國(guó)開光伏檢測(cè)與分析形考任務(wù)1-4試題及答案

國(guó)開光伏檢測(cè)與分析第一次形考任務(wù)答案題目為隨機(jī)，用查找功能（Ctrl+F）搜索題目單項(xiàng)選擇題題目：（）對(duì)半導(dǎo)體單晶電化學(xué)腐蝕速度的影響最大。答案：腐蝕液的成分題目：（）是半導(dǎo)體中最主要的缺陷，它屬于線缺陷。答案：位錯(cuò)題目：（）是目前國(guó)內(nèi)最常用的判斷半導(dǎo)體導(dǎo)電類型的方法。答案：冷熱探筆法題目：（）是影響硅器件的成品率的一個(gè)重要因素，也是影響器件性能的穩(wěn)定性和可靠性的重要因素。答案：微缺陷題目：（）是最簡(jiǎn)單的點(diǎn)缺陷。答案：空位題目：半導(dǎo)體硅的常用液體試劑腐蝕劑中HCL的濃度大致為（）。答案：36%題目：半導(dǎo)體器件廠就是用一定型號(hào)的（）來(lái)生產(chǎn)出所需要的半導(dǎo)體元件。答案：?jiǎn)尉ь}目：層錯(cuò)屬于（）。答案：面缺陷題目：緩沖劑一般是（）。答案：弱酸弱堿題目：冷熱探筆法屬于利用半導(dǎo)體的（）來(lái)測(cè)量導(dǎo)電類型的方法。答案：溫差電效應(yīng)題目：冷熱探筆法主要適用于室溫電阻率在（）的單晶。答案：1000Ω?cm以下題目：目前國(guó)內(nèi)外廣泛采用（）測(cè)量半導(dǎo)體硅單晶電阻率。答案：四探針?lè)}目：三探針?lè)▽儆诶冒雽?dǎo)體的（）來(lái)測(cè)量導(dǎo)電類型的方法。答案：整流效應(yīng)題目：位錯(cuò)密度通常采用（）來(lái)表示，可在金相顯微鏡下測(cè)定。答案：面密度題目：漩渦缺陷的A缺陷比B缺陷（）。答案：大題目：漩渦缺陷是晶體中（）的局部聚集。答案：點(diǎn)缺陷題目：一般認(rèn)為利用金屬與半導(dǎo)體的點(diǎn)接觸整流原理來(lái)測(cè)量導(dǎo)電類型的方法適用于室溫電阻率在（）的硅單晶。答案：1～1000Ω?cm題目：用冷熱探筆法測(cè)量（）半導(dǎo)體時(shí)，冷端帶負(fù)電，熱端帶正電。答案：N型題目：用冷熱探筆法測(cè)量（）半導(dǎo)體時(shí)，冷端帶正電，熱端帶負(fù)電。答案：P型題目：用冷熱探筆法測(cè)量導(dǎo)電類型時(shí)，熱探筆的溫度要適當(dāng)，以（）為宜。答案：40～60℃多項(xiàng)選擇題題目：半導(dǎo)體硅的常用腐蝕劑主要有（）。答案：Dash腐蝕液;Shimmel腐蝕液;Sirtl腐蝕液;Wright腐蝕液題目：半導(dǎo)體晶體缺陷中的宏觀缺陷主要有（）。答案：星形結(jié)構(gòu);雜質(zhì)析出;系屬結(jié)構(gòu)題目：半導(dǎo)體晶體缺陷中的微觀缺陷主要有（）。答案：點(diǎn)缺陷;層錯(cuò);雜質(zhì)沉淀;位錯(cuò)題目：半導(dǎo)體晶體缺陷主要包括（）。答案：微觀缺陷;宏觀缺陷;表面機(jī)械損傷;點(diǎn)陣應(yīng)變題目：半導(dǎo)體中非平衡少子載流子壽命的大小對(duì)半導(dǎo)體器件的（）有直接影響。答案：晶體管的放大倍數(shù);開關(guān)管的開關(guān)時(shí)間;太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率題目：測(cè)量少數(shù)載流子壽命時(shí)注入比控制的方法主要有（）方面。答案：控制氙燈的閃光電壓;加濾光片;加光闌題目：點(diǎn)缺陷主要包括（）。答案：空位;填隙原子;外來(lái)原子;絡(luò)合體題目：高頻光電導(dǎo)衰退法的缺點(diǎn)主要有（）。答案：儀器線路比較復(fù)雜;干擾比較大題目：高頻光電導(dǎo)衰退法的優(yōu)點(diǎn)主要有（）。答案：樣品較少受到污染;測(cè)量時(shí)不必制作歐姆電極;樣品無(wú)需切割成一定的幾何形狀;應(yīng)用廣泛題目：構(gòu)成電化學(xué)腐蝕需要具備的條件主要有（）。答案：具有不同電極電位的半導(dǎo)體各部分要互相接觸;半導(dǎo)體電極電位的不同部分處于互相連通的電解質(zhì)溶液中;電解質(zhì)腐蝕液可以是各種酸性或堿性的;被腐蝕的半導(dǎo)體各個(gè)部分或區(qū)域之間存在電位差題目：國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體硅單晶導(dǎo)電類型的測(cè)量具體方法有（）。答案：?jiǎn)翁结橖c(diǎn)接觸整流法;冷熱探筆法;三探針?lè)?冷探筆法題目：目前常用的測(cè)量非平衡少數(shù)載流子壽命的方法，一般主要有（）。答案：直接法;瞬態(tài)法;穩(wěn)態(tài)法;間接法題目：四探針?lè)y(cè)量電阻率的測(cè)準(zhǔn)條件主要有（）。答案：電流通過(guò)樣品不應(yīng)引起樣品的電導(dǎo)率發(fā)生變化;一般采用1～2mm左右的針距較適宜;四根探針應(yīng)處于同一平面的同一條直線上;樣品的厚度必須大于3倍針距題目：穩(wěn)態(tài)法測(cè)量非平衡少數(shù)載流子壽命，主要采用的方法有（）。答案：擴(kuò)散長(zhǎng)度法;光電導(dǎo)衰退法;光磁法題目：下列有關(guān)漩渦缺陷的說(shuō)法正確的是（）。答案：是晶體中點(diǎn)缺陷的局部聚集;漩渦條紋是不連續(xù)的;由大量的淺蝕坑組成;在晶體中實(shí)際上是呈螺旋階梯分布的題目：陷阱效應(yīng)對(duì)少數(shù)載流子壽命測(cè)量的影響可以采用（）。答案：使整個(gè)樣品加底光照;將硅單晶加熱到50～70℃;加底光照后用氙燈閃光進(jìn)行照射題目：影響半導(dǎo)體單晶電化學(xué)腐蝕速度的因素主要有（）。答案：電極電位;腐蝕液的成分;腐蝕處理的溫度和攪拌的影響;緩沖劑的影響題目：用接觸法測(cè)量半導(dǎo)體單晶電阻率的方法主要有（）。答案：兩探針?lè)?四探針?lè)?范德堡法;擴(kuò)展電阻法題目：直流光電導(dǎo)衰退法的缺點(diǎn)主要有（）。答案：對(duì)樣品有幾何形狀和幾何尺寸的要求;要求制備符合一定要求的歐姆接觸題目：直流光電導(dǎo)衰退法的優(yōu)點(diǎn)主要有（）。答案：可測(cè)量幾個(gè)微秒的壽命;測(cè)量準(zhǔn)確度高;測(cè)量下限較低;測(cè)量電阻率的下限也較低判斷題題目：半導(dǎo)體的陷阱中心數(shù)量是變化的。答案：錯(cuò)題目：半導(dǎo)體硅在酸堿中所受到的腐蝕都屬于電化學(xué)腐蝕。答案：對(duì)題目：半導(dǎo)體體內(nèi)的缺陷可用金相顯微鏡進(jìn)行觀察和計(jì)數(shù)。答案：錯(cuò)題目：被腐蝕的半導(dǎo)體電極電位低的是負(fù)極，電極電位高的是正極，正級(jí)被腐蝕溶解。答案：錯(cuò)題目：測(cè)量半導(dǎo)體硅單晶導(dǎo)電類型時(shí)，通常要對(duì)表面進(jìn)行噴砂處理或進(jìn)行研磨處理。答案：對(duì)題目：當(dāng)半導(dǎo)體內(nèi)注入了非平衡載流子后，一方面依靠體內(nèi)的雜質(zhì)和缺陷作為復(fù)合中心，另一方面依靠表面能級(jí)作為復(fù)合中心。答案：對(duì)題目：腐蝕液的成分對(duì)腐蝕速度影響最大。答案：對(duì)題目：高頻光電導(dǎo)衰退法測(cè)量非平衡少數(shù)載流子壽命的測(cè)量下限一般為10～20μs。答案：錯(cuò)題目：硅單晶在不同腐蝕液中，P型硅的電極電位比N型硅的高。答案：對(duì)題目：可以將小角度晶界看成是層錯(cuò)的排列。答案：錯(cuò)題目：位錯(cuò)是半導(dǎo)體中最主要的缺陷。答案：對(duì)題目：無(wú)論是直流光電導(dǎo)法或高頻光電導(dǎo)法測(cè)量少數(shù)載流子壽命時(shí)應(yīng)滿足小注入條件。答案：對(duì)題目：漩渦缺陷的A缺陷比B缺陷大得多，而數(shù)量上少兩個(gè)數(shù)量級(jí)。答案：對(duì)題目：用冷熱探筆法測(cè)量半導(dǎo)體硅單晶導(dǎo)電類型時(shí)，熱探筆的溫度要適當(dāng)，以40～50℃為宜.答案：錯(cuò)題目：用冷熱探筆法測(cè)量N型半導(dǎo)體時(shí)，冷端帶負(fù)電，熱端帶正電。答案：對(duì)題目：用冷熱探筆法測(cè)量P型半導(dǎo)體時(shí)，冷端帶負(fù)電，熱端帶正電。答案：錯(cuò)題目：原生晶體中的漩渦缺陷不容易充分顯示，尤其是直拉單晶，經(jīng)過(guò)熱處理才變得明顯化。答案：對(duì)題目：在位錯(cuò)密度的兩種表示方法中，通常采用位錯(cuò)的體密度來(lái)表示。答案：錯(cuò)題目：直流四探針筆法測(cè)量電阻率時(shí)，假定半導(dǎo)體樣品的電阻率是均勻的，并假定它是半無(wú)限大的樣品。答案：對(duì)題目：直流四探針筆法測(cè)量電阻率時(shí)，首先將樣品測(cè)試面進(jìn)行研磨或噴砂處理，以增大表面復(fù)合，減少少數(shù)載流子注入的影響。答案：對(duì)配伍題題目：將下列測(cè)量電阻率方法及公式一一對(duì)應(yīng)答案：（1）->A;（2）->B;（3）->C”題目：將下列半導(dǎo)體硅的常用腐蝕劑液體試劑的濃度一一對(duì)應(yīng)。（1）HF

