第四章光電發(fā)射器件

第四章光電發(fā)射器件第一頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五光電陰極材料

1.單堿與多堿銻化物光陰極

銻銫(Cs3Sb)光電陰極是最常用的，量子效率很高的光電陰極。長波限約為650nm，對紅外不靈敏。銻銫陰極的峰值量子效率較高，一般高達20%~30%，比銀氧銫光電陰極高30多倍。兩種或三種堿金屬與銻化合形成多堿銻化物光陰極。其量子效率峰值可高達30%。

第二頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五2.銀氧銫與鉍銀氧銫光陰極

銀氧銫(Ag-O-Cs)陰極是最早使用的高效光陰極。它的特點是對近紅外輻射靈敏。制作過程是先在真空玻璃殼壁上涂上一層銀膜再通入氧氣，通過輝光放電使銀表面氧化，對于半透明銀膜由于基層電阻太高，不能用放電方法而用射頻加熱法形成氧化銀膜，再引入銫蒸汽進行敏化處理，形成Ag-O-Cs薄膜。銀氧銫光電陰極的相對光譜響應曲線畫從圖5-1中可以看出，它有兩個峰值，一個在350nm處，一個在800nm處。光譜范圍在300nm到1200nm之間。量子效率不高，峰值處約0.5%～1%左右。銀氧銫使用溫度可達100℃，但暗電流較大，且隨溫度變化較快。

第三頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五

光電發(fā)射陰極的主要參數(shù)

光電發(fā)射陰極的主要特性參數(shù)為靈敏度、量子效率、光譜響應和暗電流等。1.靈敏度光電發(fā)射陰極的靈敏度應包括光譜靈敏度與積分靈敏度兩種。11)

光譜靈敏度定義在單色（單一波長）輻射作用于光電陰極時，光電陰極輸出電流Ik與單色輻射通量φe,λ之比為光電陰極的光譜靈敏度Se,λ。即Se,λ=IK/φe,λ，其量綱為μA/W或A/W。

第四頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五2)

積分靈敏度

定義在某波長范圍內的積分輻射作用于光電陰極時，光電陰極輸出電流Ik與入射輻射通量φe之比為光電陰極的積分靈敏度Se。即，量綱為mA/W或A/W。在可見光波長范圍內的“白光”作用于光電陰極時，光電陰極電流Ik與入射光通量φv之比為光電陰極的白光靈敏度Sv。即Sv=，量綱為mA/lm。

第五頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五2.量子效率

定義在單色輻射作用于光電陰極時，光電陰極發(fā)射單位時間發(fā)射出去的光電子數(shù)Ne,λ,與入射的光子數(shù)之比為光電陰極的量子效率ηλ（或稱量子產(chǎn)額）。即。

量子效率和光譜靈敏度是一個物理量的兩種表示方法。它們之間的關系為

（5-1）

第六頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五3.光譜響應

光電發(fā)射陰極的光譜響應特性用光譜響應特性曲線描述。光電發(fā)射陰極的光譜靈敏度或量子效率與入射輻射波長的關系曲線稱為光譜響應。

4.暗電流

光電發(fā)射陰極中少數(shù)處于較高能級的電子在室溫下獲得了熱能產(chǎn)生熱電子發(fā)射，形成暗電流。光電發(fā)射陰極的暗電流與材料的光電發(fā)射閾值有關。一般光電發(fā)射陰極的暗電流極低，其強度相當于10-16~10-18Acm-2的電流密度。

第七頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五4.1真空光電管與光電倍增管的工作原理

4.1.1真空光電管的原理

真空光電管主要由光電陰極和陽極兩部分組成，因管內常被抽成真空而稱為真空光電管。然而，有時為了使某種性能提高，在管殼內也充入某些低氣壓惰性氣體形成充氣型的光電管。無論真空型還是充氣型均屬于光電發(fā)射型器件，稱為真空光電管或簡稱為光電管。其工作原理電路如圖5-2所示，在陰極和陽極之間加有一定的電壓，且陽極為正極，陰極為負極。第八頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五

