材料科學(xué)基礎(chǔ)下中文第二章

材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）第二章材料中的界面-II材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）材料中的界面,第二部分§1.引論概要對材料性能的影響(如面缺陷)在微觀結(jié)構(gòu)演化中的作用和新技術(shù)的關(guān)系§2.界面的分類1.按照相關(guān)晶體2.按照界面點陣的匹配程度§3.界面結(jié)構(gòu)和形貌模型小角晶界的位錯模型或失配度較小的相界O-點陣的概念其它不常見的界面模型§4.界面能§5.平衡態(tài)時的界面偏聚材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）§3.界面結(jié)構(gòu)和形貌模型1.半共格界面的位錯模型D

b/

對于簡單的小角晶界D=b

/

對一維或失配度各向同性的界面2.常見界面的O-點陣模型O-點:匹配最好的位置(失配度為0)O-胞壁:匹配最差的位置可能的位錯位置=O-胞壁和界面的交點4.15對于一個普通的小角晶界,或者對于失配度各向異性的界面，如何計算D?材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）O-點陣矢量的定義原則來自張敏SRT工作在我的網(wǎng)頁上可以找到該文件O-點:匹配最好的位置

(失配度為0)O-點陣矢量的定義原則O-胞壁:匹配最差的位置Bollmann,1970材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）在二維O-點陣中存在圍繞中心的周期性的好的匹配區(qū)域,是由不同方向柵格格點的重疊造成的在O-點陣的強制匹配中好的匹配區(qū)域里的純孿晶晶界模型W.A.Tiller，1991孿晶晶界vs二維O-點陣材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）松弛后界面兩邊的原子位置.松弛后原子位置.螺位錯的方形位錯環(huán)變得清晰Fig.4-95p304

在Si的孿晶晶界上由螺位錯組成的方形位錯環(huán)DBWilliamsandCBCarter1996一個四重對稱平面中的純孿晶界面(松弛后):

材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）在孿晶晶界上的螺位錯

在對稱傾側(cè)晶界上的刃型位錯在向旋轉(zhuǎn)軸傾斜的界面上的混合位錯

O-胞壁O-線O-胞壁和界面的交界可能是錯配位錯位置材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）馮端等，材料科學(xué)導(dǎo)論，2002Nb中小角晶界上的位錯材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）(來自YangXiao-peng,我的網(wǎng)頁上可以找到該文件)一維失配體系中有失配位錯的O-胞壁的幾何連續(xù)性各向同性膨脹度二維O-點陣,由不同點陣常數(shù)的柵格中的重疊格點構(gòu)成材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）步驟1:

在兩個點陣中建立一個定量關(guān)系

x

=Ax

x

,x

:

和

點陣中的矢量

A:轉(zhuǎn)換矩陣,失配扭曲矩陣r1//x

軸r1

=

[r,0],([]=列向量)r2

=

[rcosa,rsina]

O-點陣的計算錯配位移的計算

步驟

2:

計算對

x

的相對位移:

Dx

=x

–xa

=

(I

–

A-1)x

=Tx

步驟3:

找到和

x

相關(guān)的錯配位移

x

m=x

x

n

其中x

n

是x

的最近鄰

x

n

能夠轉(zhuǎn)換成x

，方法如下

x

n=x

+∑b

iL∴

x

m=x

x

n=x

(x

+∑b

iL) =

x

∑b

iL在|

x

m|<|

x

m

–b

iL|

條件下步驟4:

找到失配度為0的x

x

m=0

x

=Tx

=∑b

iLx

DxmxanbaxaO-點陣中O-點的定義!!x

=Ax

T=I–A-1周期性位錯的結(jié)構(gòu)用xO定義O-點的分布(GMZ) TxiO=biL假定界面法矢為n(單位矢量),含有柏氏矢量為baiL的周期性位錯

(和bbiL有關(guān))