A.70%（2）HNO3

B.49%（3）H2O2

C.30%

{（1）答案：（1）->B;（2）->A;（3）->C題目：將下列半導(dǎo)體硅的常用腐蝕劑液體試劑的濃度一一對(duì)應(yīng)。（1）HCL

A.冰醋酸（2）HAc

B.36%（3）H2O2

C.30%答案：（3）->C;（2）->A;（1）->B題目：將下列半導(dǎo)體晶體缺陷類型一一對(duì)應(yīng)。（1）宏觀缺陷

A.雜質(zhì)沉淀（2）微觀缺陷

B.星形結(jié)構(gòu)（3）表面機(jī)械損傷

C.加工損傷{（1）答案：（1）->B;（2）->A;（3）->C題目：將下列不同電阻率的測(cè)量電流范圍一一對(duì)應(yīng)。（1）樣品電阻率＜0.01

A.樣品電流＜100（2）樣品電阻率0.01～1

B.樣品電流＜10（3）樣品電阻率1～30

C.＜1{（1）答案：（1）->A;（2）->B;（3）->C題目：將下列不同電阻率的測(cè)量電流范圍一一對(duì)應(yīng)。（1）樣品電阻率>1000

A.樣品電流＜1（2）樣品電阻率30～1000

B.樣品電流＜0.1（3）樣品電阻率1～30

C.＜0.01{（3）答案：（3）->A;（2）->B;（1）->C題目：將下列電阻率測(cè)量方法與電阻率值一一對(duì)應(yīng)。答題框中填寫答案對(duì)應(yīng)的選項(xiàng)即可（1）冷熱探筆法

A.10-4～104Ω?cm（2）整流法

B.1～1000Ω?cm（3）兩探針?lè)?/p>

C.1000Ω?cm以下答案：（1）冷熱探筆法->C;（3）兩探針?lè)?>A;（2）整流法->B”題目：將下列硅的腐蝕劑與腐蝕時(shí)間一一對(duì)應(yīng)。（1）Sirtl腐蝕液

A.10～15min（2）Dash腐蝕液

B.20min以上（3）Secco腐蝕液

C.1～16h{（1）答案：（1）->A;（3）->C;（2）->B”題目：將下列硅的腐蝕劑與腐蝕時(shí)間一一對(duì)應(yīng)。（1）Shimmle腐蝕液

A.10～15min（2）Wright腐蝕液

B.20min以上（3）Sirtl腐蝕液

C.5min{（3）答案：（3）->A;（1）->C;（2）->B”題目：將下列微觀缺陷種類與說(shuō)法一一對(duì)應(yīng)。（1）空位

A.晶格點(diǎn)陣上的原子由于熱運(yùn)動(dòng)或輻照離開其平衡位置跑到晶格的空隙中或晶體的表面（2）填隙原子

B.占據(jù)晶格空隙處的多余原子（3）絡(luò)合體

C.空位與雜質(zhì)原子相結(jié)合而形成的復(fù)合體{（1）答案：（1）->A;（2）->B;（3）->C”

