維修員電子基礎(chǔ)知識(shí)培訓(xùn)

電子產(chǎn)品維修基礎(chǔ)知識(shí)培訓(xùn)目錄

第一部分1.常見(jiàn)的電子元器件的分類2.常用的電子元件單位及換算3.常見(jiàn)元件在PCB板上的絲印4.常見(jiàn)電子元件誤差及耐壓表示方法5.貼片電阻（排阻）的識(shí)別6.電容的識(shí)別7.電感元件的識(shí)別8.二極管、三極管9.集成電路(IC)10.晶振11.光耦器的識(shí)別12.插座13.BT14.LCD第二部分1.歐姆定律2.何謂BOM3.何謂SOP4.何謂SIP5.電氣性能要求6.電子故障檢修方法7.PND正常工作需滿足哪幾個(gè)條件8.修理工常用的設(shè)備儀表9.修理工如何提高自已的技術(shù)水平(1)、電阻類(Res):電子學(xué)符號(hào)R貼片電阻、色環(huán)電阻、壓敏電阻、溫敏電阻(2)、電容類(Cap):電子學(xué)符號(hào)C貼片電容、安全電容、電解電容磁片電容、聚酯電容、鉭電容(3)、電感類(IND):電子學(xué)符號(hào)L貼片疊層電感、貼片繞線電感色環(huán)電感、繞線電感1.常見(jiàn)的電子元器件的分類:

第一部分(4)、二極管(DIODE):電子學(xué)符號(hào)D貼片二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、阻尼二極管、發(fā)光二極管、變?nèi)荻O管(5)、三極管(TRA):電子學(xué)符號(hào)Q§T(6)、開(kāi)關(guān)(KEY):電子學(xué)符號(hào)SW撥檔開(kāi)關(guān)、按鍵開(kāi)關(guān)(7)、集成電路(IC):電子學(xué)符號(hào)UQFP、PLCC、SOP、BGA、DIP(8)、晶振(CRYSTAL):電子學(xué)符號(hào)Y(9)、插座(JACK):電子學(xué)符號(hào)J1.常見(jiàn)的電子元器件的分類:(10)、光電耦合器(OPTO)(11)、變壓器(12)、FUSE(保險(xiǎn)管)

1.常見(jiàn)的電子元器件的分類:2.常用的電子元件單位及換算:(1)、電阻:基本單位:歐姆符號(hào):Ω常用單位:千歐符號(hào):KΩ兆歐符號(hào):MΩ換算關(guān)系:1MΩ＝1000KΩ=1000000Ω(2)、電容:

基本單位:法拉符號(hào):F

常用單位:毫法符號(hào):mF

微法符號(hào):μF

納法符號(hào):nF

皮法符號(hào):pF

換算關(guān)系:

1F＝103mF=106μF＝109nF＝1012pF2.常用的電子元件單位及換算:(3)、電感:基本單位:亨利符號(hào):H常用單位:毫亨符號(hào):mH微亨符號(hào):uH納亨符號(hào):nH換算關(guān)系:1H=103mH=106μH=109nH2.常用的電子元件單位及換算:(1)、貼片電阻的絲印:3:常見(jiàn)元件在PCB板上的絲印電阻元件代號(hào)元件位置(2)、二極管的絲?。涸恢迷惶?hào)二極管負(fù)極標(biāo)識(shí)3:常見(jiàn)元件在PCB板上的絲印(3)、貼片三極管絲印圖元件代號(hào)元件位置3.常見(jiàn)元件在PCB板上的絲印(4)、貼片IC的絲印:IC代號(hào)IC方向標(biāo)識(shí)元件位置元件位置IC第一腳標(biāo)示IC第一腳標(biāo)示3:常見(jiàn)元件在PCB板上的絲印(5)、晶振的絲印:

晶振標(biāo)識(shí)元件位置3:常見(jiàn)元件在PCB板上的絲印4.常見(jiàn)電子元件誤差及耐壓表示方法

(2)、耐壓字母識(shí)別法:

