多晶硅工藝原理

第一部分

多晶硅工藝原理

教學(xué)內(nèi)容及目的使初次接觸多晶硅的學(xué)生能夠?qū)Χ嗑Ч璧纳a(chǎn)工序構(gòu)成有初步的了解；初步掌握各生產(chǎn)工序的原理和內(nèi)容；初步了解多晶硅生產(chǎn)的裝置名稱、設(shè)備構(gòu)成。了解并掌握多晶硅生產(chǎn)的原料、中間產(chǎn)品和產(chǎn)品的物理、化學(xué)和安全特性。主要工序目錄

主工藝（1）液氯貯存及汽化工序（2）合成工序這一工序包括氯化氫合成工序和三氯氫硅合成工序（3）氯硅烷提純工序這一工序包括粗提純、精提純、廢體凈化和蒸餾釜?dú)堃禾幚砉ば颍?）多晶硅工序這一工序包括多晶硅制取工序和四氯化硅氫化工序（5）氫氣制備及凈化工序（6）工藝廢料處理工序（7）成品整理工序（包括實(shí)驗(yàn)室檢驗(yàn)分析）公用工程(1)空分制氮站；(2)空壓站；(3)冷凍站；(4)循環(huán)水站；(5)脫鹽水站；(6)綜合泵站；(7)鍋爐房；(8)供熱站；(9)高純水系統(tǒng)；(10)污水處理站；(11)10KV變電站；(12)總變；(13)煤輸送系統(tǒng)；(14)石灰石粉輸送系統(tǒng)；(15)渣（鍋爐）貯運(yùn)系統(tǒng)；(16)灰貯運(yùn)系統(tǒng)。一、主工藝介紹本裝置的設(shè)計(jì)能力為年產(chǎn)高純（電子級(jí)）多晶硅1500噸，同時(shí)副產(chǎn)物：二級(jí)三氯氫硅，四氯化硅。其主要的生產(chǎn)工藝，是通過工業(yè)硅與氣態(tài)氯化氫的反應(yīng)，將其轉(zhuǎn)化為由三氯氫硅、四氯化硅、二氯氫硅、聚氯硅烷、金屬雜質(zhì)等組成的混合蒸汽并將其冷凝，用精餾的方法從冷凝液中分離出高純度的三氯氫硅，再將汽化的三氯氫硅，與氫氣按一定比例混合引入多晶硅還原爐。在置于還原爐內(nèi)的棒狀硅芯兩端加以電壓，產(chǎn)生高溫。在高溫硅芯表面，三氯氫硅被氫氣還原成元素硅，并沉積在硅芯表面，逐漸生成所需規(guī)格的多晶硅棒。低沸物

H2、HCl

粗SiHCL3

冷凝液氫氣氯氣氯化氫合成三氯氫硅合成加壓冷凝分離合成精餾精餾還原干法回收干法精餾綜合回收HCl硅粉低沸物

高低沸物

純SiHCL3多晶硅純SiHCL3SiCL4冷凝液H2HCL尾氣氫化氫化粗餾綜合回收SiCL4粗SiHCL3

粗SiHCL3

氫氣SiCL4（1）液氯貯存及汽化工序外購(gòu)的液氯鋼瓶運(yùn)送入本工序廠房?jī)?nèi)實(shí)瓶區(qū)存放，使用后的液氯鋼瓶吊運(yùn)至空瓶區(qū)存放并定期運(yùn)出。從鋼瓶放出的液氯，引入液氯汽化器內(nèi)被熱水加熱而汽化。汽化生成的氯氣經(jīng)過氯氣緩沖罐，先進(jìn)行干燥，然后送往氯化氫合成工序。用于液氯汽化的加熱水來自熱水槽。通入低壓蒸汽（部分來自還原爐的熱能回收）直接加熱槽內(nèi)的水。出槽的熱水用循環(huán)泵送入液氯汽化器加熱汽化液氯。出液氯汽化器的水返回?zé)崴?。液氯汽化器為一開一備。隨著汽化器工作時(shí)間的增加，液氯中的NCl3濃度會(huì)升高，當(dāng)達(dá)到一定濃度時(shí)，會(huì)導(dǎo)致爆炸。因此須定期分析汽化器中NCl3的濃度，當(dāng)NCl3濃度達(dá)到40g/l時(shí)，必須切換汽化器，將汽化器中NCl3濃度較高的殘液放入排污罐，用堿液將NCl3和液氯處理掉。從液氯鋼瓶或汽化系統(tǒng)設(shè)備、管線泄漏出來的氯氣，必需得到及時(shí)的處理。為此，在沿廠房?jī)?nèi)墻設(shè)置的環(huán)形地溝內(nèi)，溝底上方架設(shè)管壁上開孔的環(huán)形風(fēng)管，將地面附近含氯的空氣吸入管內(nèi)，并送入至廢氣處理塔處理。必要時(shí)，可用軟管連接到從風(fēng)管伸出地面的活接頭上，將軟管引至廠房的各部位，進(jìn)行局部排風(fēng)。設(shè)置于廢氣處理塔后的事故風(fēng)機(jī)，從塔頂抽送氣體，造成廢氣收集、處理系統(tǒng)氣體輸送的動(dòng)力。當(dāng)正在放液的液氯鋼瓶發(fā)生泄漏、或某臺(tái)汽化器需要作排液操作之前、或系統(tǒng)停車之后，可通過從鋼瓶排氣接嘴、汽化器和氯氣緩沖罐出氣管引至廢氣處理塔進(jìn)氣管的支管，將鋼瓶或設(shè)備內(nèi)的氯氣抽出，送入廢氣處理塔處理。汽化系統(tǒng)安全閥泄放的氯氣直接送入廢氣處理塔。入廢氣處理塔的含氯空氣，在填料層與自上而下的堿液逆流接觸，氯氣與堿液中的NaOH反應(yīng)生成NaClO、NaCl和H2O而被吸收。因反應(yīng)放熱，塔內(nèi)液體和氣體的溫度均有升高。用事故風(fēng)機(jī)抽出塔頂經(jīng)處理達(dá)標(biāo)的氣體放空；出塔底的液體靠位差流入堿液循環(huán)槽，再用堿液循環(huán)泵抽出，經(jīng)堿液循環(huán)冷卻器用循環(huán)冷卻水冷卻后，送入廢氣處理塔頂用作吸收劑。當(dāng)循環(huán)堿液中NaOH濃度降至2~3%（w）時(shí)，停止使用工作槽中的堿液，切換至堿液循環(huán)備用泵，將備用槽中貯存的濃度為15%（w）的新鮮NaOH溶液送入廢氣處理塔吸收氯氣。在備用泵、備用槽系統(tǒng)作吸收操作期間，原工作泵、工作槽系統(tǒng)需完成以下工作：用泵將槽內(nèi)含10%NaClO的液體排至次氯酸鈉溶液貯槽貯存，然后將配制好的NaOH溶液送入槽內(nèi)貯存，以備隨后用于氯氣的吸收。次氯酸鈉溶液貯槽內(nèi)貯存的10%NaClO溶液，用泵裝車，作為商品外售。必要時(shí)，亦可將其送至工藝廢料處理工序處理。15%NaOH溶液的配制，是將從35%NaOH貯槽送來的濃堿液放入15%堿液配制槽內(nèi)。向槽中通入一次水，將堿液稀釋至所需濃度。事故風(fēng)機(jī)、廢氣處理塔、堿液循環(huán)系統(tǒng)保持連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)。氯化氫合成爐（2）合成工序1）氯化氫合成工序在氯化氫合成爐內(nèi)，通過氫氣、氯氣混合氣體的燃燒反應(yīng)制得氯化氫。氯化氫合成工序的流程由初始原料輸入、氯化氫合成系統(tǒng)和廢氣處理系統(tǒng)三部分組成。A.初始原料輸入來自氫氣制取工序及從三氯氫硅合成工序返回的循環(huán)氫氣輸送入氫氣緩沖罐，出該罐的氫氣分別去兩條生產(chǎn)線的氯化氫合成爐。來自液氯汽化工序的氯氣穿過氯氣緩沖罐，分別去兩條生產(chǎn)線的氯化氫合成爐。B.氯化氫合成系統(tǒng)氫氣和氯氣在爐內(nèi)燃燒，反應(yīng)生成氯化氫，反應(yīng)式如下：H2+Cl2=2HCl爐內(nèi)的工作壓力為0.4MPa—0.5MPa。溫度不超過450℃。輸出的氯化氫，穿過空氣冷卻器被冷卻到150℃，并穿過氯化氫冷卻器，被循環(huán)冷卻水冷卻到40～50℃溫度。冷卻后的氯化氫送入氯化氫儲(chǔ)罐，然后被送往三氯氫硅合成工序。液氯儲(chǔ)罐液氯汽化器液氯干燥器液氯緩沖罐氫氣緩沖罐阻火器氯氣氯化氫合成爐氫氣