國(guó)開電大光伏檢測(cè)與分析第2次形考任務(wù)答案題目為隨機(jī)，用查找功能（Ctrl+F）搜索題目單項(xiàng)選擇題題目：參比樣品應(yīng)不含有被測(cè)雜質(zhì)，一般要求氧和碳原子含量在（）以下。答案：1015個(gè)/厘米3題目：光圖定向法結(jié)果直觀，操作（），誤差（）。答案：簡(jiǎn)單較大題目：硅晶體中，氧的分凝系數(shù)（）1，碳的分凝系數(shù)（）1。答案：大于小于題目：紅外線通過(guò)樣品時(shí)，對(duì)于硅單晶反射率R為（）。答案：30%題目：晶面間距可用字母d表示，以下哪項(xiàng)表達(dá)式為立方晶系的晶面間距（）。答案：題目：晶面指數(shù)最低的晶面總是具有（）的晶面間距。答案：最大題目：拋光時(shí)，拋光液HF與體積比為（）。答案：1:03題目：區(qū)熔工藝中，第一次區(qū)熔時(shí)，第一次熔區(qū)停留揮發(fā)時(shí)間（）左右。答案：10min題目：雙光束光柵紅外分光光度計(jì)，測(cè)氧的分辨率應(yīng)不大于（）。答案：4cm-1題目：雙光束光柵紅外分光光度計(jì)，測(cè)碳的分辨率應(yīng)不大于（）。答案：2cm-1題目：為防止污染，第一熔區(qū)和最后熔區(qū)要離開上下夾頭（）。答案：題目：我國(guó)政府規(guī)定每天受射線輻射劑量應(yīng)在（）r以下。答案：0.05題目：樣品對(duì)紅外光的反射率越（），吸收系數(shù)越（），那么紅外光的透射率就越小。答案：高大題目：樣品制備中選擇樣品厚度的原則是使吸收峰處的透射率為（）。答案：20%-80%題目：以下表示晶面指數(shù)最恰當(dāng)?shù)氖牵ǎ?。答案?46300%題目：直拉單晶中氧含量頭部與尾部相比（）。答案：較高題目：K系輻射線可以細(xì)分為及，他們輻射的強(qiáng)度比約為（）。答案：2:01題目：X射線定向法的誤差可以控制在（）范圍內(nèi)，準(zhǔn)確度高。答案：±15′題目：X射線劑量用倫琴表示，符號(hào)用r,根據(jù)國(guó)際放射學(xué)會(huì)議規(guī)定，普通人的安全劑量應(yīng)為每周不超過(guò)答案：30%題目：X射線在醫(yī)療診斷方面得到廣泛應(yīng)用，主要是依賴其（）。答案：穿透性強(qiáng)多項(xiàng)選擇題題目：90o；60o；30o；0o；答案：60o；30o；0o題目：布喇格定律成立需滿足以下（）條件。答案：；；入射線反射線和反射晶面的法線在同一平面，且入射線和衍射線處法線兩側(cè);

入射角等于反射角題目：對(duì)于金剛石結(jié)構(gòu)和閃鋅礦結(jié)構(gòu)的晶體，只有符合以下（）規(guī)則的晶面才有衍射線。答案：當(dāng)h,k,l全為偶數(shù)時(shí)，h+k+l必須能被4整除;h,k,l必須全為奇數(shù)或全為偶數(shù)題目：對(duì)于連續(xù)X射線譜，當(dāng)逐漸增加管壓時(shí)，有如下（）規(guī)律。答案：短波極限值的波長(zhǎng)向短波方向移動(dòng);各種波長(zhǎng)射線的相對(duì)強(qiáng)度一致增加;最高強(qiáng)度射線的波長(zhǎng)向短波方向移動(dòng)題目：關(guān)于晶面指數(shù)，以下說(shuō)法正確的是（）。答案：和X,Y軸都平行但與Z軸相交于一個(gè)單位長(zhǎng)度處的密勒指數(shù)為（001）;與Y軸平行但與X軸和Z軸都相交于一個(gè)單位長(zhǎng)度處的密勒指數(shù)為（101）題目：硅單晶光點(diǎn)定向測(cè)試中運(yùn)用的儀器設(shè)備有以下（）。答案：光屏;光源;光點(diǎn)定向儀題目：某樣品受到紅外線照射時(shí)，會(huì)產(chǎn)生以下（）現(xiàn)象。答案：反射;透過(guò);吸收題目：拋光時(shí)對(duì)于樣品表面有（）要求。答案：無(wú)氧化;無(wú)淺坑;無(wú)劃道;無(wú)溝道題目：硼檢采用快速區(qū)熔法的工藝，對(duì)與以下區(qū)熔條件說(shuō)法正確的是（）。答案：;熔區(qū)行程以10倍熔區(qū)為宜;區(qū)熔寬度以棒的直接為參考;提純速度約0.5mm/min；提純次數(shù)：硼檢10次題目：碳在硅晶格中紅外吸收峰有兩個(gè)，其振動(dòng)頻率為（）。答案：607.2