1、真空型光電管的工作原理

當入射光透過真空型光電管的入射窗照射到光電陰極面上時，光電子就從陰極發(fā)射出去，在陰極和陽極之間形成的電場作用下，光電子在極間作加速運動，被高電位的陽極收集，其光電流的大小主要由陰極靈敏度和入射輻射的強度決定。

第九頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五

2、充氣型光電管的工作原理充氣光電管（又稱離子光電管）由封裝于充氣管內的光陰極和陽極構成。它不同于真空光電管的是，光電子在電場作用下向陽極運動時與管中氣體原子碰撞而發(fā)生電離現(xiàn)象。由電離產(chǎn)生的電子和光電子一起都被陽極接收，正離子卻反向運動被陰極接收。因此在陽極電路內形成數(shù)倍于真空光電管的光電流。充氣光電管最大缺點是在工作過程中靈敏度衰退很快，其原因是正離子轟擊陰極而使發(fā)射層的結構破壞。充氣光電管按管內充氣不同可分為單純氣體型和混合氣體型。①單純氣體型：這種類型的光電管多數(shù)充氬氣，優(yōu)點是氬原子量小，電離電位低，管子的工作電壓不高。有些管內充純氦或純氖，要求工作電壓提高。②混合氣體型：這種類型的管子常選氬氖混合氣體，其中氬占10％左右。由于氬原子的存在使處于亞穩(wěn)態(tài)的氖原子碰撞后即能恢復常態(tài)，因此減少惰性。第十頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五4.1.2光電倍增管的原理

光電倍增管（Photo-multipletube簡稱為PMT）是一種真空光電發(fā)射器件，它主要由光入射窗、光電陰極、電子光學系統(tǒng)、倍增極和陽極等部分組成。如圖5-3所示為光電倍增管原理示意圖。

第十一頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五4.1.3光電倍增管的結構

1.PMT的入射窗結構

端窗型（Head-on）(如a、b、c）和側窗型（Side-on）（如d）結構的光電倍增管都有一個光陰極。側窗型的光電倍增管，從玻璃殼的側面接收入射光，而端窗型光電倍增管是從玻璃殼的頂部端面接收入射光。通常情況下，側窗型光電倍增管價格較便宜，大部分的側窗型光電倍增管使用了不透明光陰極（反射式光陰極）和環(huán)形聚焦型電子倍增極結構，這使其在較低的工作電壓下具有較高的靈敏度。2.倍增極結構1）倍增極材料

銻化銫（CsSb）材料具有很好的二次電子發(fā)射功能，它可以在較低的電壓下產(chǎn)生較高的發(fā)射系數(shù)，電壓高于400V時的δ值可高達10倍。

氧化的銀鎂合金材料也具有二次電子發(fā)射功能，它與銻化銫相比二次電子發(fā)射能力稍差些，但它可以工作在較強電流和較高的溫度（150℃）。

第十二頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五銅-鈹合金（鈹?shù)暮繛?%）材料也具有二次電子發(fā)射功能，不過它的發(fā)射系數(shù)δ比銀鎂合金更低些。新發(fā)展起來的負電子親和勢材料GaP[Cs]，具有更高的二次電子發(fā)射功能，在電壓為1000V時，倍增系數(shù)可大于50或高達200。

（2）

倍增極結構

光電倍增管按倍增極結構可分為聚焦型與非聚焦型兩種。非聚焦型光電倍增管有百葉窗型（圖5-4（a））與盒柵式（圖5-4（b））兩種結構；聚焦型有瓦片靜電聚焦型（圖5-4（c））和圓形鼠籠式（圖5-4（d））兩種結構。

第十三頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五(a)百葉窗型結構因倍增極可以較大而被用于大陰極的光電倍增管中，其一致性較好，可以有大的脈沖輸出電流。這種結構多用于不太要求時間響應的場合。(b)這種結構包括了一系列的四分之一圓柱形的倍增極，并因其相對簡單的倍增極結構和一致性的改良而被廣泛地應用于端窗型光電倍增管，但在一些應用中，其時間響應可能略顯緩慢。(c)直線聚焦型因其極快的時間響應而被廣泛地應用于要求時間分辨和線性脈沖研究用的端窗型光電倍增管中。(d)主要特點為緊湊的結構和快速時間響應特性第十四頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五4.2光電倍增管的基本特性

