiàn)幾率最大的區(qū)離核的遠(yuǎn)近。n值越大,電子出現(xiàn)幾率最大的區(qū)域離核越遠(yuǎn),也可以說(shuō)電子離核的平均距離越大。n值相同的各原子軌道電子離核的平均距離較接近,故常把具有相同主量子數(shù)n的各原子軌道歸并稱為同一個(gè)“電子層”。

n=1,2,3,4,5,6等正整數(shù),電子層分別用K,L,M,N,O,P表示,稱為電子層的符號(hào)。在氫原子中n值越大的電子層,電子的能量越高。但在多電子原子中,核外電子的能量則由主量子數(shù)n和角量子數(shù)l兩者決定。1.主量子數(shù)n2021/5/916角量子數(shù)l可表示原子軌道或電子云的形狀。

l=0,1,2,3,…,(n-1)l=0時(shí)(s軌道),原子軌道或電子云呈球形分布;

l=1時(shí)(p軌道),原子軌道的角度分布圖為雙球面,電子云的角度分布的圖為兩個(gè)交于原點(diǎn)的橄欖形曲面;

l=2(d軌道)及3(稱f軌道)時(shí),原子軌道的形狀更為復(fù)雜。角量子數(shù)就表示同一電子層n的不同“電子亞層”。

n,l相同的各原子軌道屬于同一“電子亞層”,簡(jiǎn)稱“亞層”。2.角量子數(shù)l2021/5/917

m=0,±1,±2,……±l。決定了原子軌道(或電子云)在空間的伸展方向。l=0,m=0,亞層只有一個(gè)球形的s軌道,無(wú)方向性。l=1,m=0﹑±1,p亞層有三個(gè)不同伸展方向的p軌道,常用pz,px,py表示這三個(gè)不同伸展方向。l=2,m=0﹑±1﹑±2,d亞層有5個(gè)不同伸展方向的d軌道。當(dāng)n,l,m都確定,就決定了是哪一個(gè)主層、什么形狀的亞層、某個(gè)伸展方向的軌道。3.磁量子數(shù)m2021/5/918ms的取值只有+1/2和-1/2,不依賴于n,l,m三個(gè)量子數(shù)它描述了電子自旋運(yùn)動(dòng)的特征。電子的自旋只有兩個(gè)方向,通常稱為正自旋和反自旋,或順時(shí)針?lè)较蚝头磿r(shí)針?lè)较?,可用向上或向下的箭頭“↑↓”來(lái)表示這兩個(gè)不同方向的電子自旋運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。4.自旋量子數(shù)msElectronspinvisualized

想象中的電子自旋兩種可能的自旋方向:

正向(+1/2)和反向(-1/2)自旋運(yùn)動(dòng)使電子具有類似于微磁體的行為,產(chǎn)生方向相反的磁場(chǎng)自旋相反的一對(duì)電子,磁場(chǎng)相互抵消.

MagneticfieldscreenSmallclearancespaceSilveratomicraykiln2021/5/919原子的外層電子構(gòu)型與周期表的分區(qū)最外層電子nsnp次外層電子(n-1)d(n-2)f分區(qū) 末電子填入軌道位置 外層電子構(gòu)型

s區(qū) s軌道 ⅠAⅡA

ns1--2

p區(qū) p軌道ⅢA---零族ns2np1--6

d區(qū) d軌道 ⅢB---Ⅷ(n-1)d1-9ns1-2ds區(qū) d軌道d10

ⅠBⅡB

(n-1)d10ns1--2

f區(qū) f軌道鑭系錒系(n-2)f1--14(n-1)d0-2ns2外層電子構(gòu)型2021/5/9201.離子鍵:本質(zhì),特征2.價(jià)鍵理論

理論要點(diǎn),共價(jià)鍵本質(zhì)特征,鍵和鍵,鍵參數(shù)3.雜化軌道理論與分子構(gòu)型

理論要點(diǎn);sp,sp2,sp3,不等性sp3雜化:分子構(gòu)型及書上實(shí)例4.分子間力和氫鍵

(1)共價(jià)鍵極性與分子極性(電偶極矩p與分子構(gòu)型)

(2)色散力,誘導(dǎo)力,取向力(3)氫鍵:特征;存在條件;對(duì)物性影響第六章化學(xué)鍵與分子結(jié)構(gòu)分子間的氫鍵存在使熔、沸點(diǎn)升高分子內(nèi)的氫鍵存在使熔、沸點(diǎn)降低2021/5/921鍵與鍵的對(duì)比表共價(jià)鍵類型鍵鍵原子軌道重疊方式頭碰頭肩并肩波函數(shù)分布對(duì)鍵軸呈圓柱形對(duì)稱對(duì)鍵軸上下反對(duì)稱電子云分布形狀核間呈圓柱形存在密度為0的節(jié)面存在方式唯一多鍵時(shí),可多個(gè)鍵穩(wěn)定性強(qiáng)弱一般,共價(jià)單鍵是鍵,雙鍵中有一個(gè)鍵和一個(gè)鍵,三鍵中有一個(gè)鍵鍵和兩個(gè)鍵。2021/5/922能量相近原則只有能量相近的軌道才能發(fā)生雜化(如ns和np)。軌道數(shù)目守恒原則新組成的雜化軌道數(shù)目等于原來(lái)的原子軌道數(shù)目。能量重新分配原則雜化前原子軌道能量各不相同,雜化軌道的能量相同最大重疊原則雜化時(shí),都有s軌道的參與,s軌道的Ψ為正值,導(dǎo)致雜化軌道一頭大一頭小。大頭部分參與形成穩(wěn)定化學(xué)鍵。雜化軌道對(duì)稱性分布原則雜化后原子軌道在球形空間中盡量成對(duì)稱性分布,因此,等性雜化軌道間的鍵角相等。原子軌道雜化原則形成分子時(shí)才發(fā)生雜化,孤立原子的s、p、d等軌道不發(fā)生雜化。2021/5/923雜化類型spsp2sp3雜化軌道構(gòu)型直線形三角形四面體形雜化軌道中孤電子對(duì)數(shù)00012分子幾何構(gòu)型直線形三角形正四面體三角錐V形實(shí)例BeCl2,HgCl2C2H2,CO2BF

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