cm-1；1217cm-1題目：通常用來(lái)制作靶的金屬材料有（）。答案：鉻;鐵;銀;銅題目：為避免引起衍射混亂，一般選用比陽(yáng)極材料原子序數(shù)小的材料做濾光片，以下適宜的是（）。答案：銅靶的濾光片采用鎳;鉬靶的濾光片采用鈮;鈷靶的濾光片采用鐵;鉬靶的濾光片采用鋯題目：樣品加工主要包括以下（）步驟。答案：研磨;拋光;取樣題目：以下（）選項(xiàng)都需要考慮晶體取向的影響。答案：管芯劃片方向;單晶片的制備;單晶材料制備;器件的制作題目：由于硅晶體經(jīng)歷了各種溫度的熱處理，過(guò)飽和的間隙氧會(huì)在硅晶體中偏聚和沉淀，形成了（）。答案：氧沉淀;氧施主;二次缺陷題目：在立方晶系中，主要有如下（）性質(zhì)。答案：,,題目：X射線的衍射法精確度高，它受以下（）因素影響。答案：X射線束的發(fā)散性;轉(zhuǎn)角鼓輪讀數(shù)輪刻度的精度;X射線束準(zhǔn)直性題目：X射線定向儀主要有以下（）部分組成。答案：X射線發(fā)生部分;轉(zhuǎn)角測(cè)量部分;X射線檢測(cè)部分;樣品臺(tái)題目：X射線對(duì)人體作用有嚴(yán)重影響，可表現(xiàn)為（）。答案：毛發(fā)脫落;血液組成變化;組織灼傷;生殖影響題目：X射線主要有以下（）性質(zhì)。答案：感光作用;熒光作用;衍射作用;電離作用判斷題題目：.放射線同位素的量越多，放出的射線的強(qiáng)度越少。答案：錯(cuò)題目：純水制備系統(tǒng)過(guò)程中原水箱回流閥要全關(guān)閉。答案：錯(cuò)題目：純水制備系統(tǒng)要每周檢測(cè)一次砂濾出水SDI值，若SDI值超過(guò)5，就要檢查原因。答案：對(duì)題目：對(duì)三氯氫硅中痕量雜質(zhì)的分析采用化學(xué)藥劑提純法。答案：錯(cuò)題目：工廠生產(chǎn)的陽(yáng)離子交換樹脂一般為氯型。答案：錯(cuò)題目：硅單晶中線度小于10-4cm的缺陷稱為微陷答案：對(duì)題目：混床交換在再生處理時(shí)，陰離子交換樹脂和陽(yáng)離子交換樹脂充分混合。答案：錯(cuò)題目：活性炭過(guò)濾器在作為反滲透裝置的前處理是是受本身進(jìn)水溫度、PH值和有機(jī)混合物的影響的。答案：錯(cuò)題目：離子交換法是利用離子一次性交換和樹脂一次性交換進(jìn)行的。答案：錯(cuò)題目：離子交換法制備純水用一種陰樹脂或氧樹脂就可得到酸性水或堿性水。答案：錯(cuò)題目：露點(diǎn)法檢測(cè)氣體中的水分是通常測(cè)-34℃以下氣體觀察到的是露點(diǎn)。答案：錯(cuò)題目：氣相色譜法測(cè)定干法H2的組成存在的環(huán)境因素是潛在的氫氣泄露引起的燃燒核爆炸。答案：對(duì)題目：色譜法基本原理是基于時(shí)間的差別進(jìn)行分離。答案：對(duì)題目：樹脂失效表明離子交換樹脂可供交換的和大為減少。答案：對(duì)題目：為了使氫離子和氫氧根離子完全結(jié)合成水，陰、陽(yáng)樹脂必須交換出等量的離子。答案：對(duì)題目：新樹脂使用前應(yīng)進(jìn)行預(yù)處理：膨脹處理和變形處理。答案：對(duì)題目：只有多介質(zhì)過(guò)濾器處于運(yùn)行時(shí)才能對(duì)活性炭過(guò)濾器進(jìn)行日常維護(hù)。答案：對(duì)題目：制取高純水時(shí)一般采用強(qiáng)堿型陰離子交換樹脂。答案：錯(cuò)題目：自動(dòng)軟化系統(tǒng)EBT測(cè)定如未軟化，測(cè)試液呈紅色則需再生。答案：對(duì)題目：RO系統(tǒng)清洗過(guò)程應(yīng)密切注意清洗液溫度上升，不得超過(guò)35℃。答案：對(duì)

配伍題題目：將下列利用晶體外觀來(lái)判斷晶體生長(zhǎng)方向的關(guān)系一一對(duì)應(yīng)。(1)[111]

A）二條軸對(duì)稱的棱線(2)[100]

B）三條軸對(duì)稱的棱線(3)[110]

C）四條軸對(duì)稱的棱線{（1）答案：（1）->B;（2）->C;（3）->A”題目：將以下X射線定向儀主要構(gòu)成部分一一對(duì)應(yīng)。（1）X射線發(fā)生部分

A）吸盤（2）X射線檢測(cè)部分

B）X射線管（3）樣品臺(tái)

C）蓋革計(jì)數(shù)管和計(jì)數(shù)時(shí)率計(jì){（3）答案：（3）->A;（2）->C;（1）->B”題目：由于晶胞參數(shù)關(guān)系，在立方晶體中，某些晶面和晶向是相互垂直的，請(qǐng)一一對(duì)應(yīng)。(1)[100]晶向

A）[111]晶面(2)[111]晶向

B）[100]晶面(3)[110]晶向

C）[110]晶面{（1）答案：（1）->B;（2）->A;（3）->C”題目：將下列立方晶系部分晶面間的夾角關(guān)系一一對(duì)應(yīng)。答案：（1）→B,（3）→A,（2）→C題目：將以下幾種晶面腐蝕后的特征一一對(duì)應(yīng)。答案：（2）→B,（3）→A,（1）→C題目：紅外線通過(guò)樣品時(shí)可根據(jù)能量不滅定律表示為。答案：（2）→B,（1）→C,（3）→A題目：多晶硅中基硼含量式。答案：（1）→A,（2）→B,（3）→C題目：硅中氧和硅原子之間組成非線性。答案：（3）→C,（1）→A,（2）→B題目：硅中氧吸收峰的強(qiáng)弱與波長(zhǎng)關(guān)系，請(qǐng)一一對(duì)應(yīng)。答案：（2）→A,（1）→B,（3）→C題目：在實(shí)際測(cè)量中，求可用如下公式。答案：（3）→B,（2）→A,（1）→C

國(guó)開電大光伏檢測(cè)與分析第2次形考任務(wù)答案題目為隨機(jī)，用查找功能（Ctrl+F）搜索題目單項(xiàng)選擇題

題目：:1;3;2;5答案：5

題目：:11;8;10;9答案：10

題目：超純水制水處理系統(tǒng)再生部分選擇（）水泵。答案：耐酸堿的ABS水泵題目：當(dāng)RO系統(tǒng)暫停使用一周以上時(shí)，系統(tǒng)應(yīng)以（）浸泡，防止細(xì)菌在膜表面繁殖。答案：1.0%濃度的亞硫酸氫納題目：對(duì)三氯氫硅中痕量雜質(zhì)的分析采用蒸發(fā)法使用微量高純水和SiHCL3作用產(chǎn)生少量（）水解物，對(duì)痕量雜質(zhì)元素有吸附作用。答案：SiO2題目：對(duì)三氯氫硅中痕量雜質(zhì)的分析主要試劑鹽酸是優(yōu)級(jí)純?cè)俳?jīng)（）提純兩次。答案：石英亞沸蒸餾器題目：多介質(zhì)過(guò)濾器制備純水時(shí)，每周要檢測(cè)一次砂濾出水SDI值，若SDI超過(guò)（），則檢查原因。答案：5