4.2.1靈敏度

1、陰極靈敏度

定義光電倍增管陰極電流Ik與入射光譜輻射通量之比為陰極的光譜靈敏度，并記為

(5-2)

若入射輻射為白光，則以陰極積分靈敏度，IK與光譜輻射通量的積分之比，記為Sk

(5-3)

第十五頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五

2、陽極靈敏度

定義光電倍增管陽極輸出電流Ia與入射光譜輻射通量之比為陽極的光譜靈敏度，并記為

若入射輻射為白光，則定義為陽極積分靈敏度，記為Sa

(5-4)

(5-5)

第十六頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五4.2.2電流放大倍數(shù)（增益）電流放大倍數(shù)表征了光電倍增管的內增益特性，它不但與倍增極材料的二次電子發(fā)射系數(shù)δ有關，而且與光電倍增管的級數(shù)N有關。理想光電倍增管的增益G與電子發(fā)射系數(shù)δ的關系為

G=

δn（5-6）

當考慮到光電陰極發(fā)射出的電子被第1倍增極所收集，其收集系數(shù)為η1，且每個倍增極都存在收集系數(shù)ηi

，因此，增益G應修正為

(5-7)第十七頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五

對于非聚焦型光電倍增管的η1近似為90%，ηi要高于η1，但小于1；對于聚焦型的，尤其是在陰極與第1倍增極之間具有電子限束電極F的倍增管，其η1≈ηi≈1，可以用式（5-6）計算增益G。

倍增極的二次電子發(fā)射系數(shù)δ可用經(jīng)驗公式計算，對于銻化銫（Cs3Sb）倍增極材料有經(jīng)驗公式

（5-8）

對于氧化的銀鎂合金（AgMgO[Cs]）材料有經(jīng)驗公式

δ=0.025UDD(5-9)顯然，上述兩種倍增材料的電流增益G與極間電壓UDD的關系式由式（5-6），（5-7）和（5-8）得到：第十八頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五對于銻化銫倍增極材料

（5-10）

對銀鎂合金材料

（5-11）

光電倍增管在電源電壓確定后，電流放大倍數(shù)可以從定義出發(fā)，通過測量陽極電流Ia與陰極電流Ik確定。

（5-12）

第十九頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五4.2.3暗電流

光電倍增管在無輻射作用下的陽極輸出電流稱為暗電流，記為ID。光電倍增管的暗電流值在正常應用的情況下是很小的，一般為10-16~10-10A，是所有光電探測器件中暗電流最低的器件。

影響暗電流的主要因素：

1.歐姆漏電歐姆漏電主要指光電倍增管的電極之間玻璃漏電、管座漏電和灰塵漏電等。歐姆漏電通常比較穩(wěn)定，對噪聲的貢獻小。在低電壓工作時，歐姆漏電成為暗電流的主要部分。

第二十頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五2.熱發(fā)射由于光電陰極材料的光電發(fā)射閾值較低，容易產(chǎn)生熱電子發(fā)射，即使在室溫下也會有一定的熱電子發(fā)射，并被電子倍增系統(tǒng)倍增。

（5-13）

降低光電倍增管的溫度是減小熱發(fā)射暗電流的有效方法。

3.殘余氣體放電光電倍增管中高速運動的電子會使管中的殘余氣體電離，產(chǎn)生正離子和光子，它們也將被倍增，形成暗電流。這種效應在工作電壓高時特別嚴重，使倍增管工作不穩(wěn)定。

第二十一頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五4.場致發(fā)射光電倍增管的工作電壓高時還會引起管內電極尖端或棱角的場強太高產(chǎn)生的場致發(fā)射暗電流。顯然降低工作電壓，場致發(fā)射暗電流也將下降。

5.玻璃殼放電和玻璃熒光當光電倍增管負高壓使用時，金屬屏蔽層與玻璃殼之間的電場很強，尤其是金屬屏蔽層與處于負高壓的陰極電場最強。在強電場下玻璃殼可能產(chǎn)生放電現(xiàn)象或出現(xiàn)玻璃熒光，放電和熒光都要引起暗電流，而且還將嚴重破壞信號。因此，在陰極為負高壓應用時屏蔽殼與玻璃管壁之間的距離至少為10~20mm。

