電磁屏蔽典型應(yīng)用

電磁屏蔽典型應(yīng)用當(dāng)前第1頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)2

主要內(nèi)容

概述電場(chǎng)屏蔽低頻磁場(chǎng)屏蔽高頻磁場(chǎng)屏蔽電磁屏蔽

孔洞的屏蔽效能

當(dāng)前第2頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)3

概述

屏蔽類型：

屏蔽是用導(dǎo)電或?qū)Т挪牧蠈⑿枰雷o(hù)區(qū)域封閉起來，以抑制和控制電場(chǎng)、磁場(chǎng)和電磁波由一個(gè)區(qū)域?qū)α硪粋€(gè)區(qū)域的感應(yīng)和輻射；屏蔽技術(shù)用來抑制電磁噪聲沿著空間的傳播，即切斷電磁波輻射（和場(chǎng)耦合）的傳輸途徑。

主動(dòng)屏蔽：屏蔽干擾源，被動(dòng)屏蔽：屏蔽敏感體。波

電磁波屏蔽低頻近場(chǎng)當(dāng)前第3頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)4靜電場(chǎng)屏蔽

靜電場(chǎng)的屏蔽

主動(dòng)屏蔽:

被動(dòng)屏蔽接地防止電力線通過孔縫侵入屏蔽殼體內(nèi)部

完全靜電場(chǎng)屏蔽的必要條件：

1.完整的導(dǎo)體，2.接地?？涨划?dāng)前第4頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)5

交變電場(chǎng)的屏蔽

因?yàn)榈皖l交變電場(chǎng)的騷擾源與接受器之間的電場(chǎng)感應(yīng)耦合可以用它們之間的耦合電容進(jìn)行描述，低頻交變電場(chǎng)的屏蔽可采用電路理論加以解釋。直觀、方便。干擾電壓（場(chǎng)）與耦合電容成正比。減少耦合電容是屏蔽低頻交變電場(chǎng)的關(guān)鍵。增多騷擾源與接受器之間距離，或利用金屬板接地抑制干擾。當(dāng)前第5頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)6

利用金屬板接地抑制干擾接地金屬屏蔽體

接地金屬板切斷干擾途徑。如不接地則可能產(chǎn)生更嚴(yán)重的干擾。無論是靜電場(chǎng)或交變電場(chǎng)，屏蔽的必要條件是金屬體接地。當(dāng)前第6頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)7

靜磁場(chǎng)屏蔽例無限長磁性材料圓柱腔的靜磁屏蔽效能

應(yīng)用分離變量法得可見鐵磁材料的磁導(dǎo)率越大屏蔽效能越高，屏蔽層的厚度增加也會(huì)加大屏蔽效能。但是增加屏蔽層的厚度的做法并不經(jīng)濟(jì)。最好采用多層屏蔽的方法？？

當(dāng)前第7頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)8低頻：100kHz以下屏蔽原理：利用高磁導(dǎo)率的鐵磁材料(例如鐵、硅鋼片，其磁導(dǎo)率約為）對(duì)騷擾磁場(chǎng)進(jìn)行分路，把磁力線集中在其內(nèi)部通過，限制在空氣中大量發(fā)散。

低頻磁場(chǎng)屏蔽H1R0RmH0H0RmH1R0

磁路方程磁力線集中在其內(nèi)部(Rm)通過H2H2當(dāng)前第8頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)9結(jié)論：

磁導(dǎo)率越高、截面積越大，則磁路的磁阻越小，集中在磁路中的磁通就越大，在空氣中的漏磁通就大大減少。用鐵磁材料作的屏蔽罩，在垂直磁力線方向不應(yīng)開口或有縫隙。因?yàn)槿艨p隙垂直于磁力線，則會(huì)切斷磁力線，使磁阻增大，屏蔽效果變差。(主動(dòng)屏蔽)(被動(dòng)屏蔽)

當(dāng)前第9頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)10法拉第電磁感應(yīng)定律，楞次定律，高頻磁場(chǎng)的屏蔽采用的是低電阻率的良導(dǎo)體（銅、鋁）屏蔽原理:利用電磁感應(yīng)現(xiàn)象在屏蔽體表面所產(chǎn)生的渦流的反磁場(chǎng)來達(dá)到屏蔽的目的，即利用了渦流反向磁場(chǎng)對(duì)于原騷擾磁場(chǎng)的排斥作用，抑制或抵消屏蔽體外的磁場(chǎng)。