定義O-胞壁的倒易矢量:ciO=

T

b

i*

位錯方向:位錯間距:D=1/|xi|

特殊體系:ciO=

bi*=bi*

bi*Bollmann’s方程,70xi=n

ciObi*=biL/|biL|2

=倒易柏氏矢量特殊邊界,xi=n

bi*,n

bi*

Cosine定律:D=bαLbβL/[(bαL)2+(bβL)2–2bαLbβLcos(

)]1/2

課本上該公式的統(tǒng)一表述為旋轉(zhuǎn):(|bαL|=|bβL|=b) D=1/|

bi*|=b2/(bαL–bβL)=b/2sin(

/2)

b/

各向同性變形:(bαL//bβL,|bL|=

bL) D=1/|

bi*|=1/(1/bαL–1/bβL)=bβL/

ba*

b*bβ*

=(bβL–bαL)/bαL

bbβLbaLZhang,APL2005D=1/|Db*|=1/|bi*

bi*|bi*=biL/|biL|2O-胞壁的倒易矢量

簡單情況下公式的驗證2.常見界面的O-點陣模型O-點:匹配最好的位置(失配度為0)O-胞壁:匹配最差的位置位錯幾何的公式(統(tǒng)一表述) O-點陣是定量計算半共格和部分共格結(jié)構(gòu)最常用的模型(對于晶界和相界都適用,和課本上不同)3.其它不常見界面的模型

(新知識，課本上沒有)CSL/DSC模型(對于失配度較大&S較低的界面)材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）3.其它不常見界面的模型1)CSL/DSC模型(對失配度較大的界面) CSL:重合點陣

Fig.7-14onP419不同位向差時的能量不同材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）主要參數(shù) 1/=CSL陣點密度

在簡單立方晶體

是奇數(shù)

自然狀態(tài)有利于提高CSL陣點密度材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）=(x2+y2)/2nx=3,y=1,

=5q=2tg-1(y/x)q=2tg-1(1/3)=36.87

(3,-1)(3,1)(-1,-3)(1,-3)5CSLq=36.87

ults材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）立方晶系中晶界的CSL/DSCL

Bollmann,1982413頁,表7-1Bollmann1982材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）可能的低能面的位置:穿過CSL點陣的密排面含有CSL點陣密排面的臺階型界面理解413頁圖7-2中S11CSL的晶界50.5

A

切變產(chǎn)生的∑3的孿晶界面當兩個晶粒共面,這個面就是孿晶界面Aor相似的C,BA繞著

通過面

A上的陣點的軸旋轉(zhuǎn)

或者大約

/3產(chǎn)生的∑3的孿晶界面A單個位移導(dǎo)致的位錯塞積.BCBCCB材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）Reed-HillandRezaAbbaschian,PhysicalMetallurgyPrinciples,3rdedition,1994材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）FCC點陣以[001]軸旋轉(zhuǎn)的對稱傾轉(zhuǎn)晶界的結(jié)構(gòu)單元模型(a)5的CSL，黑點為重位點，虛線平行于面(210)(b)5晶界的松弛結(jié)構(gòu)，晶界由B單元組成(c)17晶界的松弛結(jié)構(gòu)，晶界由A和B單元以ABB順序重復(fù)排列，平行于面(530)(d)37晶界的松弛結(jié)構(gòu)，晶界由AABAB順序重復(fù)排列，晶界面是(750)(e)1(完整晶體)的情況，平行于(110)面構(gòu)成的結(jié)構(gòu)單元，以A表示ABBABBAABABAABAB余永寧,2000材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）判斷是否接近CSL結(jié)構(gòu)的Brandon標準

rm=r0/S1/2

HOWEJM.InterfaceinMaterials.1997二次位錯的證據(jù)

金中在孿晶晶界由于位向差的作用產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)位錯的間距.材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）

DSCL:(位移)完全位移點陣模型

完全位移點陣3.其它不常見界面的模型材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）二次位錯二次位錯的柏氏矢量來自DSCL的矢量為了在不同區(qū)域得到CSL，點陣的相對位移必須是這個矢量當位向與CSL位向有輕微偏離時APSutton,RWBalluffi,InterfacesinCrystallineMaterials,1995材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）二次位錯當界面位置相對于CSL位置有輕微偏離時

