硬件基礎知識

硬件基礎知識2009.5CPU篇內(nèi)存篇顯卡篇硬盤篇1234Contents45液晶屏篇Lenovo2008CPU（CentralProcessingUnit）簡稱做微處理器。CPU主要由運算器、控制器、寄存器組和內(nèi)部總線等構(gòu)成。

Firstpart：CPU簡介Firstpart：CPU的主要性能指標主頻：CPU最重要的指標。主頻=外頻×倍頻數(shù)外頻：可以理解為CPU的外頻直接與內(nèi)存相連通。前端總線：CPU與北橋芯片的數(shù)據(jù)通道，影響CPU訪問內(nèi)存速度。CPU是一個強大的團隊，遵守木桶原理，不一定主頻越高，CPU越強大。Firstpart：CPU的主要性能指標高速緩存：L1Cache靜態(tài)緩存存儲器，L2Cache動態(tài)緩存存儲器。制作工藝：65nm、45nm45nmCPU相比65nm的優(yōu)勢工作電壓：5V—2.5V發(fā)熱、耗電優(yōu)勢：1、AMD的CPU在圖形處理和渲染方面比較強

2、價格與Intel相比較低劣勢：發(fā)熱量較大，在臺式機上散熱能夠得以解決，但在筆記本上不易解決Firstpart：CPU的品牌優(yōu)勢：1、Intel的CPU在同時處理多任務時性能較強

2、更加省電節(jié)能，發(fā)熱量較小，所以對筆記本電腦帶來的優(yōu)勢更加明顯劣勢：價格與AMD相比較高Secondpart：內(nèi)存簡介內(nèi)存是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器（內(nèi)存）和輔助存儲器。ROM在制造ROM的時候，信息（數(shù)據(jù)或程序）就被存入并永久保存。這些信息只能讀出，一般不能寫入，即使機器掉電，這些數(shù)據(jù)也不會丟失。（如BIOS）RAM表示既可以從中讀取數(shù)據(jù)，也可以寫入數(shù)據(jù)。當機器電源關閉時，存于其中的數(shù)據(jù)就會丟失。如內(nèi)存條。CACHE它位于CPU與內(nèi)存之間，是一個讀寫速度比內(nèi)存更快的存儲器。如：L2Secondpart：內(nèi)存的主要性能指標內(nèi)存工作電壓讀取速度讀取周期DDR21.8V667M4bitDDR31.5V1066M8bit優(yōu)勢省電20%速度提升30%DDR3內(nèi)存的優(yōu)勢：容量：內(nèi)存一個很重要的指標，代表內(nèi)存的大小。

目前市面上的內(nèi)存是1G～4G

內(nèi)存的型號：分為SDDDR、DDR、DDR2、DDR3SDDDRDDRCPU與內(nèi)存數(shù)據(jù)交換原理南橋ICH9MMEMontevinaDDR2DISPLAYRobsonPCIe*GraphicsGFXDisplayI/OClocksClocks北橋DMIFSB1066最新一代MV移動計算平臺FSB已達1066Mhz，CPU性能很高，DDR2成為系統(tǒng)性能提升的瓶頸，DDR3打破數(shù)據(jù)傳輸瓶頸，成為匹配新一代MV平臺的最佳選擇。前端總線FSB=1066Mhz667內(nèi)存總線CPU北橋內(nèi)存前端總線內(nèi)存總線瓶頸DDR2CPUDDR31066更高帶寬和數(shù)據(jù)傳輸率數(shù)據(jù)傳輸率和帶寬提升60%IMC1066667DDR3DDR2CPUDDR24倍速VS.DDR38倍速效果圖CPU-

DDR2采用4位預取，一次操作可以輸出4bit，輸出的數(shù)據(jù)以限速667通過北橋和CPU進行交換；-

DDR3采用8位預取，一次操作可以輸出8bit，，輸出的數(shù)據(jù)以限速1066通過北橋和CPU進行交換，更加高效。Thirdpart：顯卡篇顯存/位寬（類似內(nèi)存）儲存顯示芯片要處理的數(shù)據(jù)和處理完畢的數(shù)據(jù)。圖形核心的性能愈強，需要的顯存也就越多。；位寬越大相當于通道越寬，單位時間內(nèi)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)就越多。顯卡bios（類似于主板的bios）

顯卡BIOS主要用于存放顯示芯片與驅(qū)動程序之間的控制程序，另外還存有顯示卡的型號、規(guī)格、生產(chǎn)廠家及出廠時間等信息。

顯卡PCB板（類似于主板）

就是顯卡的電路板，它把顯卡上的其它部件連接起來。功能類似主板。Thirdpart：顯卡篇芯片：就是顯卡所采用的芯片型號。比如NV的8400、7300等，8400的芯片就比7300的要高，處理速度更快。型號中還包含如GT、LE、TX、PRO等參數(shù)，就是豪華版與普通版的區(qū)別。如GF7300LE就不如GF7300PRO。主要是渲染管道數(shù)的不同。接口：顯卡接口目前市面上分為AGP和PCI-E兩種。兩者最大的區(qū)別是傳輸速度的不同。AGP：最高只有8倍數(shù)，符號表示為8XPCI-E：有16倍數(shù)，符號表示為16XAGPPCI-EGPU:

圖形處理器，由NVIDIA首先提出的概念。GPU使顯卡減少了對CPU的依賴，尤其是在3D圖形處理時，并進行部分原本CPU的工作。Thirdpart：配置——顯卡9800GT512M9600GT256MGPUG98MG96M制作工藝55NM65NM流處理器32個32個核心頻率500Mhz500Mhz顯存類型DDR3DDR2顯存位寬256bit128bitFourthpart：硬盤篇——邏輯結(jié)構(gòu)磁頭磁頭是硬盤中最昂貴的部件，也是硬盤技術中最重要和最關鍵的一環(huán)。

磁道當磁盤旋轉(zhuǎn)時，磁頭若保持在一個位置上，則每個磁頭都會在磁盤表面劃出一個圓形軌跡，這些圓形軌跡就叫做磁道。信息就是按照磁道存放的。扇區(qū)磁盤上的每個磁道被等分為若干個弧段，這些弧段便是磁盤的扇區(qū)，每個扇區(qū)可以存放512個字節(jié)的信息Fourthpart

：硬盤篇——參數(shù)容量容量是硬盤最主要的參數(shù)。硬盤廠商在標稱硬盤容量時通常取1G=1000MB，格式化后容量還會減小。轉(zhuǎn)速

如今的硬盤都是7200rpm的轉(zhuǎn)速

傳輸速率

SATA——300MB/sPATA——130MB/s

聯(lián)想APS硬盤防護技術

Fifthpart：屏幕篇背光技術發(fā)光元素成分亮度對比度光源壽命相應時間LCDCCFL（冷陰極燈管）汞200流明300：13色5萬小時（13年）30毫秒LEDLED（發(fā)光二極管）砷、鎵300流明450：16色10萬小時（26年）20毫秒LED相對于CCFL擁有以下七大優(yōu)勢：

1、體積小

LED非常小而輕。能夠讓筆記本的屏幕更薄，整體重量更輕。

2、耗電量低LED耗電非常低，它消耗的電不超過0.1W。

3、使用壽命長

LED的使用壽命最長可達10萬小時，折合4166天。

4、高亮度、低輻射

熱輻射更少，電磁干擾更低。

5、無汞環(huán)保

6、堅固耐用LED比其他光源物都堅固。

7、色彩絢爛可控性強，色彩變幻更加絢爛。Fifthpart：屏幕的壞點、亮點、暗點產(chǎn)生的原因：液晶屏主要由濾光片、偏光板、玻璃、二極管組合而成，“點缺陷”就是液晶顯示板上不可修復的像素，除人為損壞之外，多是在生產(chǎn)過程中壓迫、擠壓、高溫造成的。壞點：在白屏情況下為純黑色的點或者在黑屏下為純白色的點。亮點：在黑屏的情況下呈現(xiàn)的R、G、B（紅、綠、藍）點叫做亮點。暗點：在白屏的情況下出現(xiàn)非單純R、G、B的色點叫做暗點。

ThankYou英特爾處理器技術發(fā)展節(jié)奏新的硅芯片制造工藝PRESLER·YONAH·DEMPSEY新的微架構(gòu)

MEROM·CONROE·WOODCREST2年2年新的硅芯片制造工藝

PENRYN新的微架構(gòu)

NEHALEM進入多核時代每兩年更新一代微架構(gòu)每兩年更新一代硅芯片生產(chǎn)工藝微架構(gòu)和硅芯片工藝更新交替進行2005200620072008200920102年新的硅芯片制造工藝

WESTMERE新的微架構(gòu)

SANDYBRIDGE32nm45nm65nm2045nmCPU-提高性能，降低功耗

英特爾

45nmCPU取代65nmCPU進入主流配置

前端總線：

-最低667MHz

VS.以前533MHz

-最高1066MHzVS.以前800MHz二級緩存

：

-最低1MBVS.以前512k

-高至3MB/6MB主頻：主流在2.0GHz以上（奔騰雙核)英特爾?深度節(jié)能技術業(yè)界領先的低功率泄漏45納米制程，采用Hi-k金屬柵極技術使性能提高10%，但功耗卻下降約30%。處理器性能提升–整體性能向上提升一個檔次最新高能效的移動處理器：低功耗、高性能加快高清晰度內(nèi)容創(chuàng)建和多任務處理的速度智能的電源使用方式帶來更耐久的電池使用時間

更“冷、靜”的TDP功耗(低至25W)打個簡單的比方來說明45nmCPU基于鉿的晶體管技術的好處

---在開水里煮東西問題：

當煮食物時，能量通過蒸汽流失了。煮食物要花費更長的時間浪費能量浪費的能量解決：

蓋個蓋子食物煮的更快能量消耗下降OHHOHHOHH