空氣冷卻器HCl氯化氫冷卻器氯化氫儲(chǔ)氣罐電解氫氣

CDI分離氫氣氯化氫緩沖罐從TCS合成分離的氯化氫從STC氫化分離的氯化氫去TCS合成氯化氫吸收冷卻塔氯化氫排放緩沖槽氯化氫合成示意圖2）三氯氫硅合成工序在合成爐內(nèi)，用硅粉與氣態(tài)氯化氫反應(yīng)制得三氯氫硅。三氯氫硅合成工序包括以下幾個(gè)系統(tǒng)：——原料處理系統(tǒng)；——三氯氫硅合成系統(tǒng)；——汽氣混合氣“干法”除塵系統(tǒng)；——汽氣混合氣“濕法”除塵系統(tǒng)；——CDI公司汽氣混合氣分離系統(tǒng)。其中原料處理系統(tǒng)的氯化氫加熱部分、三氯氫硅合成系統(tǒng)、汽氣混合氣“干法”除塵系統(tǒng)及汽氣混合氣“濕法”除塵系統(tǒng)設(shè)置兩條相同的生產(chǎn)線（生產(chǎn)線Ⅰ、Ⅱ），CDI公司汽氣混合氣分離系統(tǒng)為一條生產(chǎn)線。三氯氫硅合成示意圖A．原料處理系統(tǒng)原料處理系統(tǒng)完成對(duì)原料氯化氫的預(yù)熱，及對(duì)三氯氫硅合成爐啟動(dòng)和停爐時(shí)使用的氮?dú)獾募訜?。B．三氯氫硅合成系統(tǒng)原料硅粉用運(yùn)輸罐送入工序，用單梁吊車，將運(yùn)輸罐提升并安裝在硅粉驗(yàn)收槽的頂部，并將硅粉放入接收槽內(nèi)。硅粉接收槽的裝料為一晝夜一次，槽側(cè)配有硅塵捕集器以便回收硅粉。硅粉一班一次由接收槽放入安裝于下方的硅粉計(jì)量罐，再放入下方的硅粉供料罐。用安裝于供料罐底部的硅粉給料機(jī)將硅粉以一定的流量供入到氯化氫輸送管道中，硅粉被氯化氫氣流攜帶，送入三氯氫硅合成爐底的錐形部分。表壓0.45～0.5MPa的氯化氫同時(shí)被分別送入硅粉接收槽、硅粉計(jì)量罐和硅粉供料罐中，以平衡硅粉裝料設(shè)備和合成系統(tǒng)的壓力。在三氯氫硅合成爐內(nèi)，硅粉和氯化氫發(fā)生反應(yīng)，生成三氯氫硅，同時(shí)生成四氯化硅、二氯氫硅、金屬氯化物、聚氯硅烷等副產(chǎn)物。主要反應(yīng)式如下：Si+3HCl=SiHCl3+H2+QSi+2HCl=SiH2Cl2+QSi+4HCl=SiCl4+2H2+Q反應(yīng)產(chǎn)物以汽氣混合氣的形式出合成爐頂，去“干法”除塵系統(tǒng)。反應(yīng)爐下部區(qū)域壓力為0.35～0.45MPa，溫度為290～330℃。在反應(yīng)過程中生成大量的熱，用蒸發(fā)反應(yīng)爐夾套內(nèi)的水而移出。C．汽氣混合氣“干法”除塵系統(tǒng)出三氯氫硅合成爐的夾帶有硅粉的汽氣混合氣依次進(jìn)入一、二、三級(jí)旋風(fēng)除塵器，氣體中的大部分硅粉被分離下來，隨即落入安裝于下方的三個(gè)小集塵罐。定期把硅塵從小集塵罐中卸到集塵罐中。定期將罐中硅粉卸出，送去處理。D．汽氣混合氣“濕法”除塵系統(tǒng)經(jīng)“干法”除塵后的汽氣混合氣進(jìn)入濕氫處理塔頂部，與同樣從頂部注入的四氯化硅液體混合，自上而下流動(dòng)。從塔下部送入用脫鹽水增濕的氫氣，與塔內(nèi)的氣液混合物接觸，促使汽氣混合氣中所含的金屬氯化物發(fā)生部分水解，同時(shí)，汽氣混合氣中的部分細(xì)小硅塵被液體四氯化硅洗下，混合氣亦被四氯化硅冷卻。從濕氫處理塔下部出來，含固態(tài)雜質(zhì)的汽氣液混合物進(jìn)入鼓泡蒸餾釜并被引至液下。氣體鼓泡溢出，隨后由下而上進(jìn)入泡塔，與從塔頂流下的液體四氯化硅逆流接觸，被進(jìn)一步冷卻并最終除去細(xì)小的硅塵和金屬雜質(zhì)。出鼓泡塔，除去了固態(tài)雜質(zhì)的冷卻汽氣混合氣，壓力為0.2～0.25MPa，溫度為50～90℃，被送入汽氣混合氣分離系統(tǒng)（CDI-3）。在該系統(tǒng)內(nèi)，汽氣混合氣中的氯硅烷被冷凝分離出來，送入三氯氫硅儲(chǔ)槽（氯硅烷儲(chǔ)槽），然后被送往三氯氫硅提純工序粗精餾部分的一級(jí)精餾塔。同時(shí)，氫氣和氯化氫氣體也從CDI-3系統(tǒng)中分離出來，兩種氣體分別被送回氯化氫合成工序的氫氣緩沖罐和氯化氫緩沖罐，循環(huán)用于氯化氫合成和三氯氫硅合成。鼓泡塔底引出的含四氯化硅、三氯氫硅、聚氯硅烷、硅渣和其它雜質(zhì)的液體，被泵送至三氯氫硅提純工序粗精餾部分六級(jí)精餾塔。貯存于四氯化硅儲(chǔ)槽的四氯化硅，由泵送至濕氫處理塔和鼓泡塔頂，用作濕法除塵的洗滌液。（3）氯硅烷提純工序三氯氫硅提純工序本工序分為前后兩個(gè)部分，其主要功能為：1）粗提純部分：用多級(jí)精餾和濕氮處理的方法，從由三氯氫硅合成工序制得的氯硅烷冷凝液中提取初步精制的三氯氫硅；2）精提純部分：a.用濕氮處理和多級(jí)精餾的方法，將粗提純部分制得的三氯氫硅進(jìn)一步精制，得到多晶硅級(jí)的精制三氯氫硅；b.從多晶硅制取工序返回的氯硅烷冷凝液中分離出循環(huán)使用的多晶硅級(jí)的精制三氯氫硅；c.從四氯化硅氫化工序返回的氯硅烷混合冷凝液中分離出多晶硅級(jí)的精制三氯氫硅和用于循環(huán)加氫的精制四氯化硅。1）．粗提純部分粗提純部分流程由七級(jí)精餾塔組成，其中，一級(jí)、七級(jí)為單系列生產(chǎn)線，二級(jí)至六級(jí)為雙系列生產(chǎn)線。A.一級(jí)精餾——四氯化硅與三氯氫硅的分離一級(jí)精餾塔為篩板式。塔底再沸器用0.3MPa的蒸汽加熱，塔頂冷凝器用循環(huán)冷卻水冷卻。貯存于三氯氫硅合成工序儲(chǔ)槽中的氯硅烷，用計(jì)量泵輸送，經(jīng)一級(jí)進(jìn)料預(yù)熱器預(yù)熱，送入一級(jí)精餾塔。塔頂餾出含有低沸點(diǎn)和高沸點(diǎn)雜質(zhì)的三氯氫硅冷凝液，經(jīng)一級(jí)冷凝液槽，靠位差流去二級(jí)1#精餾再沸器（蒸餾釜）。從塔頂冷凝器排出的廢氣，與二級(jí)1#、2#塔頂冷凝器排出的廢氣一起，經(jīng)1#尾氣冷凝器，用-15℃的鹽水冷卻，進(jìn)一步冷凝其中的氯硅烷，冷凝液靠位差流入二級(jí)三氯氫硅槽。塔底釜液為含雜質(zhì)的四氯化硅，排入貯槽，再用計(jì)量泵送入七級(jí)精餾塔進(jìn)行凈化。B.二級(jí)精餾——濕氮處理，脫除三氯氫硅中雜質(zhì)的反應(yīng)精餾二級(jí)反應(yīng)精餾，是通過用濕潤(rùn)的氮對(duì)三氯氫硅的處理，把其中易于水解的雜質(zhì)化合物轉(zhuǎn)化成難于揮發(fā)的形態(tài)，以便用精餾的方法除去。二級(jí)反應(yīng)精餾各臺(tái)精餾塔均為篩板式。塔底再沸器用0.6MPa的蒸汽加熱，塔頂冷凝器用循環(huán)冷卻水冷卻。a．二級(jí)一段反應(yīng)精餾一級(jí)精餾塔頂餾出的，含有低沸點(diǎn)和高沸點(diǎn)雜質(zhì)的三氯氫硅冷凝液不斷送入二級(jí)1#精餾塔的再沸器。同時(shí)，從塔底供入來自氮?dú)饧訚衿鞯臐駶?rùn)氮?dú)鈱?duì)塔內(nèi)工藝物料進(jìn)行處理。塔頂餾出三氯氫硅冷凝液，經(jīng)槽，靠位差流入二級(jí)2#精餾塔（二段反應(yīng)精餾）的再沸器，進(jìn)行二段反應(yīng)精餾。出二級(jí)1#精餾塔底含懸浮物的釜液，排入貯槽，泵送入六級(jí)進(jìn)料液槽b．二級(jí)二段反應(yīng)精餾一段反應(yīng)精餾塔頂餾出的三氯氫硅冷凝液經(jīng)二段反應(yīng)精餾再沸器，蒸入二級(jí)2#精餾塔內(nèi)，同時(shí)從塔底供入來自氮?dú)饧訚衿鞯臐駶?rùn)氮?dú)鈱?duì)塔內(nèi)工藝物料作進(jìn)一步處理。塔頂餾出三氯氫硅冷凝液，經(jīng)緩沖槽，靠位差流入沉淀槽。出二級(jí)2#精餾塔底含懸浮物的釜液，排入釜液槽，泵送入六級(jí)進(jìn)料液槽。所有二級(jí)1#、2#精餾冷凝器排出的廢氣，與一級(jí)精餾冷凝器排出的廢氣一起，經(jīng)1#尾氣冷凝器冷凝回收三氯氫硅后，送去廢氣凈化和蒸餾釜?dú)堃禾幚砉ば?。c．三氯氫硅的沉淀二級(jí)二段精餾的餾出物進(jìn)入沉淀槽，三氯氫硅冷凝液在此靜置8晝夜。此間，水解產(chǎn)生的難于揮發(fā)的化合物和細(xì)分散固相逐漸沉降或沉淀下來。靜置結(jié)束后，用泵把三氯氫硅清液從沉淀槽槽頂區(qū)域引出，連續(xù)送入三級(jí)精餾塔，以脫除三氯氫硅中的低沸點(diǎn)雜質(zhì)；從沉淀槽底部引出的、含有難揮發(fā)化合物和細(xì)分散雜質(zhì)沉淀物的液體，泵送入六級(jí)進(jìn)料液槽。C.三級(jí)精餾——三氯氫硅中低沸點(diǎn)雜質(zhì)的脫除三級(jí)精餾目的是脫除三氯氫硅中的低沸點(diǎn)雜質(zhì)。三級(jí)精餾塔為篩板式。塔底再沸器用0.3MPa的蒸汽加熱，塔頂冷凝器用循環(huán)冷卻水冷卻。從沉淀槽的泵送來的三氯氫硅清液，經(jīng)三級(jí)進(jìn)料預(yù)熱器，連續(xù)送入三級(jí)精餾塔。塔頂餾出含有二氯硅烷和三氯氫硅的冷凝液，經(jīng)三級(jí)冷凝液槽，靠位差流去二級(jí)三氯氫硅槽。從塔頂冷凝器排出的廢氣，與六、七級(jí)塔頂冷凝器排出的廢氣一起，經(jīng)3#尾氣冷凝器，用-15℃的鹽水冷卻，進(jìn)一步冷凝其中的氯硅烷，冷凝液靠位差流入二級(jí)三氯氫硅槽。廢氣去廢氣凈化和蒸餾釜?dú)堃禾幚砉ば颉Ｋ赘簽槿葰涔?，排入釜液槽，再用?jì)量泵送入四級(jí)精餾塔。D.四級(jí)、五級(jí)精餾——三氯氫硅中高沸點(diǎn)雜質(zhì)的脫除四級(jí)、五級(jí)精餾目的是分兩段脫除三氯氫硅中的高沸點(diǎn)雜質(zhì)。從三級(jí)釜液槽泵送來的三氯氫硅，送入四級(jí)精餾塔。四級(jí)塔頂餾出的三氯氫硅冷凝液，經(jīng)四級(jí)冷凝液槽，靠位差流去五級(jí)精餾塔，進(jìn)行脫除高沸點(diǎn)雜質(zhì)的第二階段。五級(jí)塔頂餾出的三氯氫硅冷凝液送入4個(gè)五級(jí)冷凝液槽之一。一個(gè)貯槽注滿后，分析三氯氫硅是否符合工業(yè)級(jí)三氯氫硅對(duì)雜質(zhì)含量的要求。