材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）Cm和A之間的界面結(jié)構(gòu)HoweandSpanos,

Phil.Mag.,1999Zhangetal.Actamater.,2000

YeandZhang,Actamater.,2002DSCL中作為柏氏矢量的小矢量不在CSL的密排面上閆佳易，2009材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）

g1=

g(02-2)

-g(062)s

g2

=g(020)

-

g(002)s在Al-Cu-Mg合金中(RuleIII)對S相的應(yīng)用(Al2CuMg)

Radmilovicetal.(1999)已有的報道或者

(TypeII): [100]s//[100]

(0-21)s~//(014)報道的面

(043)s//(021)GuandZhang,2007材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）§3.界面結(jié)構(gòu)和形貌模型1.半共格界面的位錯模型簡單小角晶界一維錯配或者各向同性錯配的界面2.常見界面的O-點陣模型O-點:匹配最好的位置(失配度為0)O-胞壁:匹配最差的位置位錯幾何的公式(統(tǒng)一表述)3.其它不常見界面的模型CSL/DSC模型(對于失配度較大&S較低的界面)結(jié)構(gòu)單元模型(原子計算)二次位錯4.15材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）界面結(jié)構(gòu)發(fā)展趨勢通過建立低能化學(xué)鍵形成低能結(jié)構(gòu),在金屬系統(tǒng)中盡可能形成共格結(jié)構(gòu)(首選的擇優(yōu)狀態(tài))如果完全共格的共格錯配應(yīng)力太大形成低能結(jié)構(gòu)單元（部分共格）(次級擇優(yōu)狀態(tài))如果必須形成高能化學(xué)鍵就形成非晶狀態(tài)，例如陶瓷中的O-O如果錯配應(yīng)力對于完全共格（或者嚴格的部分共格）來說太大了，錯配位錯就會形成半共格（或半-部分共格）界面材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）材料中的界面§1.引論§2.界面分類§3.界面結(jié)構(gòu)和形貌模型小角晶界的位錯模型或失配度較小的相界O-點陣的概念其它不常見的界面模型§4.界面能§5.平衡態(tài)時的界面偏聚材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）§4.界面能1.物理基礎(chǔ)2.位錯模型3.最近鄰斷鍵模型4.不同界面位向時的能量5.特殊界面的自由能6.表面張力(F/L)和表面應(yīng)力張量§5.平衡態(tài)時的界面偏聚§6.平衡態(tài)時晶體、晶粒和顆粒的形狀

1.Wulff線和Wulff結(jié)構(gòu)2.表面平衡位置3.平衡表面張力的作用力4. 晶界上的顆粒5. 內(nèi)部顆粒材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）§4.界面能()1.物理基礎(chǔ)化學(xué)鍵的斷裂、扭曲或者高能化學(xué)鍵會導(dǎo)致表面能的上升結(jié)構(gòu)和成分可能有原子重排應(yīng)用 很多現(xiàn)象

(潤濕,偏聚,吸收,凝固和析出是的形核,晶粒粗化,晶粒生長,微觀結(jié)構(gòu)發(fā)展,催化作用)

和材料性能

(脆裂,沿晶斷裂,蠕變時的晶?；?和微觀結(jié)構(gòu)相關(guān)的性能)材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）§4.界面能()2.位錯模型419頁圖7-14,301頁例4-107,418頁例7-10主要對小角晶界，在立方晶系材料中典型的取向差角度為15°Read-Shockley模型:

對于一系列位錯,長程應(yīng)力區(qū)取決于位錯間距.考慮到位錯密度和位錯的核心能,位錯面的能量可以通過對所有位錯能量加和得到Y(jié)ang,C.-C.,A.D.Rollett,etal.(2001).“Measuringrelativegrain

boundaryenergiesandmobilitiesinanaluminumfoilfrom

triplejunctiongeometry.”

