半導(dǎo)體物理第四章載流子的輸運(yùn)現(xiàn)象

半導(dǎo)體物理第四章載流子的輸運(yùn)現(xiàn)象第1頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2月在半導(dǎo)體中電子和空穴的凈流動產(chǎn)生電流，把載流子的這種運(yùn)動稱為輸運(yùn)。本章介紹半導(dǎo)體晶體中兩種基本輸運(yùn)機(jī)制：

1、漂移運(yùn)動：由電場引起的載流子運(yùn)動。

2、擴(kuò)散運(yùn)動：由濃度梯度引起的載流子運(yùn)動。

此外半導(dǎo)體的溫度梯度也引起載流子的運(yùn)動，但是由于半導(dǎo)體器件尺寸越來越小，這一效應(yīng)可以忽略。學(xué)習(xí)的目的：最終確定半導(dǎo)體器件I-V特性的基礎(chǔ)。本章所作的假設(shè)：雖然輸運(yùn)過程中電子和空穴凈流動，但是熱平衡狀態(tài)不受到干擾。第2頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2月4.1載流子的漂移運(yùn)動一、電導(dǎo)微觀理論（劉恩科書p106）單位:西門子/米1S=1A/V=1/Ω第3頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2月第4頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2月二、半導(dǎo)體的電導(dǎo)率和遷移率第5頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2月一、4.2載流子的散射第6頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2月1、第7頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2月第8頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2月第9頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2月二、第10頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2月第11頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2月第12頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2月第13頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2月小結(jié)：第14頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2月4.3遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系一、第15頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2月第16頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2月第17頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2月二、第18頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2月第19頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2月4.4強(qiáng)電場下的輸運(yùn)一、歐姆定律的偏離和熱載流子第20頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2月第21頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2月第22頁，課件共24頁，創(chuàng)作于2023年2