題目：反滲透裝置是超純水治水系統(tǒng)中提純的（）部分。答案：預(yù)脫鹽題目：放射線同位素的量越多，放出的射線的強(qiáng)度（）。答案：越大題目：離子交換床在工作的任何時(shí)候，混床進(jìn)水壓力小于（），否則有機(jī)玻璃交換柱會(huì)破裂。答案：160題目：離子交換樹脂是一種高分子化合物，是由（）和活性基團(tuán)兩部分組成。答案：樹脂的骨架題目：露點(diǎn)法測(cè)定氣體中的水分職業(yè)中，本崗位存在的危險(xiǎn)源是（）。答案：液氮低溫凍傷題目：全自動(dòng)軟化過(guò)濾器設(shè)計(jì)過(guò)濾體材質(zhì)選用（）。答案：FRP增強(qiáng)玻璃鋼內(nèi)襯PE題目：三氯氫硅中痕量磷的氣相色譜法的基本原則是（）法。答案：基于時(shí)間的差別進(jìn)行分離題目：三氯氫硅中硼的分析采用（）法。答案：自然揮發(fā)法題目：樹脂失效表明離子交換樹脂可供交換的（）大為減少。答案：H+和OH–題目：通常把線度小于（）cm的缺陷稱為微缺陷。答案：10月4日題目：以下那一項(xiàng)不是三氯氫硅中痕量磷的氣象色譜測(cè)定步驟中，在溫度680度和石英石的催化作用下，樣品及其含磷雜質(zhì)分別被氫還原產(chǎn)物（）。答案：水題目：制取高純水時(shí)一般采用（）交換樹脂和（）交換樹脂。答案：強(qiáng)酸型陽(yáng)離子強(qiáng)堿型陰離子題目：RO反滲透技術(shù)是利用（）為動(dòng)力的膜分離過(guò)濾技術(shù)。答案：壓力差多項(xiàng)選擇題題目：純水制備系統(tǒng)運(yùn)行控制注意事項(xiàng)，以下表述錯(cuò)誤的是（）。答案：離子交換床在工作的任何時(shí)侯，混床進(jìn)水壓力大于160Pa;無(wú)論何時(shí)，反滲透系統(tǒng)都要將膿水調(diào)節(jié)閥和進(jìn)水調(diào)節(jié)閥完全關(guān)閉題目：高純水的檢測(cè)時(shí)，測(cè)量方法有（）。答案：.靜置測(cè)量法;流動(dòng)測(cè)量法題目：混床的再生中是兩種樹脂充分混合的方法有（）。答案：用壓縮空氣自底部進(jìn)入，上口排除;用真空泵進(jìn)行混合，自上口抽氣，打開下口閥門進(jìn)氣，用空氣攪動(dòng)陰陽(yáng)離子交換樹脂達(dá)到充分混合的目的題目：混合離子交換器由以下那幾個(gè)裝置組成（）。答案：排水裝置;中排裝置;進(jìn)水裝置;再生裝置題目：離子交換法制備純水時(shí)，新樹脂的預(yù)處理方式是（）。答案：變形處理;膨脹處理題目：利用X射線形貌圖來(lái)計(jì)算單晶中位錯(cuò)密度常用的方法有（）。答案：計(jì)算單位體積中位錯(cuò)線的長(zhǎng)度;計(jì)算形貌圖上穿過(guò)一定長(zhǎng)度的位錯(cuò)線的數(shù)目題目：露點(diǎn)法測(cè)定氣體中水分的過(guò)程控制表述正確有（）。答案：測(cè)定時(shí)，在封底銅管內(nèi)加入制冷劑，在插入一直-80℃低溫溫度計(jì)小心攪拌，使溫度下降，注意觀察，當(dāng)噴口所對(duì)的銅管表面出現(xiàn)露斑，即讀出溫度值，這就是測(cè)得的露點(diǎn)溫度;通常測(cè)-34℃以下氣體觀察到的是霜點(diǎn)，根據(jù)實(shí)驗(yàn)測(cè)得霜點(diǎn)和露點(diǎn)相應(yīng)溫度差約4℃;用金屬導(dǎo)管將被測(cè)氣體導(dǎo)入露點(diǎn)瓶，出口氣體經(jīng)石蠟液封瓶放空測(cè)定前要趕氣1h題目：露點(diǎn)法測(cè)定氣體中職業(yè)健康安全運(yùn)行控制正確的是（）。答案：在分析氫氣露點(diǎn)時(shí)用大氣趕走氣，要注意把氫氣引到室外;存在危險(xiǎn)源：液氮低溫凍傷題目：三氯氫硅中硼的分析試劑表述錯(cuò)誤的是（）。答案：;5%甘露醇溶液存入聚乙烯瓶中題目：下列哪三項(xiàng)是天然水的三大雜質(zhì)（）。答案：懸浮物質(zhì);溶解物質(zhì);膠體物質(zhì)題目：一個(gè)氣相色譜系統(tǒng)包括（）。答案：進(jìn)樣口;檢測(cè)器;色譜柱;可控而純凈的載氣源題目：影響樹脂再生的主要因素有（）。答案：終點(diǎn)PH值的大小;離子交換樹脂的分離、反洗效果、混合程度、清潔衛(wèi)生等;再生劑的類型、強(qiáng)度、濃度、流速、酸、堿液與離子交換樹脂接觸的時(shí)間等題目：質(zhì)譜分析造成其誤差較高的因素有（）。答案：離子質(zhì)量影響用譜線黑度來(lái)反映強(qiáng)度;元素本身的性質(zhì)、樣品中元素的選擇及離子源火花條件對(duì)電離效率的影響;雜質(zhì)在樣品中的不均勻分布;主元素譜線的干擾題目：中子活化分析的特點(diǎn)有（）。答案：靈敏度高;非破壞性分析;分析速度快，精度高;不易沾污和不受試劑空白的影響題目：自動(dòng)軟化系統(tǒng)出現(xiàn)下述情況之一（）就必須進(jìn)行化學(xué)清洗。答案：裝置的純水量比初期投運(yùn)時(shí)或上一次清洗后降低5%-10%;裝置的單次的濃縮比比初期投運(yùn)時(shí)或上一次清洗后降低10%-20%時(shí);裝置各段的壓力差值為初期投運(yùn)時(shí)或上一次清洗后的1-2倍;裝置需要長(zhǎng)期停運(yùn)時(shí)用保護(hù)溶液保護(hù)前題目：自動(dòng)軟化系統(tǒng)反洗的目的是（）。答案：通過(guò)反洗，試運(yùn)行中壓緊的樹脂層松動(dòng)，有利于樹脂顆粒與再生液充分接觸;是樹脂表面積累的懸浮物及碎樹脂隨反洗水排出，從而是交換器的水流阻力不會(huì)越來(lái)越大

題目：自動(dòng)軟化系統(tǒng)工位由（）鹽箱注水組成。答案：反洗;運(yùn)行;再生+慢洗;快洗題目：RO系統(tǒng)清洗時(shí)注意事項(xiàng)有（）。答案：清洗結(jié)束后，取殘夜進(jìn)行化學(xué)分析，確定污染物種類，為日后清洗提供依據(jù);題目：RO系統(tǒng)清洗條件有（）。答案：裝置的單次的濃縮比比初期投運(yùn)時(shí)或上一次清洗后降低10%—20%時(shí);裝置需長(zhǎng)期停運(yùn)時(shí)用保護(hù)溶液保護(hù)前;裝置各段的壓力差值為初期投運(yùn)時(shí)或上一次清洗后的1—2倍;裝置的純水量比初期投運(yùn)時(shí)或上一次清洗后降低5%—10%時(shí)題目：X射線形貌技術(shù)的試驗(yàn)方法有（）。答案：反射形貌法;透射形貌法;.雙晶光譜儀法;.異常透射法