高頻磁場(chǎng)屏蔽渦流產(chǎn)生的反向磁場(chǎng)增強(qiáng)了金屬板側(cè)面的磁場(chǎng)使磁力線在金屬板側(cè)面繞行而過。H＝0當(dāng)前第10頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)11

屏蔽是利用感應(yīng)渦流的反磁場(chǎng)排斥原騷擾磁場(chǎng)而達(dá)到屏蔽的目的，渦電流的大小直接影響屏蔽效果。屏蔽體電阻越小產(chǎn)生的感應(yīng)渦流越大而且屏蔽體自身的損耗也越小。所以高頻磁屏蔽材料需用良導(dǎo)體。

注：因?yàn)楦哳l時(shí)鐵磁材料的磁性損耗(包括磁滯損耗和渦流損耗)很大，導(dǎo)磁率明顯下降。

鐵磁材料的屏蔽不適用于高頻磁場(chǎng)屏蔽。屏蔽盒上縫的方向必須順著渦流方向并且要盡可能地縮小縫的寬度。如果開縫切斷了渦流的通路則將大大影響金屬盒的屏蔽效果。另一種解釋，趨膚效應(yīng)－熱損耗當(dāng)前第11頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)12屏蔽體和線圈的等效電路渦流

當(dāng)（高頻）時(shí)，

當(dāng)（低頻）時(shí)

低頻時(shí)渦流很小，渦流的反磁場(chǎng)不足以完全排斥原干擾磁場(chǎng)，此法不適用于低頻磁場(chǎng)屏蔽一定頻率后渦流不再隨著頻率升高，說明渦流產(chǎn)生的反磁場(chǎng)已足以排斥原有的干擾磁場(chǎng)，從而起到屏蔽作用。is頻率M/LRs/LRs屏蔽體電阻當(dāng)前第12頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)13電磁屏蔽時(shí)變電磁場(chǎng)中，電場(chǎng)和磁場(chǎng)總是同時(shí)存在的，通常所說的屏蔽，多指電磁屏蔽。電磁屏蔽是指同時(shí)抑制或削弱電場(chǎng)和磁場(chǎng)。電磁屏蔽一般也是指高頻交變電磁屏蔽(10kHz~40GHz)。在頻率較低（近場(chǎng)區(qū)，近場(chǎng)隨著騷擾源的性質(zhì)不同，電場(chǎng)和磁場(chǎng)的大小有很大差別。

高電壓小電流騷擾源以電場(chǎng)為主（電準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)場(chǎng)－忽略了感應(yīng)電壓），磁場(chǎng)騷擾較?。ㄓ袝r(shí)可忽略）。

低電壓高電流騷擾源以磁場(chǎng)騷擾為主（磁準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)場(chǎng)－忽略了位移電流），電場(chǎng)騷擾較小。隨著頻率增高，電磁輻射能力增加，產(chǎn)生輻射電磁場(chǎng)，并趨向于遠(yuǎn)場(chǎng)騷擾。遠(yuǎn)場(chǎng)騷擾中的電場(chǎng)騷擾和磁場(chǎng)騷擾都不可忽略，因此需要將電場(chǎng)和磁場(chǎng)同時(shí)屏蔽，即電磁屏蔽。當(dāng)前第13頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)14

屏蔽效能屏蔽前場(chǎng)強(qiáng)

E1,H1屏蔽后場(chǎng)強(qiáng)

E2，H2

對(duì)電、磁場(chǎng)和電磁波產(chǎn)生衰減的作用就是電磁波屏蔽,屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量:SE=20lg(E1/E2),SH=20lg(H1/H2)dB

衰減量與屏蔽效能的關(guān)系例：40dB,衰減比＝1/100GJB151A的機(jī)箱：60dB一般商業(yè)的機(jī)箱：40dB

軍用屏蔽室：100dB當(dāng)前第14頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)15屏蔽機(jī)理設(shè)金屬平板左右兩側(cè)均為空氣，因而在左右兩個(gè)界面上出現(xiàn)波阻抗突變，入射電磁波在界面上就產(chǎn)生反射和透射。電磁能（波）的反射，是屏蔽體對(duì)電磁波衰減的第一種機(jī)理，稱為反射損耗，用R表示。