在分析有效的情況下，工業(yè)級(jí)精制的三氯氫硅從貯槽靠位差流去本工序的精提純部分。四級(jí)、五級(jí)塔釜排出的含有高沸點(diǎn)雜質(zhì)的三氯氫硅，排入釜液槽，再用計(jì)量泵送入二級(jí)三氯氫硅槽。從四級(jí)、五級(jí)塔頂冷凝器排出的廢氣，一起經(jīng)2#尾氣冷凝器，用-15℃的鹽水冷卻，進(jìn)一步冷凝其中的氯桂烷，冷凝液靠位差流入二級(jí)三氯氫硅槽。廢氣去廢氣凈化和蒸餾釜?dú)堃禾幚砉ば?。E.六級(jí)精餾——四氯化硅和三氯氫硅中氯硅烷聚合物和固體顆粒的分離六級(jí)精餾目的是處理以下各股物料的混合物，以分離其中的聚氯硅烷和固體顆粒：a．來自二級(jí)精餾塔釜含懸浮物的三氯氫硅液體；b．來自二級(jí)精餾沉淀槽底，含沉淀物的三氯氫硅液體；c．來自七級(jí)精餾塔釜，含高沸點(diǎn)組分的四氯化硅液體；d．來自三氯氫硅合成工序鼓泡蒸餾釜，含硅粉和聚氯硅烷的四氯化硅液體。以上物料先進(jìn)入貯槽，然后用泵輸送，經(jīng)進(jìn)料預(yù)熱器，進(jìn)入六級(jí)精餾塔六級(jí)精餾塔為篩板式。塔底再沸器用0.6MPa的蒸汽加熱，塔頂冷凝器用循環(huán)冷卻水冷卻。塔頂餾出物為四氯化硅，經(jīng)六級(jí)冷凝液槽，靠位差流入三氯氫硅合成工序的四氯化硅儲(chǔ)槽，進(jìn)而泵送至濕氫處理塔和鼓泡塔頂部，用作濕法除塵的洗滌液。塔底釜液為含有氯硅烷聚合物和固體雜質(zhì)的氯硅烷，排入釜液槽，再用計(jì)量泵送至廢氣凈化和蒸餾釜?dú)堃禾幚砉ば颉乃斃淠髋懦龅膹U氣，與三級(jí)、七級(jí)塔頂冷凝器排出的廢氣一起，經(jīng)3#尾氣冷凝器，用-15℃的鹽水冷卻，進(jìn)一步冷凝其中的氯桂烷，冷凝液靠位差流入二級(jí)三氯氫硅槽。廢氣凈化和蒸餾釜?dú)堃禾幚砉ば?。F.七級(jí)精餾——四氯化硅的凈化七級(jí)精餾目的是脫除來自一級(jí)塔釜的四氯化硅中的高沸點(diǎn)雜質(zhì)。七級(jí)精餾塔為篩板式。塔底再沸器用0.6MPa的蒸汽加熱，塔頂冷凝器用循環(huán)冷卻水冷卻。塔頂餾出物為四氯化硅，流入七級(jí)冷凝液槽，貯槽注滿后，分析四氯化硅是否符合要求，然后靠位差流去白炭黑裝置用作原料。塔底釜液為含高沸點(diǎn)雜質(zhì)的四氯化硅，排入釜液槽，再用計(jì)量泵送至六級(jí)進(jìn)料槽。從塔頂冷凝器排出的廢氣，與三級(jí)、六級(jí)塔頂冷凝器排出的廢氣一起，經(jīng)3#尾氣冷凝器，用-15℃的鹽水冷卻，進(jìn)一步冷凝其中的氯桂烷，冷凝液靠位差流入F二級(jí)三氯氫硅槽。廢氣去廢氣凈化和蒸餾釜?dú)堃禾幚砉ば?）精提純部分精提純部分的主要設(shè)置為6精餾塔。A.精餾2塔——三氯氫硅中高沸點(diǎn)雜質(zhì)的脫除從粗精餾工序五級(jí)塔頂餾出的三氯氫硅，靠位差流入精餾2塔的進(jìn)料塔板，在此進(jìn)行最終脫除三氯氫硅中的高沸點(diǎn)雜質(zhì)的過程。塔頂餾出物為去除了高、低沸點(diǎn)雜質(zhì)的精制三氯氫硅，經(jīng)用-15℃鹽水冷卻的2塔冷凝液過冷器，流入2塔冷凝液槽，經(jīng)分析符合多晶硅生產(chǎn)的質(zhì)量要求后，靠位差流去多晶硅制取工序。塔底釜液為含高沸點(diǎn)雜質(zhì)的三氯氫硅，經(jīng)釜液槽，用計(jì)量泵送至二級(jí)三氯氫硅槽。從塔頂冷凝器排出的廢氣，與3塔塔頂冷凝器排出的廢氣一起，經(jīng)4#尾氣冷凝器，用-15℃的鹽水冷卻，進(jìn)一步冷凝其中的三氯氫硅，冷凝液靠位差流入貯槽。廢氣去廢氣凈化和蒸餾釜?dú)堃禾幚砉ば?。B.精餾3塔——多晶硅還原后氯硅烷冷凝液的除氣和分離塔底再沸器用0.3MPa的蒸汽加熱，塔頂冷凝器用循環(huán)冷卻水冷卻。多晶硅還原后的氯硅烷冷凝液進(jìn)入貯槽，用泵輸送，經(jīng)3塔進(jìn)料預(yù)熱器進(jìn)入精餾3塔的進(jìn)料塔板。塔頂餾出物為三氯氫硅，經(jīng)3塔冷凝液槽，靠位差流入精餾4塔。塔底釜液為四氯化硅，送入3塔釜液槽。經(jīng)分析符合質(zhì)量要求后，用泵將其部分產(chǎn)品送入貯槽，然后送去四氯化硅加氫；部分送往白碳黑裝置用作原料。從塔頂冷凝器排出的廢氣，與2塔塔頂冷凝器排出的廢氣一起，經(jīng)4#尾氣冷凝器，用-15℃的鹽水冷卻，進(jìn)一步冷凝其中的三氯氫硅，冷凝液靠位差流入槽。廢氣去廢氣凈化和蒸餾釜?dú)堃禾幚砉ば?。C.精餾4塔——循環(huán)三氯氫硅中高沸點(diǎn)雜質(zhì)的脫除塔底再沸器用0.3MPa的蒸汽加熱，塔頂冷凝器用循環(huán)冷卻水冷卻。從精餾3塔塔頂餾出三氯氫硅，流入精餾4塔的進(jìn)料塔板塔頂餾出物，是精制的循環(huán)三氯氫硅，將其送入4塔冷凝液槽。經(jīng)分析符合質(zhì)量要求后，精制三氯氫硅靠位差循環(huán)流回多晶硅制取工序。塔底釜液是含有高沸點(diǎn)餾份的三氯氫硅，將其送入4塔釜液槽。經(jīng)分析符合質(zhì)量要求后，用泵送二級(jí)三氯氫硅槽。從塔頂冷凝器排出的廢氣，經(jīng)5#尾氣冷凝器，用-15℃的鹽水冷卻，進(jìn)一步冷凝其中的三氯氫硅，冷凝液靠位差流入貯槽。廢氣去廢氣凈化和蒸餾釜?dú)堃禾幚砉ば颉.精餾5塔——四氯化硅氫化后氯硅烷冷凝液的分離塔底再沸器用0.3MPa的蒸汽加熱，塔頂冷凝器用循環(huán)冷卻水冷卻。四氯化硅氫化后的氯硅烷冷凝液，送入氫化氯硅烷貯槽，再用泵輸送，經(jīng)5塔進(jìn)料預(yù)熱器連續(xù)送往精餾5塔的進(jìn)料塔板。塔頂?shù)酿s出物是三氯氫硅，經(jīng)5塔冷凝液槽將其連續(xù)送往精餾6塔，供進(jìn)一步凈化處理。塔底釜液是含有高沸點(diǎn)雜質(zhì)的四氯化硅，將其送入5塔釜液槽，再用泵將其連續(xù)送往精餾7塔的進(jìn)料塔板。從塔頂冷凝器排出的廢氣，與6塔、7塔塔頂冷凝器排出的廢氣一起，經(jīng)6#尾氣冷凝器，用-15℃的鹽水冷卻，進(jìn)一步冷凝其中的氯硅烷，冷凝液靠位差流入5塔釜液槽。廢氣廢氣凈化和蒸餾釜?dú)堃禾幚砉ば颉.精餾6塔——三氯氫硅中高沸點(diǎn)雜質(zhì)的脫除塔底再沸器用0.3MPa的蒸汽加熱，塔頂冷凝器用循環(huán)冷卻水冷卻。5塔塔頂餾出的三氯氫硅連續(xù)輸送到精餾6塔的進(jìn)料塔板。塔頂餾出物為精制三氯氫硅，流入用-15℃的鹽水冷卻的6塔冷凝液槽，經(jīng)分析符合多晶硅生產(chǎn)的質(zhì)量要求后，靠位差流去多晶硅制取工序。塔底釜液四氯硅烷，將其送入用-15℃的鹽水冷卻的6塔釜液槽。經(jīng)分析符合質(zhì)量要求后，用泵將其送往白碳黑裝置用作原料。從塔頂冷凝器排出的廢氣，與5塔、7塔塔頂冷凝器排出的廢氣一起，經(jīng)6#尾氣冷凝器，用-15℃的鹽水冷卻，進(jìn)一步冷凝其中的氯硅烷，冷凝液靠位差流入5塔釜液槽。廢氣廢氣凈化和蒸餾釜?dú)堃禾幚砉ば?。F.精餾7塔——四氯硅烷中高沸點(diǎn)雜質(zhì)的脫除塔底再沸器用0.3MPa的蒸汽加熱，塔頂冷凝器用循環(huán)冷卻水冷卻。從精餾5塔來的釜液為含高沸點(diǎn)雜質(zhì)的四氯化硅，被不斷地輸送到精餾6塔的進(jìn)料塔板。塔頂餾出物是精制的循環(huán)四氯化硅，將其送入7塔冷凝液槽，經(jīng)分析符合質(zhì)量要求后，靠位差流入循環(huán)四氯化硅貯槽，然后用泵送回四氯化硅氫化工序加氫。塔底釜液是含有高沸雜質(zhì)的四氯硅烷，將其輸送到7塔釜液槽，然后用泵送至白碳黑裝置用作原料。從塔頂冷凝器排出的廢氣，與5塔、6塔塔頂冷凝器排出的廢氣一起，經(jīng)6#尾氣冷凝器，用-15℃的鹽水冷卻，進(jìn)一步冷凝其中的氯硅烷，冷凝液靠位差流入5塔釜液槽。廢氣去廢氣凈化和蒸餾釜?dú)堃禾幚砉ば颉?）廢氣凈化和蒸餾釜?dú)堃禾幚砉ば駻．廢氣凈化三氯氫硅提純工序各精餾塔頂排放的含氯硅烷、氮?dú)獾膹U氣，及含氯硅烷、氫氣、氮?dú)?、氯化氫的多晶硅還原爐置換吹掃氣和多晶硅還原爐事故排放氣，被送進(jìn)尾氣洗滌塔，用10%石灰水洗滌，廢氣中的氯硅烷（以SiHCl3為例）和氯化氫與石灰水中的CaO發(fā)生以下反應(yīng)而被除去：SiHCl3+3H2O=H2SiO3+3HCl+H2H2SiO3+CaO=CaSiO3+H2O2HCl+CaO=CaCl2+H2O出塔底洗滌液用泵送入帶攪拌的石灰漿液槽，隨后用泵送回尾氣洗滌塔頂循環(huán)使用。當(dāng)槽內(nèi)的石灰漿濃度下降至2%時(shí)，將含有CaCl2、CaSiO3和未反應(yīng)CaO的部分液體抽出送往工藝廢料處理工序處理，隨即向槽內(nèi)補(bǔ)充新鮮石灰漿。B．蒸餾釜?dú)堃禾幚碓谌葰涔韬铣蛇^程中，除了生成三氯氫硅的主反應(yīng)外，同時(shí)發(fā)生生成最高級(jí)的硅的氯化物——聚氯硅烷合物的反應(yīng)。聚氯硅烷合物是一種易燃、易爆的物質(zhì)。這些化合物將會(huì)在三氯氫硅提純工序的精餾塔底部被濃縮，這樣將會(huì)大大提高它們的易燃性，故需定期從相關(guān)的精餾塔底部，主要是從六級(jí)精鎦塔底部，排出一定量的主要含有四氯化硅和聚氯硅烷合物的液體并送到本工序加以處理。另外，裝置停車放凈的氯硅烷液體也需送入本工序。需要處理的液體被送入殘液收集槽。然后用氮?dú)鈱⒁后w壓出，送進(jìn)灌注有10%石灰水的殘液處理槽的液下。通過不停地?cái)嚢瑁瑥U液中的氯硅烷與CaO發(fā)生如下反應(yīng)而被轉(zhuǎn)化成無害的物質(zhì)：SiCl4+2CaO+2H2O=H4SiO4+2CaCl22Si2OCl6+6CaO+8H2O=4H4SiO4+6CaCl22Si2Cl5H+5CaO+11H2O=4H4SiO4+5CaCl2+H2Si2Cl6+3CaO+5H2O=2H4SiO4+3CaCl2+H2H4SiO4=SiO2+2H2OH4SiO4+CaO=CaSiO3+2H2O經(jīng)過規(guī)定時(shí)間的處理，用泵從槽底抽出含H4SiO4、CaCl2、CaO的液體，送往工藝廢料處理工序。