判斷題

題目：.放射線同位素的量越多，放出的射線的強(qiáng)度越少。答案：錯(cuò)題目：純水制備系統(tǒng)過(guò)程中原水箱回流閥要全關(guān)閉。答案：錯(cuò)題目：純水制備系統(tǒng)要每周檢測(cè)一次砂濾出水SDI值，若SDI值超過(guò)5，就要檢查原因。答案：對(duì)題目：對(duì)三氯氫硅中痕量雜質(zhì)的分析采用化學(xué)藥劑提純法。答案：錯(cuò)題目：工廠生產(chǎn)的陽(yáng)離子交換樹脂一般為氯型。答案：錯(cuò)題目：硅單晶中線度小于10-4cm的缺陷稱為微陷答案：對(duì)題目：混床交換在再生處理時(shí)，陰離子交換樹脂和陽(yáng)離子交換樹脂充分混合。答案：錯(cuò)題目：活性炭過(guò)濾器在作為反滲透裝置的前處理是是受本身進(jìn)水溫度、PH值和有機(jī)混合物的影響的。答案：錯(cuò)題目：離子交換法是利用離子一次性交換和樹脂一次性交換進(jìn)行的。答案：錯(cuò)題目：離子交換法制備純水用一種陰樹脂或氧樹脂就可得到酸性水或堿性水。答案：錯(cuò)題目：露點(diǎn)法檢測(cè)氣體中的水分是通常測(cè)-34℃以下氣體觀察到的是露點(diǎn)。答案：錯(cuò)題目：氣相色譜法測(cè)定干法H2的組成存在的環(huán)境因素是潛在的氫氣泄露引起的燃燒核爆炸。答案：對(duì)題目：色譜法基本原理是基于時(shí)間的差別進(jìn)行分離。答案：對(duì)題目：樹脂失效表明離子交換樹脂可供交換的和大為減少。答案：對(duì)題目：為了使氫離子和氫氧根離子完全結(jié)合成水，陰、陽(yáng)樹脂必須交換出等量的離子。答案：對(duì)題目：新樹脂使用前應(yīng)進(jìn)行預(yù)處理：膨脹處理和變形處理。答案：對(duì)題目：只有多介質(zhì)過(guò)濾器處于運(yùn)行時(shí)才能對(duì)活性炭過(guò)濾器進(jìn)行日常維護(hù)。答案：對(duì)題目：制取高純水時(shí)一般采用強(qiáng)堿型陰離子交換樹脂。答案：錯(cuò)題目：自動(dòng)軟化系統(tǒng)EBT測(cè)定如未軟化，測(cè)試液呈紅色則需再生。答案：對(duì)題目：RO系統(tǒng)清洗過(guò)程應(yīng)密切注意清洗液溫度上升，不得超過(guò)35℃。答案：對(duì)配伍題題目：6.將下列混床再生中操作步驟一一對(duì)應(yīng)。

（1）逆洗分層

A.再生劑為5%的NaOH，用量為樹脂體積的3-5倍，從上口進(jìn)入，控制一定流速，維持液面順流通過(guò)（2）強(qiáng)堿性陰離子交換樹脂再生

B.水從底部進(jìn)入，上口排出，樹脂均勻地松弛蓬松開來(lái)，可加大水流速以沖不出樹脂為原

則，洗至出水清高度（3）強(qiáng)酸性陽(yáng)離子交換樹脂再生

C.再生劑為5%鹽酸，用酸量為陽(yáng)離子交換樹脂體積的2-3倍答案：（3）->C;（2）->A;（1）->B”

題目：將下列多介質(zhì)過(guò)濾器工作原理與內(nèi)容一一對(duì)應(yīng)。

（1）反洗

A.將原水泵停止，閥門關(guān)閉，讓多介質(zhì)自然下沉，使沙層排列平整（2）靜止

B.原水由進(jìn)口進(jìn)入控制閥，從閥芯的上部經(jīng)閥體內(nèi)，并由頂部進(jìn)入罐體（3）正洗

C.水從底部進(jìn)入石英砂過(guò)濾層后由上部排除{（1）答案：（1）->C;（2）->A;（3）->B”題目：將下列離子交換樹脂的類型與變型用化學(xué)試劑用量濃度一一對(duì)應(yīng)。（1）強(qiáng)酸型離子交換樹脂

A.5%-10%鹽酸溶液3000ml（2）強(qiáng)堿型離子交換樹脂

B.5%-10%氫氧化鈉溶液2500ml（3）干樹脂

C.4%-5%Nacl溶液浸泡{（2）

答案：（2）->A;（1）->B;（3）->C”題目：將下列露點(diǎn)法測(cè)定氣體中的水分時(shí)職業(yè)健康安全進(jìn)行控制一一對(duì)應(yīng)。（1）危險(xiǎn)源

A.意把氫氣引出室外（2）分析氫氣露點(diǎn)時(shí)用大氣趕走氣

B.液氮低溫凍傷

（3）酒精放置答案：（1）->B;（2）->A;（3）->C”

題目：將下列天然水中雜質(zhì)三大部分情況一一對(duì)應(yīng)。

（1）懸浮物質(zhì)

A.溶膠、硅膠、鐵、鋁（2）膠體物質(zhì)

B.細(xì)菌、泥沙、黏土等其他不容物質(zhì)（3）溶解物質(zhì)

C.Ca、Mg、Na、Fe、Mn的酸式碳酸鹽{（3）答案：（3）->C;（2）->A;（1）->B”題目：將下列質(zhì)譜分析造成其誤差較高的因素與原因一一對(duì)應(yīng)。（1）雜質(zhì)不均勻

A.與元素本身性質(zhì)、樣品中元素的選擇及離子源火花條件有關(guān)（2）各元素電離效率

B.因?yàn)橘|(zhì)譜分析一次只消耗少量樣品，不能代表整個(gè)樣品雜質(zhì)含量（3）譜線黑度

C.受到很多因素，如離子質(zhì)量影響{（1）答案：（1）->B;（2）->A;（3）->C”題目：將下列自動(dòng)軟化系統(tǒng)工藝過(guò)程一一對(duì)應(yīng)。（1）反洗

A.再生用鹽液在一定濃度、流量下，流經(jīng)失效的樹脂層，使其恢復(fù)原有的交換能力（2）再生吸鹽+慢洗

B.向再生劑箱中注入溶液再生一次所需鹽量的水（3）再生劑箱注水

C.樹脂失效后，在進(jìn)行再生之前，先用水自上而下流出{（3）答案：（3）->B;（1）->C;（2）->A”題目：將下列RO膜污染原因與適應(yīng)藥液一一對(duì)應(yīng)。（1）碳酸鹽結(jié)垢

A.1.5%EDTA溶液（2）有機(jī)物污染及硫酸鹽結(jié)構(gòu)

