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文檔簡介
姓名:_________________學號:_________________班級:_________________學校:_________________ 密封線 姓名:_________________學號:_________________班級:_________________學校:_________________ 密封線 密封線 高二下冊化學期末試卷題號一二三四五六閱卷人總分得分注意事項:1.全卷采用機器閱卷,請考生注意書寫規(guī)范;考試時間為120分鐘。2.在作答前,考生請將自己的學校、姓名、班級、準考證號涂寫在試卷和答題卡規(guī)定位置。
3.部分必須使用2B鉛筆填涂;非選擇題部分必須使用黑色簽字筆書寫,字體工整,筆跡清楚。
4.請按照題號在答題卡上與題目對應的答題區(qū)域內(nèi)規(guī)范作答,超出答題區(qū)域書寫的答案無效:在草稿紙、試卷上答題無效。A卷(第I卷)(滿分:100分時間:120分鐘)一、單選題(下列各題的四個選項中,只有一個是符合題意的答案。)
1、化學與生活緊密相關,下列描述不正確的是A.中國天宮空間站所用太陽能帆板主要化學成分是硅單質(zhì)B.人工制造的分子篩主要用作吸附劑和催化劑C.常用75%的酒精消毒,是因為酒精可吸收細菌蛋白中水分,使其脫水變性,達到殺菌消毒的目的D.淀粉通過水解可以生產(chǎn)酒和醋
2、設表示阿伏加德羅常數(shù)的值,下列說法正確的是A.78g苯中含有碳碳雙鍵的數(shù)目為B.羥基中含有的電子數(shù)目為C.的溶液中含有的數(shù)目小于為D.的純水中含數(shù)目為
3、一種可用作半導體摻雜源的化合物的結構式如圖所示。已知W、X、Y、Z為原子序數(shù)依次增大的四種短周期主族元素,Z的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的3倍。下列說法中錯誤的是
A.原子半徑:B.X、Y最高價氧化物對應的水化物的酸性:X<YC.W和Y能形成多種原子個數(shù)比為1:1的化合物D.除W原子外,分子中的其他原子均滿足8電子穩(wěn)定結構
4、五倍子是一種常見的中草藥,其有效成分為X。在一定條件下X可分別轉(zhuǎn)化為Y、Z。
下列說法正確的是A.Y分子中所有原子可能共平面B.不能用溶液檢驗Y中是否含有XC.1molZ最多能與7molNaOH發(fā)生反應D.X與足量氫氣發(fā)生加成反應,所得產(chǎn)物中有2個手性碳原子
5、實驗室制備氯氣的裝置如下圖。圖中涉及氣體發(fā)生、除雜、干燥、收集、尾氣處理裝置,其中錯誤的是
A.①B.②C.③D.④
6、如圖所示的裝置,C、D、E、F是惰性電極。甲中是硫酸銅溶液、乙中是飽和氯化鈉溶液,將電源接通后,在F極附近能產(chǎn)生使?jié)駶櫟矸?KI試紙變藍的氣體。則以下說法正確的是
A.A極是電源正極B.丙裝置給鋅鍍銀,G應該是Ag,電鍍液是AgNO3溶液C.甲、乙裝置的D、E電極均有單質(zhì)生成,其物質(zhì)的量之比為1:2D.裝置丁的X極是鐵,電解液是硫酸鈉溶液,丁中可得到白色的Fe(OH)2沉淀
7、時,用的溶液滴定某二元弱酸,滴定過程中溶液的及及的物質(zhì)的量濃度變化如圖所示,下列說法錯誤的是
A.的B.②對應的是的變化曲線C.在y點時,D.的溶液中:二、試驗題
8、苯乙酸銅是合成納米氧化銅的重要前驅(qū)體之一,可采用苯乙腈()為原料在實驗室進行合成。制備苯乙酸的裝置如右圖(加熱和夾持儀器略去)。已知苯乙酸的熔點為76.5℃,微溶于冷水,易溶于乙醇。
在250mL三口瓶A中加入70mL質(zhì)量分數(shù)為70%的硫酸和幾片碎瓷片,加熱至100℃,再緩緩滴入46.8g苯乙腈,然后升溫至130℃,發(fā)生反應:
+2H2O+H2SO4+NH4HSO4
請回答:
(1)甲同學提出為使反應物受熱均勻,可以采取水浴加熱。老師否定了這個建議,原因是_______。
(2)乙同學提出裝置中缺少溫度計,溫度計水銀球的合理位置是_______。
(3)本實驗采用了滴液漏斗。與普通分液漏斗相比,滴液漏斗的優(yōu)點是_______。
(4)反應結束后需先加適量冷水,再分離出苯乙酸粗品。加入冷水的目的是_______,分離出苯乙酸的操作是_______。
(5)提純粗苯乙酸最終得到19g純品,則苯乙酸的產(chǎn)率是_____%(結果保留整數(shù))。
