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文檔簡介

射線部分

一、是非題

1.1原子序數(shù)Z等于原子核中的質(zhì)子數(shù)量。

1.2為了使原子呈中性,原子核中的質(zhì)子數(shù)必須等于核外的電子數(shù)。

1.3當(dāng)原子核內(nèi)的中子數(shù)改變時(shí),它就會(huì)變?yōu)榱硪环N元素。

1.4當(dāng)一個(gè)原子增長一個(gè)質(zhì)子時(shí),仍可保持元素的種類不變。

1.5原子序數(shù)相同而原子量不同的元素,我們稱它為同位素。

1.6不穩(wěn)定同位素在衰變過程中,始終要輻射丫射線.

1.7不同種類的同位素,放射性活度大的總是比放射性活度小的具有更高的輻射劑

量。

1.8放射性同位素的半衰期是指放射性元素的能量變?yōu)楸緛硪话胨枰臅r(shí)間。

1.9各種丫射線源產(chǎn)生的射線均是單能輻射。

1.10a射線和p射線雖然有很強(qiáng)的穿透能力,但由于對(duì)人體輻射傷害太大,所以不

用于工業(yè)探傷。

1.11將元素放在核反映堆中受過量中子轟擊,從而變成人造放射性同位素,這一過

程稱為“激活”。

1.12與其他放射性同位素不同,Csl37是原子裂變的產(chǎn)物,在常溫下呈液態(tài),使用

前須防止泄漏污染。

1.14射線能量越高,傳播速度越快,例如丫射線比X射線傳播快。

1.15x射線或丫射線強(qiáng)度越高,其能量就越大。

1.16x射線或丫射線是以光速傳播的微小的物質(zhì)粒子。

1.17當(dāng)x射線通過2個(gè)半價(jià)層后,其能量僅僅剩下最初的1/4。

1.19標(biāo)記x射線具有高能量,那是由于高速電子同靶原子核相碰撞的結(jié)果。

1.20連續(xù)x射線是高速電子同靶原子的軌道電子相碰撞的結(jié)果。

1.21X射線的波長與管電壓有關(guān)。

1.22X射線機(jī)產(chǎn)生X射線的效率比較高,大約有95%的電能轉(zhuǎn)化為X射線的能量。

1.24同能量的丫射線和X射線具有完全相同的性質(zhì)。

1.25X射線的強(qiáng)度不僅取決于X射線機(jī)的管電流并且還取決于X射線機(jī)的管電壓。

1.26與C。60相對(duì),Csl37發(fā)出的丫射線能量較低,半衰期較短。

1.27光電效應(yīng)中光子被完全吸取,而康普頓效應(yīng)中光子未被完全吸取。

1.28一能量為300KeV的光子與原子互相作用,使一軌道電子脫離50KeV結(jié)合能

的軌道,且具有50KeV動(dòng)能飛出,則新光子的能量是200KeV。

1.29光電效應(yīng)的發(fā)生幾率隨原子序數(shù)的增大而增長。

1.30光電子又稱為反沖電子.

1.31隨著入射光子能量的增大,光電吸取系數(shù)迅速減少,康普頓衰減系數(shù)逐漸增大。

1.32當(dāng)射線能量在1.02MeV至lOMeV區(qū)間,與物質(zhì)互相作用的重要形式是電子對(duì)

效應(yīng)。

1.33連續(xù)X射線穿透物質(zhì)后,強(qiáng)度減弱,線質(zhì)不變。

1.34射線通過材料后,其強(qiáng)度的9/10被吸取,該厚度即稱作1/10價(jià)層。

1.35當(dāng)射線穿過三個(gè)半價(jià)層后,其強(qiáng)度僅剩下最初的1/8。

1.37C。60和W192射線源是穩(wěn)定的同位素在核反映堆中俘獲中子而得到的,當(dāng)射

線源通過幾個(gè)半衰期后,將其放在核反映堆中激活,可反復(fù)使用。

1.38X射線和丫射線都是電磁輻射,而中子射線不是電磁輻射。

1.39放射性同位素的當(dāng)量能總是高于其平均能。

1.40X射線與可見光本質(zhì)上的區(qū)別僅僅是振動(dòng)頻率不同。

1.41高速電子與靶原子的軌道電子相撞發(fā)出X射線,這一過程稱作韌致輻射。

1.42連續(xù)X射線的能量與管電壓有關(guān),與管電流無關(guān)。

1.43連續(xù)X射線的強(qiáng)度與管電流有關(guān),與管電壓無關(guān)。

1.44標(biāo)記X射線的能量與管電壓、管電流均無關(guān),僅取決于靶材料。

1.45X射線與丫射線的基本區(qū)別是后者具有高能量,可以穿透較厚物質(zhì)。

1.46采用一定措施可以使射線照射范圍限制在一個(gè)社區(qū)域,這樣的射線稱為窄束射

線。

1.48原子核的穩(wěn)定性與核內(nèi)中子數(shù)有關(guān),核內(nèi)中子數(shù)越小,核就越穩(wěn)定。

1.50放射性同位素衰變常數(shù)越小,意味著該同位素半衰期越長。

1.51在管電壓、管電流不變的前提下,將X射線管的靶材料由鋁改為鋁,所發(fā)生

的射線強(qiáng)度會(huì)增大。

1.52在工業(yè)射線探傷中,使膠片感光的重要是連續(xù)譜x射線,標(biāo)記譜x射線不起什

么作用。

1.53Irl92射線與物質(zhì)互相作用,肯定不會(huì)發(fā)生電子對(duì)效應(yīng)。

1.54高能X射線與物質(zhì)互相作用的重要形式之一是瑞利散射。

1.55連續(xù)X射線穿透物質(zhì)后,強(qiáng)度減弱,平均波長變短。

2.1X光管的有效焦點(diǎn)總是小于實(shí)際焦點(diǎn)。

2.2x射線機(jī)中的焦點(diǎn)尺寸,應(yīng)盡也許大,這樣發(fā)射的X射線能量大,同時(shí)也可防

止靶過份受熱。

2.3x射線管中電子的速度越小,則所發(fā)生的射線能量也就越小。

2.4由于X射線機(jī)的電壓峰值(KVP)容易使人誤解,所以X射線機(jī)所發(fā)出的射線能

量用電壓平均值毒示。

2.6移動(dòng)式X射線機(jī)只能室內(nèi)小范圍移動(dòng),不能到野外作業(yè)。

2.7移動(dòng)式X射線機(jī)有油冷和氣冷兩種絕緣介質(zhì)冷卻方式。

2.8相同千伏值的金屬陶瓷管和玻璃管,前者體積和尺寸小于后者。

2.9“變頻”是減小x射線機(jī)重量的有效措施之一。

2.10放射性同位素的比活度越太,其輻射強(qiáng)度也就越大。

2.11適宜探測厚度100mm以上鋼試件y源的是Co60,透宜探測厚度20mm以下

鋼試件的Y源是皿92。

2.12黑度定義為阻光率的常用對(duì)數(shù)值。

2.13底片黑度D=l,即意味著透射光強(qiáng)為入射光強(qiáng)的十分之一。

2.15能量較低的射線較更容易被膠片吸取,引起感光,因此,射線透照時(shí)防止散射

線十分重要。

2.16用來說明管電壓、管電流和穿透厚度關(guān)系的曲線稱為膠片特性曲線。

2.17膠片達(dá)成一定黑度所需的照射量(即倫琴數(shù))與射線質(zhì)無關(guān)。

2.18同一膠片對(duì)不同能量的射線具有不同的感光度。

2.19比活度越小,即意味著該放射性同位素源的尺寸可以做得更小。

2.20膠片灰霧度涉及片基固有密度和化學(xué)灰霧密度兩部分。

2.22在常用的100KV-400KVX射線能量范圍內(nèi)鉛箔增感屏的增感系數(shù)隨其厚度的

增大而減小。

2.23對(duì)X射線,增感系數(shù)隨射線能量的增高而增大。但對(duì)丫射線來說則不是這樣,

例如,鉆60的增感系數(shù)比鉞192低。

2.24對(duì)X射線機(jī)進(jìn)行“訓(xùn)練”的目的是為了排出絕緣油中的氣泡。

2.25x和丫射線的本質(zhì)是相同的,但丫射線來自同位素,而x射線來自于一個(gè)以高

壓加速電子的裝置。

2.26在任何情況下,同位素都優(yōu)于X射線設(shè)備,這是由于使用它能得到更高的對(duì)