透射入金屬板內(nèi)繼續(xù)傳播，其場(chǎng)量振幅要按指數(shù)規(guī)律衰減。場(chǎng)量的衰減反映了金屬板對(duì)透射入的電磁能量的吸收，電磁波衰減的第二種機(jī)理．稱為吸收損耗，用A表示

在金屬板內(nèi)尚未衰減掉的剩余能量達(dá)到金屬右邊界面上時(shí)，又要發(fā)生反射，并在金屬板的兩個(gè)界面之間來回多次反射。只有剩余的一小部分電磁能量透過屏蔽的空間。電磁波衷減的第三種機(jī)理，稱為多次反射修正因子，用B表示。RAB當(dāng)前第15頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)16屏蔽效能的第一種機(jī)理－電磁能的反射是因?yàn)榭諝猓饘俳缑嫔献杩共黄ヅ涠l(fā)生的。反射系數(shù)為——輻射場(chǎng)的波阻抗

——金屬板的波阻抗

吸收損耗

第三種機(jī)理，稱為多次反射修正因子：

三次反射(吸收過程)五次反射(吸收過程)當(dāng)前第16頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)17

實(shí)心材料屏蔽效能＝

R＋

A＋B入射場(chǎng)強(qiáng)距離吸收損耗AR1R2SE＝R1

＋R2

＋A＋BB透射泄漏R－反射損耗A－吸收損耗B－多次反射修正因子

實(shí)心材料對(duì)電磁波的反射和吸收損耗使電磁能量被大大衰減，將電場(chǎng)和磁場(chǎng)同時(shí)屏蔽，即電磁屏蔽。反射AR1R2當(dāng)前第17頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)18波阻抗的概念（前述）377波阻抗電場(chǎng)為主E1/r3H1/r2磁場(chǎng)為主H1/r3E1/r2平面波E1/rH1/r/2到觀測(cè)點(diǎn)距離rE/H

距離小于/時(shí)，稱為近場(chǎng)區(qū)，大于/時(shí)稱為遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)。近場(chǎng)區(qū)中，波阻抗小于377，稱為低阻抗波（磁場(chǎng)波）；波阻抗大

377，稱為高阻抗波（電場(chǎng)波）。波阻抗隨距離而變化。遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)，波阻抗僅與電場(chǎng)波傳播介質(zhì)有關(guān)，空氣為377。

當(dāng)前第18頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)19

反射損耗

R＝20lg

反射損耗與波阻抗有關(guān)屏蔽材料的阻抗Zs<1

越低（r

大－良導(dǎo)體），則反射損耗越大；特定的屏蔽材料（Zs一定），被屏蔽的波阻抗ZW

越高，則反射損耗越大。ZW4ZsZs

=3.6810-7fr/r遠(yuǎn)場(chǎng)：377近場(chǎng)：取決于源的阻抗同一種材料的阻抗隨頻率變化當(dāng)前第19頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)20不同電磁波的反射損耗

Zs=屏蔽體阻抗，D=屏蔽體到源的距離（m），f=頻率（MHz）,dB遠(yuǎn)場(chǎng):R＝20lg3774Zs45002DfD

fZsZs電場(chǎng):R＝20lg磁場(chǎng):R＝20lg已有于是

注意：反射損耗不是將電磁能量損耗掉，而是將其反射到空間。反射的電磁波有可能對(duì)其它電路造成影響。特別是當(dāng)輻射源在屏蔽機(jī)箱內(nèi)時(shí)，反射波在機(jī)箱內(nèi)可能會(huì)由于機(jī)箱的諧振得到增強(qiáng)，對(duì)電路造成干擾。當(dāng)前第20頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)21影響反射損耗的因素R(dB)1500.1k1k10k100k1M10M100M平面波fD=30m