CDJKMZ±0.25pF±0.5pF±5%±10%±20%+80%-20%(1)、誤差字母識(shí)別法:ABC25V50V100V貼片電阻是一種外觀上非常單一的元件。方形、黑色，表面有絲印標(biāo)識(shí)元件值，體積小。阻值識(shí)別規(guī)則：阻值識(shí)別規(guī)則：第一、二位表示元件值有效數(shù)字，第三位表示有效數(shù)字后應(yīng)乘的位數(shù)。它的允許誤差應(yīng)在材料的廠家編碼中用誤差代碼來(lái)識(shí)別。例:圖片中的電阻絲印為750第一、二位75

第三位0＝75*100＝75歐電阻絲印7505.貼片電阻的識(shí)別元件值讀取的例子：圖片中電阻的絲印為331，讀取其元件值：第一、二位33X第三位1＝33X10＝330歐排阻排阻絲印820阻值識(shí)別規(guī)則：第一、二位表示元件值有效數(shù)字，第三位表示有效數(shù)字后應(yīng)乘的位數(shù).例:圖片中的排阻絲印為820第一、二位82

第三位0＝82*10^0＝82歐5:貼片電阻（排阻）的識(shí)別貼片電阻有5種參數(shù)，即尺寸、阻值、允差、溫度系數(shù)及包裝。1．尺寸系列：貼片電阻系列一般有7種尺寸，用兩種尺寸代碼來(lái)表示。一種尺寸代碼是由4位數(shù)字表示的EIA(美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì))代碼，前兩位與后兩位分別表示電阻的長(zhǎng)與寬，以英寸為單位。另一種是米制代碼，也由4位數(shù)字表示，其單位為毫米。不同尺寸的電阻，其功率額定值也不同。2．阻值系列：標(biāo)稱阻值是按系列來(lái)確定的。各系列是由電阻的允差來(lái)劃分的(允差越小則阻值劃分得越多)，其中最常用的是E-24(電阻值的允差為±5%)。貼片電阻表面上用三位數(shù)字來(lái)表示阻值3．允差：貼片電阻(碳膜電阻)的允差有4級(jí)，即F級(jí)，±l%；G級(jí)，±2%；J級(jí)，±5%；K級(jí)，±10%。4．溫度系數(shù)：貼片電阻的溫度系數(shù)有2級(jí)，即w級(jí)，±200ppm/℃；X級(jí)，±lOOppm/℃。只有允差為F級(jí)的電阻才采用x級(jí)，其它級(jí)允差的電阻一般為w級(jí)。5．包裝：主要有散裝及帶狀卷裝兩種。貼片電阻的工作溫度范圍為-55--+125℃，最大工作電壓與尺寸有關(guān)：0201最低，0402及0603為50V，0805為150V，其它尺寸為200V。貼片電阻參數(shù)：(1)、貼片電容有:貼片鉭電容、貼片瓷片電容、疊層貼片電容、貼片電解電容貼片鉭電容:是有極性的電容，絲印上標(biāo)明了電容值為6.8μF和耐壓值25V。貼片鉭電容容量耐壓正極6:電容的識(shí)別貼片鉭電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)貼片瓷片電容6:電容的識(shí)別貼片瓷片電容：體積小，無(wú)極性，無(wú)絲印?；締挝籶F貼片瓷片電容盤(pán)裝方式1）旁路旁路電容是為本地器件提供能量的儲(chǔ)能器件，它能使穩(wěn)壓器的輸出均勻化，降低負(fù)載需求。就像小型可充電電池一樣，旁路電容能夠被充電，并向器件進(jìn)行放電。為盡量減少阻抗，旁路電容要盡量靠近負(fù)載器件的供電電源管腳和地管腳。這能夠很好地防止輸入值過(guò)大而導(dǎo)致的地電位抬高和噪聲。地電位是地連接處在通過(guò)大電流毛刺時(shí)的電壓降。2）去耦去耦，又稱解耦。從電路來(lái)說(shuō)，總是可以區(qū)分為驅(qū)動(dòng)的源和被驅(qū)動(dòng)的負(fù)載。如果負(fù)載電容比較大，驅(qū)動(dòng)電路要把電容充電、放電，才能完成信號(hào)的跳變，在上升沿比較陡峭的時(shí)候，電流比較大，這樣驅(qū)動(dòng)的電流就會(huì)吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會(huì)產(chǎn)生反彈），這種電流相對(duì)于正常情況來(lái)說(shuō)實(shí)際上就是一種噪聲，會(huì)影響前級(jí)的正常工作，這就是所謂的“耦合”。