比度和清楚度。

2.27對(duì)于某一同位素放射源,其活度越大,則所發(fā)出的射線強(qiáng)度也越大。

2.29相同標(biāo)稱千伏值和毫安值的x射線機(jī)所產(chǎn)生的射線強(qiáng)度和能量必然相同。

2.30所謂“管電流”就是流過X射線管燈絲的電流。

2.31放射源的比活度越大,其半衰期就越短。

2.32膠片對(duì)比度與射線能量有關(guān),射線能量越高,膠片對(duì)比度越小。

2.33膠片特性曲線的斜率用來度量膠片的對(duì)比度。

2.34從實(shí)際應(yīng)用的角度來說,射線的能量對(duì)膠片特性曲線形狀基本上不產(chǎn)生影響。

2.35寬容度大的膠片其對(duì)比度必然低。

2.36顯影時(shí)間延長,將會(huì)使特性曲線變陡,且在座標(biāo)上的位置向左移。

2.37膠片特性曲線在座標(biāo)上的位置向左移,意味著膠片感光速度減小。

2.38與一般膠片不同,X射線膠片雙面涂布感光乳劑層,其目的是為了增長感光速

度和黑度。

2.39“潛象”是指在沒有強(qiáng)光燈的條件下不能看到的影像。

2.40鉛增感屏除有增感作用外,尚有減少散射線的作用,因此在射線能穿透的前提

下,應(yīng)盡量選用較厚的鉛屏。()

2.41透照不銹鋼焊縫,可以使用碳素鋼絲象質(zhì)計(jì)。

2.42透照鈦焊縫,必須使用鈦金屬絲象質(zhì)計(jì)。

2.43鉛箔增感屏的增感系數(shù)高于熒光增感屏,所以使用廣泛。

2.44膠片鹵化銀粒度就是顯影后底片的顆粒度。

2.45梯噪比高的膠片成像質(zhì)量好。

2.46膠片系統(tǒng)分類的重要依據(jù)是膠片感光速度和梯噪比。

3.1影象顆粒度完全取決于膠片乳劑層中鹵化銀微粒尺寸的大小。

3.3使用較低能量的射線可得到較高的主因?qū)Ρ榷取?/p>

3.4射線照相時(shí),若千伏值提高,將會(huì)使膠片對(duì)比度減少。

3.5一般來說,對(duì)厚度差較大的工件,應(yīng)使用較高能量射線透照,其目的是減少對(duì)

比度,增大寬容度。

3.6增大曝光量可提高主因?qū)Ρ榷取?/p>

3.7當(dāng)射線的有效量增長到大約250KV以上時(shí),就會(huì)對(duì)底片顆粒度產(chǎn)生明顯影響。

3.9射線照相主因?qū)Ρ榷扰c入射線的能譜有關(guān),與強(qiáng)度無關(guān)。

3.10用增大射源到膠片距離的辦法可減少射線照相固有不清楚度。

3.11減小幾何不清楚度的途徑之一,就是使膠片盡也許地靠近工件。

3.13膠片的顆粒越粗,則引起的幾何不清楚度就越大。

3.14使用y射線源可以消除幾何不清楚度。

3.15增長源到膠片的距離可以減小幾何清楚度,但同時(shí)會(huì)引起固有不清楚度增大。

3.16膠片成象的顆粒性會(huì)隨著射線能量的提高而變差。

3.17對(duì)比度、清楚度、顆粒度是決定射線照相靈敏度的三個(gè)重要因素。

3.18膠片對(duì)比度和主因?qū)Ρ榷染c工件厚度變化引起的黑度有關(guān)。

3.19使用較低能量的射線可提高主因?qū)Ρ榷龋瑫r(shí)會(huì)減少膠片對(duì)比度。

3.20膠片的粒度越大,固有不清楚度也就越大。

3.21顯影局限性或過度,會(huì)影響底片對(duì)比度,但不會(huì)影響顆粒度。

3.22事實(shí)上由射線能量引起的不清楚度和顆粒度是同一效應(yīng)的不同名稱。

3.23當(dāng)缺陷尺寸遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于幾何不清楚度尺寸時(shí),影象對(duì)比度會(huì)受照相幾何條件的影