電場(chǎng)D=1mD=30m磁場(chǎng)D=1m

電場(chǎng)反射損耗>磁場(chǎng)反射損耗,當(dāng)頻率升高時(shí)，電場(chǎng)和磁場(chǎng)損耗趨向于一致，匯合在平面波的反射損耗數(shù)值上。距離電偶極源越近，則反射損耗越大（波阻抗越高）。磁偶極源，則正好相反。頻率影響：頻率升高時(shí)，電場(chǎng)的波阻抗變低，磁場(chǎng)波的波阻抗變高。同時(shí)屏蔽材料的阻抗發(fā)生變化（變大）。對(duì)于平面波，由于波阻抗一定（377），因此隨著頻率升高，反射損耗降低。當(dāng)前第21頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)22

吸收損耗入射電磁波E1剩余電磁波E2E2=E1e-t/

A＝20lg(E1/E2)=20lg(et/)t0.37E0

＝3.34tfrrdB

材料越厚t

，吸收損耗越大，每增加一個(gè)趨膚深度，吸收損耗增加約20dB；趨膚深度越?。ù艑?dǎo)率、電導(dǎo)率和頻率越高），吸收損耗越大。

當(dāng)前第22頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)23

趨膚深度舉例

相對(duì)（電導(dǎo)率，磁導(dǎo)率）：銅（1,1),

鋁（0.6,1),鋼(0.16,200);

吸收損耗與入射電磁場(chǎng)（波）的種類（波阻抗）無關(guān)。當(dāng)前第23頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)24多次反射修正因子的計(jì)算電磁波在屏蔽體內(nèi)多次反射，會(huì)引起附加的電磁泄漏，因此要對(duì)前面的計(jì)算進(jìn)行修正。B=20lg(1-e-2t/)說明：

B為負(fù)值，其作用是減小屏蔽效能當(dāng)趨膚深度與屏蔽體的厚度相當(dāng)時(shí)，可以忽略

對(duì)于電場(chǎng)波，可以忽略

—對(duì)于電場(chǎng)波，反射損耗已很大了，進(jìn)入屏蔽體的能量已經(jīng)很小了，所以可以忽略。當(dāng)前第24頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)25綜合屏蔽效能(0.5mm鋁板)高頻時(shí)電磁波種類的影響很小150250平面波000.1k1k10k100k1M10M電場(chǎng)D=0.5m磁場(chǎng)D=0.5m屏蔽效能（dB）頻率

低頻：趨膚深度大，吸收損耗小，屏蔽決于反射損耗。電場(chǎng)>電磁波>磁場(chǎng)。高頻：電場(chǎng)的反射損耗降低，磁場(chǎng)的反射損耗增加；頻率升高，吸收損耗增加，頻率高到一定程度時(shí)，屏蔽主要由吸收損耗決定。屏蔽的難度按電場(chǎng)波、平面波、磁場(chǎng)波的順序依次增加。

特別是頻率較低的磁場(chǎng)，很難屏蔽。當(dāng)前第25頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)26怎樣屏蔽低頻磁場(chǎng)？低頻磁場(chǎng)低頻磁場(chǎng)吸收損耗?。ㄚ吥w深度大）反射損耗小(低阻抗）高導(dǎo)電材料高導(dǎo)磁材料高導(dǎo)電材料方法1：高導(dǎo)磁率材料的表面增加一層高導(dǎo)電率材料，增加電場(chǎng)波在屏蔽材料與空氣界面上的反射損耗。方法2：低磁阻通路旁路。關(guān)鍵：采用高導(dǎo)磁率材料，

減少磁阻。H1當(dāng)前第26頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)27

磁屏蔽材料的頻率特性151015坡莫合金金屬鎳鋼冷軋鋼0.010.11.010100kHzr103

磁屏蔽材料手冊(cè)上給出的導(dǎo)磁率數(shù)據(jù)大多是直流情況下的，隨著頻率增加，導(dǎo)磁率會(huì)下降，當(dāng)頻率大于時(shí)，導(dǎo)磁率更低。當(dāng)前第27頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)28

磁導(dǎo)率隨場(chǎng)強(qiáng)的變化磁場(chǎng)強(qiáng)度H磁通密度B飽和起始磁導(dǎo)率最大磁導(dǎo)率=B/H

一對(duì)矛盾：當(dāng)要屏蔽的磁場(chǎng)很強(qiáng)時(shí)，即為了獲得較高的屏蔽性能，需要使用導(dǎo)磁率較高的材料，但這種材料容易飽和。如用比較不容易飽和的材料，往往由于=較低，屏蔽性能又達(dá)不到要求。當(dāng)前第28頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)29