第二十二頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五4.2.4噪聲

光電倍增管的噪聲主要由散粒噪聲和負載電阻的熱噪聲組成。負載電阻的熱噪聲為

（5-14）

散粒噪聲主要由陰極暗電流Id，背景輻射電流Ib以及信號電流Is的散粒效應所引起的。陰極散粒噪聲電流為

（5-15）

散粒噪聲電流將被逐級放大，并在每一級都產(chǎn)生自身的散粒噪聲。如第1級輸出的散粒噪聲電流為

（5-16）

第二十三頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五第2級輸出的散粒噪聲電流為

第n級倍增極輸出的散粒噪聲電流為

為簡化問題，設各倍增極的發(fā)射系數(shù)都等于δ（各倍增極的電壓相等時發(fā)射系數(shù)相差很?。r，則倍增管末倍增極輸出的散粒噪聲電流為

（5-19）

第二十四頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五δ通常在3~6之間，接近于1，并且，δ越大，越接近于1。光電倍增管輸出的散粒噪聲電流簡化為

（5-20）

總噪聲電流為

（5-21）

在設計光電倍增管電路時，總是力圖使負載電阻的熱噪聲遠小于散粒噪聲

＜＜（5-21）

第二十五頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五設光電倍增管的增益G=104，陰極暗電流Idk=10-14A，在室溫300K情況下，只要陽極負載電阻Ra滿足

（5-23）

當然，提高光電倍增管的增益（增高電源電壓）G，降低陰極暗電流Idk都會減少對陽極電阻Ra的要求，提高光電倍增管的時間響應。

第二十六頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五4.2.5伏安特性

1.陰極伏安特性

當入射光電倍增管陰極面上的光通量一定時，陰極電流Ik與陰極和第一倍增極之間電壓(簡稱為陰極電壓Uk)的關系曲線稱為陰極伏安特性，

圖5-6為不同光通量下測得的陰極伏安特性。從圖中可見，當陰極電壓較小時陰極電流Ik隨Uk的增大而增加，直到Uk大于一定值(幾十伏特)后，陰極電流Ik才趨向飽和，且與入射光通量φ成線性關系。

第二十七頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五2.陽極伏安特性

當入射到光電倍增管陰極面上的光通量一定時，陽極電流Ia與陽極和末級倍增極之間電壓(簡稱為陽極電壓Ua)的關系曲線稱為陽極伏安特性，圖5-7為3組不同強度的光通量的伏安特性。

當陽極電壓增大到一定程度后，被增大的電子流已經(jīng)能夠完全被陽極所收集，陽極電流Ia與入射到陰極面上的光通量φ成線性關系而與陽極電壓的變化無關。

（5-24）

第二十八頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五4.2.6線性

光電倍增管的線性一般由它的陽極伏安特性表示，它是光電測量系統(tǒng)中的一個重要指標。線性不僅與光電倍增管的內部結構有關，還與供電電路及信號輸出電路等因素有關。

(1)內因，即空間電荷、光電陰極的電阻率、聚焦或收集效率等的變化，(2)外因，光電倍增管輸出信號電流在負載電阻上的壓降對末級倍增極電壓產(chǎn)生負反饋和電壓的再分配都可能破壞輸出信號的線性。

第二十九頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五4.2.7疲勞與衰老

光電陰極材料和倍增極材料中一般都含有銫金屬。當電子束較強時，電子束的碰撞會使倍增極和陰極板溫度升高，銫金屬蒸發(fā)，影響陰極和倍增極的電子發(fā)射能力，使靈敏度下降。甚至使光電倍增管的靈敏度完全喪失。因此，必須限制入射的光通量使光電倍增管的輸出電流不得超過極限值IaM。為防止意外情況發(fā)生，應對光電倍增管進行過電流保護，陽極電流一旦超過設定值便自動關斷供電電源。