ScriptaMateriala:.材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）§4.界面能()單個位錯的能量:位錯數(shù)目=1/D長度=1R=D/2ro=b/2單位區(qū)域中系列位錯的能量:Read-Shockley1950A.Otsuki,Ph.D.thesis,TyotoUniversity,Japan(1990)能量取決于旋轉(zhuǎn)軸和界面平面Fig.7-14onP419材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）§4.界面能()銅的實驗結(jié)構(gòu).Gjostein&Rhines,Actametall.7,319(1959)傾側(cè)孿晶沒有通用的理論能描述大角晶界的能量.材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）§4.界面能()TiltPorterandEasterling,2001對不含CSL密排面的大角度晶界,用一個常數(shù)表示界面能材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）§4.界面能()Tilt共格vs非共格孿晶界面PorterandEasterling,2001材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）計算結(jié)果Hasson,G.C.andC.Goux(1971).“Interfacialenergiesoftiltboundariesinaluminum.

Experimentalandtheoreticaldetermination.”

Scriptametallurgica

5:889-894<100>

傾側(cè)<110>

傾側(cè)孿晶觀察結(jié)果能谷能量極值點材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）界面共格程度越高，界面能越低.J.W.Martin,etal,1996材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）一些備注:大部分材料不處在平衡態(tài)，而是處在亞穩(wěn)態(tài)淬火:為原子向低能態(tài)移動提供動力.作業(yè)7-2:晶界能否旋轉(zhuǎn)取決于目前的能量是否低于旋轉(zhuǎn)之后的能量.

參考420頁得到所有情況下界面能的大致數(shù)據(jù)

.材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）3.最近鄰斷鍵模型

417頁假定:

忽略二次化學(xué)鍵的能量忽略原子的不同(就像在一元體系中)

忽略松弛&重構(gòu)

Us,

不是溫度的函數(shù)(T=0K)

Hs(升華熱)

U

ZNa

/2 Us=(

nispis

/2)/Apis:某種原子每個原子的斷鍵數(shù)目nis:表面上該類原子的總數(shù)§4.界面能()材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）以fcc{111}為例: A=

被<110>包圍

nis=3/2+3/6=2,i=1! pis=3 A=a2{

(2)

(2)

[

(3)]/2}/2=a2[

(3)]/2 Us=(

nispis

/2)/A=2

(3)

/a2fcc(111)表面

§4.界面能()材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）fcc(111)表面fcc(100)表面fcc(110)表面表面原子的斷鍵數(shù)目p1s=3??材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）nis

和pis

隨{hkl}而不同注意不同類型的表面原子不同面上化學(xué)鍵數(shù)目的圖表上層,兩個斷鍵下層,x個化學(xué)鍵材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）P418(114)Fig.7-11簡單立方，（0-13）PorterandEasterling,2001表面能的單位面積表面沿單位長度方向(TLK)斷鍵模型()材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）

A=1

a,

>0

nispis=(cos

+sin

)/a Us=(

nispis

/2)/A =(cos

+sin

)

/(2a2) =

(2)sin(

/4+

)

/(2a2),圖.7-12

由于四重對稱,

=±

/4, Us=Usmax=

/[

(2)a2]

=0,±

/2, Us=Usmin=

/(2a2),方程(7-8)不同界面位向的Usqgksin(p/4+q)ksinqksin(p/4+q)qggq極坐標系極坐標系!直角坐標系sin(

/4)=cos(

/4)=1/

(2)cos+sin=

(2)[sin(

/4)cos

+cos(

/4)sin

]p418材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）5.特殊界面的自由能:

(347頁)

在一個含有界面的一元系統(tǒng)中的內(nèi)能(之和)(C=1)dU=TdS–PdV+

dA 方程(5-89)G=U+PV–TSdG=dU

+PdV+VdP–

TdS–SdT+

dAdG=VdP–SdT+

dA 在溫度和壓力一定時dG=

dA如果g

是各向同性的,A=Gxs347頁,方程(5-91);417頁,方程(7-3)§4.表面能()定義:g(=

Gxs/A)是表面（或界面）層里單位面積的過剩吉布斯自由能(Cahn1977)材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）