B.1%富爾馬林溶液（3）細(xì)菌污染

C.3%檸檬酸溶液{（1）

答案：（1）->C;（2）->A;（3）->B”題目：將下列三氯氫硅中痕量雜質(zhì)的化學(xué)光譜測(cè)定的主要試劑與要求一一對(duì)應(yīng)。答案：(2)A,(1)B,(3)C題目：將下列質(zhì)譜分析造成其誤差較高的因素與原因一一對(duì)應(yīng)。答案：（3）C,（2）A,（1）B題目：將下列氣相色譜法測(cè)定干法H2的組分時(shí)樣品測(cè)試各恒溫系統(tǒng)與溫度一一對(duì)應(yīng)。答案：3.C1.B2.A

國(guó)開電大光伏檢測(cè)與分析第4次形考任務(wù)答案題目為隨機(jī)，用查找功能（Ctrl+F）搜索題目單項(xiàng)選擇題題目：:19;16;17;18答案：18

題目：測(cè)定的露點(diǎn)是被測(cè)氣體中水蒸氣，隨溫度的降低而凝結(jié)為露的（）。答案：溫度題目：純水部分所有水泵應(yīng)選用（）。答案：特種泵

題目：純水制備系統(tǒng)混床的再生反洗的目的是（）。答案：使陰陽(yáng)離子交換樹脂分層題目：對(duì)三氯氫硅中痕量雜質(zhì)的分析采用蒸發(fā)法使用微量高純水和SiHCL3作用產(chǎn)生少量（）水解物，對(duì)痕量雜質(zhì)元素有吸附作用。答案：SiO2

題目：反滲透裝置是超純水治水系統(tǒng)中提純的（）部分。答案：預(yù)脫鹽題目：放射線同位素的量越多，放出的射線的強(qiáng)度（）。答案：越大題目：工廠生產(chǎn)的陽(yáng)離子交換樹脂一般是（）型，陰離子交換樹脂一般是（）型。答案：納氯題目：離子交換樹脂是一種高分子化合物，是由樹脂的骨架和（）兩部分組成。答案：活性基團(tuán)題目：露點(diǎn)法測(cè)定氣體中水分的設(shè)備環(huán)境要求是保持工作環(huán)境高純衛(wèi)生，溫度4-40度，相對(duì)濕度小于（），現(xiàn)場(chǎng)整潔，無(wú)腐蝕性氣體，不得有電路和火種。答案：85%題目：氣相色譜法測(cè)定干法H2的組分崗位存在的環(huán)境因素是（）。答案：潛在氫氣泄露引起的爆炸題目：全自動(dòng)軟化系統(tǒng)逆洗時(shí)進(jìn)口水壓維持在（）bar左右，以利沖洗。答案：1.5-2題目：人們通常將水分為純水和（）。答案：超純水題目：三氯氫硅中硼的分析采用（）法。答案：自然揮發(fā)法題目：樹脂失效表明離子交換樹脂可供交換的（）大為減少。:答案：題目：下列哪一項(xiàng)不是天然水的三大雜質(zhì)之一（）。答案：揮發(fā)物質(zhì)題目：以下那一項(xiàng)不是三氯氫硅中痕量磷的氣象色譜測(cè)定步驟中，在溫度680度和石英石的催化作用下，樣品及其含磷雜質(zhì)分別被氫還原產(chǎn)物（）。答案：水題目：制取高純水時(shí)一般采用（）交換樹脂和（）交換樹脂。答案：強(qiáng)酸型陽(yáng)離子強(qiáng)堿型陰離子題目：質(zhì)譜的定量分析是在質(zhì)譜圖上，譜線的峰值所對(duì)應(yīng)的離子流強(qiáng)度即譜線的黑度代表了（）從而進(jìn)行雜質(zhì)分析。答案：離子的濃度題目：RO反滲透技術(shù)是利用（）為動(dòng)力的膜分離過(guò)濾技術(shù)。答案：壓力差多項(xiàng)選擇題題目：高純水的檢測(cè)時(shí)，測(cè)量方法有（）。答案：靜置測(cè)量法;流動(dòng)測(cè)量法題目：混床的再生具體操作步驟正確的是有（）。答案：清洗陰離子交換樹脂當(dāng)堿液琳完后，再淋洗附在陰離子交換樹脂上的堿液。;強(qiáng)酸性陽(yáng)離子交換樹脂再生劑為5%鹽酸，用酸量為陽(yáng)離子交換樹脂體積的2-3倍;逆洗水從底部進(jìn)入，上口排出，樹脂均勻松弛膨脹開來(lái)，可加大水流速以沖不出樹脂為原則。題目：混床的再生中是兩種樹脂充分混合的方法有（）。答案：用壓縮空氣自底部進(jìn)入，上口排除;用真空泵進(jìn)行混合，自上口抽氣，打開下口閥門進(jìn)氣，用空氣攪動(dòng)陰陽(yáng)離子交換樹脂達(dá)到充分混合的目的題目：離子交換法制備純水時(shí)，新樹脂的預(yù)處理方式是（）。答案：膨脹處理;變形處理題目：利用X射線形貌圖來(lái)計(jì)算單晶中位錯(cuò)密度常用的方法有（）。答案：計(jì)算形貌圖上穿過(guò)一定長(zhǎng)度的位錯(cuò)線的數(shù)目;計(jì)算單位體積中位錯(cuò)線的長(zhǎng)度題目：露點(diǎn)法測(cè)定氣體中水分的過(guò)程控制表述正確有（）。答案：用金屬導(dǎo)管將被測(cè)氣體導(dǎo)入露點(diǎn)瓶，出口氣體經(jīng)石蠟液封瓶放空測(cè)定前要趕氣1h;通常測(cè)-34℃以下氣體觀察到的是霜點(diǎn)，根據(jù)實(shí)驗(yàn)測(cè)得霜點(diǎn)和露點(diǎn)相應(yīng)溫度差約4℃;測(cè)定時(shí)，在封底銅管內(nèi)加入制冷劑，在插入一直-80℃低溫溫度計(jì)小心攪拌，使溫度下降，注意觀察，當(dāng)噴口所對(duì)的銅管表面出現(xiàn)露斑，即讀出溫度值，這就是測(cè)得的露點(diǎn)溫度題目：氣相色譜法測(cè)定H2的組分時(shí)職業(yè)健康安全運(yùn)行控制正確的是（）。答案：存在環(huán)境因素：潛在的氫氣泄漏引起的燃和爆炸;高壓氣瓶應(yīng)該個(gè)開放置;在進(jìn)入有H2的實(shí)驗(yàn)室時(shí)，應(yīng)先通風(fēng)”題目：三氯氫硅中痕量雜質(zhì)的化學(xué)光譜測(cè)定主要試劑表述錯(cuò)誤的有（）。答案：鹽酸優(yōu)級(jí)純?cè)俳?jīng)石墨熏蒸器提純兩次;鈹內(nèi)標(biāo)KCL載體混合溶液每毫升含鈹0.1題目：樹脂的再生時(shí)混合方法有（）。答案：用風(fēng)泵又出水口鼓入壓縮空氣，使離子交換樹脂充分混合;用機(jī)械泵由抽氣口抽氣，空氣由出水口自下而上沖入，使離子交換樹脂在水中翻騰而混合題目：下列哪三項(xiàng)是天然水的三大雜質(zhì)（）。答案：溶解物質(zhì);懸浮物質(zhì);膠體物質(zhì)題目：一個(gè)氣相色譜系統(tǒng)包括（）。答案：.色譜柱;進(jìn)樣口;檢測(cè)器;可控而純凈的載氣源題目：以下DUI純水制備系統(tǒng)中多介質(zhì)過(guò)濾器注意事項(xiàng)敘述錯(cuò)誤的是（）。答案：原水箱回流閥完全關(guān)閉，保護(hù)原水泵;每周檢測(cè)一次沙慮出水SDI值，SDI小于5，則有問(wèn)題題目：質(zhì)譜分析造成其誤差較高的因素有（）。答案：離子質(zhì)量影響用譜線黑度來(lái)反映強(qiáng)度;元素本身的性質(zhì)、樣品中元素的選擇及離子源火花條件對(duì)電離效率的影響;雜質(zhì)在樣品中的不均勻分布;主元素譜線的干擾題目：中子活化分析的特點(diǎn)有（）。答案：靈敏度高;非破壞性分析;分析速度快，精度高;不易沾污和不受試劑空白的影響題目：自動(dòng)軟化系統(tǒng)出現(xiàn)下述情況之一（）就必須進(jìn)行化學(xué)清洗。答案：裝置的單次的濃縮比比初期投運(yùn)時(shí)或上一次清洗后降低10%-20%時(shí);裝置的純水量比初期投運(yùn)時(shí)或上一次清洗后降低5%-10%;裝置各段的壓力差值為初期投運(yùn)時(shí)或上一次清洗后的1-2倍;裝置需要長(zhǎng)期停運(yùn)時(shí)用保護(hù)溶液保護(hù)前題目：自動(dòng)軟化系統(tǒng)反洗的目的是（）。答案：通過(guò)反洗，試運(yùn)行中壓緊的樹脂層松動(dòng)，有利于樹脂顆粒與再生液充分接觸;是樹脂表面積累的懸浮物及碎樹脂隨反洗水排出，從而是交換器的水流阻力不會(huì)越來(lái)越大題目：自動(dòng)軟化系統(tǒng)注意事項(xiàng)下述敘述正確的是（）。答案：只有石英砂過(guò)濾器控制閥和活性炭過(guò)濾器控制閥均在運(yùn)行位置時(shí)，軟化過(guò)濾器才能進(jìn)行設(shè)備的日常維護(hù)。;如果進(jìn)水太快，罐中的介質(zhì)會(huì)損失，在緩慢進(jìn)水的同時(shí)，應(yīng)能聽到空氣慢慢從排水管排出的聲音。;如果整套設(shè)備連續(xù)供水，卻能確定每天的用水量，可將多功能控制閥設(shè)為自動(dòng)狀態(tài)。題目：RO系統(tǒng)清洗過(guò)程中RO膜污染原因與使用藥劑搭配錯(cuò)誤的是（）。答案：細(xì)菌污染用3%檸檬酸溶液;碳酸鹽結(jié)垢用1%富爾馬林溶液題目：RO系統(tǒng)清洗時(shí)注意事項(xiàng)有（）。答案：清洗時(shí)操作要有安全防護(hù)，用到NH3·H2O調(diào)節(jié)PH值時(shí)，要考慮通風(fēng);清洗結(jié)束后，取殘夜進(jìn)行化學(xué)分析，確定污染物種類，為日后清洗提供依據(jù)題目：X射線形貌技術(shù)的試驗(yàn)方法有（）。答案：異常透射法;雙晶光譜儀法;透射形貌法;反射形貌法