響。

3.24可以采用增大焦距的辦法使尺寸較大的源的照相幾何不清楚度與尺寸較小的

源完全同樣。

3.25假如信噪比不夠,即使增大膠片襯度,也不也許辨認(rèn)更小的細(xì)節(jié)影像。

3.26散射線只影響主因?qū)Ρ榷?,不影響膠片對(duì)比度。

3.27底片黑度只影響膠片對(duì)比度,與主因?qū)Ρ榷葻o關(guān)。

3.28射線的能量同時(shí)影響照相的對(duì)比度、清楚度和顆粒度。

3.29透照有余高的焊縫時(shí),所選擇的“最佳黑度”就是指能保證焊縫部位和母材部位

得到相同角質(zhì)計(jì)靈敏度顯示的黑度值。

3.31底片黑度只影響對(duì)比度,不影響清楚度。

3.33固有不清楚度是由于使澳化銀感光的電子在乳劑層中有一定穿越行程而導(dǎo)致

的。

3.34底片可以記錄的影象細(xì)節(jié)的最小尺寸取決于顆粒度。

3.35對(duì)有余高的焊縫照相,應(yīng)盡量選擇較低能量的射線,以保證焊縫區(qū)域有較高的

對(duì)比度。

3.37由于底片上影象信噪比隨曝光量的增長而增大,所以增長曝光量有助于缺陷影

象辨認(rèn)。

3.38射線照相的信噪比與膠片梯噪比具有不同含義。

4.2丫射線照相的優(yōu)點(diǎn)是射源尺寸小,且對(duì)大厚度工件照相曝光時(shí)間短。

4.3選擇較小的射源尺寸df,或者增大焦距值F,都可以使照相Ug值減小。

4.4欲提高球罐內(nèi)壁表面的小裂紋檢出率。采用源在外的透照方式比源在內(nèi)的透照

方式好。

4.5環(huán)焊縫的各種透照方式中,以源在內(nèi)中心透照周向曝光法為最佳方式。

4.6無論采用哪一種透照方式,一次透照長度都隨著焦距的增大而增大。

4.7所謂“最佳焦距”是指照相幾何不清楚度Ug與固有不清楚度Ui相等時(shí)的焦距值。

4.8己知銅的等效系數(shù)中銅=1.5.則透照同樣厚度的鋼和銅時(shí),后者的管電壓應(yīng)為

前者的1.5倍。

4.9對(duì)有余高的焊縫進(jìn)行透照,熱影響區(qū)部位的散射比要比焊縫中心部位大得多。

4.10源在內(nèi)透照時(shí),搭接標(biāo)記必須放在射源側(cè)。

4.11背散射線的存在,會(huì)影響底片的對(duì)比度。通??稍诠ぜ湍z片之間放置一個(gè)鉛

字B來驗(yàn)證背散射線是否存在。

4.12不管采用何種透照布置,為防止漏檢,搭接標(biāo)記均應(yīng)放在射源側(cè)。

4.13由于“互易定律失效”,采用熒光增感時(shí),根據(jù)曝光因子公式選擇透照參數(shù)也許

會(huì)產(chǎn)生較大誤差。

4.14當(dāng)被透工件厚度差較大時(shí),就會(huì)有“邊蝕散射”發(fā)生。

4.15在源和工件之間放置濾板來減小散射線的措施對(duì)丫射線并不合用。

4.16使用“濾板”可增大照相寬容度,但濾板最佳是放在工件和膠片之間。

4.17在源和工件之間放置濾板減小散射線的措施對(duì)于平板工件照相并不合用。

4.18在實(shí)際工作中正常使用的焦距范圍內(nèi),可以認(rèn)為焦距對(duì)散射比沒有影響。

4.19采用平靶周向X射線機(jī)對(duì)環(huán)縫作內(nèi)透中心法周向曝光時(shí),有助于檢出橫向裂

紋,但不利于檢出縱向裂紋。

4.20采用源在外單壁透照方式,如K值不變,則焦距越大,一次透照長度L3就越

大。

4.21采用雙壁單影法透照時(shí),如保持K值不變,則焦距越大,一次透照長度L3就

越小。

4.22用單壁法透照環(huán)焊縫時(shí),所用搭接標(biāo)記均應(yīng)放在射源側(cè)工件表面,以免端部缺

陷漏檢。

4.23對(duì)某一曝光曲線,應(yīng)使用同一類型的膠片,但可更換不同的X射線機(jī)。

4.24使用丫射線曝光曲線時(shí),一方面應(yīng)知道射線源在給定期間的活度。

4.25假如己知等效系數(shù),用x射線曝光曲線來代替y射線曝光曲線,也能求出曝光

參數(shù)。

4.26小徑管射線照相采用垂直透照法比傾斜透照法更有助于檢出根部未熔合。

4.27增大透照厚度寬容度最常用的辦法是適當(dāng)提高射線能量。

4.28對(duì)尺寸很小的缺陷,其影象的對(duì)比度不僅與射線能量有關(guān),并且與焦距有關(guān)。

4.29材料的種類影響散射比,例如給定能量的射線在鋼中的散射比要比在鋁中大得

多。

4.30在常規(guī)射線照相檢查中,散射線是無法避免的。

4.31環(huán)縫雙壁單影照相,搭接標(biāo)記應(yīng)放膠片側(cè),底片的有效評(píng)估長度是底片上兩搭

接標(biāo)記之間的長度。

4.32縱焊縫雙壁單影照相,搭接標(biāo)記應(yīng)放膠片側(cè),底片的有效評(píng)估長度就是兩搭接

標(biāo)記之間的長。

4.33小徑管雙壁透照的要點(diǎn)是選用較高管電壓,較低曝光量,其目的是減小底片反

差,擴(kuò)大檢出區(qū)域。

4.34射線照相實(shí)際透照時(shí)很少采用標(biāo)準(zhǔn)允許的最小焦距值。

5.1顯影時(shí)膠片上的AgBr被還原成金屬銀,從而使膠片變黑。

5.2對(duì)曝光局限性的底片,可采用增長顯影時(shí)間或提高顯影溫度的方法來增長底片

黑度,從而獲得符合規(guī)定的底片。

5.3膠片在顯影液中顯影時(shí),假如不進(jìn)行任何攪動(dòng),則膠片上每一部位都會(huì)影響緊

靠在它們下方部位的顯影。

5.4定影液有兩個(gè)作用,溶解未曝光的AgBr和堅(jiān)膜作用。

5.5所謂“通透時(shí)間”就是指膠片從放入定影液到乳劑層變?yōu)橥该鞯倪@段時(shí)間。

5.6不減少底片上水跡的方法是溫膠片快速干燥。

5.7膠片表面起網(wǎng)狀皺紋也許是膠片解決溫度變化急劇而引起的。

5.8沖洗膠片時(shí),只要使用安全燈,膠片上就不會(huì)出現(xiàn)灰霧。

5.9顯影液中假如過量增長碳酸鈉,在底片上會(huì)產(chǎn)生反差減少的不良后果。

5.10使用被劃傷的鉛箔增感屏照相,底片上會(huì)出現(xiàn)與劃傷相應(yīng)的清楚的黑線。

5.11膠片上靜電花紋的產(chǎn)生是由于射線管兩端的電壓過高的因素。

5.12射線底片上產(chǎn)生亮的月牙痕跡的因素也許是曝光前使膠片彎曲。

5.13射線底片上產(chǎn)生亮的月牙痕跡的因素也許是曝光后使膠片彎曲。

5.14假如顯影時(shí)間過長。有些未曝光的AgBr也會(huì)被還原,從而增大了底片灰霧。

5.15顯影液中氫離子濃度增大,則顯影速度減慢,故借助于顯影液保持一定PH值。

5.16定影液中的氫離子濃度過高,定影能力就越強(qiáng)。

5.17膠片未曝光部分變?yōu)橥该鲿r(shí),即說明定影過程已經(jīng)完畢。

5.18由于鐵不耐腐蝕且容易生銹,所以不能用鐵制容器盛放顯影液。

5.19澳化鉀除了克制灰霧的作用外,尚有增大反差的作用。

5.20顯影時(shí)攪動(dòng)不僅可以使顯影速度加快,尚有提高反差的作用。

5.21所謂“超加和性”是指米吐爾和菲尼酮配合使用,顯影速度大大提高的現(xiàn)象。

6.1由于射線照相存在影象放大現(xiàn)象,所以底片評(píng)估時(shí),缺陷定量應(yīng)考慮放大的影

響。

6.2各種熱裂紋只發(fā)生在焊縫上,不會(huì)發(fā)生在熱影響區(qū)。

6.3形狀缺陷不屬于無損檢測檢出范疇,但對(duì)于目視檢查無法進(jìn)行的場合和部位,

射線照相應(yīng)對(duì)形狀缺陷,例如內(nèi)凹、燒穿、咬邊等,評(píng)級(jí)。

7.1暗室內(nèi)的工作人員在沖洗膠片的過程中,會(huì)受到膠片上的衍生的射線照射,因

而白血球也會(huì)減少。

7.2一個(gè)射線工作者懷疑自己處在高輻射區(qū)域,驗(yàn)證的最有效方法是看劑量筆上的

讀數(shù)是否也增長。

7.3熱釋光膠片劑量計(jì)和袖珍劑量筆的工作原理均基于電離效應(yīng)。

7.4照射量單位“倫琴”只合用x射線或丫射線,不能用于中子射線。

7.5當(dāng)x或丫射源移去以后工件不再受輻射作用,但工件自身仍殘留極低的輻射。

7.6即使劑量相同,不同種類輻射對(duì)人體傷害是不同的。

7.7小劑量,低劑量率輻射不會(huì)發(fā)生隨機(jī)性損害效應(yīng)。

7.8只要嚴(yán)格遵守輻射防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)關(guān)于劑量當(dāng)量限值的規(guī)定,就可以保證不發(fā)生輻射