可逆地增加界面面積dA的所需的功是

dWT,P=d(

A)=

dA+Ad

dWT,P=

dA, 當(

/

A)P,T=0

6.表面張力(F/L)和表面應(yīng)力張量(fij)

對:A=xL,dA=Ldx,de=dx/x

W=

G

W=

dA+Ad

=(

dx+xd

)L＝Fdx

F/L=

+d

/deor f=

+

/

e,(各向同性的)

常見情形: fij=

ij+

/

eij, (eij=應(yīng)力張力)

簡單情形:(

/

A=

/

e=0):f=

即: 通常所用表面張力與(比)表面(自由)能的關(guān)系L如果

/

A=0,表面張力

f=

f=F/L(N/m)數(shù)值上等于

(J/m2)材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）對C>1的系統(tǒng)定義:

dU=TdS–PdV+SmidNi

+

dA

在溫度和壓力恒定時通過增加體系可以得到(Cahn77) U=TS–PV+SmiNi+gA gA=U+PV

–TS–SmiNi

=系統(tǒng)的G–系統(tǒng)中材料的G對開放體系(P1

P2,Trivedi02):

在溫度、體積和化學(xué)勢恒定時g是可逆地增加單位面積的界面所需的能量

dW=-SdT–PdV–SNidmi

+gdA

g=(

W/

A)T,Vmig=(

U/

A)S,VNig=(

F/

A)T,VNig=(

G/

A)T,PNig=(

W/

A)T,Vmi(巨正則勢)=Gxs/A材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）§4.界面能1.物理基礎(chǔ)2.位錯模型3.最近鄰斷鍵模型4.不同界面位向的Us5.特殊界面的自由能6.表面張力(F/L)和表面應(yīng)力張量§5.平衡態(tài)時界面偏聚由于表面或界面斷鍵、鍵變形、錯鍵等整個系統(tǒng)會改變能量表(界)面能=由于界面使系統(tǒng)(界面附近)增加(改變)的能量/面積定義和計算細節(jié)取決于產(chǎn)生界面的條件(等溫、等壓、封閉)界面能降低的趨勢，會導(dǎo)致表(界)面變化：面積減少、結(jié)構(gòu)改變、成分改變、性能改變(不利和有利)、無限用途(催化、傳感器、量子點、量子線等)界面知識是組織演化基礎(chǔ)(材料計算)，知識發(fā)展是不成熟的!!定性(爭取半定量)的界面能知識是材料研究中分析問題的重要基礎(chǔ)歡迎參加貢獻知識的研究4.22表面張力：

F/L=

+d

/de

功=與面積成比例增加的

dA(e.g.l/g)+隨增面積引起的增量Ad(e.g.s/s)氣球材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）某些液體和固體的平均表面能.非共格晶界能ggb

大約是固/氣界面能的1/3.From:JMHOWE.InterfaceinMaterials,1997PorterandEasterling,2001材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）§5.平衡態(tài)時的界面偏聚1.平衡態(tài)時的溶質(zhì)濃度C420頁

(方程.7-12)

亥姆霍茲自由能取決于合金中的溶質(zhì)和結(jié)構(gòu)

: F=(PUl+QUg)–kTln(W)

Numberofstates:W=N!n!/[P!(N–P)!Q!(n–Q)!]

在(

F/

Q)P,T=0時,(注意dP=-dQ)Ug–Ul=kTln{(n–Q)P/[Q(N–P)]}

定義:Co=P/N

P/(N-P) C=Q/n

Q/(n-Q)

E=Na(Ul–Ug)=RTln(C/Co)