（4）多晶硅工序

多晶硅工序分為兩個(gè)部分：1）多晶硅還原工序2）四氯化硅氫化工序。

1）多晶硅還原工序

多晶硅是由三氯氫硅氫還原制取。這一工序共設(shè)置18臺(tái)還原爐，配置為：6套俄羅斯還原爐+12套德國(guó)MSA還原爐。來自三氯氫硅提純工序的精制三氯氫硅，進(jìn)入到用熱水加熱的三氯氫硅汽化器，由CDI-1汽氣混合氣分離系統(tǒng)分離出的循環(huán)氫氣和補(bǔ)給的電解氫氣同樣也輸往那里。使三氯氫硅蒸汽和氫氣的汽氣混合氣以規(guī)定的流量和配比送入還原爐。在爐內(nèi)通電的高溫硅芯（硅棒）的表面，三氯氫硅被氫氣還原成晶體硅沉積于硅芯（硅棒）表面，使硅棒直徑不斷長(zhǎng)大，直至達(dá)到規(guī)定的尺寸。主要反應(yīng)式如下：2SiHCI3+(H2)Si+SiCI4+2HCI+(H2)定期開爐卸出多晶硅棒，安裝硅芯。多晶硅棒送去破碎、清洗、包裝。三氯氫硅還原反應(yīng)后，含有氫氣,三氯氫硅,四氯化硅，二氯二氫硅和氯化氫的汽氣混合氣出還原反應(yīng)爐，送往CDI-1汽氣混合氣分離系統(tǒng)，將氯硅烷、氫氣和氯化氫分離。氯硅烷送去三氯氫硅提純工序；氫氣返回三氯氫硅汽化器，循環(huán)用于三氯氫硅的還原；氯化氫送去三氯氫硅合成工序。2）四氯化硅氫化工序

為了提高原料的利用率，將從多晶硅制取后得到的氯硅烷冷凝液中精餾分離出的四氯化硅與氫氣反應(yīng)，生成三氯氫硅重新用于多晶硅的制取。四氯化硅氫化部分設(shè)置9臺(tái)氫化爐，配置為：7套俄羅斯氫化爐+2套德國(guó)MSA氫化爐。對(duì)來自三氯氫硅提純工序，對(duì)精制四氯化硅在完成必要的分析和達(dá)到規(guī)定要求之后,將其送入到用熱水加熱的四氯化硅汽化器,由CDI-1汽氣混合氣分離系統(tǒng)分離出的循環(huán)氫氣和補(bǔ)給的電解氫氣同樣也輸往那里。四氯化硅蒸汽和氫氣的汽氣混合氣以規(guī)定的流量和配比送入氫化爐。在氫化反應(yīng)爐中，操作壓力0.6MPaG、溫度

1250℃的特殊加熱器表面上，進(jìn)行四氯化硅氫化成三氯氫硅的反應(yīng)，其反應(yīng)式如下：SiCI4+H2SiHCI3+HCI四氯化硅氫化反應(yīng)后，含有三氯氫硅,氯化氫以及未反應(yīng)的氫氣和四氯化硅的汽氣混合氣出反應(yīng)爐，送往CDI-2汽氣混合氣分離系統(tǒng)，將氯硅烷、氫氣和氯化氫分離。氯硅烷送去三氯氫硅提純工序；氫氣返回四氯化硅汽化器，循環(huán)用于四氯化硅的氫化；氯化氫送去三氯氫硅合成工序。電解制氫工序水電解制氫崗位有四臺(tái)ZDQ250/1.6型電解制氫設(shè)備，每臺(tái)產(chǎn)H2250Nm3/H。有一臺(tái)1000Nm3/h的純化裝置。原料水（純水）送入原料水箱，通過部水泵進(jìn)入氫氧綜合塔，再由氫氧分離器下部管道進(jìn)堿液循環(huán)泵、堿液過濾器等最終進(jìn)入電解槽，在直流電作用下電解產(chǎn)生氫氣和氧氣。氫氧氣分別經(jīng)管道進(jìn)入堿液冷卻器冷卻、氫氧分離器分離、洗滌器洗滌，進(jìn)入汽水分離器，水分經(jīng)排水管排出。氧氣放空。氫氣從氫氣綜合塔處理后進(jìn)入汽水分離器，氫氣經(jīng)調(diào)節(jié)閥輸出，進(jìn)入10M3粗氫緩沖罐。粗氫進(jìn)入純化裝置進(jìn)行純化，純化后的高純度氫氣進(jìn)入兩個(gè)20M3儲(chǔ)氫罐。高純氫氣儲(chǔ)罐出口匯總到氫氣總管送往用氣點(diǎn)（1.4MPa）工藝廢料處理工序1）廢料來源本工序主要處理從多晶硅制取工序、三氯氫硅合成工序、三氯氫硅提純工序以及質(zhì)量控制化驗(yàn)室出來的污水和固體廢硅渣。本工序有三個(gè)工序：Ⅰ類廢水處理工序；Ⅱ類廢水處理工序；廢硅渣處理工序。污水和晶硅廢物量及成分