去耦電容就是起到一個(gè)“電池”的作用，滿足驅(qū)動(dòng)電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。電容的作用:電容的作用:3）濾波從理論上（即假設(shè)電容為純電容）說(shuō)，電容越大，阻抗越小，通過(guò)的頻率也越高。但實(shí)際上超過(guò)1μF的電容大多為電解電容，有很大的電感成份，所以頻率高后反而阻抗會(huì)增大。有時(shí)會(huì)看到有一個(gè)電容量較大電解電容并聯(lián)了一個(gè)小電容，這時(shí)大電容通低頻，小電容通高頻。電容的作用就是通高阻低，通高頻阻低頻。電容越大低頻越容易通過(guò)。具體用在濾波中,大電容（1000μF）濾低頻，小電容（20pF）濾高頻。曾有網(wǎng)友形象地將濾波電容比作“水塘”。由于電容的兩端電壓不會(huì)突變，由此可知，信號(hào)頻率越高則衰減越大，可很形象的說(shuō)電容像個(gè)水塘，不會(huì)因幾滴水的加入或蒸發(fā)而引起水量的變化。它把電壓的變動(dòng)轉(zhuǎn)化為電流的變化，頻率越高，峰值電流就越大，從而緩沖了電壓。濾波就是充電，放電的過(guò)程。4）儲(chǔ)能儲(chǔ)能型電容器通過(guò)整流器收集電荷，并將存儲(chǔ)的能量通過(guò)變換器引線傳送至電源的輸出端。電壓額定值為40～450VDC、電容值在220～150000μF之間的鋁電解電容器（如EPCOS公司的B43504或B43505）是較為常用的。根據(jù)不同的電源要求，器件有時(shí)會(huì)采用串聯(lián)、并聯(lián)或其組合的形式，對(duì)于功率級(jí)超過(guò)10KW的電源，通常采用體積較大的罐形螺旋端子電容器。紙多層貼片電容6:電容的識(shí)別紙多層貼片電容:與貼片電容基本相同，材質(zhì)紙質(zhì)。基本單位為pF,但此電容容量一般在uF級(jí)貼片電解電容電容值耐壓值負(fù)極6:電容的識(shí)別貼片電解電容:絲印印有容量、耐壓和極性標(biāo)示。其基本單位為μF。貼片電解電容和鉭電容都有耐壓和極性標(biāo)示。6.電容的識(shí)別鋁電解電容與其他電解電容結(jié)構(gòu)特點(diǎn)的區(qū)別1、鋁電解電容器：它是由鋁圓筒做負(fù)極、里面裝有液體電解質(zhì)，插人一片彎曲的鋁帶做正極制成。還需經(jīng)直流電壓處理，做正極的片上形成一層氧化膜做介質(zhì)。其特點(diǎn)是容量大、但是漏電大、穩(wěn)定性差、有正負(fù)極性，適于電源濾波或低頻電路中，使用時(shí)，正、負(fù)極不要接反。2、鉭鈮電解電容器：它用金屬鉭或者鈮做正極，用稀硫酸等配液做負(fù)極，用鉭或鈮表面生成的氧化膜做介質(zhì)制成。其特點(diǎn)是：體積小、容量大、性能穩(wěn)定、壽命長(zhǎng)。絕緣電阻大。溫度性能好，用在要求較高的設(shè)備中。3、陶瓷電容器：用陶瓷做介質(zhì)。在陶瓷基體兩面噴涂銀層，然后燒成銀質(zhì)薄膜作極板制成。其特點(diǎn)是：體積小、耐熱性好、損耗小、絕緣電阻高，但容量小，適用于高頻電路。鐵電陶瓷電容容量較大，但損耗和溫度系數(shù)較大，適用于低頻電路。4、云母電容器：用金屬箔或在云母片上噴涂銀層做電極板，極板和云母一層一層疊合后，再壓鑄在膠木粉或封固在環(huán)氧樹(shù)脂中制成。其特點(diǎn)是：介質(zhì)損耗小、絕緣電阻大。溫度系數(shù)小，適用于高頻電路。5、薄膜電容器：結(jié)構(gòu)相同于紙介電容器，介質(zhì)是滌綸或聚苯乙烯。滌綸薄膜電容，介質(zhì)常數(shù)較高，體積小、容量大、穩(wěn)定性較好，適宜做旁路電容。聚苯乙烯薄膜電容器，介質(zhì)損耗小、絕緣電阻高，但溫度系數(shù)大，可用于高頻電路。7.電感元件的識(shí)別貼片疊層電感電感（inductanceofanidealinductor）是閉合回路的一種屬性。當(dāng)線圈通過(guò)電流后，在線圈中形成磁場(chǎng)感應(yīng)，感應(yīng)磁場(chǎng)又會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電流來(lái)抵制通過(guò)線圈中的電流。