第三十頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五4.3光電倍增管的供電電路

4.3.1電阻鏈分壓型供電電路

光電倍增管具有極高的靈敏度和快速響應等特點，使它在光譜探測和極微弱快速光信息的探測等方面成為首選的光電探測器。

光電倍增管的供電電路種類很多，可以根據(jù)應用的情況設計出各具特色的供電電路。本節(jié)介紹最常用的電阻分壓式供電電路。

第三十一頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五如圖5-8所示為典型光電倍增管的電阻分壓式供電電路。電路由11個電阻構成電阻鏈分壓器，分別向10級倍增極提供電壓UDD。1、電阻鏈的設計

第三十二頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五考慮到光電倍增管各倍增極的電子倍增效應，各級的電子流按放大倍率分布，其中，陽極電流Ia最大。因此，電阻鏈分壓器中流過每級電阻的電流并不相等，但是，當流過分壓電阻的電流IR遠遠大于Ia時，即IR＞＞

Ia時，流過各分壓電阻Ri的電流近似相等。工程上常設計IR大于等于10倍的Ia電流。

IR≥10Ia

（5-25）

選擇的太大將使分壓電阻功率損耗加大，倍增管溫度升高導致性能的降低，以至于溫升太高而無法工作。

選定電流后，可以計算出電阻鏈分壓器的總阻值R

第三十三頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五R=Ubb/IR（5-26）

各分壓電阻Ri為(5-28)

而R1應為R1=1.5Ri2、電源電壓極間供電電壓UDD直接影響著二次電子發(fā)射系數(shù)δ，或管子的增益G。因此，根據(jù)增益G的要求可以設計出極間供電電壓UDD與電源電壓Ubb。

由可以計算出UDD與Ubb。第三十四頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五3.末極的并聯(lián)電容

當入射輻射信號為高速的迅變信號或脈沖時，末3級倍增極電流變化會引起較大UDD的變化，引起光電倍增管增益的起伏，將破壞信息的變換。在末3極并聯(lián)3個電容C1、C2與C3，通過電容的充放電過程使末3級電壓穩(wěn)定。

電容C1、C2與C3的計算公式為

式中N為倍增極數(shù)，Iam為陽極峰值電流，τ為脈沖的持續(xù)時間，UDD為極間電壓，L為增益穩(wěn)定度的百分數(shù)。

第三十五頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五4.3.2電源電壓的穩(wěn)定度

對式（5-8）與式（5-9）進行微分，并用增量形式表示，可得到光電倍增管的電流增益穩(wěn)定度與極間電壓穩(wěn)定度的關系,對銻化銫倍增極

對銀鎂合金倍增極

由于光電倍增管的輸出信號Uo=GSkφvRL，因此，輸出信號的穩(wěn)定度與增益的穩(wěn)定度有關

第三十六頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五

在實際應用中常常對電源電壓穩(wěn)定度的要求簡單地認為高于輸出電壓穩(wěn)定度一個數(shù)量級。例如，當要求輸出電壓穩(wěn)定度為1%時，則要求電源電壓穩(wěn)定度應高于0.1%。

例5-1設入射到PMT上的最大光通量為φv=12×10-6lm左右，當采用GDB-235型倍增管為光電探測器，已知它的倍增級數(shù)為8級，陰極為SbCs材料，倍增極也為SbCs材料，陽極電阻Ra=82kΩ，SK=40μA/lm，若要求入射光通量在0.6×10-6lm時的輸出電壓幅度不低于0.2V，試設計該PMT的變換電路。若供電電壓的穩(wěn)定度只能做到0.01%，試問該PMT變換電路輸出信號的穩(wěn)定度最高能達到多少？解

(1)首先計算供電電源的電壓第三十七頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五Iamin=UO/Ra=0.2V/82kΩ=2.439μA入射光通量為0.6×10-6lm時的陰極電流為

IK=SKφv=40×10-6×0.6×10-6=24×10-6μA此時，PMT的增益G應為

由于N=8，因此，每一級的增益δ=4.227，另外，SbCs倍增極材料的增益δ與極間電壓UDD有，，可以計算出δ=4.227時的極間電壓UDD

總電源電壓Ubb為

Ubb=（N+1.5）UDD=741V

第三十八頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五

(2)計算偏置電路電阻鏈的阻值偏置電路采用如圖5-8所示的供電電路，設流過電阻鏈的電流為IRi，流過陽極電阻Ra的最大電流為Iam=GSKφvm=1.02×105×40×10-6×12×10-6=48.96μA取IRi≥10Iam，則