污水根據(jù)其化學(xué)成分可分為兩類：

A.I類污水有兩種類型的I類工藝廢水將進(jìn)行凈化：a.三氯氫硅提純工序氣體凈化過程中產(chǎn)生的酸性廢水，及三氯氫硅合成工序廢氣凈化過程中產(chǎn)生的堿性廢水；b.三氯氫硅提純工序沖洗精餾塔及晶硅固體廢渣處理過程中產(chǎn)生的酸性廢水。B.Ⅱ類污水主要是來自多晶硅制取工序和質(zhì)量控制化驗(yàn)室的含氟污水，其組分中有氫氟酸、硝酸、硫酸、苛性鉀等。

Ⅰ類廢水處理工序

a.Ⅰ類廢水將送到帶攪拌器的中和罐內(nèi)，進(jìn)行中和。根據(jù)罐內(nèi)廢水的酸堿度用計(jì)量泵加入31.5%的鹽酸溶液或10%的石灰乳懸浮液，使pH值保持在6.5～8.5之間。按照操作人員的指令向空中和罐內(nèi)加入廢水，計(jì)算機(jī)將自行計(jì)算出計(jì)量泵的工作時(shí)間，使罐內(nèi)溶液的pH=6.5～8.5。這個(gè)過程中應(yīng)不時(shí)用pH測(cè)量?jī)x進(jìn)行檢查。溶液一旦達(dá)到必要的酸堿度，加注HC1（或石灰乳）的閥門將自動(dòng)關(guān)閉，然后計(jì)算機(jī)將發(fā)出可以進(jìn)行下一道程序—過濾的指令。已中和的廢水通過污水泵將其送到自動(dòng)壓濾機(jī)上過濾。濾液收集在濾液罐里，然后用污水泵抽到三級(jí)脫水系統(tǒng)，在脫水系統(tǒng)里蒸發(fā)，以制取67～76%的熔融氯化鈣。脫水系統(tǒng)包括管殼式熱交換器、蒸發(fā)器、轉(zhuǎn)子薄膜蒸發(fā)器、蒸汽冷凝器和水環(huán)式真空泵。熔融氯化鈣用泵送至貯罐里，然后運(yùn)輸?shù)铰然}倉(cāng)庫(kù)。二次蒸汽冷凝液收集在冷凝液收集罐里，然后通過清水泵送出，用于制備石灰乳溶液或其它工藝需要。經(jīng)壓濾機(jī)干燥后的濾渣收集在濾渣集裝箱中，然后運(yùn)到渣場(chǎng)堆埋。b.三氯氫硅工序沖洗精餾塔的廢水含氫氧化鈉、硅酸鈉和二氧化硅，將排放到帶攪拌器的Ⅰ類廢水濾液罐中，同時(shí)往該容器里添加10%的石灰乳以讓硅酸鈣沉淀。然后，污水用泵抽到自動(dòng)壓濾機(jī)上過濾，濾液收集在濾液罐里，然后用清水泵送回三氯氫硅工序供清洗精餾塔用。含硅酸鈣和微粒水化二氧化硅的濾渣收集在濾渣集裝箱中，然后運(yùn)到渣場(chǎng)堆埋。

Ⅱ類廢水處理工序

Ⅱ類含氟廢水排放到帶攪拌器的堿洗罐中，用計(jì)量泵從石灰乳罐中向堿洗罐加入10%的石灰乳進(jìn)行廢水中和。在pH值為5～6的情況下攪拌溶液45分鐘，然后再加石灰乳，直到溶液pH值達(dá)到9～11，攪拌至少15分鐘。讓懸浮液沉淀40～45分鐘后用污水泵將其輸送到自動(dòng)壓濾機(jī)進(jìn)行過濾。過濾液收集到帶攪拌器的Ⅱ類廢水中和罐內(nèi)進(jìn)行中和。濾渣收集在濾渣集裝箱中，然后運(yùn)到渣場(chǎng)堆埋。為了徹底清除懸浮物、氟化物和硫酸鹽離子，用污水泵將廢水通過緩沖罐送到鼓泡凝結(jié)器中進(jìn)行電流聚合處理。然后廢水將自流到廢液收集器和中間貯罐中，由此通過污水泵送到自動(dòng)壓濾機(jī)進(jìn)行再次過濾。過濾后的溶液的排放到濾液收集罐中，濾渣收集在濾渣集裝箱中，然后運(yùn)到渣場(chǎng)堆埋。濾液通過清水泵輸送到脫水系統(tǒng)，脫水系統(tǒng)由以下部分組成：將溶液加熱到90℃的管殼式熱交換器、將溶液脫水至硝酸鈣和硝酸鉀的濃度達(dá)到40%的兩個(gè)轉(zhuǎn)子薄膜蒸發(fā)器、進(jìn)行二次蒸汽冷凝的蒸汽冷凝器及水環(huán)式真空泵。脫水后的溶液（40%的精硝酸鈣）收集到脫水溶液罐中，可以用作肥料（鈣硝石）和植物防蟲劑。二次蒸汽冷凝液收集在冷凝液收集罐里，然后通過清水泵送出，用于制備石灰乳溶液。廢硅渣處理工序從三氯氫硅工序旋風(fēng)除塵器排放出來的粉塵狀固體廢渣及沸層反應(yīng)爐排放的廢硅渣，通過廢渣運(yùn)料槽由電動(dòng)裝料機(jī)運(yùn)送到廢渣漏斗中。固體廢渣通過漏斗又進(jìn)入到帶攪拌器的酸洗罐內(nèi)，在該罐內(nèi)通過1%的鹽酸對(duì)廢硅脫堿，硅在鹽酸中沖洗時(shí)會(huì)溶解廢硅中的鋁、鐵和鈣。鹽酸是通過計(jì)量泵從鹽酸貯罐進(jìn)入到酸洗罐內(nèi)的并其中加水稀釋到1%。淋洗過程需1～2小時(shí)，經(jīng)常攪拌和用氮?dú)獯祾?。脫堿工序完成后，通過污水泵將廢水輸送到自動(dòng)壓濾機(jī)進(jìn)行過濾。濾渣送到蒸汽振動(dòng)干燥器進(jìn)行干燥，干燥后的循環(huán)硅回到三氯氫硅工序，在三氯氫硅合成轉(zhuǎn)化時(shí)使用。過濾液收集到濾液收集罐中，并通過污水泵輸送到Ⅰ類廢水處理工序中和罐中進(jìn)行中和。排放出來的含HCl的廢氣將送往起泡器進(jìn)行凈化，通過計(jì)量泵從石灰乳貯罐加入了10%的石灰乳溶液。處理后含有氯化鈉的廢液通過污水泵輸送到Ⅰ類廢水處理工序中和罐中進(jìn)行中和。凈化后的廢氣通過風(fēng)機(jī)抽出排放。（7）整理工序（包括實(shí)驗(yàn)室檢驗(yàn)分析）硅芯生產(chǎn)采用拉制法生產(chǎn)，每臺(tái)硅芯爐拉制4根不同規(guī)格的硅芯。共配備14臺(tái)的國(guó)產(chǎn)硅芯爐，以滿足1500噸多晶硅生產(chǎn)所需要的硅芯原料。實(shí)驗(yàn)室檢驗(yàn)分析設(shè)備，為滿足生產(chǎn)電子級(jí)多晶硅生產(chǎn)的檢測(cè)要求，組建高水平的分析檢測(cè)室．（8）尾氣回收分離系統(tǒng)通過深冷技術(shù)將尾氣中的三氯氫硅、四氯化硅、二氯二氫硅、氫氣、氯化氫氣體進(jìn)行分離回用。工藝技術(shù)采用美國(guó)CDI公司的技術(shù)。尾氣干法回收系統(tǒng)流程圖MagneticResonanceImaging磁共振成像發(fā)生事件作者或公司磁共振發(fā)展史1946發(fā)現(xiàn)磁共振現(xiàn)象BlochPurcell1971發(fā)現(xiàn)腫瘤的T1、T2時(shí)間長(zhǎng)Damadian1973做出兩個(gè)充水試管MR圖像Lauterbur1974活鼠的MR圖像Lauterbur等1976人體胸部的MR圖像Damadian1977初期的全身MR圖像

Mallard1980磁共振裝置商品化1989

0.15T永磁商用磁共振設(shè)備中國(guó)安科

2003諾貝爾獎(jiǎng)金LauterburMansfierd時(shí)間MR成像基本原理實(shí)現(xiàn)人體磁共振成像的條件:人體內(nèi)氫原子核是人體內(nèi)最多的物質(zhì)。最易受外加磁場(chǎng)的影響而發(fā)生磁共振現(xiàn)象(沒有核輻射)有一個(gè)穩(wěn)定的靜磁場(chǎng)（磁體）梯度場(chǎng)和射頻場(chǎng)：前者用于空間編碼和選層，后者施加特定頻率的射頻脈沖，使之形成磁共振現(xiàn)象信號(hào)接收裝置：各種線圈計(jì)算機(jī)系統(tǒng)：完成信號(hào)采集、傳輸、圖像重建、后處理等

人體內(nèi)的H核子可看作是自旋狀態(tài)下的小星球。自然狀態(tài)下，H核進(jìn)動(dòng)雜亂無章，磁性相互抵消zMyx進(jìn)入靜磁場(chǎng)后，H核磁矩發(fā)生規(guī)律性排列（正負(fù)方向），正負(fù)方向的磁矢量相互抵消后，少數(shù)正向排列（低能態(tài)）的H核合成總磁化矢量M，即為MR信號(hào)基礎(chǔ)ZZYYXB0XMZMXYA:施加90度RF脈沖前的磁化矢量MzB:施加90度RF脈沖后的磁化矢量Mxy.并以Larmor頻率橫向施進(jìn)C:90度脈沖對(duì)磁化矢量的作用。即M以螺旋運(yùn)動(dòng)的形式傾倒到橫向平面ABC在這一過程中，產(chǎn)生能量

三、弛豫（Relaxation）回復(fù)“自由”的過程

1.

