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三極管與場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別場(chǎng)效應(yīng)管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor,FET)的簡(jiǎn)稱。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?、受溫度和輻射影響小等?yōu)點(diǎn),特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路,現(xiàn)已成為普通晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。普通晶體管(三極管)是一種電流控制元件,工作時(shí),多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行,所以被稱為雙極型晶體管;而場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是一種電壓控制器件(改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流),工作時(shí),只有一種載流子參與導(dǎo)電,因此它是單極型晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管和三極管一樣都能實(shí)現(xiàn)信號(hào)的控制和放大,但由于他們構(gòu)造和工作原理截然不同,所以二者的差異很大。在某些特殊應(yīng)用方面,場(chǎng)效應(yīng)管優(yōu)于三極管,是三極管無法替代的,三極管與場(chǎng)效應(yīng)管區(qū)別見下表。三股言2場(chǎng)效應(yīng)至的國(guó)別■三頓辭導(dǎo)電機(jī)臥J眨用拿于.殳用少冇貝用券予^電國(guó)洌Phjf\N-Ph-p溝試M溝窗裁滴ap二如泅或更丈匸Gm二輸入電酢佶TO%*11/^10u血枉宇室射舞射下.仍然m憐<]胡好J筒笙.成啊丘*偉于焼咸舲應(yīng)用厚欝C:飯耳E斯TS不可搐棒憤升夸的習(xí)號(hào)氏占碾可倒?jié)褂么鎴?chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而三極管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。而在信號(hào)源電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)用三極管。場(chǎng)效應(yīng)管靠多子導(dǎo)電,管中運(yùn)動(dòng)的只是一種極性的載流子;三極管既用多子,又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響,因此在環(huán)境變化較強(qiáng)烈的場(chǎng)合,采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適。場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻高,適用于高輸入電阻的場(chǎng)合。場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小,適用于低噪聲放大器的前置級(jí)。來自:/s/blog_5939cb750100eq3s.html閱讀(2)評(píng)論(0)分享(1)評(píng)論|分享贊電源VCC、VSS、VDD、VEE、VPP、Vddf的區(qū)別一、解釋VCC:C=circuit表示電路的意思,即接入電路的電壓;VDD:D=device表示器件的意思,即器件內(nèi)部的工作電壓;VEE:發(fā)射極電源電壓,EmitterVoltage,一般用于ECL電路的負(fù)電源電壓.VSS:S=series表示公共連接的意思,通常是指電路公共接地端電壓。VPP:不同芯片對(duì)Vpp的定義稍有不同,比如電壓峰峰值,單片機(jī)中Vpp多數(shù)定義為編程電壓Vddf:Vddf為Flash(閃存)供電的外部電壓二、說明1、對(duì)于數(shù)字電路來說,VCC是電路的供電電壓,VDD是芯片的工作電壓(通常Vcc>Vdd),VSS是接地點(diǎn)。2、有些IC既有VDD引腳又有VCC引腳,說明這種器件自身帶有電壓轉(zhuǎn)換功能。3、在場(chǎng)效應(yīng)管(或COMS器件)中,VDD為漏極,VSS為源極,VDD和VSS指的是元件引腳,而不表示供電電壓。4、一般來說VCC我擬電源,VDD=數(shù)字電源,VSS=數(shù)字地,VEE=負(fù)電源另外一種解釋:Vcc和V?e出現(xiàn)在雙極型晶體管電路中,和集電極(collector)發(fā)射極(emitter)有關(guān),所以一正一負(fù)。Vdd,Vss在MOS電路中出現(xiàn),和漏級(jí)(Drain),源極(Source)有關(guān),也是一正一負(fù)。Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正,Vdd多半是單級(jí)器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C,和PMOSorNMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見V?e和Vss,含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。薦義選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)。Vcc來源于集電極電源電壓,CollectorVoltage,一般用于雙極型晶體管,PNP管時(shí)為負(fù)電源電壓,有時(shí)也標(biāo)成-Vcc,NPN管時(shí)為正電壓.Vdd來源于漏極電源電壓,DrainVoltage,用于MOS晶體管電路,一般指正電源.因?yàn)楹苌賳为?dú)用PMOS晶體管,所以在CMOS電路中Vdd經(jīng)常接在PMOS管的源極上.