這種電流與線圈的相互作用關(guān)系稱為電的感抗，也就是電感，單位是“亨利（H）”。貼片疊層電感:外觀上與貼片電容的區(qū)別很小,區(qū)分的方法是貼片電容有多種顏色其中有褐色、灰色、紫色等，而貼片電感只有黑色一種。貼片功率電感7.電感元件的識(shí)別貼片電感實(shí)例：元件值讀取的例子：圖一中電感的絲印為100，讀取其元件值：第一、二位10X第三位0＝10X1＝10μH圖二中電感的絲印為紅紅紅，讀取元件值：第一、二位22X第三位2＝22X100＝2200nH=2.2μH圖一圖二自感當(dāng)線圈中有電流通過(guò)時(shí)，線圈的周圍就會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)。當(dāng)線圈中電流發(fā)生變化時(shí)，其周圍的磁場(chǎng)也產(chǎn)生相應(yīng)的變化，此變化的磁場(chǎng)可使線圈自身產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)（感生電動(dòng)勢(shì)）（電動(dòng)勢(shì)用以表示有源元件理想電源的端電壓），這就是自感?；ジ袃蓚€(gè)電感線圈相互靠近時(shí)，一個(gè)電感線圈的磁場(chǎng)變化將影響另一個(gè)電感線圈，這種影響就是互感?；ジ械拇笮∪Q于電感線圈的自感與兩個(gè)電感線圈耦合的程度，利用此原理制成的元件叫做互感器。當(dāng)一根導(dǎo)線中擁有恒定電流流過(guò)時(shí)，總會(huì)在導(dǎo)線四周激起恒定的磁場(chǎng)。當(dāng)把這根導(dǎo)線都彎曲成為螺旋線圈時(shí)，應(yīng)用電磁感應(yīng)定律，就能斷定，螺旋線圈中發(fā)生了磁場(chǎng)。將這個(gè)螺旋線圈放在某個(gè)電流回路中，當(dāng)這個(gè)回路中的直流電變化時(shí)（如從小到大或許相反），電感中的磁場(chǎng)也應(yīng)該會(huì)發(fā)生變化，變化的磁場(chǎng)會(huì)帶來(lái)變化的“新電流”，由電磁感應(yīng)定律，這個(gè)“新電流”一定和原來(lái)的直流電方向相反，從而在短時(shí)刻內(nèi)關(guān)于直流電的變化構(gòu)成一定的抵抗力。只是，一旦變化完成，電流穩(wěn)固上去，磁場(chǎng)也不再變化，便不再有任何障礙發(fā)生。電感作用電感量電感器電感量的大小，主要取決于線圈的圈數(shù)（匝數(shù)）、繞制方式、有無(wú)磁心及磁心的材料等等。通常，線圈圈數(shù)越多、繞制的線圈越密集，電感量就越大。有磁心的線圈比無(wú)磁心的線圈電感量大；磁心導(dǎo)磁率越大的線圈，電感量也越大。允許偏差允許偏差是指電感器上標(biāo)稱的電感量與實(shí)際電感的允許誤差值。一般用于振蕩或?yàn)V波等電路中的電感器要求精度較高，允許偏差為±0.2%~±0.5%；而用于耦合、高頻阻流等線圈的精度要求不高；允許偏差為±10%~15%。品質(zhì)因數(shù)它是指電感器在某一頻率的交流電壓下工作時(shí)，所呈現(xiàn)的感抗與其等效損耗電阻之比。電感器的Q值越高，其損耗越小，效率越高。電感器品質(zhì)因數(shù)的高低與線圈導(dǎo)線的直流電阻、線圈骨架的介質(zhì)損耗及鐵心、屏蔽罩等引起的損耗等有關(guān)。主要參數(shù)1:通常是用貼片元件的長(zhǎng)與寬組合在一起,表示貼片元件體積大小的一種表示,通常用英寸(Inch)(1Inch=2.54cm)2:常用貼片元件的規(guī)格有以下幾種:A:0402表示該元件：長(zhǎng)0.04Inch寬0.02InchB:0603表示該元件：長(zhǎng)0.06Inch寬0.03InchC:0805表示該元件：長(zhǎng)0.08Inch寬0.05InchD:1206表示該元件：長(zhǎng)0.12Inch寬0.06InchE:1210表示該元件：長(zhǎng)0.12Inch寬0.1InchF:0201表示該元件：長(zhǎng)0.02Inch寬0.01Inch貼片元件規(guī)格識(shí)別3:規(guī)格圖示3310.08(inch)0.05(inch)