縱向弛豫（T1弛豫）：

M0（MZ）的恢復(fù)，“量變”高能態(tài)1H→低能態(tài)1H自旋—晶格弛豫、熱弛豫

吸收RF光子能量（共振）低能態(tài)1H高能態(tài)1H

放出能量（光子，MRS）T1弛豫時(shí)間：

MZ恢復(fù)到M0的2/3所需的時(shí)間

T1愈小、M0恢復(fù)愈快T2弛豫時(shí)間：MXY喪失2/3所需的時(shí)間；T2愈大、同相位時(shí)間長(zhǎng)MXY持續(xù)時(shí)間愈長(zhǎng)MXY與ST1加權(quán)成像、T2加權(quán)成像

所謂的加權(quán)就是“突出”的意思

T1加權(quán)成像（T1WI）----突出組織T1弛豫（縱向弛豫）差別

T2加權(quán)成像（T2WI）----突出組織T2弛豫（橫向弛豫）差別。

磁共振診斷基于此兩種標(biāo)準(zhǔn)圖像磁共振常規(guī)h檢查必掃這兩種標(biāo)準(zhǔn)圖像.T1的長(zhǎng)度在數(shù)百至數(shù)千毫秒（ms）范圍T2值的長(zhǎng)度在數(shù)十至數(shù)千毫秒（ms）范圍

在同一個(gè)馳豫過程中,T2比T1短得多

如何觀看MR圖像：首先我們要分清圖像上的各種標(biāo)示。分清掃描序列、掃描部位、掃描層面。正?；虍惓５乃诓课?--即在同一層面觀察、分析T1、T2加權(quán)像上信號(hào)改變。絕大部分病變T1WI是低信號(hào)、T2WI是高信號(hào)改變。只要熟悉掃描部位正常組織結(jié)構(gòu)的信號(hào)表現(xiàn)，通常病變與正常組織不會(huì)混淆。一般的規(guī)律是T1WI看解剖,T2WI看病變。磁共振成像技術(shù)－－圖像空間分辨力，對(duì)比分辨力一、如何確定MRI的來源（一）層面的選擇1.MXY產(chǎn)生（1H共振）條件

RF=ω=γB02.梯度磁場(chǎng)Z（GZ）

GZ→B0→ω

不同頻率的RF

特定層面1H激勵(lì)、共振

3.層厚的影響因素

RF的帶寬↓

GZ的強(qiáng)度↑層厚↓〈二〉體素信號(hào)的確定1、頻率編碼2、相位編碼

M0↑--GZ、RF→相應(yīng)層面MXY----------GY→沿Y方向1H有不同ω

各1H同相位MXY旋進(jìn)速度不同同頻率一定時(shí)間后→→GX→沿X方向1H有不同ω沿Y方向不同1H的MXYMXY旋進(jìn)頻率不同位置不同（相位不同）〈三〉空間定位及傅立葉轉(zhuǎn)換

GZ----某一層面產(chǎn)生MXYGX----MXY旋進(jìn)頻率不同

GY----MXY旋進(jìn)相位不同（不影響MXY大?。?/p>

↓某一層面不同的體素，有不同頻率、相位

MRS（FID）第三節(jié)、磁共振檢查技術(shù)檢查技術(shù)產(chǎn)生圖像的序列名產(chǎn)生圖像的脈沖序列技術(shù)名TRA、COR、SAGT1WT2WSETR、TE…….梯度回波FFE快速自旋回波FSE壓脂壓水MRA短TR短TE－－T1W長(zhǎng)TR長(zhǎng)TE－－T2W增強(qiáng)MR最常用的技術(shù)是：多層、多回波的SE（spinecho，自旋回波）技術(shù)磁共振掃描時(shí)間參數(shù)：TR、TE磁共振掃描還有許多其他參數(shù)：層厚、層距、層數(shù)、矩陣等序列常規(guī)序列自旋回波（SE）,快速自旋回波（FSE）梯度回波（FE）反轉(zhuǎn)恢復(fù)（IR），脂肪抑制（STIR）、水抑制（FLAIR）高級(jí)序列水成像（MRCP,MRU,MRM）血管造影（MRA,TOF2D/3D）三維成像（SPGR）彌散成像（DWI）關(guān)節(jié)運(yùn)動(dòng)分析是一種成像技術(shù)而非掃描序列自旋回波（SE）必掃序列圖像清晰顯示解剖結(jié)構(gòu)目前只用于T1加權(quán)像快速自旋回波（FSE）必掃序列成像速度快多用于T2加權(quán)像梯度回波（GE）成像速度快對(duì)出血敏感T2加權(quán)像水抑制反轉(zhuǎn)恢復(fù)（IR）水抑制（FLAIR）抑制自由水梗塞灶顯示清晰判斷病灶成份脂肪抑制反轉(zhuǎn)恢復(fù)（IR）脂肪抑制（STIR）抑制脂肪信號(hào)判斷病灶成分其它組織顯示更清晰血管造影（MRA）無需造影劑TOF法PC法MIP投影動(dòng)靜脈分開顯示水成像（MRCP，MRU，MRM）含水管道系統(tǒng)成像膽道MRCP泌尿路MRU椎管MRM主要用于診斷梗阻擴(kuò)張超高空間分辨率掃描任意方位重建窄間距重建技術(shù)大大提高對(duì)小器官、小病灶的診斷能力三維梯度回波（SPGR） 早期診斷腦梗塞

彌散成像MRI的設(shè)備一、信號(hào)的產(chǎn)生、探測(cè)接受1.磁體（Magnet）:靜磁場(chǎng)B0（Tesla,T）→組織凈磁矩M0

永磁型（permanentmagnet）常導(dǎo)型（resistivemagnet）超導(dǎo)型（superconductingmagnet）磁體屏蔽（magnetshielding）2.梯度線圈（gradientcoil）:

形成X、Y、Z軸的磁場(chǎng)梯度功率、切換率3.射頻系統(tǒng)（radio-frequencesystem，RF）

MR信號(hào)接收二、信號(hào)的處理和圖象顯示數(shù)模轉(zhuǎn)換、計(jì)算機(jī)，等等；MRI技術(shù)的優(yōu)勢(shì)1、軟組織分辨力強(qiáng)（判斷組織特性）2、多方位成像3、流空效應(yīng)（顯示血管）4、無骨骼偽影5、無電離輻射，無碘過敏6、不斷有新的成像技術(shù)MRI技術(shù)的禁忌證和限度1.禁忌證

體內(nèi)彈片、金屬異物各種金屬置入：固定假牙、起搏器、血管夾、人造關(guān)節(jié)、支架等危重病人的生命監(jiān)護(hù)系統(tǒng)、維持系統(tǒng)不能合作病人，早期妊娠，高熱及散熱障礙2.其他鈣化顯示相對(duì)較差空間分辨較差（體部，較同等CT）費(fèi)用昂貴多數(shù)MR機(jī)檢查時(shí)間較長(zhǎng)1.病人必須去除一切金屬物品，最好更衣，以免金屬物被吸入磁體而影響磁場(chǎng)均勻度，甚或傷及病人。2.掃描過程中病人身體（皮膚）不要直接觸碰磁體內(nèi)壁及各種導(dǎo)線，防止病人灼傷。3.紋身（紋眉）、化妝品、染發(fā)等應(yīng)事先去掉，因其可能會(huì)引起灼傷。4.病人應(yīng)帶耳塞，以防聽力損傷。掃描注意事項(xiàng)顱腦MRI適應(yīng)癥顱內(nèi)良惡性占位病變腦血管性疾病梗死、出血、動(dòng)脈瘤、動(dòng)靜脈畸形（AVM）等顱腦外傷性疾病腦挫裂傷、外傷性顱內(nèi)血腫等感染性疾病腦膿腫、化膿性腦膜炎、病毒性腦炎、結(jié)核等脫髓鞘性或變性類疾病多發(fā)性硬化（MS）等先天性畸形胼胝體發(fā)育不良、小腦扁桃體下疝畸形等脊柱和脊髓MRI適應(yīng)證1.腫瘤性病變椎管類腫瘤（髓內(nèi)、髓外硬膜內(nèi)、硬膜外），椎骨腫瘤（轉(zhuǎn)移性、原發(fā)性）2.炎癥性疾病脊椎結(jié)核、骨髓炎、椎間盤感染、硬膜外膿腫、蛛網(wǎng)膜炎、脊髓炎等3.外傷骨折、脫位、椎間盤突出、椎管內(nèi)血腫、脊髓損傷等4.脊柱退行性變和椎管狹窄癥椎間盤變性、膨隆、突出、游離，各種原因椎管狹窄，術(shù)后改變，5.脊髓血管畸形和血管瘤6.脊髓脫髓鞘疾?。ㄈ鏜S），脊髓萎縮7.先天性畸形胸部MRI適應(yīng)證呼吸系統(tǒng)對(duì)縱隔及肺門區(qū)病變顯示良好，對(duì)肺部結(jié)構(gòu)顯示不如CT。胸廓入口病變及其上下比鄰關(guān)系縱隔腫瘤和囊腫及其與大血管的關(guān)系其他較CT無明顯優(yōu)越性心臟及大血管大血管病變各類動(dòng)脈瘤、腔靜脈血栓等心臟及心包腫瘤，心包其他病變其他（如先心、各種心肌病等）較超聲心動(dòng)圖無優(yōu)勢(shì)，應(yīng)用不廣腹部MRI適應(yīng)證主要用于部分實(shí)質(zhì)性器官的腫瘤性病變肝腫瘤性病變，提供鑒別信息胰腺腫瘤，有利小胰癌、胰島細(xì)胞癌顯示宮頸、宮體良惡性腫瘤及分期等，先天畸形腫瘤的定位（臟器上下緣附近）、分期膽道、尿路梗阻和腫瘤，MRCP，MRU直腸腫瘤骨與關(guān)節(jié)MRI適應(yīng)證X線及CT的后續(xù)檢查手段－－鈣質(zhì)顯示差和空間分辨力部分情況可作首選：1.累及骨髓改變的骨?。ㄔ缙诠侨毖詨乃?，早期骨髓炎、骨髓腫瘤或侵犯骨髓的腫瘤）2.結(jié)構(gòu)復(fù)雜關(guān)節(jié)的損傷（膝、髖關(guān)節(jié)）3.形狀復(fù)雜部位的檢查（脊柱、骨盆等）軟件登錄界面軟件掃描界面圖像瀏覽界面膠片打印界面報(bào)告界面報(bào)告界面2合理應(yīng)用抗菌藥物預(yù)防手術(shù)部位感染概述外科手術(shù)部位感染的2/3發(fā)生在切口醫(yī)療費(fèi)用的增加病人滿意度下降導(dǎo)致感染、止血和疼痛一直是外科的三大挑戰(zhàn)，止血和疼痛目前已較好解決感染仍是外科醫(yī)生面臨的重大問題，處理不當(dāng)，將產(chǎn)生嚴(yán)重后果外科手術(shù)部位感染占院內(nèi)感染的14%～16%，僅次于呼吸道感染和泌尿道感染，居院內(nèi)感染第3位嚴(yán)重手術(shù)部位的感染——病人的災(zāi)難，醫(yī)生的夢(mèng)魘