強(qiáng)磁場(chǎng)的屏蔽高導(dǎo)磁率材料：飽和低導(dǎo)磁率材料：屏效不夠低導(dǎo)磁率材料高導(dǎo)磁率材料

解決方法：采用雙層屏蔽，先用不容易發(fā)生飽和的磁導(dǎo)率較低的材料將磁場(chǎng)衰減到一定程度，然后用高導(dǎo)磁率材料將磁場(chǎng)衰減到滿足要求。成本高、實(shí)施困難。當(dāng)前第29頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)30

良好電磁屏蔽的關(guān)鍵因素屏蔽體的導(dǎo)電連續(xù)有無穿過屏蔽體的導(dǎo)體屏蔽效能高的屏蔽體不要忘記：選擇適當(dāng)?shù)钠帘尾牧夏阒绬幔号c屏蔽體接地與否無關(guān)屏蔽體的完整性（完整、封閉）+導(dǎo)電的連續(xù)性是屏蔽的關(guān)鍵當(dāng)前第30頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)31實(shí)際屏蔽體的問題

實(shí)際機(jī)箱上有許多泄漏源：不同部分結(jié)合處的縫隙通風(fēng)口、顯示窗、按鍵、指示燈和電纜線、電源線等影響屏蔽效能的兩個(gè)因素：屏蔽體的導(dǎo)電連續(xù)性和穿過屏蔽機(jī)箱的導(dǎo)線（危害更大＝輻射＋傳導(dǎo)）。通風(fēng)口顯示窗鍵盤指示燈電纜插座調(diào)節(jié)旋鈕電源線縫隙電纜線當(dāng)前第31頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)32

遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)孔洞的屏蔽效能llSE=100–20lgl–20lgf+20lg（1+2.3lg(l/h))=0dB

H當(dāng)電磁波入射到一個(gè)縫隙孔洞時(shí)，其作用相當(dāng)于一個(gè)偶極天線(第二章已講述）當(dāng)縫隙的長度達(dá)到l=/2時(shí)，其輻射效率最高（與縫隙的寬度無關(guān)），它幾乎可將激勵(lì)縫隙的全部能量輻射出去。若l

/2

h當(dāng)前第32頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)33

孔洞在近場(chǎng)區(qū)的屏蔽效能

在近場(chǎng)區(qū)，孔洞的泄漏還與輻射源的特性有關(guān)

若ZC

（7.9/Df）（電場(chǎng)源）：

SE=48+20lgZC–20lglf+20lg(1+2.3lg(l/h))

若ZC

（7.9/Df）（磁場(chǎng)源）

SE=20lg(D/l)+20lg(1+2.3lg(l/h))

ZC=輻射源的阻抗（），D=孔到源的距離（m），

l，h=孔，洞(mm），f=電磁波的頻率（MHz）

當(dāng)電場(chǎng)源時(shí)，孔洞的泄漏比遠(yuǎn)場(chǎng)時(shí)?。ㄆ帘涡茌^高），而當(dāng)磁場(chǎng)源時(shí)，孔洞的泄漏比遠(yuǎn)場(chǎng)時(shí)要大（屏蔽效能較低）.（注意：對(duì)于磁場(chǎng)源，屏效與頻率無關(guān)！危害更大?。?/p>

Dlh當(dāng)前第33頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)34

縫隙的泄漏高頻起主要作用低頻起主要作用屏蔽體的導(dǎo)電連續(xù)問題影響電阻，電容的因素：

接觸面積（接觸點(diǎn)數(shù)）、接觸面的材料、接觸面的清潔程度、接觸面上的壓力、氧化腐蝕等。

兩個(gè)表面之間的距離越近，相對(duì)的面積越大，則電容越大。

縫隙的阻抗越小，電磁泄漏越小，屏蔽效能越高（電容變小）作用可能相反，整體上，高頻時(shí)電磁泄漏較大h=0的情況縫隙當(dāng)前第34頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)35縫隙的處理電磁密封襯墊縫隙