元件規(guī)格：0805此圖表示：331的電阻的規(guī)格是0805inch常見(jiàn)貼片元件尺寸規(guī)范介紹單位（英制）0201040206030805100812061210單位（公制）0.6x0.31.0x0.51.6x0.82.0x1.252.5x2.03.2x1.63.2x2.5注：1）此處的0201表示0.02X0.01inch，其他相同；2）在材料中還有其它尺寸規(guī)格例如：0202、0303、0504、1808、1812、2211、2220等等，但是在實(shí)際使用中使用范圍并不廣泛所以不做介紹；3）對(duì)于實(shí)際應(yīng)用中各種對(duì)尺寸的稱呼有所不同，一般情況下使用英制單位稱呼為多，例如一般我們?cè)诠ぷ髦袝?huì)說(shuō)用的是0603的電容，也有時(shí)使用公制單位例如說(shuō)用1608的電容此時(shí)使用的就是公制單位。在貼片元件的尺寸上為了讓所有廠家生產(chǎn)的元件之間有更多的通用性，國(guó)際上各大廠家進(jìn)行了尺寸要求的規(guī)范工作，形成了相應(yīng)的尺寸系列。其中在不同國(guó)家采用不同的單位基準(zhǔn)主要有公制和英制，對(duì)應(yīng)關(guān)系如下表：8.二極管、三極管(1)、二極管簡(jiǎn)介A、從封裝材料分:可以分為玻璃二極管、塑封二極管；B、從半導(dǎo)體材分:可以分為鍺材質(zhì)二極管、硅材質(zhì)二極管;從功能分:有開(kāi)關(guān)二極管、整流二極管、發(fā)光二極管;C、不同的半導(dǎo)體材料特性不同，一般開(kāi)關(guān)二極管采用鍺二極管，整流二極管、發(fā)光二極管多采用硅二極管,一般鍺二極管采用玻璃封裝，硅二極管采用塑封。D、二極管有極性區(qū)分，一般二極管的負(fù)極用白色、紅色或黑色色環(huán)標(biāo)識(shí)，發(fā)光二極管一般用引腳長(zhǎng)度不同來(lái)區(qū)分極性，較短的引腳為負(fù)極二極管又稱晶體二極管,簡(jiǎn)稱二極管(diode)，另外，還有早期的真空電子二極管；它是一種具有單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的轉(zhuǎn)導(dǎo)性。(2)二極管的封裝圖片