Vss源極電源電壓,在CMOS電路中指負(fù)電源,在單電源時(shí)指零伏或接地.Vee發(fā)射極電源電壓,EmitterVoltage,一般用于ECL電路的負(fù)電源電壓.Vbb基極電源電壓,用于雙極晶體管的共基電路.什么是0C門?什么是0D門?什么是集電極開路(OC)?我們先來說說集電極開路輸出的結(jié)構(gòu)。集電極開路輸出的結(jié)構(gòu)如圖1所示,右邊的那個(gè)三極管集電極什么都不接,所以叫做集電極開路(左邊的三極管為反相之用,使輸入為"0"時(shí),輸出也為"0")。對(duì)于圖1,當(dāng)左端的輸入為“0”時(shí),前面的三極管截止(即集電極C跟發(fā)射極E之間相當(dāng)于斷開),所以5V電源通過1K電阻加到右邊的三極管上,右邊的三極管導(dǎo)通(即相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)閉合);當(dāng)左端的輸入為“1”時(shí),前面的三極管導(dǎo)通,而后面的三極管截止(相當(dāng)于開關(guān)斷開)。由軟曲桂制耳JI時(shí)巨魁不謚攔氐戲乎B7-亠費(fèi)番由軟曲桂制耳JI時(shí)巨魁不謚攔氐戲乎B7-亠費(fèi)番muLLh出我們將圖1簡(jiǎn)化成圖2的樣子。圖2中的開關(guān)受軟件控制,“1”時(shí)斷開,“0”時(shí)閉合。很明顯可以看出,當(dāng)開關(guān)閉合時(shí),輸出直接接地,所以輸出電平為0。而當(dāng)開關(guān)斷開時(shí),則輸出端懸空了,即高阻態(tài)。這時(shí)電平狀態(tài)未知,如果后面一個(gè)電阻負(fù)載(即使很輕的負(fù)載)到地,那么輸出端的電平就被這個(gè)負(fù)載拉到低電平了,所以這個(gè)電路是不能輸出高電平的。再看圖三。圖三中那個(gè)1K的電阻即是上拉電阻。如果開關(guān)閉合,則有電流從1K電阻及開關(guān)上流過,但由于開關(guān)閉和時(shí)電阻為0(方便我們的討論,實(shí)際情況中開關(guān)電阻不為0,另外對(duì)于三極管還存在飽和壓降),所以在開關(guān)上的電壓為0,即輸出電平為0。如果開關(guān)斷開,則由于開關(guān)電阻為無窮大(同上,不考慮實(shí)際中的漏電流),所以流過的電流為0,因此在1K電阻上的壓降也為0,所以輸出端的電壓就是5V了,這樣就能輸出高電平了。但是這個(gè)輸出的內(nèi)阻是比較大的(即1KQ),如果接一個(gè)電阻為R的負(fù)載,通過分壓計(jì)算,就可以算得最后的輸出電壓為5*R/(R+1000)伏,即5/(l+1000/R)伏。所以,如果要達(dá)到一定的電壓的話,R就不能太小。如果R真的太小,而導(dǎo)致輸出電壓不夠的話,那我們只有通過減小那個(gè)1K的上拉電阻來增加驅(qū)動(dòng)能力。但是,上拉電阻又不能取得太小,因?yàn)楫?dāng)開關(guān)閉合時(shí),將產(chǎn)生電流,由于開關(guān)能流過的電流是有限的,因此限制了上拉電阻的取值,另外還需要考慮到,當(dāng)輸出低電平時(shí),負(fù)載可能還會(huì)給提供一部分電流從開關(guān)流過,因此要綜合這些電流考慮來選擇合適的上拉電阻。如果我們將一個(gè)讀數(shù)據(jù)用的輸入端接在輸出端,這樣就是一個(gè)IO口了(51的IO口就是這樣的結(jié)構(gòu),其中P0口內(nèi)部不帶上拉,而其它三個(gè)口帶內(nèi)部上拉),當(dāng)我們要使用輸入功能時(shí),只要將輸出口設(shè)置為1即可,這樣就相當(dāng)于那個(gè)開關(guān)斷開,而對(duì)于P0口來說,就是高阻態(tài)了。什么是漏極開路(OD)?對(duì)于漏極開路(OD)輸出,跟集電極開路輸出是十分類似的。將上面的三極管換成場(chǎng)效應(yīng)管即可。這樣集電極就變成了漏極,OC就變成了OD,原理分析是一樣的。另一種輸出結(jié)構(gòu)是推挽輸出。推挽輸出的結(jié)構(gòu)就是把上面的上拉電阻也換成一個(gè)開關(guān),當(dāng)要輸出高電平時(shí),上面的開關(guān)通,下面的開關(guān)斷;而要輸出低電平時(shí),則剛好相反。比起OC或者OD來說,這樣的推挽結(jié)構(gòu)高、低電平驅(qū)動(dòng)能力
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