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TheTIP120,TIP121andTIP122aresiliconEpitaxial-BaseNPNpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-220sticpackage.Theyareintentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications.ThecomplementaryPNPtypesareTIP125,TIP126andTIP127,respectively.INTERNALINTERNALSCHEMATICR1Typ.=5R2Typ.=150 UMCollector-BaseVoltage(IE=VCollector-EmitterVoltage(IB=VEmitter-BaseVoltage(IC=5VCollector5ACollectorPeak8ABaseATotalDissipationatTcase25Tamb252Storage-65toMax.OperatingJunctionMarch THERMALRthj-ELECTRICALCHARACTERISTICS(Tcase=25oCunlessotherwiseCollectorCut-forVCE=30Current(IB=forVCE=40forVCE=50CollectorCut-forVCB=60Current(IB=forVCB=80forVCB=100EmitterCut-offCurrent(IC=0)VEB=52IC=30SustainingforV(IB=forVforVIC=3IB=122VSaturationIC=5IB=204VBase-EmitterIC=3VCE=3VDCCurrentIC=0.5VCE=3IC=3VCE=3Pulsed:Pulseduraion=300s,dutycycle<2%hACDEFGInformationfurnishedisbelievedtobeaccurateandreliable.However,STMicroelectronicsassumesnoresponsibilityfortheconsequencesofuseofsuchinformationnorforanyinfringementofpatentsorotherrightsofthirdpartieswhiayresultfromitsuse.NolicenseisgrantedbyimplicationorotherwiseunderanypatentorpatentrightsofSTMicroelectronics.Specificationmentionedinthispublicationaresubjecttochangewithoutnotice.Thispublicationsupersedesandrecesallinformationpreviouslyd.STMicroelectronicsproductsarenotauhorizedforuseascriticalcomponentsinlifesupportdevicesorsystemswithoutexpresswrittenapprovalofSTMicroelectronics.TheSTlogoisaof?2000STMicroelectronics–PrintedinItaly–sSTMicroelectronicsGROUPOFCOMPANIESAustralia-Brazil--Finland-France-Germany-- -Italy-Japan-Malaysia-Malta-Morocco-Singapore-Spain-Sweden-Switzerland-UnitedKingdom-U.S.A.TIP120/121/122互補(bǔ)硅功率晶體管STMicroelectronics首選銷售類型說明TIP120、TIP121和TIP122是硅外延基NPN功率晶體管,采用單片配置,安裝在JedecTO-220塑料封裝中。它們旨在用于電源線性和開關(guān)應(yīng)用?;パa(bǔ)的PNP類型分別為TIP125、TIP126和TIP127。3TO-PNP200031/4熱數(shù)據(jù)電氣特性(Tcase25oC,除非另有說明ICEOIB0TIP120/125VCE30VTIP121/126VCE40VTIP122/127VCE50V0.50.5mAmAmAICBO集電極截止電流(IB=0)對于TIP120/125VCB=60V對于TIP121/126VCB80V對于TIP122/127VCB100VmAmAmAIEBO發(fā)射極截止電流(IC0)VEB5V2mAVCEO(sus)*(IB0)IC30mATIP120/125對于TIP121/126TIP122/1276080100VVVVCE(sat)*IC3AIB=12mAIC=5AIB=20mA24VVVBE(on)*基極-發(fā)射極電壓IC=3AVCE=3V2.5VhFE*直流電流增益IC0.5AVCE3VIC3AVCE3V1000300μs,2PNP4.404.600.1731.231.320.048D2.402.720.094D11.270.490.700.0190.610.880.024F11.141.700.044F21.141.700.0444.955.150.1942.70.09410.400.39314.00.5112.950.10415.750.6006.60.2443.930.137直徑。3.753.85
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