損傷。

7.9從x射線機(jī)和丫射線的防護(hù)角度來說,可以認(rèn)為1戈瑞=1希沃特。

7.10焦耳/公斤是劑量當(dāng)量單位,庫倫/公斤是照射量單位。

7.11劑量當(dāng)量的國際單位是希沃特,專用單位是雷姆,兩者的換算關(guān)系是I希沃特

=100雷姆。

7.12x射線比丫射線更容易被人體吸取,所以x射線對(duì)人體的傷害比Y射線大。

7.13當(dāng)照射量相同時(shí),高能X射線比低能X射線對(duì)人體傷害力更大一些。

8.2寬容度大是高能X射線照相的優(yōu)點(diǎn)之一。

8.5中子照相的應(yīng)用之一是用來檢查航空材料蜂窩結(jié)構(gòu)的粘接質(zhì)量。

8.7高能X射線照相的不清楚度重要是固有不清楚度,幾何不清楚度的影響幾乎可

以忽略。

二、選擇題

1.1原子的重要組成部分是()o

A、質(zhì)子、電子、光子B、質(zhì)子、重子、電子

C、光子、電子、X射線D、質(zhì)子、中子、電子

1.2電磁波的頻率(f),速度(c)和波長(入)之間的關(guān)系可用()表達(dá)。

A、f=入?cB、c=f?入C>A.=f?cD、X=f/C

1.3原子核的質(zhì)子數(shù)等于()o

A、中子數(shù)B、原子序數(shù)C、光子數(shù)D、原子量

1.4質(zhì)子和中子的區(qū)別是中子沒有()o

A、電荷B、質(zhì)量C、自旋D、半衰期

1.5當(dāng)幾種粒子和射線通過空氣時(shí),其電離效應(yīng)最高的是()。

A、a粒子B、B粒子C、中子D、X和丫射線

1.6在射線探傷中應(yīng)用最多的三種射線是()。

A、X射線,丫射線和中子射線B、a射線,0射線和丫射線

C、X射線,Y射線和B射線D、X射線,丫射線和a射線

1.7原子核外電子能級(jí)量最高的是()?

A、外殼層B、中間殼層C、內(nèi)殼層D、以上均不是

1.8同位素是指()0

A、質(zhì)量數(shù)相同而中子數(shù)不同的元素;

B、質(zhì)量數(shù)相同而質(zhì)子數(shù)不同的元素;

C、中子數(shù)相同而質(zhì)子數(shù)不同的元素;

D、質(zhì)子數(shù)相同而質(zhì)量數(shù)不同的元素。

1.9X射線、丫射線和a粒子有一個(gè)共同點(diǎn),即它們都是()。

A、均質(zhì)粒子輻射B、電磁輻射C、微波輻射D、電離輻射

1.10在射線檢查中采用的能量范圍(約100KeVo-10MeV)射線穿過鋼鐵強(qiáng)度衰減的最

重要因素是()o

A、光電效應(yīng)B、湯姆遜效應(yīng)C、康普頓效應(yīng)D、電子對(duì)效應(yīng)

1.11光子能量的數(shù)學(xué)表達(dá)式是()o

A、E=h/uB、E=X/he

C、E=huD、E=hu2

1.12強(qiáng)度為I的單色射線通過厚度為AX的材料后,強(qiáng)度減弱△:1,其關(guān)系式為

△I=uIAX,此式表達(dá)下列哪種現(xiàn)象?()

A、光電效應(yīng)B、康普頓散射C、吸取D、半價(jià)層厚度

3.13通常所說的200KVX射線指()0

A、最大能量為0.2MeV的“白色”X射線

B、平均能量為0.2MeV的連續(xù)射線

C、能量為0.2MeV的連續(xù)射線

D、有效能量為0.2MeV的連續(xù)射線

1.14單色射線是指()o

A、標(biāo)記x射線B、工業(yè)探傷丫源產(chǎn)生的射線

C、用來產(chǎn)生高對(duì)比度的窄束射線D、由單一波長的電磁波組成的射線

1.15在一般的工業(yè)探傷中,射線與物質(zhì)互相作用時(shí),重要產(chǎn)生的二個(gè)效應(yīng)是()o

A、光電效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)B、光電效應(yīng)和康普頓散射

C、康普頓散射和電子對(duì)效應(yīng)D、康普頓散射和電離

1.16當(dāng)光子與物質(zhì)互相作用時(shí),光子將部分能量用于逐出軌道電子,且剩余的能量

變?yōu)殡娮拥膭?dòng)能,這就是()。

A、康普頓散射B、光電效應(yīng)C、電子對(duì)效應(yīng)D、電離

1.17當(dāng)光子與物質(zhì)互相作用時(shí),光子的波長增長,方向改變,這是由于()

的結(jié)果。

A、光電效應(yīng)B、康普頓散射C、湯姆遜散射D、電子對(duì)產(chǎn)生

1.18康普頓散射的特性是()0

A、產(chǎn)生光電子B、產(chǎn)生俄歇電子C、產(chǎn)生反沖電子D、產(chǎn)生正負(fù)電子對(duì)

1.19光電效應(yīng)的特性是().

A、產(chǎn)生光電子B、發(fā)射標(biāo)記x射線

C、發(fā)射二次電子D、以上都是

1.20已知某單能射線在鋼中的半價(jià)層為3mm,則該射線在鋼中的吸取系數(shù)為()。

A^0.231cmB、2.31cm-1C、2.079cmD、00231mm-1

1.21射線通過物質(zhì)時(shí)的衰減取決于()0

A、物質(zhì)的原子序數(shù)B、物質(zhì)的楊氏模量

C、物質(zhì)的泊松比D、物質(zhì)的晶粒度

1.22窄束和寬束的區(qū)別是()0

A、窄束是指散射和未散射的射線均到達(dá)檢測器,而寬束是指只有未散射的射線到達(dá)

檢測器。

B、窄束是指只有未散射的射線到達(dá)檢測器,而寬束是指散射和未散射的射線均到達(dá)

檢測器。

C、窄束和寬束區(qū)別在于源尺寸大小不同。

D、窄束和寬束區(qū)別在于照射場大小不同。

1.23散射線的重要成份是低能電磁輻射,它是由光子在哪一過程中減弱而產(chǎn)生的。

A、光電過程B、康普頓過程C、電子對(duì)過程D電離過程

1.24從X射線管中發(fā)射出的射線涉及()o

A、連續(xù)X射線B、標(biāo)記X射線C,P射線D、A和B

1.25連續(xù)X射線穿透厚工件時(shí),有何特點(diǎn)?()

A、第二半價(jià)層小于第一半價(jià)層B、第二半價(jià)層等于第一半價(jià)層

C、第二半價(jià)層大于第一半價(jià)層D、第二半價(jià)層與第一半價(jià)層關(guān)系不擬定

1.26當(dāng)射線波長一定期,下列哪種物質(zhì)的日最大?

A、FeB、AlC、TiD、Cu

1.27產(chǎn)生x射線的一般方法是在高速電子的運(yùn)動(dòng)方向上設(shè)立一個(gè)障礙物,使高速電

子在這個(gè)障礙物上忽然減速,這個(gè)障礙物被叫()。

A、陽極B、陰極C、靶D、燈絲

1.28X射線的穿透能力取決于()0.