減小縫隙電磁泄漏的基本思路：減小縫隙的阻抗（增加導(dǎo)電接觸點(diǎn)、加大兩塊金屬板之間的重疊面積、減小縫隙的寬度）。方法：增加接觸面的平整度，增加緊固件（螺釘、鉚釘）的密度，方法：使用電磁密封襯墊，電磁密封襯墊是一種彈性的導(dǎo)電材料。當(dāng)前第35頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)36電磁密封襯墊的種類

金屬絲網(wǎng)襯墊導(dǎo)電橡膠指形簧片螺旋管襯墊當(dāng)前第36頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)37襯墊種類優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)適用場(chǎng)合導(dǎo)電橡膠同時(shí)具有環(huán)境密封和電磁密封作用，高頻屏蔽效能高需要的壓力大，價(jià)格高需要環(huán)境密封和較高屏蔽效能的場(chǎng)合金屬絲網(wǎng)條成本低，不易損壞高頻屏蔽效能，適合1GHz以上的場(chǎng)合沒有環(huán)境密封作用干擾頻率為1GHz以下的場(chǎng)合指形簧片屏蔽效能高允許滑動(dòng)接觸形變范圍大價(jià)格高沒有環(huán)境密封作用有滑動(dòng)接觸的場(chǎng)合屏蔽性能要求較高的場(chǎng)合

導(dǎo)電橡膠：在硅橡膠內(nèi)填充占總重量70～80％比例的金屬顆粒，如銀粉、銅粉、鋁粉、鍍銀銅粉、鍍銀鋁粉、鍍銀玻璃球等。這種材料保留一部分硅橡膠良好彈性的特性，同時(shí)具有較好的導(dǎo)電性。當(dāng)前第37頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)38螺旋管屏蔽效能高，價(jià)格低,復(fù)合型能同時(shí)提供環(huán)境密封和電磁密封過量壓縮時(shí)容易損壞屏蔽性能要求高的場(chǎng)合有良好壓縮限位的場(chǎng)合需要環(huán)境密封和很高屏蔽效能的場(chǎng)合多重導(dǎo)電橡膠

彈性好，價(jià)格低，可以提供環(huán)境密封表層導(dǎo)電層較薄，在反復(fù)磨擦的場(chǎng)合容易脫落需要環(huán)境密封和一般屏蔽性能的場(chǎng)合不能提供較大壓力的場(chǎng)合導(dǎo)電布襯墊柔軟，需要壓力小價(jià)格低濕熱環(huán)境中容易損壞不能提供較大壓力的場(chǎng)合當(dāng)前第38頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)39

電磁密封襯墊的主要參數(shù)

屏蔽效能(關(guān)系到總體屏蔽效能)

回彈力（關(guān)系到蓋板的剛度和螺釘間距）最小密封壓力（關(guān)系到最小壓縮量）最大形變量（關(guān)系到最大壓縮量）壓縮永久形變（關(guān)系到允許蓋板開關(guān)次數(shù)）電化學(xué)相容性（關(guān)系到屏蔽效能的穩(wěn)定性）當(dāng)前第39頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)40

電磁密封襯墊的安裝方法絕緣漆環(huán)境密封當(dāng)前第40頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)41截止波導(dǎo)管損耗頻率fc截止頻率頻率高的電磁波能通過波導(dǎo)管，頻率低的電磁波損耗很大！工作在截止區(qū)的波導(dǎo)管叫截止波導(dǎo)。截止區(qū)當(dāng)前第41頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)42

截止波導(dǎo)管的屏效截止波導(dǎo)管屏蔽效能=反射損耗：遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)計(jì)算公式,近場(chǎng)區(qū)計(jì)算公式+吸收損耗：與截止頻率有關(guān)孔洞計(jì)算屏蔽效能公式，前述波導(dǎo)壁面吸收損失屏蔽效能明顯當(dāng)前第42頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)43

截止波導(dǎo)管的損耗

不同金屬的截止波導(dǎo)管的損耗。同樣情況下，波導(dǎo)越長，壁面吸收損失越大，屏蔽效能越好當(dāng)前第43頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)44

圓柱波導(dǎo)較好，但不易組合孔的尺度較大時(shí)，截止頻率低，大于截止頻率的干擾無法屏蔽當(dāng)前第44頁\共有56頁\編于星期六\11點(diǎn)45