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文檔簡(jiǎn)介
第第頁(yè)pSLC閃存的原理、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用在當(dāng)今(科技)時(shí)代,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng),NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái),虛擬SLC(pSLC)閃存技術(shù)的引入,為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存的原理、優(yōu)勢(shì)以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。
什么是pSLC
pSLC是一種虛擬的SLC技術(shù),通過(guò)采用特殊的控制算法和管理方法,在MLC或TLC閃存(芯片)上(模擬)SLC存儲(chǔ)單元。
1、pSLC技術(shù)的可靠性介于SLC和MLC之間,其性能接近于SLC;
2、透過(guò)Flash(控制器)的創(chuàng)新性設(shè)計(jì),大幅提升Flash的性能和使用壽命,使得設(shè)備在極端的環(huán)境溫度下能穩(wěn)定運(yùn)行
pSLC的性能
1、pSLC不管是小檔案?jìng)鬏斶€是全盤(pán)讀寫(xiě),寫(xiě)速都會(huì)穩(wěn)定維持,而MLC/TLC模式,則會(huì)出現(xiàn)明顯的掉速。
2、針對(duì)不同應(yīng)用的場(chǎng)景加入(AI技術(shù)),使(產(chǎn)品)維持高性能。
eMMC8GBpSLC(MKEMF008GT1E-IE)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù):
pSLC模式性能:
MLC/TLC模式性能:
pSLC的可靠性
相較于MLC、TLC和QLC閃存技術(shù),pSLC閃存具有更高的性能和耐久性。雖然MLC/TLC/QLC閃存在提供更高存儲(chǔ)密度方面更有優(yōu)勢(shì),但其壽命相對(duì)較短。pSLC閃存通過(guò)虛擬SLC特性,彌合了性能和壽命之間的鴻溝,為高要求應(yīng)用帶來(lái)了更好的選擇。
pSLC極大的提高了設(shè)備的使用壽命,P/E壽命可達(dá)30000~50000次
8GBeMMCpSLC486h(rs)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù):
1、極致的Wear-Leveling,WAF=1.15
2、TBW:8GBpSLCeMMC高達(dá)489TB,接近MLC的25倍(8GBMLC僅20TB)
pSLC的潛力
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,pSLC閃存有望持續(xù)發(fā)展,進(jìn)一步提高性能和壽命,并降低制造成本。這將使得pSLC閃存在更多領(lǐng)域中扮演更為重要的角色,滿足不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求。
pSLC閃存作為一種高性能與低成本的創(chuàng)新技術(shù),為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)了新的可能性。其虛擬SLC特性使其成為傳統(tǒng)SLC閃存和現(xiàn)代MLC/TLC/QLC閃存之間的理想選擇。未來(lái),pSLC閃存的發(fā)展將進(jìn)一步推動(dòng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)步,滿足不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求,為各個(gè)領(lǐng)域提供穩(wěn)定可靠的存儲(chǔ)解決方案。
MK-米客方德pSLC產(chǎn)品選型表
容量型號(hào)Flash類型關(guān)鍵特征eMMC(4G)B(32Gbit)MKEMC004GT1E-IEpSLC(工業(yè))級(jí)寬溫
P/ECycles3萬(wàn)次
LDPC糾錯(cuò)8GB
(64Gbit)MKEMF008GT1E-IE16GB(128Gbit)MKEMF016GT1E-IE32GB(256Gbit)MKEMF032GT2E-IE(SD)
NAND32GbitMKDN032GIL-AApSLCP/E
Cycles3萬(wàn)次,工業(yè)級(jí)
C10,U1,V10,A2
支持1.8v/3.3vIO電壓64GbitMKDN064GIL-ZA8GbitMKDV008GIL-SSPpSLCP/E
Cycles3萬(wàn)次,工業(yè)級(jí)
C10,U1,V10
支持1.8v/3.3vIO電壓16GbitMKDV016GIL-SSP32GbitMKDV032GIL-SSPMicro
SDCard8GBMKUS008G-IGT1
pSLC工業(yè)寬溫
P/E周期3萬(wàn)次,1920TBW
SD6.1>C10,U3,V30,A
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