A、毫安B千伏C、曝光時(shí)間D焦點(diǎn)尺寸

1.29丫射線的穿透能力取決于().

A、源的尺寸B、源的種類C、曝光時(shí)間D、焦點(diǎn)尺寸

1.30當(dāng)施加于X射線管兩端的管電壓不變,管電流增長時(shí),則()0

A、產(chǎn)生的X射線波長不變,強(qiáng)度不變

B、產(chǎn)生的X射線波長不變,強(qiáng)度增長

C、產(chǎn)生的X射線波長不變,強(qiáng)度減小

D、產(chǎn)生的X射線波長增長,強(qiáng)度不變

1.31X射線機(jī)的管電流不變,管電壓減小時(shí),則X射線將會(huì)發(fā)生

A、強(qiáng)度不變,波長減小B、強(qiáng)度不變,波長增大

C、波長減小,強(qiáng)度減小D、波長增大,強(qiáng)度減小

1.32X射線警所產(chǎn)生的連續(xù)X射線的強(qiáng)度與管電壓的關(guān)系是().

A、強(qiáng)度與管電壓成正比B、強(qiáng)度與管電壓成反比

C、強(qiáng)度與管電壓平方與正比D、強(qiáng)度與管電壓平方成反比

1.34放射性同位素衰變時(shí),原子核衰變方式通常是()。

A、粒子發(fā)射B、K俘獲C裂變D、A和B

1.35韌致輻射是指高速運(yùn)動(dòng)的電子同靶相碰撞時(shí),與靶的什么互相作用而放也電子

的能量,產(chǎn)生連續(xù)X射線的?()

A、自由電子B、原子核的質(zhì)子或中子

C、充層電子D^原子核外庫侖場

1.36放射性元素Co60轉(zhuǎn)變?yōu)镹60的過程是一次()

A、a衰變B、0衰變C、丫衰變D、K俘獲

1.37以下關(guān)于光電效應(yīng)的敘述,哪一條是錯(cuò)誤的()

A、光電效應(yīng)發(fā)生幾率隨光子能量的增大而減小

B、光電效應(yīng)發(fā)生幾率材料的原子序數(shù)增大而增大

C、在光電效應(yīng)過程中除產(chǎn)生光電子外,有時(shí)還會(huì)產(chǎn)生反沖電子

D、光電效應(yīng)發(fā)射出的電子的能量肯定小于入射光子的能量

1.38以下關(guān)于康普頓效應(yīng)的敦述,哪一條是錯(cuò)誤的()

A、散射光子的波長肯定小于入射光子

B、反光子與散射光子能沖電子的能量為入射量之差

C、散射角a越大,散射光子能量越小

D、康普頓效應(yīng)發(fā)生幾率隨入射光子能量增大而減小

1.39某放射性同位素的衰變常數(shù)為0.005371天L則其半衰期為()

A、186天B、129天C、53天D、537天

1.40下列幾種材料中,射線衰減系數(shù)較大的是()

A、銅B、鋁C、鐵D、碳

1.41以下關(guān)于瑞利散射的敘述,哪一條是錯(cuò)誤的()

A、瑞利散射是相干散射的一種

B、瑞利散射不改變光于能量,只改變光子的運(yùn)動(dòng)方向

C、瑞利散射的發(fā)生幾率隨原子序數(shù)的增大而減小

D、瑞利散射的發(fā)生幾率隨光子能量的增大而急劇減小

1.42射線照相難以檢出的缺陷是()

A、未焊透和裂紋B、氣孔和未熔合

C、夾渣和咬邊D、分層和折疊

1.43射線照相法對(duì)哪一種焊接方法不合用。()

A、氣焊,電渣焊B、氣體保護(hù)焊、埋弧自動(dòng)焊

C、手工電弧焊、系離子弧焊D、摩擦焊,釬烽

1.44以下哪些材料的熔化焊對(duì)接焊縫適宜使用射線照相法檢測()

A、鋼和不銹鋼B鈦和鈦合金

C、鋁及鋁合金D,以上都適宜

1.45以下關(guān)于射線照相特點(diǎn)的敘述,哪些是錯(cuò)誤的()

A、鑒定缺陷性質(zhì)、數(shù)量、尺寸比較準(zhǔn)確

B、檢測靈敏度受材料晶粒度的影響較大

C、成本較高,檢測速度不快

D、射線對(duì)人體有傷害

2.1管電壓、管電流不變,將X射線管陽極由銅換成鴇,產(chǎn)生X射線線質(zhì)如何變化?

A^變硬B、變軟C、不變D、不一定

2.2X射線管的陽極靶量常用的材料是()

A、銅B、鶴C、鍍D、銀

2.3軟射線x射線管的窗口材料一般是()。

A、銅B、鴇C、鍍D、銀

2.4X射線機(jī)技本性能指標(biāo)中,焦點(diǎn)尺寸是一項(xiàng)重要指標(biāo),焦點(diǎn)尺寸是指()。

A、靶的幾何尺寸B、電子束的直徑

C、實(shí)際焦點(diǎn)尺寸D、有效焦點(diǎn)尺寸

2.5在條件允許的情況下,焦點(diǎn)盡寸應(yīng)盡也許的小,其目的是()o

A、減小設(shè)備體積B、提高清楚度

C、增長能量密度D、節(jié)省合金材料

2.6x射線管中轟擊靶產(chǎn)生x射線的高速電子的數(shù)量取決于()。

A、陽極靶材料的量子序數(shù)B、陰極靶材料的原子序數(shù)

C、燈絲材料的原子序數(shù)D、燈絲的加熱溫度

2.7下列哪一特性,不是x射線管的靶材料所規(guī)定的()。

A、高原子序鼓B、高熔點(diǎn)

C、高熱傳導(dǎo)率D、高質(zhì)量吸取系數(shù)

2.8當(dāng)兩臺(tái)相同型號(hào)的X射線機(jī)的千伏值和毫安值均相同時(shí),則()

A、產(chǎn)生的x射線的強(qiáng)度和波長一定相同

B、產(chǎn)生的X射線的波長相同,強(qiáng)度不同

C、產(chǎn)生的X射線的強(qiáng)度相罔,波長不同

D、產(chǎn)生的X射線的強(qiáng)度和波長不一定相同、

2.9高壓變壓器直接與X射線管相連接的X射線機(jī)叫做()

A、全波整流X射線機(jī)B、自整流X射線機(jī)

C、交流X射線機(jī)D、恒電壓X射線機(jī)

2.10X射線管對(duì)真空度規(guī)定較高,其因素是()

A、防止電極材料氧化

B、使陰極與陽極之聞絕緣

C、使電子束不電離氣體而容易通過

D、以上三者均是

2.11決定X射線機(jī)工作時(shí)間長短的重要因素是()

A、工作電太KV的大小B、工作電流mA的大小

C、工件厚度的大小D、陽極冷卻速度的大小

2.12X射線機(jī)中循環(huán)油的作用是()

A、吸取散射線B、濾去一次射線中波長較長的射線

C、散熱D、增強(qiáng)一次射線

2.13大焦點(diǎn)x射線機(jī)與小焦點(diǎn)X射線機(jī)相比,其特點(diǎn)是()

A、射線的能量低穿透為小B、射線不不集中,強(qiáng)度小

C、照相黑度不易控制D、照相清楚度差

2.14一般x射線機(jī)調(diào)節(jié)管電壓的方法通常是()。

A、調(diào)節(jié)燈絲的加熱電壓B、調(diào)節(jié)陰極和陽極之間的電壓

C、調(diào)節(jié)陰極和陽極之間的距離D、調(diào)節(jié)燈絲與陰極之間的距離

2.15X射線管中的陰極最常見的是()