二極管極性標(biāo)示貼片玻璃二極管負(fù)極塑封二極管(2)二極管的封裝圖片貼片發(fā)光二極管盤(pán)裝卷帶1.整流整流二極管主要用于整流電路，即把交流電變換成脈動(dòng)的直流電。整流二極管都是面結(jié)型，因此結(jié)電容較大，使其工作頻率較低，一般為3kHZ以下。2.開(kāi)關(guān)二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于一只接通的開(kāi)關(guān)；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止?fàn)顟B(tài)，如同一只斷開(kāi)的開(kāi)關(guān)。利用二極管的開(kāi)關(guān)特性，可以組成各種邏輯電路。3.限幅二極管正向?qū)ê?，它的正向壓降基本保持不變（硅管?.7V，鍺管為0.3V）。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號(hào)幅度限制在一定范圍內(nèi)。4.續(xù)流在開(kāi)關(guān)電源的電感中和繼電器等感性負(fù)載中起續(xù)流作用。二極管應(yīng)用5.檢波檢波二極管的主要作用是把高頻信號(hào)中的低頻信號(hào)檢出。它們的結(jié)構(gòu)為點(diǎn)接觸型。其結(jié)電容較小，工作頻率較高，一般都采用鍺材料制成。6.阻尼阻尼二極管多用在高頻電壓電路中，能承受較高的反向擊穿電壓和較大的峰值電流，一般用在電視機(jī)電路中，常用的阻尼二極管有2CN1、2CN2、BSBS44等。7.顯示用于VCD、DVD、計(jì)算器等顯示器上。8.穩(wěn)壓這種管子是利用二極管的反向擊穿特性制成的，在電路中其兩端的電壓保持基本不變，起到穩(wěn)定電壓的作用。常用的穩(wěn)壓管有2CW55、2CW56等。[1]9.觸發(fā)觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管（DIAC）屬三層結(jié)構(gòu)，具有對(duì)稱性的二端半導(dǎo)體器件。常用來(lái)觸發(fā)雙向可控硅；，在電路中作過(guò)壓保護(hù)等用途。二極管應(yīng)用三極管的分類按照三極管的加工工藝可以將三極管分為NPN管，PNP管，MOS管。(3):三極管半導(dǎo)體三極管又稱“晶體三極管”或“晶體管”。在半導(dǎo)體鍺或硅的單晶上制備兩個(gè)能相互影響的PN結(jié)，組成一個(gè)PNP（或NPN）結(jié)構(gòu)。中間的N區(qū)（或P區(qū)）叫基區(qū)，兩邊的區(qū)域叫發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，這三部分各有一條電極引線，分別叫基極B、發(fā)射極E和集電極C，是能起放大、振蕩或開(kāi)關(guān)等作用的半導(dǎo)體電子器件。截止?fàn)顟B(tài)：當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓小于pn結(jié)的導(dǎo)通電壓，基極電流為零，集電極電流和發(fā)射極電流都為零，三極管這時(shí)失去了電流放大作用，集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的斷開(kāi)狀態(tài)，我們稱三極管處于截止?fàn)顟B(tài)。放大狀態(tài)：當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓大于pn結(jié)的導(dǎo)通電壓，并處于某一恰當(dāng)?shù)闹禃r(shí)，三極管的發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置，這時(shí)基極電流對(duì)集電極電流起著控制作用，使三極管具有電流放大作用，其電流放大倍數(shù)β=ΔIc/ΔIb，這時(shí)三極管處放大狀態(tài)。飽和狀態(tài)：當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓大于pn結(jié)的導(dǎo)通電壓，并當(dāng)基極電流增大到一定程度時(shí)，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處于某一定值附近不怎么變化，這時(shí)三極管失去電流放大作用，集電極和發(fā)射極之間的電壓很小，集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通狀態(tài)。三極管的這種狀態(tài)我們稱之為飽和導(dǎo)通狀態(tài)。三極管工作狀態(tài)三極管工作狀態(tài)NPN型,當(dāng)B與E之間電壓Vbe>0.5V時(shí),如果三個(gè)管腳電壓關(guān)系是Vc>Vb>Ve,則會(huì)處?kù)斗糯鬆顟B(tài);如果是Vb>Vc>Ve則會(huì)處?kù)讹柡蜖顟B(tài)(相當(dāng)於開(kāi)關(guān));如果此時(shí)Ve>Vc則仍會(huì)處?kù)督刂範(fàn)顟B(tài).PNP型,當(dāng)B和E之間電壓Veb>0.5V時(shí),如果三個(gè)管腳電壓關(guān)系是Ve>Vb>Vc,則會(huì)處?kù)斗糯鬆顟B(tài);如果是Ve>Vc>Vb則會(huì)處?kù)讹柡蜖顟B(tài)(相當(dāng)於開(kāi)關(guān));如果此時(shí)Vc>Ve則仍會(huì)處?kù)督刂範(fàn)顟B(tài).注:三極管放大狀態(tài)時(shí),導(dǎo)通能力大小由基極電流Ib決定,因此三極管是電流控制型元件.根據(jù)三極管工作時(shí)各個(gè)電極的電位高低，就能判別三極管的工作狀態(tài)，因此，電子維修人員在維修過(guò)程中，經(jīng)常要拿多用電表測(cè)量三極管各腳的電壓，從而判別三極管的工作情況和工作狀態(tài)MOS管mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。MOS集成電路包括:NMOS管組成的NMOS電路、PMOS管組成的PMOS電路及由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。PMOS門電路與NMOS電路的原理完全相同，只是電源極性相反而已。