IRi=500μA因此，電阻鏈的阻值Ri=UDD/IRi=156kΩ取Ri=120kΩ，R1=1.5Ri=180kΩ。(3)計算偏置根據(jù)式（4-35）輸出信號電壓的穩(wěn)定度最高為

第三十九頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五例5-2如果GDB-235的陽極最大輸出電流為2mA，試問陰極面上的入射光通量不能超過多少lm？解由于Iam=GSKφVm

故陰極面上的入射光通量不能超過

第四十頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五4.4

光電倍增管的典型應用

5.5.1光譜探測領域的應用

光電倍增管不但具有極高的光電靈敏度、極快的響應速度、極低的暗電流低和噪聲，還能夠在很大范圍內調整內增益。因此，它在微光探測、快速光子計數(shù)和微光時域分析等領域得到廣泛的應用。

1、發(fā)射光譜

發(fā)射光譜分析儀的基本原理如圖5-9所示

第四十一頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五2．吸收光譜

吸收光譜儀是光譜分析中的另一種重要的儀器。吸收光譜儀的原理圖如圖5-10所示，它與發(fā)射光譜儀的主要差別是光源。

發(fā)射光譜儀的光源為被測光源，而吸收光譜儀的光源為已知光譜分布的光源。吸收光譜儀與發(fā)射光譜儀相比，它比發(fā)射光譜儀多一個承載被測物的樣品池。

第四十二頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五4.4.2時間分辨熒光免疫分析中的應用

1983年，由Pettersson和Eskola等提出了用時間分辨熒光免疫分析（time-resolvedfluoroimmunoassay，TRFIA）法測定人絨毛膜促性腺激素和胰磷脂酶在臨床醫(yī)學研究中的應用，在10多年中，獲得迅速發(fā)展。成為最有發(fā)展前途的一種全新的非同位素免疫分析技術。

1.時間分辨熒光免疫分析法TRFIA的原理

時間分辨熒光免疫分析法是用鑭系元素為標記物，標記抗原或抗體，用時間分辨技術測量熒光，同時利用波長和時間兩種分辨，極其有效地排除了非特異熒光的干擾，大大地提高了分析靈敏度。

第四十三頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五圖5-11所示為鑭系元素螯合物與典型配位體β-NTA的吸收光譜與發(fā)光光譜圖。圖中曲線1為鑭系元素螯合物與配位體β-NTA的吸收光譜。由曲線1可以看出螯合物與配位體β-NTA對320~360nm的紫外光具有很高的吸收，因此，常用含有320~360nm光的脈沖氙燈或氮激光器為激發(fā)光源使裝載配位體的螯合物激發(fā)熒光。Eu3+β-NTA螯合物在激發(fā)光源的作用下將發(fā)出如圖中曲線2與3所示的熒光光譜。曲線3光譜載荷著配位體β-NTA的信息。

圖5-11為雙坐標曲線圖，其中re,r為螯合物的相對吸收系數(shù)，Iv為螯合物激發(fā)出的熒光光強。

第四十四頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五圖5-12所示為載荷配位體β-NTA的螯合物熒光時間特性。圖中，激發(fā)光剛剛結束的時刻為初始時刻t=0，在最初的很短時間內，短壽命熒光很快結束，長壽命熒光在400ns時間內也會消失或降低到很低的程度，而有用的熒光出現(xiàn)在400ns~800ns時間段內（圖中斜線所標注的時間段）。

在800ns~1000ns時間內有用的熒光將衰減到零。1000ns后開始新的循環(huán)。

第四十五頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五2.TRFIA的測量原理

第四十六頁，共五十一頁，編輯于2023年，星期五4.1.1光電發(fā)射陰極的主要參數(shù)

光電發(fā)射陰極的主要特性參數(shù)為靈敏度、量子效率、光譜響應和暗電流等。