預(yù)防手術(shù)部位感染（surgicalsiteinfection,SSI)

手術(shù)部位感染的40%–60%可以預(yù)防圍手術(shù)期使用抗菌藥物的目的外科醫(yī)生的困惑★圍手術(shù)期應(yīng)用抗生素是預(yù)防什么感染？★哪些情況需要抗生素預(yù)防？★怎樣選擇抗生素？★什么時(shí)候開始用藥？★抗生素要用多長(zhǎng)時(shí)間？定義：指發(fā)生在切口或手術(shù)深部器官或腔隙的感染分類：切口淺部感染切口深部感染器官／腔隙感染一、SSI定義和分類二、SSI診斷標(biāo)準(zhǔn)——切口淺部感染

指術(shù)后30天內(nèi)發(fā)生、僅累及皮膚及皮下組織的感染，并至少具備下述情況之一者：

1．切口淺層有膿性分泌物

2．切口淺層分泌物培養(yǎng)出細(xì)菌

3．具有下列癥狀體征之一：紅熱，腫脹，疼痛或壓痛，因而醫(yī)師將切口開放者（如培養(yǎng)陰性則不算感染）

4．由外科醫(yī)師診斷為切口淺部SSI

注意：縫線膿點(diǎn)及戳孔周圍感染不列為手術(shù)部位感染二、SSI診斷標(biāo)準(zhǔn)——切口深部感染

指術(shù)后30天內(nèi)（如有人工植入物則為術(shù)后1年內(nèi)）發(fā)生、累及切口深部筋膜及肌層的感染，并至少具備下述情況之一者：

1.切口深部流出膿液

2.切口深部自行裂開或由醫(yī)師主動(dòng)打開，且具備下列癥狀體征之一：①體溫＞38℃；②局部疼痛或壓痛

3.臨床或經(jīng)手術(shù)或病理組織學(xué)或影像學(xué)診斷，發(fā)現(xiàn)切口深部有膿腫

4.外科醫(yī)師診斷為切口深部感染

注意：感染同時(shí)累及切口淺部及深部者，應(yīng)列為深部感染

二、SSI診斷標(biāo)準(zhǔn)—器官／腔隙感染

指術(shù)后30天內(nèi)（如有人工植入物★則術(shù)后1年內(nèi)）、發(fā)生在手術(shù)曾涉及部位的器官或腔隙的感染，通過手術(shù)打開或其他手術(shù)處理，并至少具備以下情況之一者：

1.放置于器官/腔隙的引流管有膿性引流物

2.器官/腔隙的液體或組織培養(yǎng)有致病菌

3.經(jīng)手術(shù)或病理組織學(xué)或影像學(xué)診斷器官/腔隙有膿腫

4.外科醫(yī)師診斷為器官/腔隙感染

★人工植入物：指人工心臟瓣膜、人工血管、人工關(guān)節(jié)等二、SSI診斷標(biāo)準(zhǔn)—器官／腔隙感染

不同種類手術(shù)部位的器官/腔隙感染有：

腹部：腹腔內(nèi)感染（腹膜炎，腹腔膿腫）生殖道：子宮內(nèi)膜炎、盆腔炎、盆腔膿腫血管：靜脈或動(dòng)脈感染三、SSI的發(fā)生率美國(guó)1986年～1996年593344例手術(shù)中，發(fā)生SSI15523次，占2.62%英國(guó)1997年～2001年152所醫(yī)院報(bào)告在74734例手術(shù)中，發(fā)生SSI3151例，占4.22%中國(guó)？SSI占院內(nèi)感染的14～16%，僅次于呼吸道感染和泌尿道感染三、SSI的發(fā)生率SSI與部位：非腹部手術(shù)為2%～5%腹部手術(shù)可高達(dá)20%SSI與病人：入住ICU的機(jī)會(huì)增加60%再次入院的機(jī)會(huì)是未感染者的5倍SSI與切口類型：清潔傷口 1%～2%清潔有植入物 ＜5%可染傷口＜10%手術(shù)類別手術(shù)數(shù)SSI數(shù)感染率(%)小腸手術(shù)6466610.2大腸手術(shù)7116919.7子宮切除術(shù)71271722.4肝、膽管、胰手術(shù)1201512.5膽囊切除術(shù)8222.4不同種類手術(shù)的SSI發(fā)生率：三、SSI的發(fā)生率手術(shù)類別SSI數(shù)SSI類別（%）切口淺部切口深部器官/腔隙小腸手術(shù)6652.335.412.3大腸手術(shù)69158.426.315.3子宮切除術(shù)17278.813.57.6骨折開放復(fù)位12379.712.28.1不同種類手術(shù)的SSI類別：三、SSI的發(fā)生率延遲愈合疝內(nèi)臟膨出膿腫，瘺形成。需要進(jìn)一步處理這里感染將導(dǎo)致:延遲愈合疝內(nèi)臟膨出膿腫、瘺形成需進(jìn)一步處理四、SSI的后果四、SSI的后果在一些重大手術(shù)，器官/腔隙感染可占到1/3。SSI病人死亡的77%與感染有關(guān)，其中90%是器官/腔隙嚴(yán)重感染

——InfectControlandHospEpidemiol,1999,20(40:247-280SSI的死亡率是未感染者的2倍五、導(dǎo)致SSI的危險(xiǎn)因素（1）病人因素：高齡、營(yíng)養(yǎng)不良、糖尿病、肥胖、吸煙、其他部位有感染灶、已有細(xì)菌定植、免疫低下、低氧血癥五、導(dǎo)致SSI的危險(xiǎn)因素（2）術(shù)前因素：術(shù)前住院時(shí)間過長(zhǎng)用剃刀剃毛、剃毛過早手術(shù)野衛(wèi)生狀況差（術(shù)前未很好沐?。?duì)有指征者未用抗生素預(yù)防五、導(dǎo)致SSI的危險(xiǎn)因素（3）手術(shù)因素：手術(shù)時(shí)間長(zhǎng)、術(shù)中發(fā)生明顯污染置入人工材料、組織創(chuàng)傷大止血不徹底、局部積血積液存在死腔和/或失活組織留置引流術(shù)中低血壓、大量輸血刷手不徹底、消毒液使用不當(dāng)器械敷料滅菌不徹底等手術(shù)特定時(shí)間是指在大量同種手術(shù)中處于第75百分位的手術(shù)持續(xù)時(shí)間其因手術(shù)種類不同而存在差異超過T越多，SSI機(jī)會(huì)越大五、導(dǎo)致SSI的危險(xiǎn)因素（4）SSI危險(xiǎn)指數(shù)（美國(guó)國(guó)家醫(yī)院感染監(jiān)測(cè)系統(tǒng)制定）：病人術(shù)前已有≥3種危險(xiǎn)因素污染或污穢的手術(shù)切口手術(shù)持續(xù)時(shí)間超過該類手術(shù)的特定時(shí)間（T）

（或一般手術(shù)＞2h)六、預(yù)防SSI干預(yù)方法根據(jù)指南使用預(yù)防性抗菌藥物正確脫毛方法縮短術(shù)前住院時(shí)間維持手術(shù)患者的正常體溫血糖控制氧療抗菌素的預(yù)防/治療預(yù)防

在污染細(xì)菌接觸宿主手術(shù)部位前給藥治療

在污染細(xì)菌接觸宿主手術(shù)部位后給藥

防患于未然六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用127預(yù)防和治療性抗菌素使用目的：清潔手術(shù)：防止可能的外源污染可染手術(shù)：減少粘膜定植細(xì)菌的數(shù)量污染手術(shù)：清除已經(jīng)污染宿主的細(xì)菌六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用128需植入假體，心臟手術(shù)、神外手術(shù)、血管外科手術(shù)等六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用預(yù)防性抗菌素使用指征：可染傷口(Clean-contaminatedwound)污染傷口（Contaminatedwound）清潔傷口（Cleanwound）但存在感染風(fēng)險(xiǎn)六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用外科預(yù)防性抗生素的應(yīng)用：預(yù)防性抗生素對(duì)哪些病人有用?什么時(shí)候開始用藥?抗生素種類選擇?使用單次還是多次?采用怎樣的給藥途徑？六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用預(yù)防性抗菌素顯示有效的手術(shù)有：婦產(chǎn)科手術(shù)胃腸道手術(shù)(包括闌尾炎)口咽部手術(shù)腹部和肢體血管手術(shù)心臟手術(shù)骨科假體植入術(shù)開顱手術(shù)某些“清潔”手術(shù)六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用外科預(yù)防性抗生素的應(yīng)用：預(yù)防性抗生素對(duì)哪些病人有用?什么時(shí)候開始用藥?抗生素種類選擇?使用單次還是多次?采用怎樣的給藥途徑？六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用