A、冷陰極B、熱陰極C、旋轉(zhuǎn)陰極D、固定陰極

2.16提高燈絲溫度的目的是使()

A、發(fā)射電子的能量增大B、發(fā)射電子的數(shù)量增多

C、發(fā)出X射線的波長較短D、發(fā)出X射線的波長較長

2.17大功率X射線管陽極冷卻的常用方法是()

A、輻射冷卻B、對(duì)流冷卻

C、傳導(dǎo)冷卻D^液體逼迫循環(huán)冷卻

2.18丫射線探傷機(jī)與X射線探傷機(jī)相比其優(yōu)點(diǎn)是()

A、設(shè)備簡樸B、不需外部電緣

C、射源體積小D、以上三者都是

2.19y探傷所用的放射性同位素,都是()

A、天然同位素B、人造同位素C、穩(wěn)定同位素D、以上三者都是

2.20放射性同位素的輻射強(qiáng)度與時(shí)間的關(guān)系是()

A、隨時(shí)間增大B、與時(shí)間無關(guān)C、隨時(shí)間減小D、三者都不對(duì)

2.21運(yùn)用丫射線探傷時(shí),若要增長射線強(qiáng)度可以采用()

A、增長焦距B、減小焦距C、減小曝光時(shí)間D、三者均可

2.22下列四種放射性元素中,半價(jià)層最厚的是()

A、Co60B、Csl37C、11192D、Tml70

2.23下列四種放射性元素中,半衰期最長的為()

A、Co60B、Csl37C、Irl92D、Tml70

2.24Tml70y源發(fā)出的射線能量為:()

A、0.084和0.052MeVB、0.11和0.15MeV

C、1.33和1.17MeVD、0.31和D.47MeV

2.25180mm厚的鋼試件射線照相,也許使用的丫射線源是()

A、鉆60B、鉆170C、鉞192D、鈉137

2.26可使用鉞192照相的鋼試件厚度范圍是()

A、100-200mmB、8-60mmC、4-15mmD、30-90mm

2.27決定材料對(duì)X射線吸取量最重要的因素是()

A、材料厚度B、材料密度

C、材料原子序致D、材料晶粒度

2.28下面有關(guān)X射線管焦點(diǎn)的敘述,哪一條是錯(cuò)誤的?()

A、有效焦點(diǎn)總是小于實(shí)際焦點(diǎn)

B、焦點(diǎn)越小,照相幾何不清楚度越小

C、量電壓、管電流增長,實(shí)際焦點(diǎn)會(huì)有一定限度的增大

D、焦點(diǎn)越大,散熱越困難

2.29放射性同位素源的比活度取決于()

A、核反映堆中照射的中子流

B、材料在反映堆中的停留時(shí)間

C、照射材料的特性(原子量、活化截面)

D、以上全是

2.30下列四種放射性同位素中,可用來透照厚度為3?12mm的薄壁管,輻射特性

類似100?250KVX射線的是()

A、Irl92B、Csl37C、Co60D、Tml70

2.31一般放射性比活度高的源其自吸?。ǎ?/p>

A、較高B、較低C、兩者無關(guān)D、無自吸取

2.32決定x射線管靶材合用性的兩個(gè)因素是()

A、拉伸強(qiáng)度和屈服強(qiáng)度B、硬度和礁導(dǎo)率

C、電阻和抗氧化性能D、原子序數(shù)和熔點(diǎn)

2.33以下關(guān)于便攜式X射線機(jī)操作使用的敘述,哪條是錯(cuò)誤的()

A、X射線機(jī)停用超過3天,才需要訓(xùn)機(jī)

B、送高壓前應(yīng)預(yù)熱燈絲

C、機(jī)內(nèi)SF6氣機(jī)過低,將影響絕緣性能

D、應(yīng)保持工作和間歇時(shí)間1:1

2.34以下哪一條不是丫射線探傷設(shè)備優(yōu)點(diǎn)()

A、不需用電和水B、可連續(xù)操作

C、同進(jìn)行周向曝光和全景曝光D、曝光時(shí)同短、效率高

2.35X射線管中,電子轟擊靶時(shí)能量轉(zhuǎn)換的重要形式是產(chǎn)生()

A、連續(xù)x射線B、標(biāo)記x射線C、短波長X射線D、熱

2.36X射線量管電流大小重要取決于()

A、靶材科B、燈絲電流

C、陽極到陰極的距離D、以上都是

2.37X射線管中轟擊靶的電子運(yùn)動(dòng)的速度取決于()

A、靶材的原子序數(shù)B、管電壓

C、管電流D、燈絲電壓

2.38在管電壓、管電流相同的情況下,下列哪種線路產(chǎn)生的射線質(zhì)較硬,照射劑量

率較大?()

A、半波整流B、全波整流

C、穩(wěn)恒直流D、線路種類與射線的質(zhì)和劑量率無關(guān)

2.39在管電壓、管電流相同的情況下,焦點(diǎn)尺寸越小,其焦點(diǎn)的溫度()

A、越低B越高C、不變D、不一定

2.40各種膠片成像的粒度。

A、隨千伏值提高而增大B、隨千伏值提高而減小

C、與千伏值無關(guān)D、變化服從朗伯定律

2.41表達(dá)膠片受到一定量x射線照射,顯影后的底片黑度是多少的曲線叫做()

A、曝光曲線B、靈敏度曲線

C、特性曲線D,吸取曲線

2.42X膠片的片基常用的材料是()

A、聚氯乙烯薄膜B、聚氨脂薄膜

C、滌綸薄膜D、聚乙烯薄膜

2.43保存射線膠片的環(huán)境相對(duì)濕度應(yīng)為()

A、10-25%B、50-65%C、70-85%D、越干燥越好

2.44膠片特性曲線上,過兩個(gè)特定黑度點(diǎn)的直線的斜率叫做()

A、膠片寬谷度B、梯度C、平均梯度D、感光度

2.45由膠片特性曲線可以得到膠片的技術(shù)參數(shù)是()

A、膠片的反差系數(shù)B、膠片的本底灰霧度

C、正常的曝光范圍D、三者均是

2.46哪一因素變化,會(huì)使膠片特性曲線形狀明顯改變?

A、改變管電壓B.改變管電流

C、改變焦距D、改變顯影條件

2.47實(shí)際使腔片鹵化銀顆粒感光的因素是()

A、X或丫光量子B、a粒子C、電子D、中子

2.48下面有關(guān)膠片的四種敘述中,唯一對(duì)的的是()

A、膠片顆粒度大,感光速度就快,底片圖象清楚

B、膠片顆粒度小,感光速度就快,底片圖象模糊

C、膠片顆粒度大,感光速度快,底片圖象模糊

D、膠片顆粒度小,感光速度快,底片圖象清楚

2.49底片的黑度范圍限制在膠片特性曲線的直線區(qū)域內(nèi),這是由于在此區(qū)域內(nèi)透照

出的底片()

A、黑度大B、感光度高

C、本底灰霧度小D、對(duì)比度高

2.50已曝過光的X膠片,不能在高溫高濕的環(huán)境內(nèi)保持時(shí)間過長,否則會(huì)引起()o

A、藥膜自動(dòng)脫落B、產(chǎn)生白色斑點(diǎn)

C、產(chǎn)生靜電感光D、潛象衰退、黑度下降

2.51膠片分類的依據(jù)重要是()o

A、梯度和顆粒度B、感光度和顆粒度

C、感光度和剃度D、灰霧度和寬容度

2.52X膠片乳劑中與射線作用產(chǎn)生光化學(xué)作用的成分是()。

A^AgBrB、AgChC、AgSD、AgBr?

