N溝道和P溝道MOSFET的開關(guān)電路講解_第1頁
N溝道和P溝道MOSFET的開關(guān)電路講解_第2頁
N溝道和P溝道MOSFET的開關(guān)電路講解_第3頁
N溝道和P溝道MOSFET的開關(guān)電路講解_第4頁
N溝道和P溝道MOSFET的開關(guān)電路講解_第5頁
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WordN溝道和P溝道MOSFET的開關(guān)電路講解（MOSFET）由MOS(MetalOxideSemiconductor金屬氧化物（半導(dǎo)體）)+FET(FieldEffectTransistor場效應(yīng)（晶體管）)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產(chǎn)生電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)導(dǎo)電溝道開關(guān)的場效應(yīng)晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場效應(yīng)管。

MOSFET功率場效應(yīng)晶體管，大多數(shù)用作開關(guān)和驅(qū)動器，工作于開關(guān)狀態(tài)，耐壓從幾十伏到上千伏，工作（電流）可達(dá)幾安培到幾十安。功率MOSFET基本上都是增強型MOSFET，它具有優(yōu)良的開關(guān)特性。

N溝道MOSFET和P溝道MOSFET的（開關(guān)電路）

N溝道MOSFET

N溝道MOSFET開關(guān)電路圖

當(dāng)按下按鈕時，LED亮起。1kΩ電阻充當(dāng)下拉電阻，將柵極電壓保持在與電池負(fù)極端子相同的電位，直到按下按鈕。這會在柵極施加正電壓，打開漏極和源極引腳之間的通道，并允許電流流過LED。

P溝道MOSFET

P溝道MOSFET開關(guān)電路圖

綜合整理自頭條號李工談元器件、頭條號品質(zhì)

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