A、SOJ封裝IC（雙排直列J形內(nèi)側(cè))

9:集成電路(IC)IC的分類主要依據(jù)IC的封裝形式，基本可分為:SOJ（雙排內(nèi)側(cè)J形）、PLCC(四方J形引腳）、QFP（正四方)、BGA(底部球狀形)、DIP（雙列直插）四種形式。IC方向指示缺口IC第一腳指示SOJIC(雙排直列),IC的絲印面具有型號(hào)絲印、方向指示缺口、第一腳指示標(biāo)記。集成電路(IC)中央處理器（英文CentralProcessing

Unit，CPU）是一臺(tái)計(jì)算機(jī)的運(yùn)算核心和控制核心。CPU、內(nèi)部存儲(chǔ)器和輸入/輸出設(shè)備是電子計(jì)算機(jī)三大核心部件。其功能主要是解釋計(jì)算機(jī)指令以及處理計(jì)算機(jī)軟件中的數(shù)據(jù)。CPU由運(yùn)算器、控制器和寄存器及實(shí)現(xiàn)它們之間聯(lián)系的數(shù)據(jù)、控制及狀態(tài)的總線構(gòu)成。差不多所有的CPU的運(yùn)作原理可分為四個(gè)階段：提?。‵etch）、解碼（Decode）、執(zhí)行（Execute）和寫(xiě)回（Writeback）。CPU從存儲(chǔ)器或高速緩沖存儲(chǔ)器中取出指令，放入指令寄存器，并對(duì)指令譯碼，并執(zhí)行指令。所謂的計(jì)算機(jī)的可編程性主要是指對(duì)CPU的編程。RAM（randomaccessmemory）隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。按照存儲(chǔ)信息的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（StaticRAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DynamicRAM,DRAM)。ROM是只讀內(nèi)存（Read-OnlyMemory）的簡(jiǎn)稱，是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。其特性是一旦儲(chǔ)存資料就無(wú)法再將之改變或刪除。通常用在不需經(jīng)常變更資料的電子或電腦系統(tǒng)中，并且資料不會(huì)因?yàn)殡娫搓P(guān)閉而消失。集成電路(IC)Flash存儲(chǔ)器又稱閃存，全名叫FlashEEPROMMemory，它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還可以快速讀取數(shù)據(jù)（NVRAM的優(yōu)勢(shì)），使數(shù)據(jù)不會(huì)因?yàn)閿嚯姸鴣G失。U盤(pán)和MP3里用的就是這種存儲(chǔ)器。在過(guò)去的20年里，嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM（EPROM）作為它們的存儲(chǔ)設(shè)備，然而近年來(lái)Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統(tǒng)中的地位，用作存儲(chǔ)Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼，或者直接當(dāng)硬盤(pán)使用（U盤(pán)）。目前Flash主要有兩種NORFlash和NANDFlash。NORFlash的讀取和我們常見(jiàn)的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運(yùn)行裝載在NORFLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。NANDFlash沒(méi)有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來(lái)進(jìn)行的，通常是一次讀取512個(gè)字節(jié)，采用這種技術(shù)的Flash比較廉價(jià)。用戶不能直接運(yùn)行NANDFlash上的代碼，因此好多使用NANDFlash的開(kāi)發(fā)板除了使用NANDFlash以外，還加上了一塊小的NORFlash來(lái)運(yùn)行啟動(dòng)代碼。集成電路(IC)FLASHMT29F32G08CBACA4GB鎂光NANDFlashDie(LUN)FunctionalBlockDiagram8MBYTE=64MBIT1bit就是1位二進(jìn)制數(shù).