2.54與非增感型膠片配合使用的增感屏是()

A、熒光增感屏B、鉛箔增感屏

C、熒光鉛箔增感屏D、稀土熒光增感屏

2.55熒光增感屏與鉛箔增感屏相比,熒光增感屏的重要優(yōu)點(diǎn)。

A、圖象的清楚度高B、可提高靈敏度

C、可縮短曝光時(shí)間D、能屏蔽散射線

2.56鉛箔增感屏的重要優(yōu)點(diǎn)是()

A、可加速膠片感光同時(shí)吸取部分散射線

B、可提高照相清楚度

C、可減小照相顆粒度

D、以上都是

2.57使用鉛箔增感屏可以縮短曝光時(shí)間,提高底片的黑度,其因素是鉛箔受X射

線或丫射線照射時(shí)()。

A、能發(fā)出熒光從而加速膠片感光

B、能發(fā)出可見光從而使膠片感光

C、能發(fā)出紅外線從而使膠片感光

D、能發(fā)出電子從而使膠片感光

2.58射線照相中,使用象質(zhì)計(jì)的重要目的是()

A、測量缺陷大小B、評(píng)價(jià)底片靈敏度

C、測定底片清楚度D、以上都是

2.59什么是使用象質(zhì)計(jì)的局限性?()

A、不能提供射線照相檢查靈敏度的永久性證據(jù)

B、不能比較兩種不同透照技術(shù)的質(zhì)量高低

C、不能提供可檢出缺陷尺寸的度量指示

D、不能驗(yàn)證所用透照工藝的適當(dāng)性

2.62平板焊縫照相時(shí),下面四種關(guān)于象質(zhì)計(jì)擺放的敘述,唯一對(duì)的的擺放位置是

()

A、近膠片一側(cè)的工件表面,并應(yīng)靠近膠片端頭

B、近射源一側(cè)工件表面,金屬絲垂直焊縫,并位于工件中部

C、近膠片一側(cè)的工件表面,并應(yīng)處在有效照相范圍一端的焊縫上,金屬絲垂直于焊

縫,細(xì)絲在外

D、近射源一側(cè)有效照相范圍一端的焊縫上,金屬絲垂直于焊縫,細(xì)絲在外

2.63鈦對(duì)射線的吸取系數(shù)小于鋼,在透照鈦試件時(shí)采用了鋼絲象質(zhì)計(jì),假如底片上

顯示的象質(zhì)指數(shù)剛好達(dá)成標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,則該底片的靈敏度()

A、剛好符合標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定B、達(dá)不到標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定

C、遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定D、無法判斷

2.64已知入射光強(qiáng)200cd/m2,則底片黑度為2.3的區(qū)域透過的光強(qiáng)為:()

A^5cd/m2B、0.56cd/m2C、lcd/m2D、O.lcd/m2

2.66以下關(guān)于周向輻射X射線管陽極靶的敘述,哪一條是錯(cuò)誤的:()

A、周向輻射X射線管的陽極靶有平面靶和錐形靶兩種

B、平面靶多用于3OOKVX射線管;

C、平面靶散熱效果比錐形靶好:

D、使用平面靶X射線管的探傷機(jī)照相要注意橫向裂紋漏檢問題

2.67在其他參數(shù)不變的情況下,若顯影時(shí)間延長,膠片特性曲線會(huì)出現(xiàn)()

A、梯度增大,感光速度提高B、梯度減小,感光速度提高

C、梯度減小,感光速度減少D、梯度增大,感光速度減少

2.68Irl92所發(fā)出的重要丫射線能量為()、

A、0.66,0.84,0.91MeVB、0.31,0.47,0.60MeV

C、0.08,0.05,0.66MeVD、0.15,1.12,0.18MeV

2.69以下哪一條,不是金屬陶瓷管X射線機(jī)的優(yōu)點(diǎn)()

A、體積小B、重量輕C、故障小D不需要訓(xùn)機(jī)

2.70以下哪一因素,對(duì)膠片對(duì)比度不產(chǎn)生影響()

A、射線能量B、底片黑度

C、膠片類型D、顯影條件

2.71使用“真空暗盒”的重要優(yōu)點(diǎn)是()

A、提高主因?qū)Ρ榷菳、減小固有不清楚度

C、減小底片顆粒度D、以上都是

2.72膠片系統(tǒng)分類中所指的膠片系統(tǒng)涉及()

A、膠片、增感屏、暗盒B、膠片、增感屏、暗盒、背防護(hù)鉛板

C、膠片、增感屏、沖洗條件D、源、腔片、增感屏、沖洗條件

2.73適宜檢測厚度5-30mm的鋼試件的放射性同位素是()

A、Irl92B、Tm170C、Ybl69D、Se75

3.1從可檢出最小缺陷的意義上說,射線照相靈敏度取決于()

A、底片成象顆粒度

B、底片上缺陷圖象不清楚度

C、底片上缺陷圖象對(duì)比度

D、以上都是

3.2射線底片上兩個(gè)不同區(qū)域之間的黑度反差叫做()

A、主因反差B、底片反差C、清楚度D、膠片反差

3.3影響主因?qū)Ρ榷鹊氖牵ǎ?/p>

A、射線的波長B、散射線C、工件的厚度差D、以上都是

3.4下面哪個(gè)因素的變化使最小可見對(duì)比度增大()

A、粗粒膠片改用微粒膠片

B、底片黑度從1.5增大以2.5

C、影象寬度從0.2mm增大到0.4mm

D、透過底片光強(qiáng)從30cd/m2增大至U100cd/m2.

3.5射線底片上缺陷輪廓鮮明的限度叫做()

A、主因?qū)Ρ榷菳、顆粒度C、清楚度D、膠片對(duì)比度

3.6幾何不清楚度也可稱為()

A、固有不清楚度B、幾何放大C、照相失真D、半影

3.7射線透照的幾何不清楚度()

A、與工件厚度成正比,與焦點(diǎn)尺寸成反比

B、與工件厚度成反比,與焦點(diǎn)尺寸成反比

C、與焦點(diǎn)尺寸成正比,與焦距成反比

D、與焦點(diǎn)尺寸成反比,與焦距成正比

3.8決定細(xì)節(jié)在射線底片上可記錄最小尺寸的是()

A、對(duì)比度B、清楚度C、顆粒度D、以上都是

3.9射線照相底片的顆粒性是由什么因素導(dǎo)致的?()

A、影象顆粒或顆粒團(tuán)塊的不均勻分布

B、底片單位面積上顆粒數(shù)的記錄變化

C、顆粒團(tuán)塊的重重疊疊

D、以上都是

3.10下列四種因素中,不能減小幾何不清楚度的因素是()

A、射源到膠片的距離B、膠片到工件的距離

C、射源的強(qiáng)度D、射源的尺寸

3.11減小幾何不清楚度的方法是()

A、選用焦點(diǎn)較大射源B、使用感光速度較快的膠片

C、增大射源到膠片的距離D、增大工件到膠片的距離

3.12固有不清楚度與下列哪一因素有關(guān)()