得到

C=Coexp(

E/RT) 方程(7-18)位置溶質(zhì)點陣NP晶界nQ

E>0,C>Co邊界上的溶質(zhì)原子有兩種位置：溶質(zhì)原子占據(jù)晶格格點(A)；溶質(zhì)原子不占據(jù)格點而在界面的中心(B)偏聚假設(shè)每個晶格位置體積相等,C和Co可理解為體積百分數(shù)等體積，等溫假設(shè)材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）P在a-Fe中的偏聚焓H.Gleiter,Prog.Mater.Sci.33(1989)JMHOWE.InterfaceinMaterials,1997材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）通過增加固溶度來增加晶界含量PorterandEasterling,2001材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）保溫7s時，試樣中硼分布和對應(yīng)的金相照片CuiandHe,2001材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）§6.平衡態(tài)時界面偏聚2.吉布斯吸附方程

(吉布斯模型)在一個有a+b+界面體系中過剩吉布斯自由能計算：Uxs=U–Uα–Uβ, Us=Uxs/ASxs=S–Sα–Sβ, Ss=Sxs/Anixs=ni–nαi–nβi,

i=nxs/AVxs=V–Vα–Vβ=0對C>1系統(tǒng)的定義:

dU=TdS–PdV+SmidNi

+

dA

在溫度和壓力恒定時增加體系可以得到(Cahn77) U=TS–PV+SmiNi+gA gA=U+PV

–TS–SmiNi

=系統(tǒng)的G–系統(tǒng)中材料的G=Gxs/A

=Us–TSs–

i

I材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）由于:d

=d(Us–TSs+

i

i)和

dUs=TdSs+

id

i+d

我們得到吉布斯吸附方程:d

=–SsdT–

id

i

對

C=2,dT=0系統(tǒng)的吉布斯吸附方程: d

=–

Ad

A–

Bd

B選擇表面，所以

A=0,-d

/d

B=

B用Henry法則:d

B=RTdlnaB=(RT/xB)dxB

B=-(xB/RT)d

/dxB

422頁,方程(7-19) d

/dxB>0,

B<0;d

/dxB<0,

B>0吉布斯吸附方程材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）NBaNAbababab表面分界Uxs=U–Uα–Uβ,nixs=ni–nαi–nβiVxs=V–Vα–Vβ=0NBaNBaNBbNBbNBbNAbNAbNAaNAaNAaIIIIIII:nAxs>0,nBxs<0II:nAxs=0,nBxs>0III:nAxs<0,nBxs>0nA

橘黃色線下面的區(qū)域nB

藍色線下面的區(qū)域單位面積的NXi

,B是空隙原子材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）

銅的{110}表面上吸附O的不同覆蓋面積JMHOWE.InterfaceinMaterials,1997材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）

結(jié)束§5.平衡態(tài)時的界面偏聚1.平衡態(tài)時的溶質(zhì)濃度C2.吉布斯吸附方程"第一和第二定律"mp3

材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）第一和第二定律-Flanders和Swann受C.P.Snow把科學(xué)和藝術(shù)結(jié)合起來的思想啟發(fā)...

[Michael:]Snow認為一個不懂得基本科學(xué)語言的人就不能自認為受過完整的教育.我的意思是，像SirEdwardBoyle's定律(VP=CT,n)例如:外壓越大,熱空氣的體積越大.或者熱力學(xué)第二定律-這是非常重要的.有一天我非常吃驚地發(fā)現(xiàn)我的伙伴不僅不知道熱力學(xué)第二定律，他甚至不知道熱力學(xué)第一定律.簡要地說，回到最初的原理，熱力學(xué)來自亮的基本的希臘單詞，熱和功。熱力學(xué)是簡單的熱和功的科學(xué)關(guān)系，且它們倆之間的關(guān)系，就像熱力學(xué)定律中描述的那樣，也可以用我的下面的描述來簡單表述...在我看來...材料科學(xué)基礎(chǔ)（II）在我看來...熱力學(xué)第一定律:熱就是功，功就是熱熱就是功，功就是熱太棒了熱力學(xué)第二定律:熱不會自動地從一個物體傳（這歌詞就不用翻譯了吧）(scatmusicstarts)HeatcannotofitselfpassfromonebodytoahotterbodyHeatwon'tpassfromacoolertoahotterHeatwon'tpassfromacoolertoahotterYoucantryitifyoulikebutyoufarbetternotterYoucantryitif