理想的給藥時(shí)間？目前還沒有明確的證據(jù)表明最佳的給藥時(shí)機(jī)研究顯示：切皮前45～75min給藥，SSI發(fā)生率最低，且不建議在切皮前30min內(nèi)給藥影響給藥時(shí)間的因素:所選藥物的代謝動(dòng)力學(xué)特性手術(shù)中污染發(fā)生的可能時(shí)間病人的循環(huán)動(dòng)力學(xué)狀態(tài)止血帶的使用剖宮產(chǎn)細(xì)菌在手術(shù)傷口接種后的生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)

手術(shù)過程

012345671hr2hrs6hrs1day3-5days細(xì)菌數(shù)logCFU/ml六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用134術(shù)后給藥，細(xì)菌在手術(shù)傷口接種的生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)無改變

手術(shù)過程抗生素血腫血漿六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用Antibioticsinclot

手術(shù)過程

血漿中抗生素予以抗生素血塊中抗生素血漿術(shù)前給藥，可以有效抑制細(xì)菌在手術(shù)傷口的生長(zhǎng)六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用136ClassenDC,etal..NEnglJMed1992;326:281切開前時(shí)間切開后時(shí)間予以抗生素切開六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用不同給藥時(shí)間，手術(shù)傷口的感染率不同NEJM1992;326:281-6投藥時(shí)間感染數(shù)（%）相對(duì)危險(xiǎn)度(95%CI)早期（切皮前2-24h）36914(3.8%)6.7(2.9-14.7)4.3手術(shù)前（切皮前45-75min)170810(0.9%)1.0圍手術(shù)期（切皮后3h內(nèi)）2824(1.4%)2.4(0.9-7.9) 2.1手術(shù)后（切皮3h以上）48816(3.3%)5.8(2.6-12.3)

5.8全部284744(1.5%)似然比病人數(shù)六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用結(jié)論：抗生素在切皮前45-75min或麻醉誘導(dǎo)開始時(shí)給藥，預(yù)防SSI效果好138六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用切口切開后，局部抗生素分布將受阻必須在切口切開前給藥?。?！抗菌素應(yīng)在切皮前45～75min給藥六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用外科預(yù)防性抗生素的應(yīng)用：預(yù)防性抗生素對(duì)哪些病人有用?什么時(shí)候開始用藥?抗生素種類選擇?使用單次還是多次?采用怎樣的給藥途徑？有效安全殺菌劑半衰期長(zhǎng)相對(duì)窄譜廉價(jià)六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用抗生素的選擇原則：各類手術(shù)最易引起SSI的病原菌及預(yù)防用藥選擇六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用

手術(shù)最可能的病原菌預(yù)防用藥選擇膽道手術(shù)革蘭陰性桿菌，厭氧菌頭孢呋辛或頭孢哌酮或

(如脆弱類桿菌）頭孢曲松闌尾手術(shù)革蘭陰性桿菌，厭氧菌頭孢呋辛或頭孢噻肟；

(如脆弱類桿菌）＋甲硝唑結(jié)、直腸手術(shù)革蘭陰性桿菌，厭氧菌頭孢呋辛或頭孢曲松或

(如脆弱類桿菌）頭孢噻肟；＋甲硝唑泌尿外科手術(shù)革蘭陰性桿菌頭孢呋辛；環(huán)丙沙星婦產(chǎn)科手術(shù)革蘭陰性桿菌，腸球菌頭孢呋辛或頭孢曲松或

B族鏈球菌，厭氧菌頭孢噻肟；+甲硝唑莫西沙星（可單藥應(yīng)用）注:各種手術(shù)切口感染都可能由葡萄球菌引起六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用外科預(yù)防性抗生素的應(yīng)用：預(yù)防性抗生素對(duì)哪些病人有用?什么時(shí)候開始用藥?抗生素種類選擇?使用單次還是多次?采用怎樣的給藥途徑？六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用單次給藥還是多次給藥？沒有證據(jù)顯示多次給藥比單次給藥好傷口關(guān)閉后給藥沒有益處多數(shù)指南建議24小時(shí)內(nèi)停藥沒有必要維持抗菌素治療直到撤除尿管和引流管手術(shù)時(shí)間延長(zhǎng)或術(shù)中出血量較大時(shí)可重復(fù)給藥細(xì)菌污染定植感染一次性用藥用藥24h用藥4872h數(shù)小時(shí)從十?dāng)?shù)小時(shí)到數(shù)十小時(shí)六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用用藥時(shí)機(jī)不同，用藥期限也應(yīng)不同短時(shí)間預(yù)防性應(yīng)用抗生素的優(yōu)點(diǎn)：六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用減少毒副作用不易產(chǎn)生耐藥菌株不易引起微生態(tài)紊亂減輕病人負(fù)擔(dān)可以選用單價(jià)較高但效果較好的抗生素減少護(hù)理工作量藥品消耗增加抗菌素相關(guān)并發(fā)癥增加耐藥抗菌素種類增加易引起脆弱芽孢桿菌腸炎MRSA（耐甲氧西林金黃色葡萄球菌）定植六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用延長(zhǎng)抗菌素使用的缺點(diǎn)：六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用外科預(yù)防性抗生素的應(yīng)用：預(yù)防性抗生素對(duì)哪些病人有用?什么時(shí)候開始用藥?抗生素種類選擇?使用單次還是多次?采用怎樣的給藥途徑？正確的給藥方法：六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用應(yīng)靜脈給藥，2030min滴完肌注、口服存在吸收上的個(gè)體差異，不能保證血液和組織的藥物濃度，不宜采用常用的-內(nèi)酰胺類抗生素半衰期為12h，若手術(shù)超過３４h，應(yīng)給第２個(gè)劑量，必要時(shí)還可用第３次可能有損傷腸管的手術(shù)，術(shù)前用抗菌藥物準(zhǔn)備腸道局部抗生素沖洗創(chuàng)腔或傷口無確切預(yù)防效果，不予提倡不應(yīng)將日常全身性應(yīng)用的抗生素應(yīng)用于傷口局部（誘發(fā)高耐藥）必要時(shí)可用新霉素、桿菌肽等抗生素緩釋系統(tǒng)（PMMA—青大霉素骨水泥或膠原海綿)局部應(yīng)用可能有一定益處六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用不提倡局部預(yù)防應(yīng)用抗生素：時(shí)機(jī)不當(dāng)時(shí)間太長(zhǎng)選藥不當(dāng)，缺乏針對(duì)性六、預(yù)防SSI干預(yù)方法

——抗菌藥物的應(yīng)用預(yù)防用藥易犯的錯(cuò)誤：在開刀前45-75min之內(nèi)投藥按最新臨床指南選藥術(shù)后24小時(shí)內(nèi)停藥擇期手術(shù)后一般無須繼續(xù)使用抗生素大量對(duì)比研究證明，手術(shù)后繼續(xù)用藥數(shù)次或數(shù)天并不能降低手術(shù)后感染率若病人有明顯感染高危因素或使用人工植入物，可再用1次或數(shù)次小結(jié)預(yù)防SSI干預(yù)方法

——正確的脫毛方法用脫毛劑、術(shù)前即刻備皮可有效減少SSI的發(fā)生手術(shù)部位脫毛方法與切口感染率的關(guān)系：備皮方法 剃毛備皮 5.6%

脫毛0.6%備皮時(shí)間 術(shù)前24小時(shí)前 ＞20%

術(shù)前24小時(shí)內(nèi) 7.1%

術(shù)前即刻 3.1%方法/時(shí)間 術(shù)前即刻剪毛 1.8%

前1晚剪/剃毛 4.0%THANKYOUMagneticResonanceImagingPART01磁共振成像發(fā)生事件作者或公司磁共振發(fā)展史1946發(fā)現(xiàn)磁共振現(xiàn)象BlochPurcell1971發(fā)現(xiàn)腫瘤的T1、T2時(shí)間長(zhǎng)Damadian1973做出兩個(gè)充水試管MR圖像Lauterbur1974活鼠的MR圖像Lauterbur等1976人體胸部的MR圖像Damadian1977初期的全身MR圖像

Mallard1980磁共振裝置商品化1989

0.15T永磁商用磁共振設(shè)備中國(guó)安科

2003諾貝爾獎(jiǎng)金LauterburMansfierd時(shí)間PART02MR成像基本原理實(shí)現(xiàn)人體磁共振成像的條件:人體內(nèi)氫原子核是人體內(nèi)最多的物質(zhì)。最易受外加磁場(chǎng)的影響而發(fā)生磁共振現(xiàn)象(沒有核輻射)有一個(gè)穩(wěn)定的靜磁場(chǎng)（磁體）梯度場(chǎng)和射頻場(chǎng)：前者用于空間編碼和選層，后者施加特定頻率的射頻脈沖，使之形成磁共振現(xiàn)象信號(hào)接收裝置：各種線圈計(jì)算機(jī)系統(tǒng)：完成信號(hào)采集、傳輸、圖像重建、后處理等

人體內(nèi)的H核子可看作是自旋狀態(tài)下的小星球。自然狀態(tài)下，H核進(jìn)動(dòng)雜亂無章，磁性相互抵消zMyx進(jìn)入靜磁場(chǎng)后，H核磁矩發(fā)生規(guī)律性排列（正負(fù)方向），正負(fù)方向的磁矢量相互抵消后，少數(shù)正向排列（低能態(tài)）的H核合成總磁化矢量M，即為MR信號(hào)基礎(chǔ)ZZYYXB0XMZMXYA:施加90度RF脈沖前的磁化矢量MzB:施加90度RF脈沖后的磁化矢量Mxy.并以Larmor頻率橫向施進(jìn)C:90度脈沖對(duì)磁化矢量的作用。即M以螺旋運(yùn)動(dòng)的形式傾倒到橫向平面ABC在這一過程中，產(chǎn)生能量

三、弛豫（Relaxation）回復(fù)“自由”的過程

1.

縱向弛豫（T1弛豫）：

M0（MZ）的恢復(fù)，“量變”高能態(tài)1H→低能態(tài)1H自旋—晶格弛豫、熱弛豫

吸收RF光子能量（共振）低能態(tài)1H高能態(tài)1H

放