A、源尺寸B、膠片感光度C、膠片粒度D、射線能量

3.13為了提高透照底片的清楚度,選擇焦距時(shí),應(yīng)當(dāng)考慮的因素是()

A、射源的尺寸,射源的強(qiáng)度,膠片類型

B、工件厚度,膠片類型,射源類型

C、射源強(qiáng)度,膠片類型,增感屏類型

D、射源尺寸,幾何不清楚度,工件厚度

3.14下列四種因素中對(duì)底片的清楚度無任何影響的是()

A、射源的焦點(diǎn)尺寸B、增感屏的類型

C、射線的能量D、底片的黑度

3.15下列哪一種情況對(duì)膠片梯度和底片顆粒度同時(shí)產(chǎn)生影響?()

A、改變KV值B、改變焦距

C、改變mA值D、改變底片的黑度

3.16在射線照相中,使缺陷影象發(fā)生畸變最重要的因素是()

A、射源尺寸

B、射源到缺陷的距離

C、缺陷到膠片的距離

D、缺陷相對(duì)于射源和膠片的位置和方向

3.19透照有余高的焊縫時(shí),為使象質(zhì)計(jì)金屬絲在焊縫和母材部位得到相同顯示,應(yīng)

()

A、根據(jù)焊縫的余高選擇合適的射線能量B、盡量選擇較高能量射線

C、盡量選擇較低能量射線D、以上都不對(duì)

3.20以下哪一個(gè)參數(shù)不被認(rèn)為是影響裂紋檢出的關(guān)鍵參數(shù)()

A、長度LB、開口寬度W

C、自身高度dD、裂紋與射線角度。

3.21透照板厚一定且有余高的焊縫,散射比隨有效能量的提高而()

A、增大B、減小C、不變D、不一定

3.22用單壁外透法透照同一筒體時(shí),如不考慮焦點(diǎn)投影尺寸的變化,縱縫Ug與環(huán)縫Ug

的區(qū)別是:在一張底片的不同部位()

A、縱縫Ug值各處都同樣,而環(huán)縫Ug值隨部位而變化

B、環(huán)縫Ug值各處都同樣,而縱縫Ug值隨部位而變化

C、無論縱縫、環(huán)縫Ug值在任何部位都相同,不發(fā)生變化

D、以上都不是

3.24下列哪一因素的變化不會(huì)改變射線照相的主因?qū)Ρ榷龋ǎ?/p>

A、試件的材質(zhì)B、射線的能譜

C、散射線的分布D、毫安分或居里分

3.25下列哪一因素對(duì)照相底片顆粒性無明顯影響?()

A、顯影限度B、使用鉛增感屏

C、射線穿透力D、使用熒光增感屏

3.26工件中靠近射源--側(cè)的缺陷圖像,在下列哪種情況下清楚度最差?()

A、焦距增大B、焦點(diǎn)尺寸減小

C、工件厚度增大D、膠片與工件距離減小

3.27如何提高射線底片的信噪比?()

A、增長曝光量B、提高管電壓

C、增大焦距D、膠片與工件距離減小

3.28下列哪一參數(shù)不是影響小缺陷射線照相清楚度和對(duì)比度的共同因素?()

A、焦點(diǎn)或射源尺寸B、黑度

C、焦距D、射線線質(zhì)

3.29在什么條件下尺寸較大的源攝得的射線底片質(zhì)量可與尺寸較小的源相稱?()

A、增大源到膠片距離B、采用較厚的鉛增感屏

C、使用速度快的膠片D、縮短曝光時(shí)間

3.30決定缺陷在射線透照方向上可檢出最小厚度差的因素是()

A、對(duì)比度B、不清楚度C、顆粒度D、以上都是

3.31膠片與增感屏貼合不緊,會(huì)明顯影響射線照相的()

A、對(duì)比度B、不清楚度

C、顆粒度D、以上都是

3.33以下關(guān)于信息理論在射線照相方面的論述,哪一條是錯(cuò)誤的()

A、所謂“噪聲”即是底片的顆粒度

B、信噪比是指缺陷影象對(duì)比度4D與噪聲3d之比

C、只要信噪比大于1,缺陷就可以辨認(rèn)

D、信噪比越大,缺陷辨認(rèn)就越容易

3.35以下哪一種措施不能提高射線照相的信嗓比()

A、使用速度更慢的膠片B、增長曝光量

C、提高底片黑度D、提高射線能量

3.36計(jì)算的不清楚度最常用的計(jì)算公式是()

A、U=Ug+UiB、U=4(Ug2+Ui2)C、U=NUg3+Ui3D、U=Ug+Ui2/3Ug

4.1按照“高靈敏度法”的規(guī)定,Irl92丫射線適宜透照鋼的厚度范圍是()

A、20-80mmB、30-100mmC、6-100mmD、20-120mm

4.2大約在哪一厚度上,Irl92射線配合微粒膠片照相的靈敏度與x射線配合中粒膠

片照相的靈敏度大體相稱()

A、10-20mmB、20-30mmC、40-50mmD、80-90mm

4.3以下關(guān)于考慮總的不清楚度的焦距最小值Fmin的敘述,哪一條是錯(cuò)誤的()

A、Fmin值照射源尺寸df的增大而增大

B、Fmin值隨固有不清楚度U的增大而增大

C、Fmin值隨工件厚度T的增大而增大

D、應(yīng)用Fmin的同時(shí)應(yīng)考慮限制射線能量不能過高

4.5雙影直透法一般用于多大直徑管子的環(huán)焊縫透照()

A、①89mm以下B、①76mm以下

C、①20mm以下D、①10mm以下

4.6以相同的條件透照一工件,若焦距縮短20%,曝光時(shí)間可減小多少?()

A、64%B、36%C、20%D、80%

4.7用半衰期為75天的Irl92源在某時(shí)間對(duì)某工件透照時(shí)的曝光時(shí)間為40分鐘;5

個(gè)月后,用該源對(duì)同一工件透照,為得到同樣黑度的射線底片,曝光時(shí)間應(yīng)為:()

A、40分鐘B、2小時(shí)C、2小時(shí)40分D、4小時(shí)

4.8若散射線忽略不計(jì),當(dāng)透照厚度的增長量相稱于1/2半價(jià)層時(shí),則膠片接受的

照射量將減少多少?()

A、25%B、70%C、41%D、30%

4.9射線能量200KV時(shí),銅相對(duì)鋼的等效系數(shù)為1.4,對(duì)14mm銅板照相,需采用

多厚鋼的曝光量()

A^10mmB、20mmC、14mmD、15.4mm

4.10對(duì)于厚度差較大的工件進(jìn)行透照時(shí),為了得到黑度和層次比較均勻的底片,一

般做法是()

A、提高管電流B、提高管電壓

C、增長曝光時(shí)間D、縮短焦距

4.11在同一個(gè)暗盒中裝兩張不同感光速度的膠片進(jìn)行曝光的重要目的是()

A、為了防止暗室解決不妥而重新拍片

B、為了防止探傷工藝選擇不妥而重新拍片

C、為了防止膠片上的偽缺陷而重新拍片

D、用于厚度差較大工件的射線探傷,這樣在不同厚度部位都能得到黑度適當(dāng)?shù)牡灼?/p>

4.12用雙膠片進(jìn)行射線照相,要裝兩張不同感光速度的膠片,其選片原則是:兩種

膠片的特性曲線:()

A、應(yīng)在黑度軸上有些重合B、在黑度軸上無需重合

C、應(yīng)在IgE軸上有些重合D、在I

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