判斷題

題目：純水制備系統(tǒng)反滲透系統(tǒng)要把濃水調(diào)節(jié)閥和進(jìn)水調(diào)節(jié)閥完全關(guān)閉。答案：錯(cuò)題目：純水制備系統(tǒng)過(guò)程中原水箱回流閥要全關(guān)閉。答案：錯(cuò)題目：純水制備系統(tǒng)在日常維護(hù)中，每次反洗時(shí)先用壓縮空氣使濾料充分松動(dòng)，并且要把控制閥選到對(duì)應(yīng)位置才能開啟原水增壓泵。答案：對(duì)題目：對(duì)三氯氫硅中硼的分析采用蒸發(fā)法。答案：錯(cuò)題目：放射線同位素的量越多，放出的射線的強(qiáng)度越少。答案：錯(cuò)題目：工廠生產(chǎn)的陰離子交換樹脂一般為鈉型。答案：錯(cuò)題目：硅單晶中線度小于10-4cm的缺陷稱為微陷。答案：對(duì)題目：混床交換在再生處理時(shí)，陰離子交換樹脂和陽(yáng)離子交換樹脂充分混合。答案：錯(cuò)題目：離子交換床在工作的任何時(shí)候，混床進(jìn)水壓力小于160℃.答案：對(duì)題目：離子交換法制備純水用陰樹脂可以得到高純水。答案：錯(cuò)題目：露點(diǎn)法檢測(cè)氣體存在的危險(xiǎn)是氫氣泄露引起的燃燒核爆炸。答案：錯(cuò)題目：氣相色譜法測(cè)定干法H2的組成存在的環(huán)境因素是潛在的液氮低溫凍傷。答案：對(duì)題目：色譜法基本原理是基于時(shí)間的差別進(jìn)行分離。答案：對(duì)題目：樹脂的生交換柱內(nèi)離子交換樹脂失效后，在再生前必須首先對(duì)樹脂進(jìn)行短時(shí)間的強(qiáng)烈反沖。答案：對(duì)題目：樹脂再生混合時(shí)要求注入蒸餾水至高出離子交換樹脂10cm左右，然后混合。答案：對(duì)題目：為了使氫離子和氫氧根離子完全結(jié)合成水，陰、陽(yáng)樹脂必須交換出等量的離子。答案：對(duì)題目：新樹脂使用前應(yīng)進(jìn)行預(yù)處理：膨脹處理和變形處理。答案：對(duì)題目：只有多介質(zhì)過(guò)濾器處于運(yùn)行時(shí)才能對(duì)活性炭過(guò)濾器進(jìn)行日常維護(hù)。答案：對(duì)題目：制取高純水時(shí)一般采用強(qiáng)酸型陽(yáng)離子交換樹脂。答案：錯(cuò)題目：RO系統(tǒng)清洗過(guò)程應(yīng)密切注意清洗液溫度上升，不得超過(guò)35℃。答案：對(duì)配伍題

題目：