1Byte就是1個(gè)字節(jié).1個(gè)字節(jié)是由8個(gè)二進(jìn)制位組成的.

所以1Byte=8bit.SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）的簡(jiǎn)稱，SDRAM采用3.3v工作電壓，帶寬64位，SDRAM將CPU與RAM通過(guò)一個(gè)相同的時(shí)鐘鎖在一起，使RAM和CPU能夠共享一個(gè)時(shí)鐘周期，以相同的速度同步工作，與EDO內(nèi)存相比速度能提高50％。SDRAM基于雙存儲(chǔ)體結(jié)構(gòu)，內(nèi)含兩個(gè)交錯(cuò)的存儲(chǔ)陣列，當(dāng)CPU從一個(gè)存儲(chǔ)體或陣列訪問(wèn)數(shù)據(jù)時(shí)，另一個(gè)就已為讀寫(xiě)數(shù)據(jù)做好了準(zhǔn)備，通過(guò)這兩個(gè)存儲(chǔ)陣列的緊密切換，讀取效率就能得到成倍的提高。DDR2/DDRII（DoubleDataRate2）SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。?。換句話說(shuō)，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。集成電路(IC)DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓，相對(duì)于DDR標(biāo)準(zhǔn)的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，DDR3內(nèi)存采用1.5V電壓集成電路DDR2128MBK4T1G164QF-BCF7高速800x16PackagePinout(Topview):84ballFBGAPackage集成電路(IC)方向指示缺口型號(hào)絲印生產(chǎn)周期國(guó)際上采用IC腳位的統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)：將IC的方向指示缺口朝左邊，靠近自己一邊的引腳從左至右為第一腳至第N腳，遠(yuǎn)離自己的一邊從右至左為第N＋1腳至最后一腳。注：有部分廠家生產(chǎn)的IC不是用方向指示缺口來(lái)標(biāo)識(shí)，而是用一條絲印來(lái)表示方向辨認(rèn)腳位的方法和上述方法一樣。B、PLCC(四方J形引腳)C、QFP（正四方翅形引腳）正四方IC引腳腳位辨認(rèn)方法:將方向指示標(biāo)記朝左并靠近自己，正對(duì)自己的一排引腳左邊第一腳為IC的第一腳，按逆時(shí)針?lè)较蛞来螢榈诙_至第N腳。QFPIC封裝:在集成電路的集成量和功能的增加的同時(shí)，IC的引腳不斷的增多，而IC的體積確不能增大太多，因此，IC為解決這個(gè)矛盾設(shè)計(jì)出四邊都有引腳的正四方IC封裝形式。IC方向標(biāo)示生產(chǎn)周期型號(hào)絲印生產(chǎn)廠家D、

BGA(底部錫球引腳)BGA封裝:隨著技術(shù)的更新集成電路的集成度不斷提高，功能強(qiáng)大的IC不斷被設(shè)計(jì)出來(lái)，引腳不斷增多QFP方式已不能解決需求，因此BGA封裝方式被設(shè)計(jì)出來(lái)，它充分利用IC與PCB接觸面積，大幅的利用IC的底面和垂直焊接方式，從而解決了引腳的問(wèn)題。錫球引腳BGA極性標(biāo)示型號(hào)絲印生產(chǎn)周期生產(chǎn)廠家10.晶振石英晶體振蕩器是一種高精度和高穩(wěn)定度的振蕩器，被廣泛應(yīng)用于彩電、計(jì)算機(jī)、遙控器等各類振蕩電路中，以及通信