(6)將苯乙酸加入到乙醇與水的混合溶劑中,充分溶解后加入Cu(OH)2,攪拌30min,過濾。濾液靜置一段時間可以析出苯乙酸銅晶體。此步驟中用到乙醇的作用是______;寫出此步發(fā)生反應的化學方程式_______。三、工藝流程題
9、硼酸()是一種重要的化工原料,廣泛應用于玻璃、醫(yī)藥、肥料等工藝。一種以硼鎂礦(含、及少量、)為原料生產(chǎn)硼酸及輕質(zhì)氧化鎂的工藝流程如下:
已知:①“溶浸”時溫度控制在95℃;
②;
③室溫下,溶液中金屬離子開始沉淀和完全沉淀時的pH如表所示:金屬離子開始沉淀時(c=0.01mol/L)的pH3.72.27.5沉淀完全時(c=1.0×10-5mol/L)的pH4.73.29.0
回答下列問題:
(1)為了提高硼鎂礦的“溶浸”速率,可采取的措施有_______(填一條即可)。
(2)溶液顯_______(填“酸”或“堿”)性,其原因是_______(用離子方程式表示)。
(3)“濾渣”的主要成分為、和。
①往“濾渣”中加入過量的燒堿溶液,過濾,可除去的固體物質(zhì)為_______(填化學式)。
②向①中過濾后的濾液中通入過量的,可得到的沉淀有_______(填化學式)。
③室溫下,請依據(jù)上表所給數(shù)據(jù)求出的值:_______。
(4)寫出高溫焙燒時的化學方程式:_______。
(5)為一元酸(已知:室溫下,):
①請寫出與過量的燒堿溶液發(fā)生反應的離子方程式:_______。
②室溫下,溶液的pH約為_______。四、原理綜合題
10、已知反應:
反應①:
反應②:
反應③:
在2MPa,起始投料時,CO2的平衡轉(zhuǎn)化率及CH3OCH3和CH3OH的平衡體積分數(shù)隨溫度變化如圖-1所示。
(1)①
ΔH=___________
②從453-553℃,升高溫度CO2平衡轉(zhuǎn)化率降低的原因是___________。
③為提高單位時間內(nèi)CH3OCH3產(chǎn)率。研發(fā)的催化劑需具備的特點是___________。
(2)在催化劑作用下,二甲醚還原NO的反應原理為
ΔH<0。在有氧和無氧的環(huán)境下,NO的去除率隨溫度變化如圖-2所示。
①無氧環(huán)境下,在250~450℃范圍內(nèi)隨著溫度的升高,NO的去除率先迅速上升后上升緩慢的主要原因是___________。
②溫度高于400℃時,NO去除率明顯低于無氧環(huán)境的可能原因有___________。
11、回答下列問題:
(1)一種銅金合金晶體具有面心立方最密堆積結構,在晶胞中Cu原子處于面心,Au原子處于頂點,上述晶體具有儲氫功能,氫原子可進入到由Cu原子與Au原子構成的四面體空隙中。若將Cu原子與Au原子等同看待,該晶體儲氫后的晶胞結構與CaF2(見圖)的結構相似,該晶體儲氫后的化學式應為_______。
(2)NH4BF4(氟硼酸銨)是合成氮化硼納米管的原料之一、1molNH4BF4含有_______個配位鍵。
(3)中醫(yī)典籍中,記載了爐甘石(ZnCO3)入藥,可用于治療皮膚炎癥或表面創(chuàng)傷。ZnCO3中,陰離子空間構型為_______,該陰離子中的大Π鍵可表示為_______。
(4)晶胞有兩個基本要素:
①原子坐標參數(shù),表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置。磷化硼是一種超硬耐磨的涂層材料,其晶胞結構如圖所示,其中原子坐標參數(shù)A為(0,0,0);B為(,,1);D為(1,1,1)。則C的原子坐標參數(shù)為_______。
②晶胞參數(shù),描述晶胞的大小和形狀。P原子與B原子的最近距離為apm,則磷化硼晶體的密度為_______g·cm-3。(用含a的代數(shù)式表示)
③CaTiO3的晶胞如圖(a)所示,一種立方鈣鈦礦結構的金屬鹵化物光電材料的組成為Pb2+、I-和有機堿離子CH3NH,其晶胞如圖(b)所示。其中Pb2+與圖(a)中_______的空間位置相同。
12、工業(yè)上合成a-萜品醇G的路線之一如下:
已知:RCOOC2H5
請回答下列問題:
(1)F中所含官能團的名稱是___________:B→C的反應類型為___________。
(2)寫出同時滿足下列條件的E的同分異構體的結構簡式___________。
①只有3種環(huán)境的氫原子
②能發(fā)生銀鏡反應
③分
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